JPH04151669A

JPH04151669A - 電子写真感光体

Info

Publication number: JPH04151669A
Application number: JP27717690A
Authority: JP
Inventors: Shigeki Takeuchi; 茂樹竹内; Kiyoshi Tamaki; 玉城　喜代志
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 1990-10-16
Filing date: 1990-10-16
Publication date: 1992-05-25

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は電子写真感光体に関し、さらに詳しくはキャリ
ア輸送能に優れ、高感度で残留電位の低い電子写真感光
体に関する。

［従来技術］従来、電子写真感光体としては、セレン、酸化亜鉛、硫
化カドミウム等の無機光導電性物質を生成分とする感光
層を設けた無機感光体が広く使用されてきた。しかしな
から、このような無機感光体は複写機等の電子写真感光
体として要求される光感度、熱安定性、耐湿性、耐久性
等の特性において必ずしも満足できるものではなかった
。例えば、セレンは熱や指紋の汚れ等によって結晶化し
やすいので電子写真感光体としての特性が劣化しやすく
、硫化カドミウムを用いた電子写真感光体は耐湿性、耐
久性に劣り、また酸化亜鉛を用いた電子写真感光体は耐
久性に問題があった。更にセレン、硫化カドミウムの電
子写真感光体は毒性の点で製造上、取扱上の制約が大き
いという欠点を有していた。

このような無機光導電性物質の欠点を改善するために、
種々の有機の光導電性物質を電子写真感光体の感光層に
使用することが試みられ、近年活発に研究が行われてい
る。例えば特公昭５０−１０４９６号公報には、ポリビ
ニルカルバゾールとトリニトロフルオレノンを含有した
感光層を有する有機感光体が記載されている。しかし、
この感光体は感度及び耐久性において十分なものではな
かった。

そのため、電荷発生機能と電荷輸送機能を異なる物質に
個別に分担させた機能分離型の電子写真感光体が開発さ
れた。このような機能分離型の電子写真感光体はキャリ
ア発生機能とキャリア輸送機能を有する物質を広範囲か
ら選択することができるので、任意の特性を得やすく、
感度が高く、耐久性の優れた有機感光体を得ることがで
きる。

前記電荷発生機能を分担する電荷発生物質としては、各
種のアゾ化合物が、また電荷輸送機能を分担する電荷輸
送物質としては、例えば特開昭５１−９４８２９号、同
５２−７２２３１号、同５３−２７０３３号、同５５−
５２０６３号、同５８−６５４４０号、同５８−１９８
４２５号等の各公報に提案されているものが用いられた
。

しかし、上記の電荷輸送物質を用いて構成された機能分
離型の感光体は、電荷輸送能が十分ではなく、特に環境
温度が低い状態で高速度の複写プロセスに供すると感度
低下を生じ、或は残留電位の上昇を招くという欠点を有
していた。又、感光体ドラムの小径化によって複写プロ
セスの軽便化を図っても従来の電荷輸送物質では電荷輸
送能が十分ではないため、ドラム小径化は必然的にプロ
セス速度の低下を招くことになる。

斯かる事情から、最近、電荷（正孔）輸送物質として特
定の構造のポリシランを用いた感光体についての技術が
提案されるようになった（特開昭６１−１０７４７号、
同６２−２６９９６４号、同６３−２８５５５２号参照
）。このポリシランによれば、既述の電荷輸送物質と異
なり自己成膜性を有しているため、他のバインダと組合
せることなく容易に膜状の感光層を形成することができ
、又正孔の移動度が約１Ｏ−４ｃｒｄ／Ｖ・ｓｅｃのオ
ーダもしくはそれ以上と従来の電荷輸送物質に比して約
１桁以上大きくなった。

［発明が解決すべき課題］しかし１０−’ｃｒｒｆ／Ｖ・ｓｅｃのオーダーでは実
用上未だ不十分であり、更に優れた正孔輸送能を有する
感光体が望まれていた。また電荷輸送物質としてポリシ
ランのみを用いた感光体は帯電能が低く、特に低温状態
においては帯電能の低下が著しく、更には可撓性が乏し
く膜強度も弱く実用上問題であった。

本発明は上記問題点を解決すべくなされたものであり、
本発明の目的は正孔輸送能に優れ、十分な帯電能を有し
、可撓性が良好で膜強度が十分な電子写真感光体を提供
することにある。

［課題を解決するための手段〕本発明の上記目的は導電性支持体上に少なくともポリシ
ランを含有する電荷輸送層を有する電子写真感光体にお
いて、該ポリシランが下記一般式（Ｉ）で表される繰り
返し単位を有する単独重合体もしくは共重合体であり、
かつ該電荷輸送層が下記一般式（ＩＩ）で表される化合
物を含有することを特徴とする電子写真感光体によって
達成される。

一般式（Ｉ）［式中、Ｒｔ及びＲ２はそれぞれ水素原子、置換もしく
は未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアリール
基、置換もしくは未置換のアルコキシ基、アルキルシリ
ル基又はアリールシリル基を表す。］一般式（ＩＩ）［式中、Ｒ３は水素原子、置換もしくは未置換のアルキ
ル基又は置換もしくは未置換のアリーノ基を表わし、Ｒ
４は置換基を表わし、八〇は置換茎しくは未置換のフェ
ニレン基又は置換もしくは」置換のナフチレン基を表わ
し、Ａｒ、及びＡｒ２はイれぞれ置換もしくは未置換の
アルキル基、置換もしくは未置換のフェニル基又は置換
もしくは朱に換のナフチル基を表わし、Ａｒｓは水素原
子、厘鉢もしくは未置換のフェニル基又は置換もしくは
未置換のナフチル基を表わし、ｎ□は０又は１を表わし
、Ｒ２はＯ〜５の整数を表わす。］また本発明の上記目
的は、導電性支持体上に少なくともポリシランを含有す
る電荷輸送層を有する電子写真感光体において、該ポリ
シランが前記一般式（Ｄで表される繰り返し単位を有す
る単独重合体もしくは共重合体であり、かつ該電荷輸送
層が下記一般式（ｍ）で表される化合物を含有すること
を特徴とする電子写真感光体によって達成される。

一般式（Ｉｌｌｌｒ）［式中、ＲＢ、Ｒ，及びＲ７はそれぞれ水素原子、置換
もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のア
ルコキシ基又は置換もしくは未置換のアリールオキシ基
を表わし、Ｒ６は水素原子、置換もしくは未置換のアル
キル基、置換もしくは未置換のアルケニル基又は置換も
しくは未置換のアリール基を表わし、ｍ及び２は１又は
２を表わし、ｑはＯ又は１を表わす。ｍ及び２が２の時
、Ｒ５及びＲ６はそれぞれ同一であっても異なっていて
もよい。コまた、本発明の上記目的は、導電性支持体上に少なくと
もポリシランを含有する電荷輸送層を有する電子写真感
光体において、該ポリシランが前記一般式（１）で表さ
れる繰り返し単位を有する単独重合体もしくは共重合体
であり、がっ該電荷輸送層が下記一般式（］で表される
化合物を含有することを特徴とする電子写真感光体によ
って達成される。

一般式（ＩＶ）［Ａｒ４及びＡｒｓはそれぞれ置換若しくは未置換のア
リール基を表し、Ａｒｓは置換若しくは未置換のアリー
レン基を表す。Ａｒ７はｐ−フェニレン基又はナフチレ
ン基を表し、これらは置換されていてもよく、Ｒ９及び
Ｒ１゜はそ熟ぞれ置換若しくは未置換のアルキル基を表
す。コまた本発明の上記目的は、導電性支持体上に少なくとも
ポリシランを含有する電荷輸送層を有する電子写真感光
体において、該ポリシランが前記一般式（Ｉ）で表され
る繰り返し単位を有する単独重合体もしくは、１１：重
合体であり、かつ該電荷輸送層が下記一般式（Ｖ）で表
される化合物を含有することを特徴とする電子写真感光
体によって達成される。

一般式（Ｖ）［Ｒ１□及びＲ１１はそれぞれジアルキルアミノ基を表
し、Ｒｌｍ及びＲ１４はそれぞれハロゲン原子又はシア
ノ基を表し、Ａｒ、及びＡｒｅはそれぞれ置換若しくは
未置換のフェニル基を表し、ｍ、、ｍ２ｍ３及びｍ、は
それぞれ０又は１を表す。但しｍｌとｍ、が同時にＯに
なることはない。］また本発明の上記目的は、導電性支
持体上に少なくともポリシランを含有する電荷輸送層を
有する電子写真感光体において、該ポリシランが前記一
般式（１）で表される縁り返し単位を有する単独重合体
もしくは共重合体であり、かつ該電荷輸送層が下記一般
式（Ｖｌ）で表される化合物を含有することを特徴とす
る電子写真感光体によって達成される。

一般式（ＶＩ）［式中、Ｒｌｇは水素原子又は置換基を表し、Ｒ１１は
水素原子、置換もしくは未置換のアルキル基又は置換も
しくは未置換のアリール基を表し、Ａｒ、、は水素原子
、置換もしくは未置換のフェニル基又は置換もしくは未
置換のナフチル基を表し、Ａｒ、、は置換もしくは未置
換の）ユニレン基又は置換もしくは未置換のナフチレン
基を表わし、Ａｒ、、は置換もしくは未置換のアルキル
基、置換もしくは未置換のフェニル基又は置換もしくは
未置換のナフチル基を表わし、ｋｌはＯ〜５の整数を表
わし、ｋ、は０又は１を表す。］以下本発明を更に詳しく説明する。

本発明の電子写真感光体は電荷輸送層中にポリシランを
含有する。本発明に用いられるポリシランは下記一般式
（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する単独重合体もし
くは共重合体である。

本発明においては重合度がスチレン換算で重量平均分子
量Ｍｗ＝５０００〜２００００００のものが好ましく用
いられる。

一般式（Ｉ）［式中、Ｒｔ及びＲ２はそれぞれ水素原子、置換もしく
は未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアリール
基、置換もしくは未置換のアルコキシ基、アルキルシリ
ル基又はアリールシリル基を表す。コ前記一般式（１）中Ｒ工又はＲ２で表されるアルキル基
としては、炭素原子数が１〜２４、好ましくは１〜８の
直鎖又は枝分かれしたアルキル基、例えばメチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基、アミル基、ヘキシル基
、オクチル基、ノニル基、デシル基、ペンタデシル基、
ステアリル基、シクロヘキシル基などのシクロアルキル
基等を挙げることができる。

アリール基としては、炭素原子数が６〜２４のものが好
ましく、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基等を挙
げることができる。

アルコキシ基としては、炭素原子数が１〜約１０のもの
が好ましく、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキ
シ基、ブトキシ基等を挙げることができる。

アルケニル基としては、炭素原子数が２〜約ｌＯのもの
が好ましく、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げ
られる。

アルキルシリル基としては、−５ｉＨ（ＣＨｓ）　ｚ。

５ｉ（ＣＨｓ）ｓ、　　５ｉ（ＣＪｓ）ｓ、　　５ｉ（
ＣｓＨｔ）ｓ。

−８ｉ（Ｃ＜Ｈｅ）ｘ、　−５ｉ（ＣＨｓ）ｚ（Ｃ２Ｈ
ｓ）。

Ｓｉ（ＣＨｉ）（ＣＪｓ）ｗなどを挙げることができる
。

アリールシリル基としては一５ｉＨ（ＣｓＨｓ）ｚ−３
ｉ（ＣＨｓ）２（ＣｓＨｓ）　　−ＣＨ２Ｓｉ（ＣＨ３
）２（ＣｓＨｓ）などを挙げることができる。

前記Ｒ１又はＲ２で表されるアルキル基、アリール基又
はアルコキシ基は置換基を有していてもよく、置換基と
しては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アミ
ノ基、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子又はその他の
置換基が挙げられる。

前記一般式（１）で表される繰り返し単位の好ましい例
を下記に示す。

（ＲＬ）２Ｓｉ−のように表示する。

−（Ｃ１Ｈ，）Ｓ（ＣＨ，）− （Ｃ８Ｈ２，）、５ −（Ｃ２Ｈｚ５）−３ｉ− 以下余白前記ポリシランは例えば特開昭６１−１７０７４７号公
報、ジャーナルオプオルガノメタリックケミストリー（
Ｒ，Ｗｅｓｔ、　　Ｊ、Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ、Ｃｈｅｍ
、、　　３００．　３２７（１９８６））　、Ｒ，Ｄ、
Ｍｉｌｌｅｒ　ａｎｄ　Ｊ、Ｍｉｃｈｌ、　Ｃｈｅｍｉ
ｃａｌＲｅｖｉｅｗｓ　ｖｏｌ、８９１３５９頁（１９
８９）等に記載の方法に準じて簡単に合成することがで
きる。

本発明においては、前記ポリシランを電荷輸送層中に全
体の中で２０％〜８０％の範囲で含有することが好まし
い。

本発明においては、感光体特性の改善を図るため、酸化
防止剤、ＵＶ吸収剤、電荷受容性物質、電荷供与性物質
等の添加剤を電荷輸送層中に添加してもよい。更に機械
的もしくは力学的強度の向上を図るためにポリシランと
電荷輸送物質とバインダー樹脂と併用してもよい。

本発明の電子写真感光体は電荷輸送層中に電荷輸送物質
（以下ＣＴＭということもある）として、下記一般式（
ＩＩ）で表される化合物（以下ＣＴＭ化合物（ＩＩ）と
いう）、下記一般式（ｍ）で表される化合物（以下ＣＴ
Ｍ化合物（Ｉｎ）という）、下記一般式（ＩＶ）で表さ
れる化合物（以下ＣＴＭ化合物（ＩＶ）という）、下記
一般式（Ｖ）で表される化合物（以下ＣＴＭ化合物（Ｖ
）という）又は下記一般式（Ｖｌ）で表される化合物（
以下ＣＴＭ化合物（Ｖｌ）という）を含有する。

一般５式　（ＩＩ）式中、Ｒ３は水素原子、置換もしくは未置換のアルキル
基又は置換もしくは未置換のアリール基を表わし、Ｒ４
は置換基を表わし、Ａ１は置換もしくは未置換のフェニ
レン基又は置換もしくは未置換のナフチレン基を表わし
、Ａｒ＋及びＡｒ、はそれぞれ置換もしくは未置換のア
ルキル基、置換もしくは未置換のフェニル基又は置換も
しくは未置換のナフチル基を表わし、Ａｒ３は水素原子
、置換もしくは未置換のフェニル基又は置換もしくは未
置換のナフチル基を表わし、ｎｌは０又は１を表わし、
Ｒ２はＯ〜５の整数を表わす。

Ｒ３て表わされるアルキル基は例えばメチル基、エチル
基など、アリール基は例えばフェニル基、ナフチル基な
どである。

Ｒ４て表わされる置換基としては例えば置換もしくは未
置換のアルキル基（例えばメチル基、フロビル基、ブチ
ル基、オクチル基なと）、置換もしくは未置換のアルコ
キシ基（例えばメトキシ基、プロポキン基、ブトキシ基
など）、置換もしくは未置換のアリールオキシ基（例え
ばフェノキシ基など）、ハロゲン原子（例えば塩素原子
など）、置換もしくは未置換のアミノ基、シアノ基等で
ある。ｎ、が２以上のときｎ３個のＲ４は同じでも異な
っていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよ
い。

Ｒ３，Ｒ４，Ａｒｉ＋　Ａｒ、　Ａｒ３及びＡで表わさ
れる各基が置換基を有する場合、その置換基としては例
えばアルキル基、アリール基、アルコキシ基、ハロゲン
原子、置換アミノ基などが挙げられる。

以下に本発明に好ましく用いられるＣＴＭ化合物（ＩＩ）の代表的具体例を示すが、本発明はこれらによって限定されるものではない。

！− 以下余白一一〇− ■−１７ ■−１８ ■−１９前記ＣＴＭ化合物（ＩＴ）は例えば特開昭５８−１９８
４２５号公報明細書に記載された方法に準じて合成する
ことができる。

一般式（ＩＩＩ）式中、Ｒａ、Ｒｓ及びＲ７はそれぞれ水素原子、置換も
しくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアル
コキシ基又は置換もしくは未置換のアリールオキシ基を
表わし、Ｒｓは水素原子、置換もしくは未置換のアルキ
ル基、置換もしくは未置換のアルケニル基又は置換もし
くは未置換のアリール基を表わし、ｍ及び夕は１又は２
を表わし、ｑはＯ又は１を表わす。ｍ及びβが２の時、
Ｒ６及びＲ６はそれぞれ同一であっても異なっていても
よい。

Ｒｓ、Ｒｓ及びＲ７で表わされるアルキル基としては例
えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキ
シル基等の低級アルキル基が好ましく、アルコキシ基と
しては例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、
ブトキシ基等の低級アルコキシ基が好ましく、アリール
オキシ基としては例えばフェノキシ基等が好ましい。

Ｒ８で表わされるアルキル基としては例えばメチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基等の低級
アルキル基が好ましく、アルケニル基としては例えば２
−プロペニル基等が好ましく、アリール基としては例え
ばフェニル基等が好ましい。

Ｒ１−Ｒ１で表わされる基が置換基を有する場合、置換
基としては例えばアルキル基、アリール基、アルコキシ
基、ハロゲン原子などが挙げられる。

一般式（Ｉｆｆ）において、Ｒ５及びＲ６はアルキル基
又はアルコキシ基が好ましく、Ｒ７は水素原子が好まし
く、またＲ８はアリール基が好ましい。

以下に本発明に好ましく用いられるＣＴＭ化合物（ＩＩ
Ｉ）の代表的具体例を示すが、本発明はこれらにより限
定されるものではない。

［１−２１Ｉ−３ ■−５ｌ−６ ■ １Ｉ−９ ■ ■ ■−１２」−記のＣＴ　Ｍ化合物（ＩＴ＋）は例えば特開昭５９
−１５２５１号に記載の方法に準して容易に合成するこ
とかできる。

一般式（ＩＶ）！＼ｒ＜　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｒ９
＼　　　　　　　　　　　　　　　　／Ｎ　　Ａｒ６　
Ｃ″）（＝　ＣＪ−（−△ｒ７−Ｎ／　　　　　　　　
　　　　　　　　＼４へ　ｒ５　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　Ｒ＋　　。

八ｒ４及びＡｒａはそれぞれ置換若しくは未置換のアリ
ール基を表し、Ａｒｓは置換若しくは未置換のアリーレ
ン基を表す。Ａｒ７はｐ−フェニレン基又はナフチレン
基を表し、これらは置換されていてもよく、Ｒ、及びＲ
ｔｏはそれぞれ置換若しくは未置換のアルキル基を表わ
す。

式中Ａｒ、又はＡｒ、で表されるアリール基としては、
フェニル基又はナフチル基か好ましい。Ａｒｓで表わさ
れるアリーレン基としては、フェニレン基又はナフチレ
ン基か好ましい。Ｒ９又はＲＩＯで表わされるアルキル
基としては炭素原子数１〜８のアルキル基か好ましい。

但し置換アルキル基にはアラルキル基を含むものとする
。アラルキル基としではベンジル基、フェネチル基か好
ましい。

以上の基はそれぞれ置換基を有していてもよく、置換基
としては、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、
アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、若しくは置
換アミノ基等か挙げられる。

上記−上式（ｒＶ）で示される化合物については特開平
１−１８９７１号公報に記載されている。

以下本発明に好ましく用いられるＣＴＭ化合物（ＪＶ）
の具体的例示化合物を挙げるか、本発明はこれらにより
限定されるものではない。

以下余白１％ｌ−１ ■−２ ■−３７１／−４１％ｌ−５ ■−６ ■−７ ■−８ ■−９ ■−１０ ■−１１ ■−１２ ■−１３ ■−１４ ■−１５ ■−１６ ■ １’ｌ／−１８１１／−２０ ■−２１ ■−２２ ■−２３ ■−２４ ■ ■−２６ ■−２７ ■−２８前記ＣＴＭ化合物（ＴＶ）は公知の方法により簡単に合
成することができる。

一般式（Ｖ）Ｒ１、及びＲｌｓはそれぞれジアルキルアミノ基を表し
、Ｒ１２及びＲ１４はそれぞれ／’ｔロゲン原子又はン
アノ基を表し、八ｒ、及びＡｒｅはそれぞれＨ，ｔ’Ａ
もしくは未置換のフェニル基又は置換もしくは未置換の
ナフチル基を表し、ｍｌ、ｍ２、ｍ３及びｍ、はそれぞ
れＱ又は１を表す。但しｍｌとｍ３が同時に０になるこ
とはない。

Ｒ１１又はＲ目で表されるジアルキルアミノ基としては
ンメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミ
ノ基、ジブチルアミノ基等が挙げられ、置換位置はパラ
位が好ましい。Ｒ１□又はＲ１゜で表されるハロゲン原
子としては塩素、臭素、ヨウ素、フッ素等が挙げられる
。Ａｒ、及びＡｒ＝はそれぞれ置換基を有していてもよ
く、置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アラ
ルキル基、アリール基、アリールオキシ基、置換アミノ
基等が挙げられるが、これらの中でもメチル基又はメト
キシ基が好ましく、置換位置はパラ位が好ましい。

上記−上式（Ｖ）で示される。化合物については特開平
１−１８９７１号公報に記載されている。

以下に本発明に好ましく用いられるＣＴＭ化合物（Ｖ）
の具体的例示化合物を挙げるが、本発明以不朱口（ムとニー ■−１ ■−５ ■−１０ ■−１１ ■−１２ ■−１３ ■−１４ ■ ■−１６ ■−１７ ■ しｙ ■−１９ ■−２３ ■−２５ ■−２６ｒ ■−２７ ■−２８ ■−２９Ｂ「ｒｒ ■−３１ ■−３３ ■−３４ｒ ■−３６Ｃ４ρ ■−３９ ■−４０ ■−４１Ｌ” 以下余白一ユニ二一前記ＣＴＭ化合物（Ｖ）は、公知の合成方法により容易
に合成することができる。例えばＯｒｇａｎｉｃ　Ｒｅ
ａｃｔｉｏｎｓ　Ｖｏｌ、２５　Ｐ、７３　（Ｊｏｈｎ
　Ｗｉｌｌｅｙ　＆５ｏｎｓ　、　Ｉｎｃ　、　）の記
載の如く、芳香族アルデヒ１−とホスホン酸ジアルキル
とをＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド等の溶媒中、ナトリ
ウムアルコキサイド等の存在下、縮合することにより容
易に得ることができる。

一般式（ＶＴ）式中、Ｒ１８は水素原子又は置換基を表し、Ｒ１６は水
素原子、置換もしくは未置換のアルキル基又は置換もし
くは未置換のアリール基を表し、Ａｒよ。・は水素原子
、ベンジル基、置換もしくは未置換のフェニル基又は置
換もしくは未置換のナフチル基を表し、Ａ　ｒ、、は置
換もしくは未置換のフェニレン基又は置換もしくは未置
換のナフチレン基を表わし、Ａ　ｒ　ｌ　２は置換もし
くは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のフェニ
ル基又は置換もしくは未置換のナフチル基を表わし、ｋ
工はＯ〜５の整数を表わし、ｋ２はＯ又は１を表す。

Ｒｌｇで表わされる置換基としてはアルキル基、アルコ
キシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子
、ジアルキルアミノ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基又
はそのエステル、ニトロ基、アセチル基、またはシアノ
基が挙げられる。ｋ□が複数のときに４個のＲ□、は同
じでも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成し
ていてもよい。Ｒ□６で表されるアリール基としてはフ
ェニル基、スチリル基、ビフェニル基、ナフチル基又は
アントリル基が挙げられる。Ｒ工、又はＡｒよ、で表さ
れるアルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基等が挙げられる。式中の多基は置換基を有
していてもよく、置換基としてはＲｌｆｉの置換基とし
て示したものが挙げられる。

上記−上式（ＶＴ）で表される化合物については特開昭
６０−１７５０５２号公報に記載されている。

前記ＣＴＭ化合物（■）は公知の方法により簡単に合成
することができる。

本発明においてＣＴＭ使用量は２０％〜８０％の範囲で
用いることが好ましい。

本発明においてはＣＴＭのポリシランに対する重量比が
２０％より太きく３００％より小さいことが好ましく、
４０％より太きく１００％より小さいことが更に好まし
く、５０％より太きく８０％より小さいことが特に好ま
しい。ＣＴＭのポリシランに対する重量比が２０％以下
になると可撓性や膜強度に問題が生じる。また３００％
以上になると高速性に対して弱く、膜強度に問題が生じ
るので好ましくない。本発明においては必要により他の
ＣＴＭを併用することもできる。

本発明においてはＣＴＭのイオン化ポテンシャルとポリ
シランのイオン化ポテンシャルとの差（△Ｉｐ）が０．
６ｅＶ以内であることが好ましく、０．４ｅＶ以内であ
ることが更に好ましく、０．３ｅＶ以内であることが特
に好ましい。

本発明においてイオン化ポテンシャル（Ｉ　ｐ）は理研
計器株式会社製表面分析装置Ａｃ１を用いて、メーカー
推奨の標準条件で測定した仕事関数の値を指す。

本発明に用いられる電荷発生物質としては例えばアゾ系
顔料、多環キノン系顔料、スクェアリウム系顔料又はペ
リレン系顔料等が挙げられる。

これらの中ではアゾ系顔料又は多環キノン系顔料を用い
ることが特に好ましい。

本発明に用いられるアブ系顔料については特開平１−１
７９１５５号公報に記載されており、例えば下記−上式
（■）〜−一般式ＩＸ）で示されるものが挙げられる。

一般式（■）（式中ＣｐＬ及びＣｐ、はそれぞれカプラー残基を表わ
し、Ｒ′及びＲ２はそれぞれ独立にハロゲン原子、アル
キル基、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基又はヒドロ
キシル基を表わし、ｍｌ及びｍ２はそれぞれＯ〜３の整
数を表わす。但し、ｍ１個のＲ１及びｍ２個のＲ２はそ
れぞれ同じても異なっていてもよい。）一般式（■）（式中Ｃｐ工及びＣＲ２はそれぞれカプラー残基を表わ
す。）一般式（ＩＸ）（式中Ｃｐ＋及びＣｐ２はそれぞれカプラー残基を表わ
す。）前記一般式（■）〜（ＩＸ）において、Ｃｐ＋又はＣｐ
２て表わされるカプラー残基としては、例えば下記一般
式（１）〜（１１）で示すものか挙げられ、各式におい
てＣＩ）＋及びＣｐ２はそれぞれ同じでも異なっていて
もよい。

＼Ｚ〆〜Ｚ・ゝ−Ｚ〆（ｌＯ）以下余白式中、Ｚはベンゼン環と縮合して多環式芳香族環あるい
は複素環を形成するに必要な原子群を表わす。

Ｒエ　、Ｒ２′は水素原子、アルキル基、アラルキル基
、アリール基、複素環基あるいはそれらの置換体を表わ
す。また窒素原子あるいは炭素原子と共に環を形成して
もよい。

Ｒ３’は０．Ｓ、−ＮＨを表わす。

Ｒ＝　　、Ｒｓ’は水素原子、アルキル基、アルコキシ
基、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子、アセチル基を
表わす。

Ｙは５員環、６員環を形成するに必要な原子群を表わす
。

Ａは炭素環式芳香族環又は複素環式芳香族環の２価の基
を表わす。

Ｒ６′はアルキル基、アラルキル基、アリール基、複素
環基あるいはそれらの置換体を表わす。

Ｒ７’は水素原子、アルキル基、ジアルキルアミノ基、
ジアリールアミノ基、ジアラルキルアミノ基、カルバモ
イル基、カルボキシル基またはそのエステル基を表わす
。

Ｒｓ’は芳香族環基あるいはその置換体を表わす。

前記２の芳香族環としては、ベンゼン、ナフタレンなど
があり、複素環としてはインドール、カルバゾール、ベ
ンゾフラン、ジベンゾフランなどがある。Ｚは置換基を
有してもよく、置換基としては、ハロゲン原子（例えば
フッ素原子、塩素原子、臭素原子など）、アルキル基（
例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基など
）、アルコキシ基（例えばメトキシ基、エトキシ基、プ
ロポキシ基、ブトキシ基など）、ニトロ基などがあげら
れる。

以下に前記−上式（１）〜（１１）で示されるカプラー
残基の代表的具体例を示すが、本発明はこれらにより限
定されるもΦではない。なおＣｐ工。

Ｃｐ、はＣｐとして示しである。

以下余白−１以下に本発明に好ましく用いられるアゾ系顔料の具体的
例示化合物を示すが、本発明はこれらにより限定される
ものではない。

しｒコ上記アゾ系顔料は公知の方法により簡単に合成すること
ができる。

本発明に用いられる多環キノン系顔料については特開昭
５９−１８４３４９号公報に記載されており、例えば下
記−上式（Ｘ）〜（ｘ■）で示されるものか挙げられる
か本発明においては一般式（Ｘ）で示されるものが特に
好ましい。

一般式（Ｘ）一般式（ＸＪ）一般式（ＩＩ）（−上式（Ｘ）〜（Ｘｎ）において式中ｘｌはハロゲン
原子、ニトロ基、シアノ基、アシル基又はカルボキシル
基を表わし、ｎ　ｌはＯ〜４の整数を表わし、ｎ２はＯ
〜６の整数を表わす。）以下本発明に好ましく用いられ
る多環牛ノン系顔料の具体的例示化合物を示すが、本発
明はこれらによって限定されるものではない。

例示化合− Ｏ上記の他にも下記に示すものが挙げられる。

上記多環牛ノン系顔籾は公知の方法により簡単に合成す
ることができる。

本発明に用いられるスクェアリウム系顔料としては例え
ば下記−殺伐（ｘ　ｍ）で示されるものが挙げられる。

一般式（ｘｍ）［式中、ＲＱＬ、Ｒ１／及びＲ”は、それぞれ水素原子
、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、水酸基ま
たはＮＨＹ’を表わす。Ｙ′は、−　Ｃ−Ｒ４′　また
は−３ｏｔ−Ｒ”　　（Ｒ”及びＲ８′は、それぞれ置
換基を有してもよいアルキル基、フェニル基もしくは水
素原子を表わす。）を表わす。

Ｒ”は置換もしくは未置換のアルキル基を表わす。

Ｘ２は少なくとも６員の飽和若しくは不飽和の単環若し
くは多環炭化水素を形成するのに必要な炭素原子群を表
わす。］Ｒ”の置換基としては、たとえばヒドロキシル基、アル
コキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、エステル基、アシ
ル基、ジアルキルアミノ基、ジアラルキルアミノ基、ジ
アリールアミノ基、アリール基などを挙げることができ
る。

本発明に有用なスクェアリウム系顔料の具体例を以下に
示すが、本発明はこれらにより限定されるものではない
。

は三）以下曳廊泊前記スクェアリウム系顔料は例えば特開平１−２３１０
５７号公報第５３６〜５３７頁記載の方法に準じて合成
することができる。

本発明に用いられるペリレン系顔料としては、例えば下記に示す化合物が挙げられる。

ｐ７以下ｆｋ−４ムＰ−９前記ペリレン系顔料は公知の方法により簡単に合成する
ことができる。

本発明の電子感光体の構成は通常は、第１図〜第４図に
示される形態である。第１図及び第２図では、導電性支
持体１上に電荷発生物質を含有する電荷発生層２と、電
荷輸送物質及びポリシランを含有する電荷輸送層３との
積層体より成る感光層４Ａ、４Ｂを設けており、第１図
と第２図では、電荷発生層２と電荷輸送層３の積層順が
異なる。

第３図及び第４図に示すようにこれらの感光層４Ａ、４
Ｂ°は、導電性支持体１上に、接着層、バリア層などの
中間層５を介して設けてもよい。また、最表面層として
保護層を設けてもよい。

感光層、保護層、中間層に使用可能なバインダー樹脂と
しては、任意のものを用いることができるが、例えばポ
リスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル
樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹
脂、ポリビニルブチラール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウ
レタン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、アル
キッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコン樹脂、メ
ラミン樹脂等の付加重合型樹脂、重付加型樹脂、重縮合
型樹脂、並びにこれらの樹脂の繰り返し単位のうちの２
つ以上を含む共重合体樹脂等が挙げられる。またこれら
の絶縁性樹脂の他、ポリ−Ｎビニルカルバゾール等の高
分子有機半導体が挙げられる。

又、感光層中には電荷発生物質の電荷発生機能を改善す
る目的で有機アミン類を添加することができ、特に２級
アミンを添加するのが好ましい。

かかる有機アミンの添加量としては、電荷発生物質に対
して該電荷発生物質の１倍以下、好ましくは０．２倍〜
０．００５倍の範囲のモル数とするのがよい。

又、上記感光層においては、オゾン劣化防止の目的でヒ
ンダードフェノール類、ヒンダードアミン類、パラフェ
ニレンシア、ミノ類、ハイドロキノン類、有機燐化合物
類等の酸化防止剤を添加することができる。

これらの化合物はゴム、プラスチック、油脂類等の酸化
防止剤として知られており、市販品を容易に入手できる
。

これらの酸化防止剤は電荷発生層、電荷輸送層、又は保
護層のいずれに添加されてもよいが、好ましくは電荷輸
送層に添加される。その場合の酸化防止剤の添加量は電
荷輸送物質１００重量部に対して０．１〜１００重量部
、好ましくは１〜５０重量部、特に好ましくは５〜２５
重量部である。

次に前記感光層を支持する導電性支持体としては、アル
ミニウム、ニッケルなどの金属板、金属ドラム又は金属
箔をラミネートした、或はアルミニウム、酸化錫、酸化
インジュウムなどを蒸着したプラスチックフィルムある
いは導電性物質を塗布した紙、プラスチックなどのフィ
ルム又はドラムを使用することができる。

本発明において、電荷発生層は代表的には前述の電荷発
生物質を適当な分散媒に単独もしくは適当なバインダ樹
脂と共に分散せしめた分散液を例えばデイツプ塗布、ス
プレィ塗布、ブレード塗布、ロール塗布等によって支持
体若しくは下引層上又は電荷輸送層上に塗布して乾燥さ
せる方法により設けることができる。また本発明におい
て電荷発生物質の分散にはボールミル、ホモミキサ、サ
ンドミル、超音波分散機、アトライタ等が用いられる。

本発明に用いられる分散媒としては、例えばヘキサン、
ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素類；メチレ
ンクロライド、１．２−ジクロルエタン、ｓｙｍ−テト
ラクロルエタン、１，１．２−トリクロルエタン、クロ
ロホルム等のハロゲン化炭化水素；アセトン、メチルエ
チルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；酢酸エチ
ル、酢酸ブチル等のエステル類；メタノール、エタノー
ル、プロパツール、ブタノール、シクロヘキサノール、
ヘプタツール、エチレングリコール、メチルセルソルブ
、エチルセルソルブ、酢酸セルソルブ等のアルコール類
及びこの誘導体；テトラヒドロフラン、１．４−ジオキ
サン、フラン、フルフラール等のエーテル、アセタール
類；ピリジンやブチルアミン、ジエチルアミン、エチレ
ンジアミン、イソプロパツールアミン等のアミン類；Ｎ
、Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド類等の窒素化合
物、その他脂肪酸及びフェノール類、二硫化炭素や燐酸
トリエチル等の硫黄、燐化合物等の１種又は２種以上を
用いることができる。

本発明の感光体が積層型構成の場合、キャリア発生層中
のバインダ：キャリア発生物質：キャリア輸送物質の重
量比はＯ〜１００：１〜５００：Ｏ〜５００が好ましい
。

キャリア発生物質の含有割合がこれより少ないと感度が
低く、残留電位の増加を招き、またこれより多いと暗減
衰及び受容電位が低下する。

以上のようにして形成されるキャリア発生層の膜厚は、
好ましくは００１〜１０μｍ１特に好ましくは０１〜５
μｍである。

本発明において電荷輸送層は、ポリシラン及び電荷輸送
物質を適当な分散媒に単独であるいは上述のバインダ樹
脂と共に溶解分散せしめたものを塗布、乾燥して形成す
ることができる。用いられる分散媒としては前記電荷発
生物質の分散において用いた分散媒を用いることができ
る。

本発明においてポリシラン及び電荷輸送物質は電荷輸送
層全重量中４０％以上含有することが好ましく、特に好
ましくは６０％以上である。

形成される電荷輸送層の膜厚は、好ましくは５〜５０μ
ｍ、特に好ましくは５〜３０μｍである。

本発明において中間層は、前記バインダー及び必要に応
じて添加剤をメタノール、エタノール、ブタノール等に
溶かしたアルコール溶液又はトルエン等の溶剤に溶かし
た溶液を浸漬コーティング法、ロールコーティング法、
スプレーコーティング法、ワイヤーバーコーティング法
、ビードコーティング法又はカーテンコーティング法等
のコーティング法を用いて基体上に塗工することによっ
て得られる。ただし、前記バインダーにはキャリア発生
層に用いられるバインダーと同じものが併用されていて
もよい。その膜厚は０．１〜５μｍが一般的で、好まし
くは０．５〜３μｍである。使用されるバインダー量は
溶剤に対して１〜５重量％であることが好ましい。

又、本発明の感光体において、耐刷性向上等のため感光
体表面に保護層（保護膜）を形成してもよく、例えば合
成樹脂被膜をコーティングしてもよい。

本発明において電荷発生層には感度の向上、残留電位乃
至反復使用時の疲労低減等を目的として、一種又は二種
以上の電子受容性物質を含有せしめることができる。電
子受容性物質の添加割合は重量比で、電荷発生物質・電
子受容性物質＝１０００．０１〜２００か好ましく、更
に好ましくは１００　：　０．１〜１００である。

電子受容性物質は電荷輸送層に添加してもよく、この場
合の電子受容性物質の添加割合は重量比で、全電荷輸送
物質二電子受容性物質＝　１００　：　０．０１〜１０
０が好ましく、更に好ましくは１００　：　０．１〜５
０である。

本発明の感光体に使用可能な電子受容性物質としては、
例えば無水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マ
レイン酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、
テトラブロム無水フタル酸、３−ニトロ無水フタル酸、
４−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メ
リット酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジ
メタン、０−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン
、１．３．５−）ジニトロベンゼン、バラニトロベンゾ
ニトリル、ピクリルクロライド、キノンクロルイミド、
クロラニル、ブルマニル、２−メチルナフトキノン、ジ
クロロジシアノバラベンゾキノン、アントラキノン、ジ
ニトロアントラキノン、トリニトロフルオレノン、９−
フルオレニリデン［ジシアノメチレンマロノジニトリル
コ、ポリニトロ−９−フルオレニリデン−［ジシアノメ
チレンマロノジニトリルコ、ピクリン酸、０−ニトロ安
息香酸、ｐ二ニトロ安息香酸、３，５−ジニトロ安息香
酸、ペンタフルオロ安息香酸、５−ニトロサリチル酸、
３．５−ジニトロサリチル酸、フタル酸等が挙げられる
。

また更に表面改質剤としてシリコーンオイルを存在させ
てもよい。また耐久性向上剤としてアンモニウム化合物
が含有されていてもよい。

また本発明の感光体には、その他、必要により感光層を
保護する目的で紫外線吸収剤、酸化防止剤等を含有して
もよく、また感色性補正の染料を含有してもよい。

そのような目的に用いられる化合物としては例えば、ト
コフェロール等のクロマノール誘導体及びそのエーテル
化化合物もしくはエステル化化合物、ポリアリールアル
カン化合物、）１イドロキノン誘導体及びそのモノ及び
ジエーテル化化合物、ベンゾフェノン誘導体、ベンゾト
リアゾール誘導体、チオエーテル化合物、ホスホン酸エ
ステル、亜燐酸エステル、フェニレンジアミン誘導体、
フェノール化合物、ヒンダードフェノール化合物、直鎖
アミン化合物、環状アミン化合物、ヒンダードアミン化
合物などが有効である。特に有効な化合物の具体例とし
ては、ｒ　Ｉ　ＲＧ　Ａ　Ｎ　ＯＸ　ｌ０ＩＯＪ　。

ｒＩ　ＲＧＡＮＯＸ５６５Ｊ　　（チバ・ガイギー社製
）、「スミライザーＢＨＴＪ、ｒスミライザーＭＤＰＪ
（住人化学工業社製）等のヒンダードフェノール化合物
、「サノールＬ　Ｓ　−２６２６Ｊ　、　　ｒサノール
ＬＳ−６２２ＬＤＪ　　（三共社製）等のヒンダードア
ミン化合物が挙げられる。

本発明の感光体に用いられる光源としてはハロゲンラン
プ、蛍光灯、タングステンランフ、アルゴンレーザー、
ヘリウム−ネオンレーザ−等の気体レーザー等が用いら
れる。

［実施例］以下本発明を実施例を用いて具体的に説明するが、本発
明はこれらによって限定されるものではない。

実施例１ ′　　コＮｏ、１〜７アルミニウム蒸着ポリエステルベースからなる導電性支
持体上に、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共
重合体「エスレックＭ　Ｆ　−１０Ｊ（漬水化学工業社
製）よりなる厚さ０．１μｍの中間層を設けた。

下記の構造式で示される４、１０−ジブロムアンスアン
スロン［モノライトレッド２ＹＪ　　（ＩＣ１社製）１
重量部と、ポリカーボネート樹脂「パンライトＬ　−１
２５０Ｊ　　（余人化成社製）０．５重量部を１．２−
ジクロルエタンｔｏｏｇ量部に混合し、ボールミルで２
４時間分散して塗布液を調製し、この塗布液を用いて浸
漬法により、前記中間層上に、乾燥後の膜厚が０．５μ
ｍとなるように電荷発生層を形成した。

次いで、ポリシラン及びＣＴＭをトルエンに混合しくポ
リシラン＋トルエン＝１５Ｗ／Ｖ％）塗布液を作製し、
前記電荷発生層上に乾燥後の膜厚が２０μｍの１！荷輸
送層を形成し、電子写真感光体試料Ｎｏ、１〜７を作製
した。但しポリシランとＣＴＭの使用量は重量比で表−
１に示すように用いた。

得られた試料Ｎｏ８１〜７についてそれぞれＫｏｎｉｃ
ａ　１５５０ＭＲ（］＝力製）の改造機を用いて評価し
た。黒紙電位ｖ１、白紙電位ｖｗを求め、感度を評価し
、また膜強度を下記評価方法に従って評価した。その結
果を表−１に示す。

膜ｍ価膜強度の評価はＪＩＳハンドブック１９９０年２９巻塗
料１４５頁に記載の基盤目法に準じて行った。具体的方
法としては１ｍｍすきま間隔で１００個のます目の数の
基盤目状の切り傷をつけた後、セロハン粘着テープをは
り、はがした後の付着状態を目視により観察し、下記の
基準に従って評価を行なった。

評価基準はがれ面積が全正方面積の６５％以上　　Ｘはかれ面積
が全正方面積の６５〜３５％　　△はかれ面積が全正方
面積の３５〜１５％　　Ｏはかれ面積が全正方面積の１
５％以下　　◎以゛下余白仁」ポリシランｌ−１（ポリフェニルメチルシラン）ｌ−２（ポリフェニルエチルシラン〕ｌ−３（ポリシクロヘキシルメチルシラン）ＣＴＭ−１（例示化合物Ｉｌｌ−１２）ＣＴ〜２（例示化合物 ■−９）ＣＴＭ−３（例示化合物 ■−８）表−１から明らかなように本発明の試料は黒紙電位及び
白紙電位とも満足な値が得られ、膜強度も十分で実用化
レベルにあるものであった。

実施例２ＮＯ１２１〜２７のアルミ蒸着ポリエステルベースからなる導電性支持体上
にナイロン共重合体Ｘ１８７４Ｍ　（ダイセルヒュルス
株式会社製）よりなる厚さ０．１μｍの中間層を設けた
。

下・記構造式で示されるビスアゾ顔料１重量部と、ポリ
カーボネート樹脂［パンライトＬ　−１３００Ｊ（奇人
化成社製）０．５重量部をテトラヒドロフラン１００重
量部に混合し、ボールミルで２４時間分散して塗布液を
調製し、この塗布液を用いて浸漬法により、前記中間層
上に、乾燥後の膜厚が０．４μｍとなるように電荷−発
生層を形成した。

次いで、ポリシラン及びＣＴＭをＴＨＦに溶解しくポリ
シラン＋ＣＴ　Ｍ　＝　１５Ｗ／Ｖ％）塗布液を作製し
、前記電荷発生層上に乾燥後の膜厚が２０μｍの電荷輸
送層を形成し、電子写真感光体試料Ｎ。

２１〜２７を作製した。

但しポリシランとＣＴＭの使用量は重量比で表−２に示
すように用いた。

ビスアゾ顔料：得られた試料Ｎ　ｏ、２１〜２７についてそれぞれＫｏ
ｎｉｃａ　５５７０ＭＲ（コニカ製）の改造機を用いて
評価した。黒紙電位■１、白紙電位Ｖｗを求め、感度を
評価し、また膜強度を実施例１の評価方法に従って評価
を行った。

その結果を表−２に示す。　　　　　　　　（テ以下余
計ポリシランＨ−１（ポリフェニルメチルシラン）ｎ−２（ポリプロピルエチルシラン）１１ｃ３）（７ＰＩ［−３（ポリシクロヘキシルメチルシラン）ＨｓＭ　ｗｒ　＝　５　、　ＯＸ　１０　’ＣＴＭ−４（例
示化合物ＩＩｌ−ｌｌｌ −１０）ＣＴ例示化合物１［１−１１１ −１１）ＣＴ例示化合物１［［−１２）以ｉ完日表−２から明らかなように本発明の試料は黒紙電位及び
白紙電位とも満足な値が得られ、膜強度も十分で実用化
レベルにあるものであった。

実施例３チ　ニルフ　ロシアニンのＡフタロジニトリル６５ｇとα−クロルナフタレンｓｏｏ
、１２の混合物中に窒素気流下で１４．７．ｇの四塩化
チタンを滴下した後、徐々に２００℃まで昇温し、反応
温度を２００℃〜２２０℃の間に保って３時間攪拌して
反応を完結させた。その後放冷し１３０℃になったとこ
ろで熱時濾過し、α−クロルナフタレンで洗浄した後、
メタノールで数回洗浄し更に８０℃の熱水で数回洗浄し
た。

乾燥後その５ｇを９６％硫酸１００ｇ中に添加し３〜５
℃で攪拌し、濾過して得られた硫酸溶液を水１．５リツ
トル中にあけ、析出した結晶を濾取した。

次いで洗浄液が中性となるまで水洗を繰返した。

このようにして得られたヌッチェケーキに１゜２−ジク
ロルエタンを加え、室温で１時間攪拌したのち、濾過し
メタノール洗浄してチタニルフタロシアニンの結晶を得
た。この結晶は第５図に示すようにブラッグ角２θの２
７３°に最大強度のピークを有し、又９６°、　１１．
７°、２４１°に特徴的なピークを示した。

Ｎｏ、３１〜３７の得られた第５図のＸ線回折パターンを有するチタニルフ
タロシアニン１部（ｗｔ、以下同様）、バインダ樹脂と
してポリビニルブチラールｒＸＹＨＬＪ　　（ユニオン
・カーバイド社製）１部、分散媒としてメチルエチルケ
トン１００部をサンドミルを用いて分散し、これを、ア
ルミニウムを蒸着したポリエステルベース上にワイヤバ
ーを用いて塗布して、膜厚０．２μｍの電荷発生層を形
成した。

次いで、合計量で７．５部となるように表−３に示すポ
リシランとＣＴＭを１．２−ジクロルエタン２５部に溶
解した液をブレード塗布機を用いて塗布し乾燥の後、膜
厚７μｍの電荷輸送層を形成し電子写真感光体試料Ｎ　
ｏ、３１〜３７を作製した。

但しポリシランとＣＴＭの使用量は表−３に示すように
用いた。

得られた試１ｆ４Ｎｏ、３１〜３７についてそれぞれＫ
ｏｎｉｃａ　Ｄ　Ｃ８０１０（コニカ製）の改造機を用
いて評価した。未露光部電位ＶＭ、露光部電位ＶＬを求
め、感度を評価し、また膜強度を実施例１の評価方法に
従って評価を行った。

その結果を表−３に示す。

以下余白ポリシランＰＩＩＩ−１（ポリブチルエチルシラン）ｎ−Ｃ＜ＨｓｐＨ−２ＰＩ［［−３ＣＴＭ−７（例示化合物 ■−１）ＣＴＭ−８（例示化合物ＣＴＭ−９（例示化合物 ■−２） ■−２８）以下余白表−３から明らかなように本発明の試料は未露光部電位
及び露光部電位とも満足な値が得られ、膜強度も十分で
実用化レベルにあるものであった。

実施例４ ”　　＝　　・Ｎ　ｏ、４１〜４７の　　１アルミニウ
ム蒸着ポリエステルベースからなる導電性支持体上に、
塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体［エ
スレツクＭ　Ｆ　−１０Ｊ（漬水化学工業社製）よりな
る厚さ０．１μｍの中間層を設けた。

下記の構造式で示されるペリレン顔料１重量部と、ポリ
カーボネート樹脂「パンライトＬ　−１２５０Ｊ（奇人
化成社製）０５重量部を１．２−ジクロルエタン１００
重量部に混合し、ボールミルで２４時間分散して塗布液
を調製し、この塗布液を用いて浸漬法により、前記中間
層上に、乾燥後の膜厚が０．５μｍとなるように電荷発
生層を形成した。

次いで、ポリシラン及びＣＴＭをトルエンに混合しくポ
リシラン十ＣＴ　Ｍ　＝　１５Ｗ／Ｖ％）塗布液を作製
し、前記電荷発生層上に乾燥後の膜厚が２０μｍの電荷
輸送層を形成し、電子写真感光体試料Ｎ　ｏ、４１〜４
７を作製した。

但し、ポリシランとＣＴＭの使用量は重量比で表−４に
示すように用いた。

得られた試料Ｎｏ、４１〜４７についてそれぞれＫｏｎ
ｉｃａ　１５５０ＭＲ（コニカ製）の改造機を用いて評
価した。黒紙電位Ｖ１、白紙電位ＶＷを求め、感度を評
価し、また膜強度を実施例１の評価方法に従って評価を
行った。

その結果を表−４に示す。

以下糸゛白ペリレン系顔料：ポリシランＶ−１Ｖ−２Ｖ−３ＣＴ　Ｍ　−１０（例示化合物 ■−１）ＣＴＭ−１１（例示化合物 ■−３）ＣＴ　Ｍ　−１２（例示化合物Ｖ−４１）以ｒ′丞日 ’、、＋’ｆ＝提表−４から明らかなように本発明の試料は黒紙電位及び
白紙電位とも満足な値が得られ、膜強度も十分で実用化
レベルにあるものであった。

実施例５Ｎｏ、５１〜５７のアルミニウムを蒸着したポリエステルフィルムからなる
導電性支持体上に、ポリビニルホルマール「ビニレック
ＬＪ　　（積水化学社製）からなる厚さ０．３μｍの中
間層を設けた。

次いで、ＣＧＭとしてτ型無金属フタロシアニン１重量
部、ポリビニルブチラール樹脂「エスレックＢＬＳＪ　
　（積水化学社製）１重量部、１，２−ジクロロエタン
１００重量部を超音波分散機を用いて分散した液をワイ
ヤーバーで塗布して乾燥膜厚が０．３μｍとなるように
電荷発生層を形成した。

次いで、ポリシラン及びＣＴＭを１．２−ジクロロエタ
ンに混合しくポリシラン十ＣＴＭ＝１５Ｗ／Ｖ％）塗布
液を作成し、その塗布液をブレード塗布して厚さ１８μ
ｍの電荷輸送層を形成し、電子写真感光体試料Ｎ　ｏ、
５１〜５７を得た。但しポリシランとＣＴＭの使用量は
重量比で表−５に示すように用いた。

得られた試料Ｎｏ、５１〜５７についてそれぞれＫｏｎ
ｉｃａ　Ｌ　Ｐ　３０１０　（コニカ製）の改造機を用
いて評価した。未露光部電位ＶＨ，露光部電位■、を求
め、感度を評価し、また膜強度を実施例１の評価方法に
従って評価を行った。

以下余白シーエ５ポリシランＩＶ−１Ｐｒｉ’−２Ｐｒｌ／−３ＣＴＭ−１３（例示化合物ＶＴ−３２）ＣＴＭ−１４（例示化合物Ｖｌ−１５）ＣＴ　Ｍ　−１５（例示化合物Ｖｌ−２８）表−５から明らかなように本発明の試料は、未露光部電
位及び露光部電位とも満足な値が得られ、膜強度も十分
で実用化レベルにあるものであった。

［発明の効果］以上詳しく説明したように本発明により正孔輸送能に優
れ、十分な帯電能を有し、可撓性が良好で膜強度が十分
な電子写真感光体を提供することができた。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図、第３図及び第４図は、それぞれ本発明
の感光体の構成例について示す断面図である。第５図は実施例３で用いられたチタニルフタロシアニン
のＸ線回折図である。なお、図面に示す符号において、１・・・導電性支持体２・・・キャリア発生層３・・・キャリア輸送層４Ａ、４Ｂ・・・感光層５・・・中間層である。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）導電性支持体上に少なくともポリシランを含有す
る電荷輸送層を有する電子写真感光体において、該ポリ
シランが下記一般式（ I ）で表される繰り返し単位を
有する単独重合体もしくは共重合体であり、かつ該電荷
輸送層が下記一般式（II）で表される化合物を含有する
ことを特徴とする電子写真感光体。一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ ［式中、Ｒ＿１及びＲ＿２はそれぞれ水素原子、置換も
しくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアリ
ール基、置換もしくは未置換のアルコキシ基、アルキル
シリル基又はアリールシリル基を表す。］一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼ ［式中、Ｒ＿３は水素原子、置換もしくは未置換のアル
キル基又は置換もしくは未置換のアリール基を表わし、
Ｒ＿４は置換基を表わし、Ａ＿１は置換もしくは未置換
のフェニレン基又は置換もしくは未置換のナフチレン基
を表わし、Ａｒ＿１及びＡｒ＿２はそれぞれ置換もしく
は未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のフェニル
基又は置換もしくは未置換のナフチル基を表わし、Ａｒ
＿３は水素原子、置換もしくは未置換のフェニル基又は
置換もしくは未置換のナフチル基を表わし、ｎ＿１は０
又は１を表わし、ｎ＿２は０〜５の整数を表わす。］
（２）第１項記載の電子写真感光体において、一般式（
II）で表される化合物に代えて下記一般式（III）で表
される化合物を電荷輸送層中に含有することを特徴とす
る電子写真感光体。一般式（III） ▲数式、化学式、表等があります▼ ［式中、Ｒ＿５、Ｒ＿６及びＲ＿７はそれぞれ水素原子
、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置
換のアルコキシ基又は置換もしくは未置換のアリールオ
キシ基を表わし、Ｒ＿８は水素原子、置換もしくは未置
換のアルキル基、置換もしくは未置換のアルケニル基又
は置換もしくは未置換のアリール基を表わし、ｍ及びｌ
は１又は２を表わし、ｑは０又は１を表わす。ｍ及びｌ
が２の時、Ｒ＿５及びＲ＿６はそれぞれ同一であっても
異なっていてもよい。］
（３）第１項記載の電子写真感光体において、一般式（
II）で表される化合物に代えて下記一般式（IV）で表さ
れる化合物を電荷輸送層中に含有することを特徴とする
電子写真感光体。一般式（IV） ▲数式、化学式、表等があります▼ ［Ａｒ＿４及びＡｒ＿５はそれぞれ置換若しくは未置換
のアリール基を表し、Ａｒ＿６は置換若しくは未置換の
アリーレン基を表す。Ａｒ＿７はｐ−フェニレン基又は
ナフチレン基を表し、これらは置換されていてもよく、
Ｒ＿９及びＲ＿１＿０はそれぞれ置換若しくは未置換の
アルキル基を表す。］
（４）第１項記載の電子写真感光体において、一般式（
II）で表される化合物に代えて下記一般式（Ｖ）で表さ
れる化合物を電荷輸送層中に含有することを特徴とする
電子写真感光体。一般式（Ｖ） ▲数式、化学式、表等があります▼ ［Ｒ＿１＿１及びＲ＿１＿２はそれぞれジアルキルアミ
ノ基を表し、Ｒ＿１＿２及びＲ＿１＿４はそれぞれハロ
ゲン原子又はシアノ基を表し、Ａｒ＿８及びＡｒ＿９は
それぞれ置換若しくは未置換のフェニル基を表し、ｍ＿
１、ｍ＿２、ｍ＿３及びｍ＿４はそれぞれ０又は１を表
す。但しｍ＿１とｍ＿２が同時に０になることはない。］
（５）第１項記載の電子写真感光体において、一般式（
II）で表される化合物に代えて下記一般式（VI）で表さ
れる化合物を電荷輸送層中に含有することを特徴とする
電子写真感光体。一般式（VI） ▲数式、化学式、表等があります▼ ［式中、Ｒ＿１＿５は水素原子又は置換基を表し、Ｒ＿
１＿６は水素原子、置換もしくは未置換のアルキル基又
は置換もしくは未置換のアリール基を表し、Ａｒ＿１＿
０は水素原子、置換もしくは未置換のフェニル基又は置
換もしくは未置換のナフチル基を表し、Ａｒ＿１＿１は
置換もしくは未置換のフェニレン基又は置換もしくは未
置換のナフチレン基を表わし、Ａｒ＿１＿２は置換もし
くは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のフェニ
ル基又は置換もしくは未置換のナフチル基を表わし、ｋ
＿１は０〜５の整数を表わし、ｋ＿２は０又は１を表す
。］