JPH04147679A - 半導体圧力センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体圧力センサの構造に関するものであ
る。

〔従来の技術〕

第２図に従来の半導体圧力センサの構造を示Ｔもので、
図において、ｌは圧力センサチップ、２はゲージ抵抗を
形成Ｔる２層、３はチップの基板である一層、４はゲー
ジ抵抗２と外部に配線Ｔるための電極と′ｆ！！続する
ためのＰ土層、５はチップ表面を保護するためのガラス
コート、７は外部への電気的接続を行うための金属電極
である。

ここで、圧力センサチップ１の基板はｎ型半導体であり
、このｎ型基板３にゲージ抵抗である１層２を拡散する
。次にゲージ抵抗間と外部に配線Ｔるための電極とを接
続するためにＰ＋十層を拡散し、チップの表面保護のた
めにガラスコート５の膜を形成する□ 電極７の取り出しに、チップ表面、つまりゲージ抵抗が
形成されている側から行なっており、亀ｌＩ７を形成す
る部分のみガラスコート５を除犬し、アルミ等を蒸著し
電極を取り出している０これより外部への電気的接続に
金属ワイヤにて行なっている。

（発明が解決しようとするＲｍり 従来の半導体圧力センサは以上のように構成されている
ので、基板等にダイボンドした場合、金属ワイヤにて電
気的接続が必要になる。これにより、基板等にワイヤボ
ンドバンドを具備する必要があり、余分のスペースが必
要となる。

この発明は上記のような問題点を解消するた１になされ
たもので・基板への電気的接続に金属イヤを不要にした
ものである。

〔ｓｌ［ｌｌを解決Ｔるための手段〕

この発明に係る半導体圧力センサは、チップ１面から電
極部分を取り出し、その部分にバンプ（形成したもので
ある。

〔作用〕

この発明における圧力センサチップは、千ッ：裏面から
電極部分を取り出し、その部分にパンツを形成すること
により、金属ワイヤを介さず、■接外部＆：ＩＩＥ気的
接続が行なえる。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、１は圧力センサチップ、２はゲージ抵抗を
形成する１層、３はチップの基鈑であるｎ層・４はゲー
ジ抵抗２と外部に配置１Ｔ４ための電極とをｆｆｌ’続
するための１層、５はチップ表面を保護Ｔるためのガラ
スコート、６は裏面から取り出され、外部への１２的接
続を行うためのバンプである。

ここにおいて、圧力センサチップｌの基板ハ４型半導体
であり、このｎ型基板３にゲージ抵抗である２層２））
拡散する。次にゲージ抵抗量ｆ：１ｉｉｌ続し、かつ裏
面から電極を取り出せるようにするために、両面から一
層４に一拡散する。そしてチップ表面保護のためにガラ
スコート５の膜を形成Ｔる。

電極の取り出しはチップ裏面から行ない、電極を形成す
る部分のガラスコートを除去し、この部分にバンプ６ｆ
：形成する＾ 〔発明の効果〕 以上のようにこの発明によれば、圧力センサチップの電
極をチップ裏面から取り出し、その部分にバンプを形成
することにより、金属ワイヤを介さずに、リフローで直
接基板等の配線とｉＩＥ気的接続が可能になる。これに
より、金属ワイヤ、ワイヤボンドバンド及びワイヤボン
ド工程が不要になる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示Ｔｌｒ面図、第２ｖ！
Ｊは従来の半導体圧力センサを示す断面図である。 図中−１は圧力センサチップ、２はゲージ抵抗（１層）
、３は！ｌｌ子牛導体基板４は１層、５はガラスコート
、６はバンプである。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　ｎ型半導体からなる基板の表面側にゲージ抵抗となる
   Ｐ層を拡散すると共に、上記ｎ型半導体基板の上下面か
   ら上記ゲージ抵抗の両端に達するようにＰ＾＋層を拡散
   し、上記基板の裏面側の上記Ｐ＾＋層に外部接続用のバ
   ンプを形成したことを特徴とする半導体圧力センサ。