JPH03219075A - スパッタリング装置のターゲット出入装置 - Google Patents

スパッタリング装置のターゲット出入装置

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JPH03219075A
JPH03219075A JP1443890A JP1443890A JPH03219075A JP H03219075 A JPH03219075 A JP H03219075A JP 1443890 A JP1443890 A JP 1443890A JP 1443890 A JP1443890 A JP 1443890A JP H03219075 A JPH03219075 A JP H03219075A
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target
maintenance
sputtering
vacuum
tank
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JP1443890A
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Shinichi Yamabe
真一 山辺
Jiro Kawashima
川島 二郎
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Shinmaywa Industries Ltd
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Shin Meiva Industry Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、スパッタリングによりターゲット物質からな
る被膜を基板に形成するようにしたスパッタリング装置
に係り、特にターゲット等の保守を行うためのターゲッ
ト出入装置に関する。
(従来の技術) 従来より、真空槽内に、被膜形成用ターゲットを配置す
るとともに、ワークとなる基板を上記ターゲットに対向
するよう配置し、ガス粒子を加速して上記ターゲット物
質のスパッタリングによる被膜を上記基板表面に形成す
るようにしたスパッタリング装置において、ターゲット
の交換等の保守作業を行う際には、真空槽の真空状態を
いったん破り、ターゲットの保守作業の完了後再び真空
槽内を真空状態にして、スパッタリングを継続するよう
にしていた。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、上記従来のもののように、ターゲットの
保守のためにいったん真空槽内の真空状態を破壊するこ
とにより、次のような問題が生じる。
第1に、真空槽内をいったん大気に戻すことにより、空
気中の水分やほこり等が真空槽内に入り込むので、基板
の成膜条件が不安定となり、膜の剥がれ、ピンホール等
の欠陥の生じる確率が高くなる。
第2に、ターゲットの保守のために真空槽の真空状態を
いったん破壊すると、再び真空状態にするために時間が
掛かるので、作業能率が悪化する。
特に、順次基板を移動させ、連続的にスパッタリングを
行うようにしたインライン式スパッタリング装置では、
ターゲットの保守作業のために、連続的なスパッタリン
グの流れを長い間中断しなければならず、生産性を低下
させている。
本発明は斯かる点に鑑みてなされたものであり、その目
的は、真空槽の真空状態を維持したままでターゲットの
交換等の保守作業を行いうる手段を講することにより、
基板の品質及び生産性の向上を図ることにある。
(課題を解決するための手段) 上記目的を達成するため本発明の解決手段は、真空槽と
は隔離して真空引きされる保守槽を設け、真空槽と保守
槽との間でターゲットを出し入れさせる構成をとること
にある。
具体的には、第1の解決手段は、第1図に示すように(
点線部分及び−点鎖線部分を除く)、真空槽l内に、被
膜形成用ターゲット10を配置するとともに基板等の被
加工物5を上記ターゲット10に対向するよう配置し、
ガス粒子を加速して上記ターゲット物質のスパッタリン
グによる被膜を上記被加工物5表面に形成するようにし
たスパッタリング装置を前提とする。
そして、上記ガス粒子の加速用電極14を備え、上記タ
ーゲット10を支持するターゲット支持部材50と、上
記真空槽1に上記ターゲット支持部材50の通過を許容
するゲートを介して連設され、ターゲット10の保守を
行うための保守槽2と、上記ターゲット支持部材50を
真空槽1と保守槽2との間で出し入れする出入手段51
と、上記ゲートを開閉するゲート弁3と、上記保守Vj
1を真空状態にするための排気手段Vpとを設ける構成
としたものである。
第2の解決手段は、上記第1の解決手段において、スパ
ッタリング装置を連続的に被加工物5のスパッタリング
を行うインライン式のものとした場合、ターゲット支持
部材50、保守槽2、出入手段51、ゲート弁3及び排
気手段Vpを、真空槽1内の一つのスパッタリング部に
対して複数組設けたものである。
第3の解決手段は、第1図に示すように(点線部分を含
み、−点鎖線部分を含まず)、上記第1又は第2の解決
手段に加えて、ターゲット物質の周囲への飛散を防止す
る防着部材21をターゲット支持部材50に取付けたも
のである。
第3の解決手段は、第1図に示すように(点線部分及び
−点鎖線部分を含む)、上記第1.第2又は第3の解決
手段に加えて、保守槽2内に、タゲット10のプレスパ
ッタリングを行うためのダミー部材33を設けたもので
ある。
(作用) 以上の構成により、請求項(1)の発明では、スパッタ
リング作業を行っている間、ターゲット10の交換等の
メインテナンス作業を行う必要が生じたときには、出入
手段51により、ターゲット支持部材50全体を保守槽
2側に移動させてゲート弁3によりゲートを閉じること
により、保守WI2が真空槽1と隔離される。そして、
この状態で保守槽2の真空を破ることで、保守槽2内の
ターゲット10が外気に通じた状態になり、その交換等
のメインテナンス作業が可能となる。
その場合、ゲート弁3により真空槽1と保守槽3が隔離
され、真空槽1の真空状態を維持したままで、ターゲッ
ト10のメインテナンス作業を行うことが可能となる。
したがって、常に真空槽1の雰囲気を良好に保持するこ
とができるので、真空槽1内への水分や不純物、ゴミ等
の混入に起因する被加工物5の成膜条件の悪化を招くこ
とがなく、被加工物5の成膜条件が安定し、品質が向上
することになる。
請求項(′2Jの発明では、インライン式スパッタリン
グ装置において、ターゲット支持部材50、保守槽2、
出入手段51、ゲート弁3及び排気手段Vpを真空槽1
内の一つのスパッタリング部に対して複数組配置するこ
とで、ターゲット10交換等のメインテナンスのために
被加工物5のスパッタリングを中断する必要がなく、連
続的なスパッタリングにより、生産性が大幅に向上する
ことになる。
請求項(3)の発明では、ターゲット支持部材50に防
着部材21が取付けられているので、特に、頻繁な清掃
を必要とする防着部材21の清掃時にも、真空槽1の真
空状態を維持したままで防着部材21の清掃を行うこと
が可能になり、上記請求項(1)又は(′2Jの発明の
作用がより顕著になる。
請求項(4)の発明では、上記請求項(11,(2)又
は(3)の発明の作用に加えて、ターゲット10の交換
後、スパッタリングの開始前に、ダミー部材33を利用
してターゲット10のプレスパツタリングを行うことが
可能になるので、新しいターゲット10に吸着した不純
物等が予め保守槽2内で除去されて真空槽1内の雰囲気
の状態がより良好に維持され、被加工物5の品質がさら
に向上することになる。
(実施例) 以下、本発明の実施例について、第2図以下の図面に基
づき説明する。
第2図は本発明の第1実施例に係るインライン式スパッ
タリング装置Aの構成を示し、該スパッタリング装置A
内には、真空ポンプVpにより真空状態に維持される真
空槽1と、該真空槽1のケーシング1a下側に下方ゲー
ト弁3を介して連設される保守槽2とが設けられている
上記真空槽1内において、被加工物としての磁気ディス
ク用基板5.・・・を取付けた基板ホルダ4゜・・・が
、前処理槽8.スパッタ槽7.後処理槽9゜・・・と連
続的に流れ、該基板5.・・・の両面に連続的に磁性膜
を形成するようになされている。上記各基板ホルダ4は
、所定の数の基板5.・・・を取付けたブロックに分割
されており、送り機構(図示せず)により図中左方から
右方に連続的に送り込まれるようになされている。なお
、図中6は真空槽1内の各室の境界に設けられた側方ゲ
ート弁である。また、上記真空槽1には、図示しないが
アルゴンガス導入装置が設けられていて、真空槽1内を
所定のスパッタリング雰囲気に維持するようになされて
いる。
一方、上記基板ホルダ4.・・・の下方には、被膜形成
用ターゲット10が各基板5.・・・に対向するよう配
置されている。そして、50は該ターゲット10を支持
するターゲット支持部材であって、該ターゲット支持部
材50は、ターゲット10を載置する銅製のバッキング
プレート12と、該バッキングプレート12を外周縁で
支持するボックス13と、該ボックス13及び上記バッ
キングプレート12により形成される直方体状空間内に
配置され、イオン化されたアルゴン粒子を加速するため
の電極であるマグネット14と、該マグネット14を支
持するヨーク15と、上記ボックス13を支持し、下方
の保守槽2まで延びる1対の支持管16a、16bと、
該各支持管16a、16bの内方にそれぞれ絶縁体17
a、17bを介して設けられた1対の配管部材18a、
18bと、上記1対の支持管16a、16bの下端部を
接続する接続板19と、該接続板19の下面中央に取付
けられ、後述のネジシャフト24に係合するナツト20
と、上記ターゲット10を囲むように設けられ、ターゲ
ット10から叩き出されるターゲット物質の周囲への飛
散を防止する防着板21とで構成されている。ここで、
上記接続板19及び各支持管16a、16bはアース側
とされており、さらに上記防着板21の下方は各支持管
16a。
16bに取付けられていて、防着板21はアース側とな
っている。また、上記配管部材18a、18bのうち一
方18bは、冷却水Wの供給側に、他方18aは冷却水
の排出側に接続されており、上記マグネット14周囲の
空間に冷却水Wを循環させるようになされている。
そして、上記保守槽2のケーシング2aの下面にはtf
i[j略コの字状のフレーム22がループ状に取付けら
れている。また、該フレーム22の下壁中央と保守槽2
のケーシング2aの下面中央との間にネジシャフト24
が回転可能に立設されていて、該ネジシャフト24は上
記ターゲット支持部材50のナツト20と係合するよう
になされている。さらに、フレーム22の下面側には、
上記ネジシャフト24を回転させるためのステッピング
モータ23が取付けられていて、該ステッピングモータ
23の回転を制御することにより、ナツト20を介して
、ターゲツト支持部材50全体を上下方向に往復移動さ
せるようになされている。よって、上記フレーム22.
ステッピングモータ23及びネジシャフト24により、
ターゲット支持部材50を真空槽1と保守槽2との間で
出入させる出入手段51が構成されている。
なお、上記保守槽2において、そのケーシング2aの壁
面には、上記ターゲット支持部材50の各支持管16a
、16bの摺動可能に保守槽2をシールするシール部品
26a、26bと、該シール部品26a、26bを保持
する保持枠27a。
27b及び保持板28a、28bとが設けられている。
一方、上記真空槽1と保守槽2との境界に設けられた下
方ゲート弁3は、略直方体状のシリンダ31と、該シリ
ンダ31内に配置され、空圧により水平方向に往復移動
する弁板32と、該弁板32に取付けられ、後述のプレ
スパッタリング時にダミーとして使用されるプレスパツ
タ板33とを備えている。上記弁板32は、上記ターゲ
ット支持部材50が上方に位置するとき、つまり真空槽
1内に上部を臨ませているときにはフレーム31の奥方
に収納されてターゲット部材50の通過を許容する一方
、ターゲット10の交換、防着板21の清掃等のメイン
テナンスを行うべく、ターゲット支持部材50が下方に
移動したとき(図中−点鎖線で示す位置)には、図中左
方に突出してシリンダ31の先端部まで延び、ローラ(
図示せず)と弁板32の先端下面の斜面部との当接によ
り上方に付勢されて、シリンダ31上壁の下面との密着
により、真空槽1と保守槽2との間を気体の流通不能に
シールするようになされている。
次に、上記下方ゲート弁3のシリンダ31の先端部の側
壁には、保守槽2を真空ポンプVpに接続するためのコ
ネクタ35が取付けられていて、該コネクタ35に上記
真空ポンプVpの配管36が取付けられている。そして
、該配管36は途中で分岐していて、一方は真空ポンプ
Vpに、他方はベントバルブ37を介して窒素ガスボン
ベ38に接続されている。すなわち、上記下方ゲート弁
3の弁板32が開いているときには、真空ポンプVpに
より上記真空室1及び保守槽2の真空引きを行って、両
者を真空状態に維持することができるとともに、上記タ
ーゲツト支持部材50全体が下方に移動して、下方ゲー
ト弁3の弁板32が閉じているときには、配管接続の切
換等により、真空槽1の真空引きを維持しながら、保守
槽2を単独で真空引きしうるようになされている。また
、保守槽2のメインテナンス時には、真空ポンプVpに
よる真空槽1の真空引きを継続しながら、保守槽2の真
空引きを遮断させ、ベントバルブ37を開いて、窒素ガ
スを保守槽2内に導入することにより、保守I11!y
2の真空状態を破壊するようになされている。
そして、上記保守槽2のケーシング2aは、その一端で
下方ゲート弁3のフレーム31下面に取付けられたヒン
ジ部材40により回動可能に支持されていて、上記ベン
トバルブ37の開放に伴なう保守槽2の真空状態の破壊
時には下方に回動して(図中、二点鎖線で示す位置)、
ターゲット支持部材50を外気に露出させ、メインテナ
ンス作業を可能にする一方、ケーシング2aが上方に回
動したときにはケーシング2aの外縁部に設けられたシ
ールリングを介して保守槽2を外気からシルするように
なされている。
ここで、上記スパッタリング装置Aの作動について説明
するに、スパッタリング作業時、各基板ホルダ4,4.
・・・が順次ターゲット10の直上に来るよう連続的に
送られる一方、ターゲット10に、マグネット14によ
り加速されるイオン化したガス粒子が高速で衝突し、タ
ーゲット10を構成する物質が外方に叩き出され、各基
板5.・・・上に付着して所定の膜が形成される。そし
て、このスパッタリング作業が進行し、ターゲット10
の交換時期や防着板21の清掃時期が来たときには、上
記出入手段51により、ターゲット支持t4j450全
体を下方に移動させ、下方ゲート弁3の弁板31を閉じ
る(図中、−点鎖線で示す状態)。しかる後、保守槽2
の真空を破り保守槽2を下方に回動させて、保守槽2全
体を外気に露出させ(図中、二点鎖線で示す状態)、タ
ーゲット10の交換等を行う。そして、このメインテナ
ンス作業が終了すると、再び保守槽2を上方に回動させ
て、保守槽2を真空ポンプVpで真空引きした後、下方
ゲート弁3を閉じたままで、プレスパツタ板33を使用
してターゲット10のプレスパッタリングを行うことに
より、その表面に吸着した水分や不純物等を予め除去す
る。最後に、下方ゲート弁3を開き、ターゲツト支持部
材50全体を上方に移動させてから、通常のスパッタリ
ング作業に戻るようになされている。
したがって、請求項(1)の発明では、上記実施例に示
すように、スパッタリング作業を行っている間、ターゲ
ット10の交換等のメインテナンス作業を行う必要が生
じたときには、出入手段51により、ターゲツト支持部
材50全体を下方に移動させ、下方ゲート弁3によりゲ
ートを閉じることにより、保守槽2が真空槽1と隔離さ
れる。そして、この状態で保守槽2の真空を破ることで
、保守槽2内のターゲット10が外気に通じた状態にな
り、その交換等のメインテナンス作業が可能となる。
その場合、下方ゲート弁3により真空槽1と保守槽3が
隔離され、真空槽1の真空状態を維持したままで、ター
ゲット10のメインテナンス作業を行うことができるの
で、真空槽1の雰囲気を良好に維持することができる。
すなわち、従来のように、ターゲット10のメインテナ
ンス作業時に真空Ff!11の真空状態をいったん破る
ものでは、外気の流通により、真空槽1内に水分や不純
物、ゴミ等が混入し、その結果、基板5の成膜条件が悪
化することになるが、本発明では、常に真空槽1内の真
空状態を維持することができるので、基板5等の被加工
物の成膜条件が安定し、よって、品質の向上を図ること
ができるのである。
ここで、上記実施例では、スパッタリング装置としてイ
ンライン式のものに本発明を適用したが、本発明は係る
実施例に限定されるものではなく、バッチ式のものにつ
いても適用しうる。
請求項(3)の発明では、ターゲット支持部材50に防
着板21が取付けられているので、特に、頻繁な清掃を
必要とする防着板21の清掃時にも、真空#e11の真
空状態を維持したままで防着板21の清掃を行うことが
でき、よって、上記請求項(1)の発明の効果をより顕
著に発揮することができる。
請求項(4)の発明では、保守槽2内にプレスパツタ板
33が配置され、ターゲット10の交換後、スパッタリ
ングの開始前に、このプレスパツタ板33を利用してタ
ーゲット10のプレスパツタリングを行うことができる
ので、新しいターゲット10の表面に吸着した不純物等
を予め保守槽2内で除去することができる。よって、真
空槽1内の雰囲気の状態がより良好に維持され、被加工
物の品質がさらに向上することになる。
次に、請求項(21の発明に係る第2実施例について、
第4図に基づき説明する。上記第1実施例では、一つの
スパッタ槽7に対して単一の保守槽2を設けた例を示し
たが、本実施例では、一つのスパッタ槽7に対して左右
対象形の1対の保守槽2゜2を設けた2連式の構造とな
っている。各保守槽2において、保守槽2のケーシング
2aは段付ボックス状に形成されていて、41.41は
保守槽2全体を両側で回動可能に支持する支持部材、4
2.42は該支持部材41.41を上下方向に摺動可能
に支承するレールである。そして、43は上記第1実施
例におけるステッピングモータと同様にターゲット支持
部材50の移動位置を調節するアクチュエータであって
、該アクチュエータ43及びこのアクチュエータ43に
接続されるネジ部等により、ターゲット支持部材50を
真空槽1と保守槽2との間で出入させる出入手段51を
構成している。その他の構成は上記第1実施例と同様で
あり、各々ターゲット10と、下方ゲート弁3と、ター
ゲット支持部材50と、出入手段51と、排気手段たる
真空ポンプVp  (共通)とを備えている。
本実施例においては、以上のような構成により、一方の
保守槽1(図中左側)のターゲット10をスパッタ槽7
に臨ませてスパッタリングを行っている間に、他方の保
守槽1(図中右側)では、下記手順によりメインテナン
ス作業を行う。すなわち、出入手段51によりターゲッ
ト支持部材50を保守槽2側に移動させ、下方ゲート弁
3を閉じた後、真空を破って、保守槽2全体をさらに下
方に移動させる。そして、支持部材41.41の回りに
、保守槽2全体を回動させ、保守槽2の開口面を手前側
に向けて、ターゲット10の交換や防着板21の清掃等
のメインテナンス作業を行った後、再び保守槽2を真空
槽1に装着し、下方ゲート弁3は閉じたままで、真空引
き、プレスパツタリング等を行って、ターゲット10の
準備を完了状態にしておく。そして、次回の一方のター
ゲット10の交換時等に、こちらのターゲット10を使
用しながら、一方の保守槽1のメインテナンス作業を行
うようにしている。
従って、請求項(2)の発明では、インライン式のスパ
ッタリング装置において、ターゲット支持部材50、保
守槽2、出入手段51、ゲート弁3及び排気手段Vpを
真空槽1内の一つのスパッタリング部に対して複数組配
置することで、メインテナンス時間のために連続的な基
板5.・・・のスパッタリングを中断する必要がなく、
よって、生産性の大幅な向上を図ることができるのであ
る。
なお、上記第2実施例では、スパッタ槽7に対して、タ
ーゲット10.保守槽1等の1対の組を設けたが、本発
明は係る実施例に限定されるものではなく、特にターゲ
ットの汚れが大きくなる高速の装置等の場合、3組以上
を設けてもよいことはいうまでもない。
(発明の効果) 以上説明したように、請求項(1)の発明によれば、真
空槽内に、ガス粒子を加速してターゲット物質のスパッ
タリングによる被膜を被加工物表面に形成するようにし
たスパッタリング装置において、ターゲット支持部材の
通過を許可するゲートを介して保守槽を連設し、ターゲ
ット支持部材を真空槽と保守槽との間で出入させるとと
もに、保守槽を真空にしうるようにしたので、真空槽の
真空状態を維持したままターゲットの交換等のメインテ
ナンス作業を行うことにより、被加工物の成膜条件を安
定させることができ、よって、品質の向上を図ることが
できる。
請求項(′2Jの発明では、インライン式装置において
、一つのスパッタリング部に対して複数組のターゲット
、保守槽等を設けたので、スパッタリングを保守作業の
ために中断することなく連続的に行うことができ、よっ
て、生産性の大幅な向上を図ることができる。
請求項(3)の発明によれば、上記請求項(1)又は(
2の発明に加えて、ターゲット物質の飛散を防止するた
めの防着部材をターゲット支持部材に取付けたので、防
着部材の清掃作業時にも、真空槽の真空状態を保持する
ことができ、よって、上記請求項(1)又は(2の発明
の効果をより顕著に発揮することができる。
請求項(4)の発明によれば、上記請求項(11,(2
1又は(3)の発明に加えて、保守槽にプレスバラリン
グ用のダミー部材を配置したので、ターゲットの交換後
、スパッタリング作業の開始前におけるプレスパッタリ
ングを保守槽で行うことにより、真空槽内の雰囲気レベ
ルをより良好に維持することができ、よって、被加工物
の品質をさらに向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の構成を概略的に示す図である。 第2図及び第3図は本発明の第1実施例を示し、第2図
はスパッタリング装置の一部を縦断面で示す正面図、第
3図は保守槽の一部を破断して示す側面図、第4図は第
2実施例に係るスパッタリング装置の要部を手前下方か
ら見た斜視図である。 1 真空槽 2 保守槽 3 下方ゲート弁 5 基板 (被加工物) 10 ターゲット 14 マグネット (電極) 21 防着板 (防着部材) 33 プレスパツタ板 (ダミー部材) 50 ターゲット支持部材 51 出入手段 Vp  真空ポンプ (排気手段) 真空槽 (lJ¥気手投手 段 ] 区 柴3区

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)真空槽内に、被膜形成用ターゲットを配置すると
    ともに基板等の被加工物を上記ターゲットに対向するよ
    う配置し、ガス粒子を加速して上記ターゲット物質のス
    パッタリングによる被膜を上記被加工物表面に形成する
    ようにしたスパッタリング装置において、 上記ガス粒子の加速用電極を備え、上記ターゲットを支
    持するターゲット支持部材と、上記真空槽に上記ターゲ
    ット支持部材の通過を許容するゲートを介して連設され
    、ターゲットの保守を行うための保守槽と、上記ターゲ
    ット支持部材を真空槽と保守槽との間で出し入れする出
    入手段と、上記ゲートを開閉するゲート弁と、上記保守
    槽を真空状態にするための排気手段とを備えたことを特
    徴とするスパッタリング装置におけるターゲットの出入
    装置。
  2. (2)スパッタリング装置は連続的に被加工物のスパッ
    タリングを行うインライン式のものであり、ターゲット
    支持部材、保守槽、出入手段、ゲート弁及び排気手段は
    、真空槽内の一つのスパッタリング部に対して複数組設
    けられていることを特徴とする請求項(1)記載のスパ
    ッタリング装置のターゲット出入装置。
  3. (3)ターゲット物質の周囲への飛散を防止する防着部
    材をターゲット支持部材に取付けたことを特徴とする請
    求項(1)又は(2)記載のスパッタリング装置のター
    ゲット出入装置。
  4. (4)保守槽内に、ターゲットのプレスパッタリングを
    行うためのダミー部材を備えたことを特徴とする請求項
    (1),(2)又は(3)記載のスパッタリング装置の
    ターゲット出入装置。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002020862A (ja) * 2000-07-06 2002-01-23 Sony Corp スパッタリング装置
JP2002047563A (ja) * 2000-07-27 2002-02-15 Ulvac Japan Ltd スパッタリング装置
JP2010095756A (ja) * 2008-10-16 2010-04-30 Ulvac Japan Ltd 成膜装置
JP2010209434A (ja) * 2009-03-11 2010-09-24 Ulvac Japan Ltd 成膜装置
JP2012172165A (ja) * 2011-02-18 2012-09-10 Ihi Corp アンテナ交換方法、アンテナ搬送システム、およびアンテナ搬送装置
JP2016108577A (ja) * 2014-12-02 2016-06-20 国立研究開発法人産業技術総合研究所 小型装置保守機構
KR20200118870A (ko) * 2018-03-30 2020-10-16 제이에프이 스틸 가부시키가이샤 타깃 교환 장치 및 표면 처리 설비

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002020862A (ja) * 2000-07-06 2002-01-23 Sony Corp スパッタリング装置
JP2002047563A (ja) * 2000-07-27 2002-02-15 Ulvac Japan Ltd スパッタリング装置
JP2010095756A (ja) * 2008-10-16 2010-04-30 Ulvac Japan Ltd 成膜装置
JP2010209434A (ja) * 2009-03-11 2010-09-24 Ulvac Japan Ltd 成膜装置
JP2012172165A (ja) * 2011-02-18 2012-09-10 Ihi Corp アンテナ交換方法、アンテナ搬送システム、およびアンテナ搬送装置
JP2016108577A (ja) * 2014-12-02 2016-06-20 国立研究開発法人産業技術総合研究所 小型装置保守機構
KR20200118870A (ko) * 2018-03-30 2020-10-16 제이에프이 스틸 가부시키가이샤 타깃 교환 장치 및 표면 처리 설비
CN111868294A (zh) * 2018-03-30 2020-10-30 杰富意钢铁株式会社 靶更换装置及表面处理设备
CN111868294B (zh) * 2018-03-30 2023-09-08 杰富意钢铁株式会社 靶更换装置及表面处理设备

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