JPH04147435A - 真空蒸着方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、酸化膜又は部分酸化膜を高速で形成する方法
に関する。

従来の技術 薄膜化技術は、エレクトロニクス分野を中心に発展を続
け、スパッタリング法、イオンブレーティング法、電子
ビーム蒸着法等が夫々目的に応じて選択され用いられて
いる。

それらの中にあって、酸化膜或いは部分酸化膜を形成す
る方法は、金属をターゲット或いは蒸発材とし反応性ガ
スとして酸素を単独或いはアルボ２　″ ン等の不活性ガスと混合して用いるのが一般的である。

小面積の用途以外にも応用が拡がり、高分子フィルム上
に磁性層を形成しく特公昭５６−２３２０８号公報、特
公昭６０−３３２８８号公報）磁気テープとして重用さ
れるに至っており、これらの製造にはもっばら電子ビー
ム蒸着法が用いられている（特公昭５７−１９４９３号
公報。

特公昭５７−２３９３１号公報）。

その他でも透明導電膜や保護膜の形成等が拡がってきて
いる。

例えば蒸着テープは、冷却された円筒状のキャンにフィ
ルムを沿わせて、連続的に入射角の変化する条件で、最
小入射角まで変化させて蒸着し、その際、酸素を最小入
射角を限定するマスクの近くに配したノズルより導入し
、磁気特性の長手。

幅の均一化をはかる工夫をして製造されている。

発明が解決しようとする課題 しかしながら磁気テープもより高密度化への対応から保
磁力だけでなく、磁気的な不均一性に起因する雑音に関
しても改善が必要であるが、高い飽和磁束密度でこれら
を得ようとすると、雑音が高くなシ耐久性も不十分とな
り改善が望まれていた。

本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、高飽和磁
束密度で雑音も低く、耐久性の改良された磁気記録媒体
の製造や、硬度の高い透明導電膜の製造に適する真空蒸
着方法を提供するものである。

課題を解決するための手段 上記した課題を解決するため本発明の真空蒸着方法は、
移動する高分子フィルム上に酸化膜或いは部分酸化膜を
形成する際、酸化物と金属の混相に電子ビーム照射を行
って蒸着するようにしたものである。

作用 本発明の真空蒸着方法は上記した方法により、蒸発源か
ら金属と酸素が供給され、酸素と金属は電子ビーム照射
によシ一部励起状態になるものとイオン化されている部
分を含むことで金属と酸素の反応性が高分子フィルム上
で増大し、少ない酸素供給で酸化が進むことになり高い
飽和磁束であっても酸化膜がち密に構成できるので磁気
的分離が良好で雑音も低くできることになる。

実施例 以下、図面を参照しながら本発明の実施例について詳し
く説明する。第１図は本発明の真空蒸着方法を実施する
のに用いた蒸着装置の要部構成図である。図で、１は円
筒状の回転キャンで、２はポリエチレンテレフタレート
、ポリエチレン−２゜６−ナフタレート、ポリフェニレ
ンサルファイド。

ポリイミド等の高分子フィルムで、３は送り出し軸、４
は巻取り軸で、６は蒸着材料で６は蒸発源容器、７は供
給材料で、８は電子ビーム発生源で９は加速電子ビーム
、１Ｑはマスクで、１１は供給リール、１２は供給ロー
ラ系で、１３は真空容器、１４は真空排気系である。

勿論この構成にこだわるものではなく、グロー放電処理
も必要に応じて行える等、本発明の要旨を逸脱しない範
囲での適応は当然可能である。

６　・ 蒸着材料は、金属と酸化物の混相で構成されることが本
発明の特徴のひとつで、その加熱蒸発を加速電子ビーム
で行うことが第２の特徴である。

従って供給材料も金属と酸化物の混相で構成するのが望
ましい。例えばＣｏ−Ｎｉであれば熱間圧延時に表面に
黒皮といわれる酸化膜で厚く被覆されるが、従来はこれ
を除去して用いていたが、本発明ではこのまま使用すれ
ばよい。

以下、具体的に本発明の実施例について比較例との対比
で説明する。

厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に直径２００ＡのＳｉＯ２微粒子を２０ケ／μ２塗布し
たフィルムを直径１ｍの回転キャン（キャン温度２２℃
）に沿わせて、最小入射角４０度でＧｏ−Ｎｉ−０薄膜
を０．２μｍ形成した。

実施例はＣｏ−ＮＣｏ−Ｎ１（Ｎｉ２０加工時の黒皮を
残した細線（直径１．６ｆｌ）を供給材料として、供給
速度を変えて供給しながらａｏｘｖ、ｅｏｘｗの電子ビ
ーム照射を行って、Ｃｏ−Ｎｉ−０膜を形成した。比較
例は図中点線で示したムの位置に酸素導６　・ 入ノズルを配し、Ｇｏ−Ｎｉを蒸着する際、酸素を導入
した。

夫々にパーフルオロポリエーテルステアリルアミドを４
０人塗布し、バックコート層０．５μｍを配し８ミリ幅
に加工しテープとした。夫々のテープをハイバンド８ミ
リＶＴＲ（ソニー（株）製ＩＣＶ−８９００）でＣ／Ｎ
とスチル特性を比較した。結果を表に示した。

（以下　余　白） 表でＣ／Ｎ　はキャリア周波数から１（ＭＨ２）離れた
、３０ＫＨｚのりゾリューションバンド幅の雑音で評価
した値でスチル特性は再生出力がトップの値から３　（
ｄＢ　）低下するまでの時間で示したものである。この
表より明らかな様に、本発明によって得られる磁気テー
プは雑音も低く、スチル耐久性もよいが、この表に示し
ていない他の評価項目２幅、長手の均一性でみても、比
較例が±８％（ｅｓｏｏｇｍ幅、　３０００　ｍ　）で
あったのに比して本発明は±４係と極めて良好であった
。又Ｇｏ−Ｎｉの材料コストもメリットのひとつとして
あげることができる。

尚本発明は、Ｉｎ−０系、５ｎ−０系の透明導電膜を形
成する方法に適用しても、同じ透明度、導電性の膜であ
れば、表面の耐スクラッチ性が２〜３倍向上できる等、
他用途においてもすぐれた効果を得ることができるもの
である。

発明の効果 以上のように本発明によれば、酸化膜或いは部分酸化膜
の物性向上と製膜にかかわる材料コストを低減できると
いったすぐれた効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における蒸着装置の要部構成
図である。 １・°・パ・回転キャン、２・・・・・・高分子フィル
ム、６・・・・・・蒸着材料、９・・・・・・加速電子
ビーム。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 移動する高分子フィルム上に、酸化膜或いは部分酸化膜
   の形成を行う際、酸化物、金属の混相に電子ビーム照射
   し、蒸着することを特徴とする真空蒸着方法。