JPH041493Y2 - - Google Patents
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- JPH041493Y2 JPH041493Y2 JP1984199876U JP19987684U JPH041493Y2 JP H041493 Y2 JPH041493 Y2 JP H041493Y2 JP 1984199876 U JP1984199876 U JP 1984199876U JP 19987684 U JP19987684 U JP 19987684U JP H041493 Y2 JPH041493 Y2 JP H041493Y2
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の利用分野〕
この考案は、ｐ形金属酸化物半導体とｎ形金属
酸化物半導体とを組み合せたガス検出装置の改良
に関するもので、自動車エンジン、ボイラー、ス
トーブの空燃比の制御等に適したもので有る。
酸化物半導体とを組み合せたガス検出装置の改良
に関するもので、自動車エンジン、ボイラー、ス
トーブの空燃比の制御等に適したもので有る。
特公昭57−37824号は、ｐ形とｎ形の２つの金
属酸化物半導体を組み合せたガス検出装置を開示
している（第４図参照）。図においてECは電源、
ｎはｎ形ガス検出片、ｐはｐ形ガス検出片、Ｒ
１，Ｒ２は負荷抵抗、０２は差動増幅器、Ｉ３は
空燃比コントローラで有る。
属酸化物半導体を組み合せたガス検出装置を開示
している（第４図参照）。図においてECは電源、
ｎはｎ形ガス検出片、ｐはｐ形ガス検出片、Ｒ
１，Ｒ２は負荷抵抗、０２は差動増幅器、Ｉ３は
空燃比コントローラで有る。
しかしながら、２つのガス検出片ｎ，ｐの抵抗
温度係数等の特性を全温度範囲でマツチさせるこ
とは難しく、ヒータにより加熱温度をコントロー
ルする必要が生じる。またブリツジ回路を用いる
と、ブリツジの検出片ｎ，ｐの抵抗値への許容幅
が狭く、ガス検出片ｎ，ｐの温度による抵抗値変
化により、ブリツジ出力がシフトする。
温度係数等の特性を全温度範囲でマツチさせるこ
とは難しく、ヒータにより加熱温度をコントロー
ルする必要が生じる。またブリツジ回路を用いる
と、ブリツジの検出片ｎ，ｐの抵抗値への許容幅
が狭く、ガス検出片ｎ，ｐの温度による抵抗値変
化により、ブリツジ出力がシフトする。
この考案はｎ形ガス検出片とｐ形ガス検出片と
を組み合せ、 (1) センサの温度を検出してヒータにフイードバ
ツクする技術を提供する、 (2) ２つのガス検出片から空燃比λ等の検出目標
を的確に検出する、 (3) 空燃比λが１以上でも１以下でも、 センサの加熱温度を一定にする、ことを課題とす
る。
を組み合せ、 (1) センサの温度を検出してヒータにフイードバ
ツクする技術を提供する、 (2) ２つのガス検出片から空燃比λ等の検出目標
を的確に検出する、 (3) 空燃比λが１以上でも１以下でも、 センサの加熱温度を一定にする、ことを課題とす
る。
この考案のガス検出装置は、ｎ形金属酸化物半
導体を用いたｎ形ガス検出片と、ｐ形金属酸化物
半導体を用いたｐ形ガス検出片と、これらのガス
検出片を加熱するためのヒータとを有する、排ガ
ス組成の検出用のガスセンサを用いる。
導体を用いたｎ形ガス検出片と、ｐ形金属酸化物
半導体を用いたｐ形ガス検出片と、これらのガス
検出片を加熱するためのヒータとを有する、排ガ
ス組成の検出用のガスセンサを用いる。
雰囲気をリーン領域（空燃比λが１以上）、あ
るいはリツチ領域（空燃比λが１未満）、に固定
すると、２つのガス検出片の電気伝導度の積、あ
るいは抵抗値の積や電気伝導度と抵抗値の比、は
ガス検出片の温度の関数となる。即ちｎ形金属酸
化物半導体の電気伝導度は温度により増加し、空
燃比により減少する。一方ｐ形金属酸化物半導体
の電気伝導度は温度により増加し、空燃比によつ
ても増加する。そこでｎ形金属酸化物半導体の電
気伝導度とｐ形金属酸化物半導体の電気伝導度の
積は温度を表す。これはｎ形金属酸化物半導体と
ｐ形金属酸化物半導体の温度依存性は共通である
が、空燃比依存性は逆で、電気伝導度の積を取る
ことによつて空燃比依存性が打ち消しあい、温度
依存性のみが残るためである。またガス検出片の
電気伝導度の比、あるいは抵抗値の比や電気伝導
度と抵抗値の積は排ガス組成、特に空燃比、の関
数となる。そこで電気伝導度の積等からガス検出
片の温度を検出してヒータをコントロールする。
また電気伝導度の比等から排ガス組成を検出し
て、空燃比をコントロールする。
るいはリツチ領域（空燃比λが１未満）、に固定
すると、２つのガス検出片の電気伝導度の積、あ
るいは抵抗値の積や電気伝導度と抵抗値の比、は
ガス検出片の温度の関数となる。即ちｎ形金属酸
化物半導体の電気伝導度は温度により増加し、空
燃比により減少する。一方ｐ形金属酸化物半導体
の電気伝導度は温度により増加し、空燃比によつ
ても増加する。そこでｎ形金属酸化物半導体の電
気伝導度とｐ形金属酸化物半導体の電気伝導度の
積は温度を表す。これはｎ形金属酸化物半導体と
ｐ形金属酸化物半導体の温度依存性は共通である
が、空燃比依存性は逆で、電気伝導度の積を取る
ことによつて空燃比依存性が打ち消しあい、温度
依存性のみが残るためである。またガス検出片の
電気伝導度の比、あるいは抵抗値の比や電気伝導
度と抵抗値の積は排ガス組成、特に空燃比、の関
数となる。そこで電気伝導度の積等からガス検出
片の温度を検出してヒータをコントロールする。
また電気伝導度の比等から排ガス組成を検出し
て、空燃比をコントロールする。
もし２つのガス検出片のガス感度が等しくない
場合、電気伝導度の積等は排ガス組成の影響を受
ける。その場合は適宜のべき乗回路や平方根回路
を用い、ガス検出片のガス感度を信号処理上一致
させれば、温度のみに依存する信号を取り出すこ
とができる。また２つのガス検出片の抵抗温度係
数が使用温度領域で等しくない場合は、電気伝導
度の比等は加熱温度の影響を受ける。その場合
も、べき乗回路や平方根回路等により、抵抗温度
係数を信号処理上一致させることができる。
場合、電気伝導度の積等は排ガス組成の影響を受
ける。その場合は適宜のべき乗回路や平方根回路
を用い、ガス検出片のガス感度を信号処理上一致
させれば、温度のみに依存する信号を取り出すこ
とができる。また２つのガス検出片の抵抗温度係
数が使用温度領域で等しくない場合は、電気伝導
度の比等は加熱温度の影響を受ける。その場合
も、べき乗回路や平方根回路等により、抵抗温度
係数を信号処理上一致させることができる。
空燃比の設定目標がリーン領域からリツチ領域
へ、あるいは当量点（空燃比λが１の点）へ変更
されると、電気伝導度の積等も変化する。このこ
とは当量点からリーン領域への設定目標の変更時
等にも同様で有る。これは当量点付近での抵抗変
化を２つのガス検出片に対し一致させるのが難し
いことによる。そこでこの場合、ヒータへの印加
電力を修正しガス検出片の温度変動を防ぐ。修正
には例えば、 (1) 温度検出手段の信号を増幅あるいは減少させ
て、電気伝導度の積等の変化に応じた補償を行
う、 (2) エンジンの回転数やボイラーへの燃料供給量
からガス検出片の温度を検出して、これらによ
る制御を行う、 ものが有る。
へ、あるいは当量点（空燃比λが１の点）へ変更
されると、電気伝導度の積等も変化する。このこ
とは当量点からリーン領域への設定目標の変更時
等にも同様で有る。これは当量点付近での抵抗変
化を２つのガス検出片に対し一致させるのが難し
いことによる。そこでこの場合、ヒータへの印加
電力を修正しガス検出片の温度変動を防ぐ。修正
には例えば、 (1) 温度検出手段の信号を増幅あるいは減少させ
て、電気伝導度の積等の変化に応じた補償を行
う、 (2) エンジンの回転数やボイラーへの燃料供給量
からガス検出片の温度を検出して、これらによ
る制御を行う、 ものが有る。
以下に実施例を説明するが、これによつて考案
の範囲を限定するものではない。
の範囲を限定するものではない。
第１図において、ECは電源、ｎはｎ形ガス検
出片でTiO2、SnO2、In2O3等のｎ形金属酸化物
半導体の焼結体に一対の電極を接続したもの、ｐ
はｐ形ガス検出片Co1-xMgxO、NiO等のｐ形金
属酸化物半導体の焼結体に一対の電極を接続した
もので有る。
出片でTiO2、SnO2、In2O3等のｎ形金属酸化物
半導体の焼結体に一対の電極を接続したもの、ｐ
はｐ形ガス検出片Co1-xMgxO、NiO等のｐ形金
属酸化物半導体の焼結体に一対の電極を接続した
もので有る。
Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４は増幅器で電気伝導度
検出手段の例をなし、ガス検出片ｎ，ｐの電気伝
導度を検出するために用いる。増幅器Ａ３，Ａ４
の出力σp，σoを用いて、以下の回路を動作させ
る。
検出手段の例をなし、ガス検出片ｎ，ｐの電気伝
導度を検出するために用いる。増幅器Ａ３，Ａ４
の出力σp，σoを用いて、以下の回路を動作させ
る。
Ｍは乗算IC、Ａ５は演算増幅器、２，４は信
号Ｓにより動作して閉じるアナログスイツチ、
６，８，１０，１２は信号Ｒにより閉じるアナロ
グスイツチで有る。これらのものにより温度検出
手段とガス検出手段とを構成する。なおアナログ
スイツチ２，４，６〜１２等は、他の適宜のスイ
ツチ、例えばリレーやFETスイツチ等に代えて
も良い。
号Ｓにより動作して閉じるアナログスイツチ、
６，８，１０，１２は信号Ｒにより閉じるアナロ
グスイツチで有る。これらのものにより温度検出
手段とガス検出手段とを構成する。なおアナログ
スイツチ２，４，６〜１２等は、他の適宜のスイ
ツチ、例えばリレーやFETスイツチ等に代えて
も良い。
アナログスイツチ４を介しての出力を温度検出
手段の出力ａ、（σo・σpに相当）、とし、アナログ
スイツチ１２を介しての信号をガス検出手段の出
力ｂ、（σo／σpに相当）、とする。
手段の出力ａ、（σo・σpに相当）、とし、アナログ
スイツチ１２を介しての信号をガス検出手段の出
力ｂ、（σo／σpに相当）、とする。
Ｒ１，Ｒ２は分圧抵抗、Ｒ３，Ｒ４は積分回路
を構成する抵抗とコンデンサで、Ｆ１は信号Ｆに
より動作するアナログスイツチ、Ｑ１は信号Ｑに
より動作するアナログスイツチで有る。
を構成する抵抗とコンデンサで、Ｆ１は信号Ｆに
より動作するアナログスイツチ、Ｑ１は信号Ｑに
より動作するアナログスイツチで有る。
Ｉ１は発振回路、Ｉ２は分周回路で発振回路Ｉ
１の出力を分周し、信号Ｓ，Ｒを交互にかつ周期
的に所定の間隔で発する。分周回路Ｉ２は、信号
ＳとＲとを交互に発する範囲で変更でき、例えば
マルチバイブレータとしても良い。
１の出力を分周し、信号Ｓ，Ｒを交互にかつ周期
的に所定の間隔で発する。分周回路Ｉ２は、信号
ＳとＲとを交互に発する範囲で変更でき、例えば
マルチバイブレータとしても良い。
Ａ６は差動増幅器、１４はコンパレータ、１
６，１８はフリツプフロツプ回路を構成するノア
素子、Ｒ４，Ｃ２はコンデンサと抵抗で、CRタ
イマを構成し、Tr１はトランジスタで有る。こ
れらのものによりヒータコントローラを構成す
る。Ｈはガスセンサのヒータ、EHはヒータ電源、
Tr２はスイツチングトランジスタで有る。
６，１８はフリツプフロツプ回路を構成するノア
素子、Ｒ４，Ｃ２はコンデンサと抵抗で、CRタ
イマを構成し、Tr１はトランジスタで有る。こ
れらのものによりヒータコントローラを構成す
る。Ｈはガスセンサのヒータ、EHはヒータ電源、
Tr２はスイツチングトランジスタで有る。
Ｑ２は信号Ｑにより動作するアナログスイツ
チ、２０は比較器、Ｉ３は周知の空燃比コントロ
ーラで有る。
チ、２０は比較器、Ｉ３は周知の空燃比コントロ
ーラで有る。
またＩ４はモードセレクタで、例えばリーン領
域での制御時には信号Ｆを、当量点付近での制御
時には信号Ｑを発する。
域での制御時には信号Ｆを、当量点付近での制御
時には信号Ｑを発する。
なおこの回路について、共通の機能を有する範
囲、あるいは用いるガス検出片ｎ，ｐの特性にマ
ツチさせる範囲等で、種々の変更が可能で有る。
囲、あるいは用いるガス検出片ｎ，ｐの特性にマ
ツチさせる範囲等で、種々の変更が可能で有る。
リーン領域での実施例の動作を述べる。
増幅器Ａ３，Ａ４からは、ｎ形ガス検出片ｎ、
ｐ形ガス検出片ｐの電気伝導度に対応した出力
σo，σpが得られる。
ｐ形ガス検出片ｐの電気伝導度に対応した出力
σo，σpが得られる。
信号Ｓにより乗算IC（Ｍ）には、信号σo，σpが
加えられ、出力信号ａはσo・σpに相当する。信号
Ｒにより乗算IC（Ｍ）には、演算増幅器Ａ５の出
力ｂと信号σpとが加えれる。そして乗算IC（Ｍ）
の出力は信号σoに等しい。従つて σo＝ｂ・σp となり、信号ｂはσo／σpに相当する。
加えられ、出力信号ａはσo・σpに相当する。信号
Ｒにより乗算IC（Ｍ）には、演算増幅器Ａ５の出
力ｂと信号σpとが加えれる。そして乗算IC（Ｍ）
の出力は信号σoに等しい。従つて σo＝ｂ・σp となり、信号ｂはσo／σpに相当する。
信号ａは、ｎ形ガス検出片ｎとｐ形ガス検出片
ｐの電気伝導度の積に対応し、これらのガス検出
片ｎ，ｐのガス感度が等しければ加熱温度のみで
定まる。感度が等しくない時は、一方の信号σo、
またはσpをべき乗あるいは平方して積を取れば、
温度のみの信号となる。そして信号ａは第２図の
曲線２１のように温度とともに増す。
ｐの電気伝導度の積に対応し、これらのガス検出
片ｎ，ｐのガス感度が等しければ加熱温度のみで
定まる。感度が等しくない時は、一方の信号σo、
またはσpをべき乗あるいは平方して積を取れば、
温度のみの信号となる。そして信号ａは第２図の
曲線２１のように温度とともに増す。
ヒータコントローラへは、アナログスイツチＥ
１を介してａが加えられる。そして差動増幅器Ａ
６の基準入力と信号ａとの差に比例した幅のパル
スをトランジスタTr２へ加え、ヒータＨへの電
圧印加のデユーテイ比を第２図の曲線２２のよう
に変化させ、センサの温度を一定とする。
１を介してａが加えられる。そして差動増幅器Ａ
６の基準入力と信号ａとの差に比例した幅のパル
スをトランジスタTr２へ加え、ヒータＨへの電
圧印加のデユーテイ比を第２図の曲線２２のよう
に変化させ、センサの温度を一定とする。
即ち発振回路Ｉ１からのパルスにより、ノア素
子１８が動作しトランジスタTr２がオンする。
同時にトランジスタTr１がオフし、コンデンサ
２０への充電が始まる。充電が完了するとコンパ
レータ１４の出力がハイとなり、ノア素子１８が
ロウに、トランジスタTr２がオフになる。発振
回路Ｉ１からのパルスは、差動増幅器Ａ６の出力
とコンデンサ２０への充電時定数で定まるパルス
幅に変形されて、トランジスタTr２に加わる。
子１８が動作しトランジスタTr２がオンする。
同時にトランジスタTr１がオフし、コンデンサ
２０への充電が始まる。充電が完了するとコンパ
レータ１４の出力がハイとなり、ノア素子１８が
ロウに、トランジスタTr２がオフになる。発振
回路Ｉ１からのパルスは、差動増幅器Ａ６の出力
とコンデンサ２０への充電時定数で定まるパルス
幅に変形されて、トランジスタTr２に加わる。
信号ｂは、ガス検出片ｎ，ｐの電気伝導度の比
σo／σpに対応し、これらの温度係数が等しければ
排ガス組成、とりわけ空燃比のみの関数となる。
温度係数の不一致は、信号σoやσpのべき乗、ある
いは平方を用いることにより解消される。信号ｂ
は第２図の曲線２３のように、空燃比のみに対応
したものとなり、比較器２０を介して空燃比コン
トローラＩ３を制御する。
σo／σpに対応し、これらの温度係数が等しければ
排ガス組成、とりわけ空燃比のみの関数となる。
温度係数の不一致は、信号σoやσpのべき乗、ある
いは平方を用いることにより解消される。信号ｂ
は第２図の曲線２３のように、空燃比のみに対応
したものとなり、比較器２０を介して空燃比コン
トローラＩ３を制御する。
実施例の動作の要点を整理すると、ｎ形ガス検
出片ｎの電気伝導度を増幅器Ａ１で取り出し、ｐ
形ガス検出片ｐの電気伝導度を増幅器Ａ３で取り
出す。そしてこれらの電気伝導度の積と比を、乗
算IC（Ｍ）で取り出す。電気伝導度の積と比を１
つの乗算IC（Ｍ）で取り出すため、分周回路Ｉ２
の信号Ｓ，Ｒで乗算IC（Ｍ）を乗算回路と除算回
路とに使い分け、信号Ｓで乗算回路とし、信号Ｒ
で除算回路とする。乗算回路として用いる場合、
信号Ｓでアナログスイツチ２，４を閉じ、増幅器
Ａ４，Ａ３の信号を乗算IC（Ｍ）に入力して、電
気伝導度の積の出力信号をアナログスイツチ４か
ら取り出す。乗算IC（Ｍ）を除算路として用いる
場合、信号Ｒでアナログスイツチ６，８，１０，
１２を閉じる。この場合に、増幅器Ａ５に演算増
幅器を用いたので、その２つの入力はイマジナリ
ーシヨートとなり、乗算IC（Ｍ）の出力はｎ形ガ
ス検出片ｎの電気伝導度σoに一致し、演算増幅器
Ａ５の出力と乗算IC（Ｍ）のＹ入力は σp×Ｙ入力の値＝σo となるように定まる。結局Ｙ入力の値は、σo／σp
に一致し、これをアナログスイツチ１２から取り
出す。
出片ｎの電気伝導度を増幅器Ａ１で取り出し、ｐ
形ガス検出片ｐの電気伝導度を増幅器Ａ３で取り
出す。そしてこれらの電気伝導度の積と比を、乗
算IC（Ｍ）で取り出す。電気伝導度の積と比を１
つの乗算IC（Ｍ）で取り出すため、分周回路Ｉ２
の信号Ｓ，Ｒで乗算IC（Ｍ）を乗算回路と除算回
路とに使い分け、信号Ｓで乗算回路とし、信号Ｒ
で除算回路とする。乗算回路として用いる場合、
信号Ｓでアナログスイツチ２，４を閉じ、増幅器
Ａ４，Ａ３の信号を乗算IC（Ｍ）に入力して、電
気伝導度の積の出力信号をアナログスイツチ４か
ら取り出す。乗算IC（Ｍ）を除算路として用いる
場合、信号Ｒでアナログスイツチ６，８，１０，
１２を閉じる。この場合に、増幅器Ａ５に演算増
幅器を用いたので、その２つの入力はイマジナリ
ーシヨートとなり、乗算IC（Ｍ）の出力はｎ形ガ
ス検出片ｎの電気伝導度σoに一致し、演算増幅器
Ａ５の出力と乗算IC（Ｍ）のＹ入力は σp×Ｙ入力の値＝σo となるように定まる。結局Ｙ入力の値は、σo／σp
に一致し、これをアナログスイツチ１２から取り
出す。
次に第３図を参照して、モードセレクタＩ４の
動作時について説明する。空燃比の制御目標がリ
ーン領域から当量点付近に切り替えられると、そ
の出力は信号Ｆから信号Ｑに変化する。この時ガ
ス検出片ｎ，ｐの電気伝導度は例えば曲線３１，
３２のように変化し、電気伝導度の積や比は曲線
３３，３４のように変化する。この結果同じ温度
でも電気伝導度の積は変化する。
動作時について説明する。空燃比の制御目標がリ
ーン領域から当量点付近に切り替えられると、そ
の出力は信号Ｆから信号Ｑに変化する。この時ガ
ス検出片ｎ，ｐの電気伝導度は例えば曲線３１，
３２のように変化し、電気伝導度の積や比は曲線
３３，３４のように変化する。この結果同じ温度
でも電気伝導度の積は変化する。
信号ＱによりアナログスイツチＱ２が閉じ、比
較器２０の基準電位が当量点に対応する電圧に引
き上げられる。
較器２０の基準電位が当量点に対応する電圧に引
き上げられる。
つぎにアナログスイツチＦ１が開いて、アナロ
グスイツチＱ１が閉じ、差動増幅器Ａ６への入力
が、空燃比の変更に伴う電気伝導度の積の増加を
補償する分だけ、引き下げられる。この場合に電
気伝導度の積は、空燃比が１以上か１以下かで変
動するので、抵抗Ｒ３とコンデンサＣ１とによ
り、変動分を平滑化する。
グスイツチＱ１が閉じ、差動増幅器Ａ６への入力
が、空燃比の変更に伴う電気伝導度の積の増加を
補償する分だけ、引き下げられる。この場合に電
気伝導度の積は、空燃比が１以上か１以下かで変
動するので、抵抗Ｒ３とコンデンサＣ１とによ
り、変動分を平滑化する。
このようにモードセレクタＩ４の信号がＱかＦ
かで、アナログスイツチＱ２により、空燃比コン
デンサＩ３の前段の比較器２０の基準電位を変化
させ、空燃比の制御目標を変更する。またモード
セレクタＩ４の信号で、アナログスイツチＦ１と
アナログスイツチＱ１を切り替えて用い、差動増
幅器Ａ６への入力を変更して、比較器Ｉ４を用い
てヒータＨに加わる電力パルスのパルス幅を変更
する。
かで、アナログスイツチＱ２により、空燃比コン
デンサＩ３の前段の比較器２０の基準電位を変化
させ、空燃比の制御目標を変更する。またモード
セレクタＩ４の信号で、アナログスイツチＦ１と
アナログスイツチＱ１を切り替えて用い、差動増
幅器Ａ６への入力を変更して、比較器Ｉ４を用い
てヒータＨに加わる電力パルスのパルス幅を変更
する。
なお空燃比の制御目標が、リーン領域から当量
点かを信号ｂから検出して（第３図曲線３３参
照）、アナログスイツチＦ１，Ｑ１をコントロー
ルすることもできる。
点かを信号ｂから検出して（第３図曲線３３参
照）、アナログスイツチＦ１，Ｑ１をコントロー
ルすることもできる。
ここでこの考案と第３図の従来例とを対比する
と、 (1) 従来例ではガス検出片の温度を安定化させな
いため、抵抗温度係数の差や、温度によりガス
感度の差がそのまま検出誤差となるのに対し、
この考案ではそのような誤差が小さく、 (2) 従来例ではブリツジ回路を用いるため、ガス
検出片の抵抗値には狭い動作許容幅しかないの
に対し、この考案ではそのような制限がない、 点で優れている。またこの考案では空燃比λが１
以上でも１以下でも、センサの温度を一定にし得
る。
と、 (1) 従来例ではガス検出片の温度を安定化させな
いため、抵抗温度係数の差や、温度によりガス
感度の差がそのまま検出誤差となるのに対し、
この考案ではそのような誤差が小さく、 (2) 従来例ではブリツジ回路を用いるため、ガス
検出片の抵抗値には狭い動作許容幅しかないの
に対し、この考案ではそのような制限がない、 点で優れている。またこの考案では空燃比λが１
以上でも１以下でも、センサの温度を一定にし得
る。
第１図は実施例のガス検出装置の回路図、第２
図、第３図は実施例の特性図、第４図は従来例の
回路図で有る。 ｎ……ｎ形ガス検出片、ｐ……ｐ形ガス検出
片、Ｈ……ヒータ、Ｍ……乗算IC、Ａ５……演
算増幅器、２，４，６，８，１０，１２……アナ
ログスイツチ、Ｉ１……発振回路、Ｉ２……分周
回路、Ｉ３……空燃比コントローラ、Ａ６……差
動増幅器、１４……コンパレータ、１６，１８…
…ノア素子、Ｆ１，Ｑ１，Ｑ２……アナログスイ
ツチ、Ｉ４……モードセレクタ。
図、第３図は実施例の特性図、第４図は従来例の
回路図で有る。 ｎ……ｎ形ガス検出片、ｐ……ｐ形ガス検出
片、Ｈ……ヒータ、Ｍ……乗算IC、Ａ５……演
算増幅器、２，４，６，８，１０，１２……アナ
ログスイツチ、Ｉ１……発振回路、Ｉ２……分周
回路、Ｉ３……空燃比コントローラ、Ａ６……差
動増幅器、１４……コンパレータ、１６，１８…
…ノア素子、Ｆ１，Ｑ１，Ｑ２……アナログスイ
ツチ、Ｉ４……モードセレクタ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 ｎ形金属酸化物半導体を用いたｎ形ガス検出片
と、ｐ形金属酸化物半導体を用いたｐ形ガス検出
片と、これらのガス検出片を加熱するためのヒー
タとを有する、排ガス組成の検出用のガスセンサ
と、 各ガス検出片の電気伝導度に対応する２つの出
力を発する電気伝導度検出手段と、 電気伝導度検出手段の２つの出力から、２つの
ガス検出片の電気伝導度の積に対応した出力を発
する温度検出手段と、 温度検出手段の出力から、ヒータへの印加電力
をコントロールするヒータコントローラと、 電気伝導度検出手段の２つの出力から、２つの
ガス検出片の電気伝導度の比に対応した出力を発
するガス検出手段と、 ガス検出手段の出力ににより動作する空燃比コ
ントローラと、 空燃比の設定目標に応じた信号を発するモード
セレクタと、 モードセレクタの信号に応じて、ヒータへの上
記印加電力を修正する印加電力修正手段、 とを有するガス検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984199876U JPH041493Y2 (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984199876U JPH041493Y2 (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61112264U JPS61112264U (ja) | 1986-07-16 |
| JPH041493Y2 true JPH041493Y2 (ja) | 1992-01-20 |
Family
ID=30760210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1984199876U Expired JPH041493Y2 (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH041493Y2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5237494A (en) * | 1975-09-20 | 1977-03-23 | Matsushita Electric Works Ltd | Gas, smoke detection device |
| JPS567056B2 (ja) * | 1973-10-03 | 1981-02-16 | ||
| JPS5737824A (en) * | 1980-08-20 | 1982-03-02 | Seiko Epson Corp | Method and device for impurity diffusion |
| JPS5796248A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Detecting method for gas using superparticulate gas sensor |
| JPS5842960A (ja) * | 1981-09-08 | 1983-03-12 | Matsushita Electric Works Ltd | 可燃性ガス検知装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6123789Y2 (ja) * | 1979-06-28 | 1986-07-16 |
-
1984
- 1984-12-27 JP JP1984199876U patent/JPH041493Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS567056B2 (ja) * | 1973-10-03 | 1981-02-16 | ||
| JPS5237494A (en) * | 1975-09-20 | 1977-03-23 | Matsushita Electric Works Ltd | Gas, smoke detection device |
| JPS5737824A (en) * | 1980-08-20 | 1982-03-02 | Seiko Epson Corp | Method and device for impurity diffusion |
| JPS5796248A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Detecting method for gas using superparticulate gas sensor |
| JPS5842960A (ja) * | 1981-09-08 | 1983-03-12 | Matsushita Electric Works Ltd | 可燃性ガス検知装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61112264U (ja) | 1986-07-16 |
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