JPH04143271A - 薄膜形成装置ならびに試料およびターゲットの交換方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、スパッタリング法を用いた薄膜形成装置に
係り、特に、試料表面の広い範囲に均一な膜厚分布を得
るのに適した研究開発用にも使用可能な薄膜形成装置に
関する。

〔従来の技術〕

この種の研究開発用薄膜形成装置として、従来、第３図
にその基本構成例を示すように、真空容器に固定された
複数の、ここでは２個の対向電極にそれぞれ載置された
ターゲット４１．４２の前面を試料３が軌道９に沿って
移動し、試料３の表面に薄膜を堆積形成するものが知ら
れている。試料３を移動させるのは移動方向に厚さの均
一な膜を形成するためである。

また、第４図に従来の薄膜形成装置の構成例を示すよう
に、厚さの均一な成膜範囲を軌道９と直角の方向にも広
げるため、試料３および対向電極５３．５４の上面に載
置されたターゲラ）４１．４２それぞれのサイズと成膜
速度とを勘案しつつ、試料３とターゲット４１．４２と
の間隔を調整しているが、その方法として、一般には試
料３を１ＩＩＩ買した試料電極５２とシャッタ５７とを
それぞれ直進駆動ＩＨＩＩ５５および５６によりターゲ
ット４１．４２方向へ進退させる方法を採っている。

かかる構成で所定の試料処理が終了すると、試料は次記
の取り替え操作により真空容器５０外で次の未処理試料
と交換された後、未処理試料が代って真空容器５０内に
収納される。すなわち、まず、真空容器５０内にＮ２ガ
スを外部から図示されない管路を通じて導入し、室内を
大気圧に復帰させる。

次に扉６１を開き、試料３を取り外し、代りに次の未処
理試料を取り付け、再び扉６１を閉じる。ここで真空容
器５０は排気管６４から図示されない真空排気系により
再び真空状態に保たれ、試料面に薄膜が形成されること
になる。

一方、試料処理中にターゲット４１．４２が所定の厚さ
以下、あるいはターゲット不良の場合、前記取り替え操
作と同じ順序で室内を大気圧に復帰させてからターゲッ
トの交換を行う。

また、試料面への成膜に先立ち、一定時間ターゲット４
１．４２をプリスパッタしてターゲット表面を清浄化す
るために、プリスパッタ時の大地側電極を構成するとと
もにターゲットから叩き出されたスパッタ粒子が試料３
に付着することを防ぐためのシャ、り５７を回転機ｌｌ
６３により試料電極５２全体を覆い隠すように移動させ
る。

〔発明が解決しようとする課題〕

このように構成されかつ試料ならびにターゲットの交換
操作が行われる薄膜形成装置の問題点は次のとおりであ
る。

まず、第１の問題点として、このような構成の薄膜形成
装置では、均一な成膜範囲がおもにターゲットサイズに
より決定されるため、試料面の広範囲に均一なＩ膜を形
成するのに、試料よりもはるかに大きいターゲットを必
要とする。例えば試料が６インチ径のウェハとすると約
１２インチ径のターゲットを必要とする。また、研究開
発用の薄膜形成装置の場合には、試料の大きさが一定で
あるとは限らない、このため、あらかしめ最大試料サ１
′ズを想定してターゲットおよび夕、−ゲフトが１１１
夏されるターゲット電極系を準備していた。従って、通
常使用する、より小さい試料サイズの場合にも不必要に
大きいターゲットを使用することとなっていた。このた
めターゲツト材として白金のような貴金属を用いる場合
には、装置運用に伴う経済面の問題を生ずるとともに、
ターゲット電極系が相当な重量物となり、ターゲット電
極を移動する場合には、クレーン作業や作業員２Å以上
の作業となり、膨大な費用と時間とを必要としていた。

以上の問題を解決する手段として、本願と同一出願人に
よる出ＩＩ：特願昭６２−２７９６６１１号において、
ターゲットサイズが試料サイズよりも十分大きくない場
合にも試料面の広い範囲に均一な薄膜を形成しうる薄膜
形成ＷＩＦの構成が開示されている。

これによれば、薄膜形成装置を、試料サイズが小さい９
通常の成膜時にはターゲットを第５図のようにターゲッ
トの対称中心が軌道上に位置するように配することがで
き、試料サイズが大きい場合には、ターゲットの対称中
心を軌道上から外れた位置１．２にそれぞれ移動させる
ことのできるターゲット移動手段を備えたものとして、
第６図に示すように、位置１に位置するターゲットによ
る膜厚分布６と１位置２に位置するターゲットによる膜
厚分布７とを重ね合わせたときに８のように試料面の広
い範囲に厚さの均一な成膜を可能とするものであり、直
径８インチの円形マグネトロンターゲットを位置１．２
に使用した場合、その位置が４．５では試料３上の膜厚
分布の不均一度が±１０％におさまる範囲が約４インチ
であるのに対し、その範囲は直径約１０インチにおよび
、面積比にすると６倍以上となり、大幅に膜厚均一領域
が拡大することが示されている。そして、このターゲッ
ト移動手段を備えた１機構が簡潔でターゲットの使用効
率の良い薄膜形成装置が、本願と同一出願人による出ｍ
：特顧平２−３６５８９号にて提案されている。これに
よれば、対向電極側の真空容器壁面に、第７図、第８図
に示すように、軌道９を一方側へ片寄って跨ぐ長孔２９
または丸孔１２が形成され、第１０図に示されるように
、対向電極３Ｌか偏心位置に取り付けみれた円板状の回
転フランジｌＯまたは８を、前記の長≠孔２９．丸孔１
２の中心を遣る軸線まわりに回転させる構成として、タ
ーゲット３０の１０図の構成でコよさらに回転フランジ
８の周縁部を気密に支持する回転シール機構２５を用い
て、真空容器を大気開放することなく移動させることが
できるようにしている。なお、第９図および第１０図に
おいて、符号３２は絶縁物、１６（第９図）は回転フラ
ンジ１０を中心軸まわりに回転させるための転すガイド
、１４．１５は０リング、３６は移動機構、１７は前記
転りガイド１６を軸支する支持部材１７ａを備えた移動
台、２６は回転フランジａの周縁部に＊ｍ力もしくは噛
み合いにより回転力を伝達する原車、２７は原車２６を
回転駆動する駆動モータ、２８はターゲラ）３０の位置
を設定するための位置設定装置を示す。

薄膜形成装置をこのように構成すると、ターゲットの移
動が容易に行われ、また回転シール機構（２５）を用い
た第８図、第１Ｏ図のように構成した場合には、ターゲ
ットの移動のために真空容器を大気開放する必要がなく
、従来のように大蒐開放時に真空容器に侵入した水分や
不純ガスが試料面に吸着され、そのまま成膜処理を行っ
た場合ボイド等が発生して膜質を低下させ、試料の品賞
、歩留りの悪化を来す恐れがなくなるなど、装置の運用
面、膜質向上の面で従来の装置と対比して大きく改善さ
れる。しかし、成膜速度に関しては、成膜速度を調整す
るための試料とターゲットとの間隔調整を、試料を保持
する試料電極を前進あるいは後退させて行っており、こ
の前進、後退を、試料電極が試料を加熱するための加熱
系部材、試料の温度を制御する温度ｗｉ御系部材、試料
を電極面に密着状態に保持するための保持部材などを搭
載した状態で行う必要から、試料電極系は構造が複雑と
なり、製作コスト、保守費など経済面の問題と、試料電
極が回転と、軸方向移動との２つの動作を必要とするこ
とによる気密保持や機構部寿命など装置性能面の問題と
があった。

第２の問題点として、従来装置のように、シャッタが試
料電極と同一の真空容器の＃　（６１）に取り付けられ
、プリスパッタ時に、試料電極全体を覆い隠す構造のも
のでは、シャッタ位宜を、試料面に辛うじて接触しない
位置から、スパッタ粒子の試料面への回り込みを防止し
うる位置までの範囲内に設定するに際し、試料の厚さが
厚いと、スパッタ粒子の回り込みを防止するのにより広
いシャッタ面積を必要とし、一方、真空容器の大きさは
限られているからンヤフタ面積もＩＩ約され、このため
に試料の許容厚さに制限が生し、装置が使用面で非常に
汎用性に欠けるという問題があった。

第３の問題点として、試料あるいはターゲットの交換時
に！　（６１）が開かれ、真空容器内は大気に開放され
るため、試料交換時にはターゲットも水分や不純ガスを
吸着し、ターゲット交換時には試料も水分や不純ガスを
吸着するため、成膜開始に先立ち、必ず試料、ターゲッ
ト双方の表面浄化を必要としていた。

この発明の目的は、試料を種糸の４１１遣がＮＪＬ化さ
れてその経済面と性能　寿命面とが改善されるとともに
、使用面での汎用性が高く、かつ成膜に先立つ試料表面
、ターゲット表面の清浄化がより簡易に行われうるＥｉ
［形成装置の構成と、この装置における試料もしくはタ
ーゲットの交換に際し、交換後の試料もしくはターゲッ
ト表面の清浄化操作がより簡易化される交換・方法とを
提供することである。

〔課題を解決するための手段〕

上記課題を解決するために、本発明においては、真空容
器内に導入されたガスを、該真空容器内で所定の軌道に
沿って移動する試料！橿と、前記軌道面と対向する対向
電極との間の放電によりプラズマ化し該対向！橋に載置
されたターゲットをスパッタリングして、前記試料ｉｓ
に載置された試料表面に薄膜を形成する薄膜形成装置を
、前記軌道に沿って移動する試料の被成膜面と対面する
側の真空容器壁に真空仕切り弁を介し、前記ターゲット
が試料の被成膜面に露出しないようにターゲット交換時
を覆い隠すシャッタを内部に備えかつ真空仕切り弁から
遠方側の壁面に前記軌道を跨ぐ丸孔が形成された真空準
備室が連設、結合されるとともに、円板状に形成されそ
の偏心位置に対向電極が固定される回転フランジと；円
筒状に形成され前記回転フランジを該回転フランジの周
縁部で回転可能にかつ該周縁部を気密状態に支承するリ
ング状の回転シール機構を試料ｉｔｓ側軸方向端邪に備
えるとともに、前記真空］１！傭室の丸孔に軸方向の移
動を案内されて試料ならびにシャッタとターゲットとの
間隔を可変とする移動フランジと；該多動フランジと真
空準備室との間に介装され移動フランジの移動とともに
軸方向長さが変化する筒状の伸縮シール機構と：を儂え
てなるターゲット移動手段を備えた装置とするものとす
る。そして、このように構成された薄膜形成装置に８い
て、試料への薄膜形成後、該薄膜が形成された処理済み
試料を未処理試料と交換する際の交換方法を、移動フラ
ンジを薄膜形成位Ｉから少なくとも真空仕切り弁が開閉
可能な泣！まで後退させ、真空仕切り弁を閉し、真空容
器内を大気圧に復帰させた後大気開放して処理済み試料
を試料！極から取り外し、代りに未処理試料を試料を橿
に装着巳て真空容器内に収納し、真空容器を気Ｖ！に閉
鎖して真空引きし、真空容器内に１嘆形成のためのガス
を所定の圧力となるように導入して交換を終了する方法
とするものとする。また、試料への薄膜形成の途中でタ
ーゲットを新品と交換する際の交換方法を、試料電極と
対向ｆ極との間のプラズマ発生を停止させ、移動フラン
ジをシャッタ位置を越えて後退させ、真空仕切り弁を閉
し、真空準備室内を大気圧に復帰させた後真空準備室と
伸縮ソール機構との結合を解き、真空ｆ！！、備室内全
室内開放してターゲットを対向電極から取り外巳、代り
に未使用ターゲットを対向電機に装着し乙伸縮ノールｍ
構を真空１！嬬室に結合し、ンヤンタをブリスバ７タ位
置へ移動するとともに移動フランジを前進させてターゲ
ットをノ島ン夕と適宜の間隔に対向させ、真空準備室内
を真空引きして不活性ガスを導入し、ブリスパッタを行
い、ブリスパッタ終了後にシャッタを初期位１に笑して
不活性ガスを真空排気し、真空仕切り弁を開き、移動フ
ランジを所定の位置まで進退させて交嶌を終了する方法
とするものとする。

〔作用〕

ｆｆｌ膜形成装置をこのように構成すると、真空準備室
内部のシャッタを、回転フランジの偏心位置に固定され
たターゲットの前面に限りなく近接させることができ、
試料の厚さに関係なく、限られたシャッタ面積でスパッ
タ粒子が試料面に到達しないようにターゲット前面側を
覆うことが可能になる。また、シャッタとターゲットと
の間隔は、円筒状の移動フランジを軸方向に移動させる
ことにより調整することができるから、シャッタを軸方
向に移動させる必要がなくなる。同様に、試料とターゲ
ットとの間隔も、移動フランジを軸方向に移動させるこ
とにより変化させることができるから、試料電極を軸方
向に移動させる必要がなくなる。これにより、従来装置
で必要とした試料電極ならびにシャッタの直線駆動機構
は不必要となり、試料電極およびシャッタの駆動機構は
回転機構のみとなって構造が単純化され、これらの製作
コストが低減されるとともに気密信頼性が向上し、機構
部の寿命が長くなる等、性能面も改善される。

また、従来の試料電極やシャッタの軸方向移動に代る移
動シリンダの移動時の気密シールは、移動フランジの移
動とともに軸方向の長さが変化する筒状の伸縮シール、
例えば金属ベローズを用いて行われるから、気密性の保
持や、実質的にシール部材によってきまる機構部の寿命
など、装置性能面が大幅に向上する。

また、筒状の伸縮シールは、その直径と長さとにより許
容伸縮量を容易に変えることができるから、試料電極と
ターゲットとの間隔の変化量を大きくとることができ、
試料の厚みに対する成膜時のターゲット位置の制約が小
さくなり、前記シャッタとターゲットとの間隔が任意に
調整可能なことと合わせ、装置の汎用性が大幅に向上す
る。

さらに、真空容器と真空準備室との間には真空仕切り弁
が介装され、試料、ターゲットそれぞれの交換は、真空
仕切り弁を閉した状態で行うことができるから、試料、
ターゲットいずれか一方を、他方に水分や不純ガスを吸
着させることなく交換することができ、かつ交換後の表
面浄化も他方と関係なく独立に行うことができ、交換作
業が簡易化される。

〔実施例〕

第１図および第２図は本発明による薄膜形成装置構成の
一実施例を示す、第１図は真空準備室内部からターゲッ
ト移動手段を見た正面図であり、第２図は第１図におけ
るＡ−Ａ線に沿う装置の縦断面図である。第２図に示す
ように、真空容器１１には、弁体７１ａが両側空間を気
密に遮断する真空仕切り弁７１を介して真空準備室７５
が連設され、真空仕切り弁７１から遠方側の真空準備室
７０の壁面には、第１図に示すように、試料が移動する
軌道９の両側に跨るように丸孔１２が形成され、試料が
移動する軌道９上にターゲットの対称中心が位置するの
を妨げないようにしている。符号４は軌道９上のターゲ
ット位置を示し、試料サイズが小さいときにはターゲッ
トをこの位置に固定して成膜を行う。このターゲットが
取り付けられる対向電ｔｌＩ１３１は、第２図に示すよ
うに、高電位にある該対向電極３１を接地電位から絶縁
するための絶縁体３２を介して円板状フランジ１３に固
定され、フランジ１３はボルト３４を用いて回転フラン
ジｌＯに固定されている０回転フランジｌＯは、第１図
に示すように円板状に形成され、円板の中心から外れた
位置すなわち符号４の中心位置と中心位置を同じくする
孔１０ａ（第２図）を形成されている。そして、回転フ
ランジ１０は回転シール機構２５（第２図）により気密
を保持しながら回転可能に支持される。そして、回転シ
ール機構２５は移動フランジ２１に気密に固定されてい
る。移動フランジ２１は円筒状に形成され、伸縮シール
機構２２により、移動フランジ２１と真空準備室７０と
の間の気密を保持しながら移動できるようにしている。

伸縮シール機構２２は、金属ベローズの両端にリング状
フランジ２２ａを気密に接合してなり、リング状フラン
ジ２２ａの一方は０リング１８を用いて真空１！備室７
０の壁面に、また他方は０リング１９を用いて移動フラ
ンジ２１の右方端のフランジに気密に固定される。真空
容器１１にはガス導入管７２と排気管７３とが設けられ
ており、真空準備室７０はガス導入管７４と排気管７５
とを備える一方、シャッタ７６とそれを開閉するための
回転シール機構７７と回転機構７８とが配備されている
。なお、第１図、第２図において符号１４はフランジ１
３を回転フランジ１０に気密に固定するための０リング
であり、符号３３（第２図）はターゲット４から飛散す
るスパッタ粒子の飛散範囲を制限するアースシールドで
ある。

上記構成による薄膜形成装置は次のように操作される。

すなわち、成膜される試料のサイズがターゲットサイズ
に比較して小さい場合には、まず、第１図の符号４のタ
ーゲット位置に対向電橋３１が位置するように回転フラ
ンジ１０を駆動モータ２７により回動させる。この位置
は位置検出部２８により設定する。サイズの大きい試料
に成膜する場合には、位置検出部２８の設定により回転
フランジＩＯを１８０”回動させ符号１のターゲット位
置に対向電橋３１を位置させる。

次に、真空容器１１を図示されない管路からＮ２ガスを
導入して大気圧に復帰し扉８１を開き試料３を試料型８
ｉ８０に取り付けを行い、取り付は後、再び扉８１を閉
じ排気管７３から真空引きを行う、また、真空準備室７
０を排気管７５から真空引きを行い、ガス導入管７４か
ら不活性ガス、例えばアルゴンガスをプラズマ形成に適
する真空度を保つように導入する。さらにシャッタ７６
を待機位置からターゲットの正面位置まで回動させると
ともに移動フランジを移動させてターゲットを許容限ま
でシャッタに近接させ、ターゲットとシヤツタ開にプラ
ズマ放電を開始し、このプラズマ放電によりターゲット
表面を一定時間プリスパッタしてターゲットから叩き出
されたスパッタ粒子をシャッタ７６に付着させ、ターゲ
ット表面を清浄化する。所定のブリスパッタ処理が終了
するとシャッタ７６が初期位置に待機する。ここで再び
真空準備室７０内の真空引きを行い、圧力が真空容器１
１と同等な真空圧に達したところで真空仕切り弁７１を
開き、直進ユニット２４により移動台２３を介して多動
フランジ２１を移動させ、位置検出部２８により所望の
位置に停止させる。ここで真空容器１１内へガス導入管
７２から薄膜形成に必要なガスを所定の圧力となるよう
に導入して所定の試料処理が行われる。試料処理が終了
すると移動フランジ２１を前記と逆な順序で真空準備室
７０の所定の待機位置まで戻し、真空仕切り弁７１を閉
じる０次に真空容器ｌｌ内へ図示されない管路から１１
．ガスを導入して容器内を大気圧に復帰させ、扉８１を
開き、試料３を取り外し、代りに次の未処理試料を取り
付け、再び扉８１を閉じる。以後同様にして設定枚数分
の処理が繰り返される。

一方、試料処理中にターゲットを交換する場合、直進ユ
ニット２４により移動台２３を介して移動フランジ２１
を移動させ、位置検出部２８によりターゲット交換位ｌ
まで後退させる。さらに真空仕切り弁７１を閉じ、真空
準備室７０内にＮ２ガスを外部から図示されない管路を
通じて導入し、室内を大気圧に復帰させる１次に伸縮ソ
ールフランジ２２ａを真空準備室７０から分離し、真空
準備室７０を大気開放してターゲット４を交換する。タ
ーゲット交換が終了すると前記した交換操作と逆な曜序
で前記ブリスパッタ位置まで移動を行い、真空準備室７
０内を真空排気した後ガス導入管７４を通して不活性ガ
ス。

例えばアルゴンガスを導入して所定のプリスパ。

夕処理をし、所定のブリスパッタ処理が終了するとシャ
ッタ７６が初期位置に待機する。ここで再び真空準備室
７０内の真空引きを行い、圧力が真空容器１１と同等な
真空圧に達したところで真空仕切り弁７１を開き、直進
ユニット２４により移動台２３を介して移動フランジ２
１を移動させ、位置検出部２８により所望の位置に停止
させ、ここで所定の試料再処理が行われる。

〔発明の効果〕

以上に述べたように、本発明に８いては、本発明が対象
とする薄膜形成装置を請求項１のように構成したので、
大径のターゲットを用いることなく所望の膜厚分布や成
膜速度を得るのに従来装置で必要とした試料電極ならび
にシャッタの［線駆動機構は不必要となり、試料電極お
よびシャッタの駆動機構は回転機構のみとなって構造が
単純化され、これらの製作コストが低減されるとともに
気密信頼性が向上し、機構部の寿命が長くなる等、性能
面も改善される。また、従来の試料電極やシャッタの軸
方向移動に代る移動シリンダの移動時の気密シールは、
移動フランジの移動とともに軸方向の長さが変化する筒
状の伸縮シール、例えば金属ベローズを用いて行われる
から、気密性の保持や、実賞的にシール部材によってき
まる機構部の寿命など、装置性能面が大幅に向上する。

また、筒状の伸縮シールは、その直径と長さとにより許
容伸縮量を容易に変えることができるから、試料電極と
ターゲットとの間隔の変化量を大きくとることができ、
試料の厚みに対する成膜時のターゲット位置の間約が小
さくなり、前記シャッタとターゲットとの間隔が任意に
調整可能なことと合わせ、装置の汎用性が大幅に向上す
る。

また、試料への薄膜形成後、該薄膜が形成された処理済
み試料を未処理試料と交換する際の交換方法を、請求項
２に記載の方法とするとともに、試料への薄膜形成の途
中でターゲットを新品と交換する際の交換方法を請求項
３に記載の方法としたので、試料、ターゲットそれぞれ
の交換は、真空仕切り弁を閉じた状態で行われ、試料、
ターゲットいずれか一方を、他方に水分や不純ガスを吸
着させることなく交換することができ、かつ交換後の表
面浄化も、試料は試料電極が備えた加熱手段により、ま
たターゲットはブリスパッタにより、それぞれ他方と関
係なく独立に行うことができ、交換作業が簡易化される
。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本発明による薄膜形成装置構成の
一実施例を示すものであって、第１図は装置の真空準備
室内部からターゲット移動手段を見た正面図、第２図は
第１図におけるＡ−Ａ線に沿う装置の縦断面図、第３図
は従来の薄膜形成装置の基本構成を示す説明図、第４図
は従来の薄膜形成装置の構成例を示す装置の側面断面図
、第５図は本発明の薄膜形成装置の基本構成を示す説明
図、第６図は第５図の！夏構成により得られる試料面の
膜厚分布を示す線図、第７図および第８図は本願と同一
出願人による出願において提案された２つの１１するタ
ーゲット移動手段の構成を示す正面図、第９図および第
１０図はそれぞれ第７図のＢ−Ｂ線、第８図でＣ−Ｃ線
に沿う側面断面図である。 ３：試料、８．１０：回転フランジ、９：軌道、１１゜
５０：真空容器、１２：丸孔、２１：移動フランジ、２
２：伸縮シール機構、２３：移動台、２４：直進ユニッ
ト、２５：回転シール機構、２８：位置検出部、３０４
１．４２：ターゲット、３１：対向電極、５２８０：試
料電極、７０：真空準備室、７１：真空仕切り弁、８１
：扉。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）真空容器内に導入されたガスを、該真空容器内で所
   定の軌道に沿って移動する試料電極と，前記軌道面と対
   向する対向電極との間の放電によりプラズマ化し該対向
   電極に載置されたターゲットをスパッタリングして、前
   記試料電極に載置された試料表面に薄膜を形成する薄膜
   形成装置において、前記軌道に沿って移動する試料の被
   成膜面と対面する側の真空容器壁に真空仕切り弁を介し
   、前記ターゲットが試料の被成膜面に露出しないように
   ターゲット前面側を覆い隠すシャッタを内部に備えかつ
   真空仕切り弁から遠方側の壁面に前記軌道を跨ぐ丸孔が
   形成された真空準備室が連設，結合されるとともに、円
   板状に形成されその偏心位置に対向電極が固定される回
   転フランジと；円筒状に形成され前記回転フランジを該
   回転フランジの周縁部で回転可能にかつ該周縁部を気密
   状態に支承するリング状の回転シール機構を試料電極側
   軸方向端部に備えるとともに、前記真空準備室の丸孔に
   軸方向の移動を案内されて試料ならびにシャッタとター
   ゲットとの間隔を可変とする移動フランジと；該移動フ
   ランジと真空準備室との間に介装され移動フランジの移
   動とともに軸方向長さが変化する筒状の伸縮シール機構
   と；を備えてなるターゲット移動手段を備えていること
   を特徴とする薄膜形成装置。 ２）請求項第１項に記載の薄膜形成装置において、試料
   への薄膜形成後、該薄膜が形成された処理済み試料を未
   処理試料と交換する際の交換方法であって、移動フラン
   ジを薄膜形成位置から少なくとも真空仕切り弁が開閉可
   能な位置まで後退させ、真空仕切り弁を閉じ、真空容器
   内を大気圧に復帰させた後大気開放して処理済み試料を
   試料電極から取り外し、代りに未処理試料を試料電極に
   装着して真空容器内に収納し、真空容器を気密に閉鎖し
   て真空引きし、真空容器内に薄膜形成のためのガスを所
   定の圧力となるように導入して交換を終了することを特
   徴とする試料交換方法。 ３）請求項第１項に記載の薄膜形成装置において、試料
   への薄膜形成の途中でターゲットを新品と交換する際の
   交換方法であって、試料電極と対向電極との間のプラズ
   マ発生を停止させ、移動フランジをシャッタ位置を越え
   て後退させ、真空仕切り弁を閉じ、真空準備室内を大気
   圧に復帰させた後真空準備室と伸縮シール機構との結合
   を解き、真空準備室内を大気開放してターゲットを対向
   電極から取り外し、代りに未使用ターゲットを対向電極
   に装着して伸縮シール機構を真空準備室に結合し、シャ
   ッタをプリスパッタ位置へ移動するとともに移動フラン
   ジを前進させてターゲットをシャッタと適宜の間隔に対
   向させ、真空準備室内を真空引きして不活性ガスを導入
   し、プリスパッタを行い、プリスパッタ終了後にシャッ
   タを初期位置に戻して不活性ガスを真空排気し、真空仕
   切り弁を開き、移動フランジを所定の位置まで進退させ
   て交換を終了することを特徴とするターゲット交換方法
   。