JPH041492Y2 - - Google Patents
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- JPH041492Y2 JPH041492Y2 JP1984199873U JP19987384U JPH041492Y2 JP H041492 Y2 JPH041492 Y2 JP H041492Y2 JP 1984199873 U JP1984199873 U JP 1984199873U JP 19987384 U JP19987384 U JP 19987384U JP H041492 Y2 JPH041492 Y2 JP H041492Y2
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- Japan
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- gas detection
- electrical conductivity
- detection piece
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- signal
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 56
- 239000000446 fuel Substances 0.000 claims description 27
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 27
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の利用分野〕
この考案は、ｐ形金属酸化物半導体とｎ形金属
酸化物半導体とを組み合せたガス検出装置の改良
に関するもので、自動車エンジン、ボイラー、ス
トーブの空燃比の制御等に適したもので有る。
酸化物半導体とを組み合せたガス検出装置の改良
に関するもので、自動車エンジン、ボイラー、ス
トーブの空燃比の制御等に適したもので有る。
特公昭57−37824号は、ｐ形とｎ形の２つの金
属酸化物半導体を組み合せたガス検出装置を開示
している（第３図参照）。図においてECは電源、
ｎはｎ形ガス検出片、ｐはｐ形ガス検出片、Ｒ
１，Ｒ２は負荷抵抗、０２は作動増幅器、Ｉ４は
空燃比コントローラで有る。
属酸化物半導体を組み合せたガス検出装置を開示
している（第３図参照）。図においてECは電源、
ｎはｎ形ガス検出片、ｐはｐ形ガス検出片、Ｒ
１，Ｒ２は負荷抵抗、０２は作動増幅器、Ｉ４は
空燃比コントローラで有る。
しかしながら、２つのガス検出片ｎ，ｐの抵抗
温度係数等の特性を全温度範囲でマツチさせるこ
とは難しく、ヒータにより加熱温度をコントロー
ルする必要が生じる。またブリツジ回路を用いる
と、ブリツジの検出片ｎ，ｐの抵抗値への許容幅
が狭く、ガス検出片ｎ，ｐの温度による抵抗値変
化により、ブリツジ出力がシフトする。
温度係数等の特性を全温度範囲でマツチさせるこ
とは難しく、ヒータにより加熱温度をコントロー
ルする必要が生じる。またブリツジ回路を用いる
と、ブリツジの検出片ｎ，ｐの抵抗値への許容幅
が狭く、ガス検出片ｎ，ｐの温度による抵抗値変
化により、ブリツジ出力がシフトする。
この考案はｎ形ガス検出片とｐ形ガス検出片と
を組み合せ、 (1) センサの温度を検出してヒータにフイードバ
ツクする技術を提供する、 (2) ２つのガス検出片から空燃比λ等の検出目標
を的確に検出する、 ことを目的とする。
を組み合せ、 (1) センサの温度を検出してヒータにフイードバ
ツクする技術を提供する、 (2) ２つのガス検出片から空燃比λ等の検出目標
を的確に検出する、 ことを目的とする。
この考案のガス検出装置は、ｎ形金属酸化物半
導体を用いたｎ形ガス検出片と、ｐ形金属酸化物
半導体を用いたｐ形ガス検出片と、これらのガス
検出片を加熱するためのヒータとを有する排ガス
組成の検出用ガスセンサと、ｎ形ガス検出片の電
気伝導度とｐ形ガス検出片の電気伝導度との積の
信号を得るための乗算手段と、乗算手段の出力に
よりガスセンサのヒータへの印加電力をコントロ
ールするためのヒータコントローラと、ｎ形ガス
検出片の電気伝導度とｐ形ガス検出片の電気伝導
度との比の信号を得るための除算手段と、除算手
段の出力により排ガスの空燃比を制御するための
空燃比コントローラ、とを設けたものである。
導体を用いたｎ形ガス検出片と、ｐ形金属酸化物
半導体を用いたｐ形ガス検出片と、これらのガス
検出片を加熱するためのヒータとを有する排ガス
組成の検出用ガスセンサと、ｎ形ガス検出片の電
気伝導度とｐ形ガス検出片の電気伝導度との積の
信号を得るための乗算手段と、乗算手段の出力に
よりガスセンサのヒータへの印加電力をコントロ
ールするためのヒータコントローラと、ｎ形ガス
検出片の電気伝導度とｐ形ガス検出片の電気伝導
度との比の信号を得るための除算手段と、除算手
段の出力により排ガスの空燃比を制御するための
空燃比コントローラ、とを設けたものである。
即ちこの考案では、ｎ形金属酸化物半導体とｐ
形金属酸化物半導体との電気伝導度の積からガス
センサの温度を検出して、ヒータにフイードバツ
クする。またｎ形金属酸化物半導体とｐ形金属酸
化物半導体との電気伝導度の比から、空燃比を検
出する。
形金属酸化物半導体との電気伝導度の積からガス
センサの温度を検出して、ヒータにフイードバツ
クする。またｎ形金属酸化物半導体とｐ形金属酸
化物半導体との電気伝導度の比から、空燃比を検
出する。
ここに電気伝導度を用いるとは、電気伝導度を
直接用いることに限らず、電気伝導度に対応した
信号、即ち電気伝導度の関数となる信号を用いる
との意味であり、例えば電気伝導度の逆数である
抵抗値を用いても良い。また除算手段でｎ形金属
酸化物半導体とｐ形金属酸化物半導体との電気伝
導度の比を求めるとは、これらの２つの電気伝導
度の比を現す信号を求めるとの意味であり、ｐ形
金属酸化物半導体とｎ形金属酸化物半導体との電
気伝導度の比を求めても良い。この考案の作用に
ついて説明する。ｎ形金属酸化物半導体の電気伝
導度は温度により増加し、空燃比により減少す
る。一方ｐ形金属酸化物半導体の電気伝導度は温
度により増加し、空燃比によつても増加する。そ
こでｎ形金属酸化物半導体の電気伝導度とｐ形金
属酸化物半導体の電気伝導度の積は温度を表し、
これらの比は空燃比を表す。これはｎ形金属酸化
物半導体とｐ形金属酸化物半導体の温度依存性は
共通であるが、空燃比依存性は逆で、電気伝導度
の積を取ることによつて空燃比依存性が打ち消し
あい、温度依存性のみが残るためである。また電
気伝導度の比では温度依存性が打ち消しあい、空
燃比依存性のみが残る。これらのため、ｎ形ガス
検出片の電気伝導度とｐ形ガス検出片の電気伝導
度との積からこれらの温度を求めてヒータをコン
トロールすれば、ｎ形ガス検出片やｐ形ガス検出
片の温度を一定に保つことができる。そして温度
を一定に保つた状態でこれらの比を求めれば、排
ガスの空燃比が分かり、これから排ガスの空燃比
を制御することができる。
直接用いることに限らず、電気伝導度に対応した
信号、即ち電気伝導度の関数となる信号を用いる
との意味であり、例えば電気伝導度の逆数である
抵抗値を用いても良い。また除算手段でｎ形金属
酸化物半導体とｐ形金属酸化物半導体との電気伝
導度の比を求めるとは、これらの２つの電気伝導
度の比を現す信号を求めるとの意味であり、ｐ形
金属酸化物半導体とｎ形金属酸化物半導体との電
気伝導度の比を求めても良い。この考案の作用に
ついて説明する。ｎ形金属酸化物半導体の電気伝
導度は温度により増加し、空燃比により減少す
る。一方ｐ形金属酸化物半導体の電気伝導度は温
度により増加し、空燃比によつても増加する。そ
こでｎ形金属酸化物半導体の電気伝導度とｐ形金
属酸化物半導体の電気伝導度の積は温度を表し、
これらの比は空燃比を表す。これはｎ形金属酸化
物半導体とｐ形金属酸化物半導体の温度依存性は
共通であるが、空燃比依存性は逆で、電気伝導度
の積を取ることによつて空燃比依存性が打ち消し
あい、温度依存性のみが残るためである。また電
気伝導度の比では温度依存性が打ち消しあい、空
燃比依存性のみが残る。これらのため、ｎ形ガス
検出片の電気伝導度とｐ形ガス検出片の電気伝導
度との積からこれらの温度を求めてヒータをコン
トロールすれば、ｎ形ガス検出片やｐ形ガス検出
片の温度を一定に保つことができる。そして温度
を一定に保つた状態でこれらの比を求めれば、排
ガスの空燃比が分かり、これから排ガスの空燃比
を制御することができる。
第１図において、ECは電源、ｎはｎ形ガス検
出片でTiO2、SnO2、In2O3等のｎ形金属酸化物
半導体の焼結体に一対の電極を接続したもの、ｐ
はｐ形ガス検出片でCo1-xMgxO、NiO等のｐ形
金属酸化物半導体の焼結体に一対の電極を接続し
たもので有る。
出片でTiO2、SnO2、In2O3等のｎ形金属酸化物
半導体の焼結体に一対の電極を接続したもの、ｐ
はｐ形ガス検出片でCo1-xMgxO、NiO等のｐ形
金属酸化物半導体の焼結体に一対の電極を接続し
たもので有る。
Ａ１，Ａ２は増幅器でσo検出手段とσp検出手段
の例をなし、ガス検出片ｎ，ｐの電気伝導度を検
出するために用いる。増幅器Ａ１，Ａ２の出力
σo，σpを用いて、以下の回路を動作させる。σo検
出手段やσp検出手段は、ガス検出片ｎ，ｐの電導
度の検出に用い得る範囲で変更でき、例えばガス
検出片ｎ，ｐに直列に小さな抵抗を接続してその
出力を用いても良い。
の例をなし、ガス検出片ｎ，ｐの電気伝導度を検
出するために用いる。増幅器Ａ１，Ａ２の出力
σo，σpを用いて、以下の回路を動作させる。σo検
出手段やσp検出手段は、ガス検出片ｎ，ｐの電導
度の検出に用い得る範囲で変更でき、例えばガス
検出片ｎ，ｐに直列に小さな抵抗を接続してその
出力を用いても良い。
Ｍは乗算IC、Ａ３は演算増幅器、２，４は信
号Ｓにより動作して閉じるアナログスイツチ、
６，８，１０，１２は信号Ｒにより閉じるアナロ
グスイツチで有る。これらのものにより乗算手段
と除算手段とを構成する。乗算手段や除算手段
は、σo・σpやσo／σp、またはσp／σoを得うる範囲
で適宜の変更ができ、例えばADコンバータによ
りσoやσpをデジタル化した後に、乗算や減算を行
うようにしても良い。さらに中間にべき乗回路や
平方根回路を設け、σo m・σp（ｍは乗数）やσo・σp
１／ｍを取り出すようにしても良い。またアナログ
スイツチ２，４，６〜１２は、他の適宜のスイツ
チ、例えばリレーやFETスイツチ等に代えても
良い。
号Ｓにより動作して閉じるアナログスイツチ、
６，８，１０，１２は信号Ｒにより閉じるアナロ
グスイツチで有る。これらのものにより乗算手段
と除算手段とを構成する。乗算手段や除算手段
は、σo・σpやσo／σp、またはσp／σoを得うる範囲
で適宜の変更ができ、例えばADコンバータによ
りσoやσpをデジタル化した後に、乗算や減算を行
うようにしても良い。さらに中間にべき乗回路や
平方根回路を設け、σo m・σp（ｍは乗数）やσo・σp
１／ｍを取り出すようにしても良い。またアナログ
スイツチ２，４，６〜１２は、他の適宜のスイツ
チ、例えばリレーやFETスイツチ等に代えても
良い。
アナログスイツチ４を介しての出力を乗算手段
の出力ａ、（σo・σpに相当）、とし、アナログスイ
ツチ１２を介しての信号を除算手段の出力ｂ、
（σo／σpに相当）、とする。除算手段の出力ｂを、
σp／σoやσp m／σo（ｍは乗数）に相当するものに代
えても良い。
の出力ａ、（σo・σpに相当）、とし、アナログスイ
ツチ１２を介しての信号を除算手段の出力ｂ、
（σo／σpに相当）、とする。除算手段の出力ｂを、
σp／σoやσp m／σo（ｍは乗数）に相当するものに代
えても良い。
Ｉ１は発振回路、Ｉ２は電圧パルス幅変調回
路、１４はスイツチングトランジスタでリレー等
の他のスイツチに代えても良く、EHはヒータ電
源で有る。これらのものによりヒータコントロー
ラを構成する。またＨはガスセンサのヒータで有
る。ヒータコントローラは、他のもの、例えば信
号ａにより動作する出力可変安定化電源、等に代
えても良い。
路、１４はスイツチングトランジスタでリレー等
の他のスイツチに代えても良く、EHはヒータ電
源で有る。これらのものによりヒータコントロー
ラを構成する。またＨはガスセンサのヒータで有
る。ヒータコントローラは、他のもの、例えば信
号ａにより動作する出力可変安定化電源、等に代
えても良い。
Ｉ３は分周回路で、発振回路Ｉ１の出力を分周
し、信号Ｓ，Ｒを交互にかつ周期的に所定の間隔
で発する。分周回路Ｉ３は、信号ＳとＲとを交互
に発する範囲で変更でき、例えばマルチバイブレ
ータとしても良い。
し、信号Ｓ，Ｒを交互にかつ周期的に所定の間隔
で発する。分周回路Ｉ３は、信号ＳとＲとを交互
に発する範囲で変更でき、例えばマルチバイブレ
ータとしても良い。
Ｉ４は空燃コントローラで、エンジンやボイラ
ー等の空燃比をコントロールし、既に周知で有
る。
ー等の空燃比をコントロールし、既に周知で有
る。
増幅器Ａ１，Ａ２からは、ｎ形ガス検出片ｎ、
ｐ形ガス検出片ｐの電気伝導度に対応した出力
σo，σpが得られる。
ｐ形ガス検出片ｐの電気伝導度に対応した出力
σo，σpが得られる。
信号Ｓにより乗算IC（Ｍ）には、信号σo，σpが
加えられ、出力信号ａはσo・σpに相当する。信号
Ｒにより乗算IC（Ｍ）には、演算増幅器Ａ３の出
力ｂと信号σpとが加えれる。そして乗算IC（Ｍ）
の出力は信号σoに等しい。従つて σo＝ｂ・σp となり、信号ｂはσo／σpに相当する。
加えられ、出力信号ａはσo・σpに相当する。信号
Ｒにより乗算IC（Ｍ）には、演算増幅器Ａ３の出
力ｂと信号σpとが加えれる。そして乗算IC（Ｍ）
の出力は信号σoに等しい。従つて σo＝ｂ・σp となり、信号ｂはσo／σpに相当する。
信号ａは、ｎ形ガス検出片ｎとｐ形ガス検出片
ｐの電気伝導度の積に対応し、これらのガス検出
片ｎ，ｐのガス感度が等しければ加熱温度のみで
定まる。感度が等しくない時は、一方の信号σo、
またはσpをべき乗あるいは平方して積を取れば、
温度のみの信号となる。そして信号ａは第２図の
曲線２１のように温度とともに増す。発振回路Ｉ
１からのパルス幅は、電圧パルス変調回路Ｉ２で
変調され、信号ａが増すと幅が狭くなる。このよ
うにしてヒータＨへの電圧印加のデユーテイ比は
第２図の曲線２２のように変化し、センサの温度
は一定に保たれる。
ｐの電気伝導度の積に対応し、これらのガス検出
片ｎ，ｐのガス感度が等しければ加熱温度のみで
定まる。感度が等しくない時は、一方の信号σo、
またはσpをべき乗あるいは平方して積を取れば、
温度のみの信号となる。そして信号ａは第２図の
曲線２１のように温度とともに増す。発振回路Ｉ
１からのパルス幅は、電圧パルス変調回路Ｉ２で
変調され、信号ａが増すと幅が狭くなる。このよ
うにしてヒータＨへの電圧印加のデユーテイ比は
第２図の曲線２２のように変化し、センサの温度
は一定に保たれる。
信号ｂは、ガス検出片ｎ，ｐの電気伝導度の比
σo／σpに対応し、これらの温度係数が等しければ
排ガス組成、とりわけ空燃比のみの関数となる。
温度係数の不一致は、信号σoやσpのべき乗、ある
いは平方を用いることにより解消される。信号ｂ
は第２図の曲線２３のように、空燃比のみに対応
したものとなり、空燃比コントローラＩ４により
空燃比が制御される。
σo／σpに対応し、これらの温度係数が等しければ
排ガス組成、とりわけ空燃比のみの関数となる。
温度係数の不一致は、信号σoやσpのべき乗、ある
いは平方を用いることにより解消される。信号ｂ
は第２図の曲線２３のように、空燃比のみに対応
したものとなり、空燃比コントローラＩ４により
空燃比が制御される。
実施例の動作の要点を整理すると、ｎ形ガス検
出片ｎの電気伝導度を増幅器Ａ１で取り出し、と
ｐ形ガス検出片ｐの電気伝導度を増幅器Ａ２で取
り出す。そしてこれらの電気伝導度の積と比を、
乗算IC（Ｍ）で取り出す。電気伝導度の積と比を
１つの乗算IC（Ｍ）で取り出すため、分周回路Ｉ
３の信号Ｓ，Ｒで乗算IC（Ｍ）を乗算回路と除去
回路とに使い分け、信号Ｓで乗算回路とし、信号
Ｒで除算回路とする。乗算回路として用いる場
合、信号Ｓでアナログスイツチ２，４を閉じ、増
幅器Ａ１，Ａ２の信号を乗算IC（Ｍ）に入力し
て、電気伝導度の積の出力信号をアナログスイツ
チ４から、電圧パルス幅変調回路Ｉ２に入力し、
ヒータＨに加える電圧パルスのパルス幅を変調す
る。この結果、ヒータＨに加わる電圧パルスのデ
ユーテイ比は、ｎ形ガス検出片ｎの電気伝導度と
ｐ形ガス検出片ｐの電気伝導度の電気伝導の積で
定まり、これはガス検出片ｎ，ｐの温度で定ま
る。そしてこの積が一定になるようにヒータＨを
制御すれば、ガス検出片ｎ，ｐの温度は一定とな
る。乗算IC（Ｍ）を除算回路として用いる場合、
信号Ｒでアナログスイツチ６，８，１０，１２を
閉じる。この場合に、増幅器Ａ３に演算増幅器を
用いたので、その２つの入力はイマジナリーシヨ
ートとなり、乗算IC（Ｍ）の出力はｎ形ガス検出
片ｎの電気伝導度σoに一致し、演算増幅器Ａ３の
出力と乗算IC（Ｍ）のＹ入力は σp×Ｙ入力の値＝σo となるように定まる。結局Ｙ入力の値は、σo／σp
に一致し、これをアナログスイツチ１２から空燃
比コントローラＩ４に入力する。
出片ｎの電気伝導度を増幅器Ａ１で取り出し、と
ｐ形ガス検出片ｐの電気伝導度を増幅器Ａ２で取
り出す。そしてこれらの電気伝導度の積と比を、
乗算IC（Ｍ）で取り出す。電気伝導度の積と比を
１つの乗算IC（Ｍ）で取り出すため、分周回路Ｉ
３の信号Ｓ，Ｒで乗算IC（Ｍ）を乗算回路と除去
回路とに使い分け、信号Ｓで乗算回路とし、信号
Ｒで除算回路とする。乗算回路として用いる場
合、信号Ｓでアナログスイツチ２，４を閉じ、増
幅器Ａ１，Ａ２の信号を乗算IC（Ｍ）に入力し
て、電気伝導度の積の出力信号をアナログスイツ
チ４から、電圧パルス幅変調回路Ｉ２に入力し、
ヒータＨに加える電圧パルスのパルス幅を変調す
る。この結果、ヒータＨに加わる電圧パルスのデ
ユーテイ比は、ｎ形ガス検出片ｎの電気伝導度と
ｐ形ガス検出片ｐの電気伝導度の電気伝導の積で
定まり、これはガス検出片ｎ，ｐの温度で定ま
る。そしてこの積が一定になるようにヒータＨを
制御すれば、ガス検出片ｎ，ｐの温度は一定とな
る。乗算IC（Ｍ）を除算回路として用いる場合、
信号Ｒでアナログスイツチ６，８，１０，１２を
閉じる。この場合に、増幅器Ａ３に演算増幅器を
用いたので、その２つの入力はイマジナリーシヨ
ートとなり、乗算IC（Ｍ）の出力はｎ形ガス検出
片ｎの電気伝導度σoに一致し、演算増幅器Ａ３の
出力と乗算IC（Ｍ）のＹ入力は σp×Ｙ入力の値＝σo となるように定まる。結局Ｙ入力の値は、σo／σp
に一致し、これをアナログスイツチ１２から空燃
比コントローラＩ４に入力する。
この考案では、ｎ形金属酸化物半導体とｐ形金
属酸化物半導体との電気伝導度の積からガスセン
サの温度を検出し、ヒータにフイードバツクし
て、センサ温度をコントロールする。このため排
ガス温度の変動による、空燃比の検出精度の低下
を防止することができる。一方ｎ形金属酸化物半
導体とｐ形金属酸化物半導体との電気伝導度の比
は空燃比により大きく変化するので、これを用い
て空燃比を的確に検出することができる。
属酸化物半導体との電気伝導度の積からガスセン
サの温度を検出し、ヒータにフイードバツクし
て、センサ温度をコントロールする。このため排
ガス温度の変動による、空燃比の検出精度の低下
を防止することができる。一方ｎ形金属酸化物半
導体とｐ形金属酸化物半導体との電気伝導度の比
は空燃比により大きく変化するので、これを用い
て空燃比を的確に検出することができる。
第１図は実施例のガス検出装置の回路図、第２
図は実施例の特性図、第３図は従来例の回路図で
有る。 ｎ……ｎ形ガス検出片、ｐ……ｐ形ガス検出
片、Ｈ……ヒータ、Ａ１，Ａ２……増幅器、Ｍ…
…乗算IC、Ａ３……演算増幅器、２，４，６，
８，１０，１２……アナログスイツチ、Ｉ１……
発振回路、Ｉ２……電圧パルス幅変調回路、Ｉ３
……分周回路、Ｉ４……空燃比コントローラ。
図は実施例の特性図、第３図は従来例の回路図で
有る。 ｎ……ｎ形ガス検出片、ｐ……ｐ形ガス検出
片、Ｈ……ヒータ、Ａ１，Ａ２……増幅器、Ｍ…
…乗算IC、Ａ３……演算増幅器、２，４，６，
８，１０，１２……アナログスイツチ、Ｉ１……
発振回路、Ｉ２……電圧パルス幅変調回路、Ｉ３
……分周回路、Ｉ４……空燃比コントローラ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 ｎ形金属酸化物半導体を用いたｎ形ガス検出片
と、ｐ形金属酸化物半導体を用いたｐ形ガス検出
片と、これらのガス検出片を加熱するためのヒー
タとを有する、排ガス組成の検出用のガスセンサ
と、 ｎ形ガス検出片の電気伝導度とｐ形ガス検出片
の電気伝導度との積の信号を得るための乗算手段
と、 乗算手段の出力によりガスセンサのヒータへの
印加電力をコントロールするためのヒータコント
ローラと、 ｎ形ガス検出片の電気伝導度とｐ形ガス検出片
の電気伝導度との比の信号を得るための除算手段
と、 除算手段の出力により、排ガスの空燃比を制御
するための空燃比コントローラ、 とを有するガス検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984199873U JPH041492Y2 (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984199873U JPH041492Y2 (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61112261U JPS61112261U (ja) | 1986-07-16 |
| JPH041492Y2 true JPH041492Y2 (ja) | 1992-01-20 |
Family
ID=30760204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1984199873U Expired JPH041492Y2 (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH041492Y2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5237494A (en) * | 1975-09-20 | 1977-03-23 | Matsushita Electric Works Ltd | Gas, smoke detection device |
| JPS567056B2 (ja) * | 1973-10-03 | 1981-02-16 | ||
| JPS5737824A (en) * | 1980-08-20 | 1982-03-02 | Seiko Epson Corp | Method and device for impurity diffusion |
| JPS5796248A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Detecting method for gas using superparticulate gas sensor |
| JPS5842960A (ja) * | 1981-09-08 | 1983-03-12 | Matsushita Electric Works Ltd | 可燃性ガス検知装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6123789Y2 (ja) * | 1979-06-28 | 1986-07-16 |
-
1984
- 1984-12-27 JP JP1984199873U patent/JPH041492Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS567056B2 (ja) * | 1973-10-03 | 1981-02-16 | ||
| JPS5237494A (en) * | 1975-09-20 | 1977-03-23 | Matsushita Electric Works Ltd | Gas, smoke detection device |
| JPS5737824A (en) * | 1980-08-20 | 1982-03-02 | Seiko Epson Corp | Method and device for impurity diffusion |
| JPS5796248A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Detecting method for gas using superparticulate gas sensor |
| JPS5842960A (ja) * | 1981-09-08 | 1983-03-12 | Matsushita Electric Works Ltd | 可燃性ガス検知装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61112261U (ja) | 1986-07-16 |
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