JPH04157754A - 表面処理装置におけるウエハ移載方法 - Google Patents

表面処理装置におけるウエハ移載方法

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JPH04157754A
JPH04157754A JP2281754A JP28175490A JPH04157754A JP H04157754 A JPH04157754 A JP H04157754A JP 2281754 A JP2281754 A JP 2281754A JP 28175490 A JP28175490 A JP 28175490A JP H04157754 A JPH04157754 A JP H04157754A
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JP
Japan
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wafer
boat
shelf
wall surface
transfer
Prior art date
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Pending
Application number
JP2281754A
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English (en)
Inventor
Takashi Yamashita
山下 隆士
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Shinko Electric Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Co Ltd
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Publication date
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体ウェハの表面処理を行なう表面処理装置
におけるウェハ移載方法に関する。
(従来の技術) 第4図は、例えば特開昭63−239938号公報に開
示された種類の表面処理を行なうシステムを示したもの
で、10は縦型の反応炉、11は炉のシャッター、12
はボートエレベータであって、反応炉10は第5図に示
す如(炉体13、ヒータ14、石英管15、支持フラン
ジ16を備え、この石英管15内に処理流体(水素ガス
と窒素ガスの混合体)が供給される。17はCVD処理
される半導体ウェハW、とダミーウェハW勤及びフィラ
ーウェハWrの多数枚を段々に保持するボートであって
、移載装置18によりボートエレベータ12の昇降台1
2A上のボート支持台12Bに載置される。
半導体ウェハW、は、第6図に示す如きウェハカセット
21に収納されてステージ20上へ搬送され、このステ
ージ20上のウェハカセット21から1枚づつ取り出さ
れて、ボート17に移載される。耐用期間が経過すると
交換されるダミーウェハWD及びフィラーウェハWy 
も同様である。
以下、半導体ウェハW、とダミーウェハWD及びフィラ
ーウェハWFを総称してウェハWという。
このボート17は、第7図および第8図に示す如く、上
板17Aと下板17Bとの間に、4本の棚柱22〜25
を立てた構成を有し、各標柱22〜25にはウェハの周
部を載せる凹部26が上下方向に一定間隔を隔てて形成
されている。この凹部26は第9図に示す如くウェハ載
置面26Aと垂直の棚壁面26B−t−備える。各ウェ
ハは移載ロボット19に取りつけたロボットフィンガー
(ヘラ状の真空吸着ベン19A)でカセット21から1
枚づつ取り出されて第7図の矢印の方向(ウェハ搬入方
向)からボート17に搬入されて同一高さにある4個の
凹部(1枚のウェハWに対して1つのウェハ載置棚とな
る)26上え移載される。
この移載動作を第9図、第10図及び第11図を参照し
て説明する。第10図及び第11図は各々ボート17の
ウェハ搬入時及び搬出時における真空吸着ベン19Aの
移動経路を示している。
移載ロボット19はそのロボット制御装置がシステム全
体を制御する図示しないシーケンサから指令を受けて動
作する。
ウェハカセット21からウェハWを取り出した移載ロボ
ット19は、 ■真空吸着ベン19Aで吸着しているウェハWをボート
17の指定された棚番号のウェハ載置棚の上下方向中間
位置Oへ向けて搬送し、第9図(a)、第1O図に示す
如く、真空吸着ベン19Aがこのウェハ載置棚の最奥部
の凹部(棚支柱22.23の凹部)26の棚壁面26B
まである一定距離を残す位置Poにくると(この時、ウ
ェハWは該棚壁面26Bに対して、はぼ所定距離ΔLO
だけ前方位置X1にある)、真空吸着ベン19Aの吸引
動作を停止させると共に移動速度を落として、非吸引状
態で点PLまで移動させる。Po−PI間の距離はΔL
Oより2だけ大きくしであるので、真空吸着ベン19A
がこの距離を移動している間に、ウェハWの周端が確実
に棚壁面26Bの中間位置0にソフトに当接する(第9
図(b))。
■このウェハ搬入ステップが終わると、真空吸着ベン1
9Aが、(H/2)+ΔHだけ垂直に下降して(第10
図の点P1〜点P3“までの経路)、その間にウェハW
が上記ウェハ載置棚の各凹部26の1!置面26Aに着
床する(第9図(C)、第10図の点P2’ )、この
状態で、ウェハWの中心とボート17の中心とが一致す
る。
■このウェハ載置ステップが終わると2、真空吸着ベン
19Aはステージ20例え戻される(戻りステップ)。
このようにして、各ウェハ載置棚にウェハを移載された
ボート17は、昇降台12A上のボート支持台12B上
にセットされたのち、ボートエレベータ12により持ち
上げられ、石英管15の開口部から、該石英管15内の
所定位置まで送り込まれ、半導体ウェハW、とダミーウ
ェハW0及びフィラーウェハWFはシャッター11で密
閉された高温の処理雰囲気中に曝されることになり、半
導体ウェハW、のCVD処理が行なわれる。
〔発明が解決すべき課題〕
上記の如く、各ウェハWは、移載ロボット19の真空吸
着ペン19Aでカセット21から1枚づつ取り出されて
ボート17に搬入されるが、ボート17内で各ウェハW
の位置が不揃いになるのを防ぐために、ウェハWの周端
を、−旦、凹部26の棚壁面26Bに当接させて位置決
めし、そのままウェハWを載置面26A上に下すので、
ウェハWの周端が各凹部26の棚壁面26Bを摺動しな
から載置面26A上に陪りるかたちとなる。
ところで、ボート17は反応炉10内で上記処理雰囲気
中に曝されるので、その表面に生成物が付着する。この
ため、ウェハWの周端が凹部26の棚壁面26Bを摺動
すると、棚壁面26Bに付着していた生成物が剥離して
ホコリ状に浮遊し、ウェハWに付着して、欠陥ウェハW
を生む原因となる。
また、CVD処理が行なわれてボートエレベータ12に
より反応炉10から引き出されたボート17からウェハ
Wを1枚づつ取り出してステージ20上のウェハカセッ
ト21に移載する場合も、第9図(d)、第11図に示
す如く、真空吸着ベン19AをウェハWの下方に移動さ
せたのち(第11図の点P°)、点P6°まで上昇移動
させる。真空吸着ベン19Aは経路P4’−P6°を移
動する間に、点P5’でウェハWに当接してこれを咬着
する。ウェハWを真空吸着ペン19Aが経路P4’−P
6’を移動する間、各凹部26の棚壁画面26Bに付着
している生成物を剥離・浮遊させる。
本発明はこの課題を解決するためになされたもので、ウ
ェハを、ボートに出し入れする際に、ホコリを発生させ
ることな(出し入れすることができる表面処理装置にお
けるウェハ移載方法を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は上目的を達成するため、所定枚数のウェハを一
定間隔を空けて段々に収納可能であって所定位置にある
ステージに対して搬入・搬出されるウェハカセット、一
定枚数のウェハを一定間隔を空けて段々に収納可能であ
って定位置から処理ユニット内へまたはその逆に移送さ
れるボート、上記ウェハカセットもしくは上記ボートか
らウェハを1枚づつ取り出して上記ウェハカセットから
上記ボートへもしくはその逆に移載する移載ロボットを
備え、上記ウェハカセットからウェハを取り出した移載
ロボットが、ウェハを上記ボートの指定された棚番号の
ウェハ載置棚の高さ方向中間位置え向けて搬送し、この
ウェハ載置棚のウェハ搬入方向最奥部の棚壁面にウェハ
の周端を当接させるステップであって、ロボットフィン
ガーが上記最奥部の棚壁面まで所定距離を残す位置でウ
ェハ保持力フリーに切換えられるウェハ搬入ステップと
、ロボットフィンガーが下降してこのウェハを上記ウェ
ハ載置棚の載置面上に下降載置したのち該ウェハから離
間するウェハ載置ステップと、上記ロボットフィンガー
が上記ステージ側へ移動する戻りステップとを実行する
表面処理装置におけるウェハ移載方法において、 上記ウェハ搬入ステップを終了した移載ロボットは、ロ
ボットフィンガーをウェハ搬出方向え後退下降させるウ
ェハ載置ステップを実行する構成とした。
請求項2では、ウェハのボートからの搬出に際して、移
載ロボットは、ウェハ載置棚上のウェハに係合したロボ
ットフィンガーをウェハ搬出方向え後退上昇させる構成
とした。
〔作用〕
本発明では、ウェハは、ボート搬入時は、ウェハ載置棚
の凹部の棚壁面を摺動することな(上記ウェハ載置棚の
載置面上に着床し、ボート搬出時も、上記凹部の棚壁面
を摺動することなく上記ウェハ載置棚から離間してボー
ト外へ搬出される。
〔実施例〕
以下、本発明の1実施例を図面を参照して説明する。
第1図は、前記したウェハカセット21からウェハWを
取り出した第4図の移載ロボット19が、ウェハWをボ
ート17内の指定された棚番号のウェハ載置棚に搬入・
移載する動作を説明するための図であり、第2図及び第
3図に、それぞれボート17のウェハ搬入時及び搬出時
における真空吸着ベン19Aの移動経路を示している。
この時の真空′@L看ベン19Aの移動経路を示してい
る。
以下に、本発明のウェハ移載方法について説明する。
ウェハカセット21からウェハWを取り出した移載ロボ
ット19は、前記従来の場合と同様に、■真空吸着ベン
19Aで吸着しているウェハWをボート17の指定され
た棚番号のウェハ載置棚の上下方向中間位置Oえ向けて
搬送し、第1図(a)、第2図に示す如く、真空吸着ベ
ン19Aがこのウェハ載置棚の最奥部の凹部(棚支柱2
2.23の凹部)26の棚壁面26Bまである一定距離
を残す位置Poにくると(この時、ウェハWは該棚壁面
26Bに対して、所定距離Δしたけ前方の位置X1にあ
る)、真空吸着ベン19Aの吸引動作を停止させるとと
もに移動速度を落として、非吸引状態で点P1まで移動
させる。ここで、ΔLは、ボート17のウェハ載置棚の
径をD、ウェハWの径をdとすると、ΔL−(D−d)
/2であり、中間位置Oの載置面26Aからの高さΔH
oはウェハWの厚さをhとすると、(H−h)/2であ
る。Po−PL間の距離はΔLよりlたけ大きくしであ
るので、真空吸着ベン19Aがこの距離を移動している
間に、ウェハWの周端が確実に棚壁面26Bの中間位置
0にソフトに当接する(第1図(b))。
■このウェハ搬入ステップが終わると、真空吸着ベン1
9Aが、(H/2)十ΔHだけ角度θ、で斜めに下降し
て(第2図の点21〜点P3までの経路)、その間にウ
ェハWの周部が上記ウェハ載置棚の最奥部の凹部26の
載置面26Aに、ウェハ周端を位置Xoに位置決めされ
て着床する(第1図(C)、第2図の点P2)、この状
態で、ウェハWの中心とボート17の中心とが一致する
。ここで、角度θ1は、j a n”’ (ΔHo/Δ
L)である。
これにより、ウェハWは棚壁面26Bを摺動することな
く指定された棚番号のウェハ載置棚の所定位置に正確に
移載される。
■その後は、真空咬着ペン19Aはステージ20側え戻
される。
■また、CvD処理が行なわれてボートエレベータ12
により反応炉10から引き出されたボート17からウェ
ハWを1枚づつ取り出してステージ19上のウェハカセ
ット21に移載する場合は、真空吸着ベン19Aをウェ
ハWの下方に移動させたのち(第3図の点P4)、高さ
(H/2)+ΔHだけ角度θ2で斜めに点P6まで上昇
移動させる。真空吸着ベン19Aは経路P4−P6を移
動する間に、点P5でウェハWに当接してこれを吸着し
、ウェハWを載置面26Aから離間してウェハ載置棚外
へ(ウェハ周端が位置X2に達するまで)、ウェハ搬出
方向に斜めに搬出する(第1図@)、これにより、ウェ
ハWは棚壁面26Bを摺動することな(ボート17外へ
搬送される。
このように、本実施例では、ボート17への移載時、ウ
ェハWの周端をウェハ載置棚の最奥部の凹部<m支柱2
2.23の凹部)26の棚壁面26Bに当てて該位置(
載置面26A上の対応位置xO゛)に位置決めするので
はな(、ウェハWの周端をウェハ載置棚の最奥部の凹部
(棚支柱22.23の凹部)26の棚壁面26Bに当て
、この位置を基準にして位置Xo’ とは別の位置XO
に位置決めするから、ウェハWがウェハ載置棚の内面を
摺ることが無く、ボート17からの搬出時も、位置Xo
とは異なる位置X1の上まで斜め方向に持ち上げるので
、ウェハWがウェハ載置棚の内面を摺ることが無い。
本実施例における真空吸着ベン19Aの点21〜点P2
に至る経路、点25〜点P6に至る経路が傾斜経路であ
るので、真空吸着ベン19Aの単純な動作で上記効果を
得ることができる利点があり、また、ウェハ載置棚の棚
間隔が小さくても上記作用を実用的に行なわせることが
できる。勿論、上記経路として、傾斜経路以外の経路を
描かせても同様の効果を得ることができる。
〔発明の効果〕
本発明は以上説明した通り、ウェハがボート内のウェハ
載置棚の最奥部凹部の位置決め基準面となる棚壁面に当
接したのちは、ウェハを該ウェハ載置棚の最奥部凹部外
へ搬出し終えるまで、ロボットフィンガーはこの基準面
および載置面に平行する移動を行なわないので、ウェハ
がこれら位置決め基準面および載置面を摺ることがなく
、従ってウェハのボート搬入・搬出時に、ウェハ載置棚
に付着している生成物がウェハ載置棚から剥離・浮遊す
ることを確実に防止することができ、生成物がボート内
でホコリとなって処理前および処理後の半導体ウェハに
付着する機会が無くなるので、従来に比し、ウェハ表面
処理の歩留りを大幅に向上することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の詳細な説明するためのボート内ウェハ
載置棚とウェハとの位置関係を示す図、第2図及び第3
図は上記実施例を説明するためのロボットフィンガーの
移動経路を示す図、第4図は表面処理装置のシステムの
1例を示す模式図、第5図は上記システムにおける処理
ユニットを示す縦断面図、第6図は上記システムにおけ
るウェハカセットを示す図、第7図及び第8図はそれぞ
れ上記システムにおけるボートの上面図及び縦断面図、
第9図は従来のウェハ移載方法を説明するためのボート
内つェハ載置欄とウェハとの位置関係を示す図、第1θ
図及び第11図は従来のウェハ移載方法を説明するため
のロボットフィンガーの移動経路を示す図である。 1〇−反応炉、12・・・エレベータ、17−ボート、
18−移載装置、19−移載ロボット、19A・−真空
吸着ペン、20−・ステージ、21−・ウェハカセット

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)所定枚数のウェハを一定間隔を空けて段々に収納
    可能であって所定位置にあるステージに対して搬入・搬
    出されるウェハカセット、一定枚数のウェハを一定間隔
    を空けて段々に収納可能であって定位置から処理ユニッ
    ト内へまたはその逆に移送されるボート、上記ウェハカ
    セットもしくは上記ボートからウェハを1枚づつ取り出
    して上記ウェハカセットから上記ボートへもしくはその
    逆に移載する移載ロボットを備え、上記ボートは所定間
    隔を隔てて上下に並ぶ複数のウェハ載置棚を有し、この
    各ウェハ載置棚は載置面と位置決め棚壁面とを持ちウェ
    ハ周部を受ける凹部の複数個を有し、ロボットフィンガ
    ーで上記ウェハカセットからウェハを取り出した上記移
    載ロボットは、ウェハを上記ボートの指定された棚番号
    のウェハ載置棚における高さ方向中間位置え向けて搬送
    し、このウェハ載置棚のウェハ搬入方向最奥部の棚壁面
    にウェハの周端を当接させるステップであって、ロボッ
    トフィンガーが上記最奥部の棚壁面まで所定距離を残す
    位置でウェハ保持力フリーに切換えられるウェハ搬入ス
    テップと、ロボットフィンガーが下降してこのウェハを
    上記ウェハ載置棚の載置面上に下降載置したのち該ウェ
    ハから離間するウェハ載置ステップと、上記ロボットフ
    ィンガーが上記ステージ側へ移動する戻りステップとを
    実行する表面処理装置におけるウェハ移載方法において
    、上記ウェハ搬入ステップを終了した移載ロボットは、
    ロボットフィンガーをウェハ搬出方向え後退下降させる
    ウェハ載置ステップを実行することを特徴とする表面処
    理装置におけるウェハ移載方法。
  2. (2)ウェハのボートからの搬出に際して、移載ロボッ
    トは、ウェハ載置棚上のウェハに係合したロボットフィ
    ンガーをウェハ搬出方向え後退上昇させることを特徴と
    する請求項1記載の表面処理装置におけるウェハ移載方
    法。
JP2281754A 1990-10-22 1990-10-22 表面処理装置におけるウエハ移載方法 Pending JPH04157754A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008010721A (ja) * 2006-06-30 2008-01-17 Denso Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008010721A (ja) * 2006-06-30 2008-01-17 Denso Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置

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