JPH0413778A - ｍ―フェニレンジアミン系化合物及びそれを用いた電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、電子写真感光体における電荷輸送材料とし
て好適なｍ−フェニレンジアミン系化合物及びそれを用
いた電子写真感光体に関する。

［従来の技術］ 近年、複写機なとの画像形成装置における電子写真感光
体として、加工性に優れ、製造コストの面で有利である
とともに、機能設計の自由度が大きい有機感光体か使用
されている。

また、電子写真感光体を用いて複写画像を形成する場合
には、カールソンプロセスか広く利用されている。カー
ルソンプロセスは、コロナ放電により感光体を均一に帯
電させる帯電工程と、帯電した感光体に原稿像を露光し
、原稿像に対応した静電潜像を形成する露光工程と、静
電潜像をトナーを含有する現像剤で現像し、トナー像を
形成する現像工程と、トナー像を紙なとの基材に転写す
る転写工程と、基材に転写されたトナー像を定着させる
定着工程と、転写工程の後、感光体上に残留するトナー
を除去するクリーニング工程とを含んでいる。このカー
ルソンプロセスにおいて高品質の画像を形成するには、
電子写真感光体が帯電特性及び感光特性に優れているこ
と及び、露光後の残留電位が低いことが要求される。

これらの特性を達成するための手段の一つとして適正な
電荷輸送材料の選択かある。そして上記電荷輸送材料と
してポリビニルカルバゾール、オキサジアゾール系化合
物、ピラゾリン系化合物、ヒドラゾン系化合物など多く
の化合物か提案されている。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、上記電荷輸送材料は、電荷輸送能を示すドリフ
ト移動度が比較的小さい。また、ドリフト移動度の電界
強度依存性が大きいために、低電界での電荷の移動か少
なく、残留電位がぬけにくくいという問題点がある。さ
らに紫外光線の照射により劣化しやすいなどの問題点か
ある。

このような問題点に対して、ドリフト移動度の電界依存
性が小さく、樹脂との相溶性のよいｍ−フェニレンジア
ミン系化合物としてＮ、Ｎ、ＮＮ゛−テトラフェニル−
１，３−フユニレンジアミンが提案されている（特願昭
６２−１１０１７０３号）。このｍ−７ユニレンジアミ
ン系化合物は紫外光などに対する耐光性も良好で、実際
の複写機で使用した場合にも安定な特性を示す。しかし
、複写機が故障した場合などにおいて、長時間の光暴露
や高温下での光暴露が発生した場合、回復か不可能なダ
メージを被るという問題点がある。

この発明は上記の問題点を解決するものであり、より耐
光性を有し光安定性に優れたｍ−フェニレンジアミン系
化合物とそれを用いた電子写真感光体を提供することを
目的とする。

［課題を解決するための手段及び作用］□。

一般に光劣化による感光体特性の低下の原因は、電荷輸
送材料に対してトラップとなる不純物が感光体中に生成
することにある。ｍ−フェニレンジアミン系化合物の場
合、このような光劣化反応として中心ベンセン環と他の
フェニル基との間で起こる閉環反応が考えられる。この
反応はフェニレンジアミン系化合物の分子の電子密度か
中心ベンゼン環に偏っているために起こりやすいと考え
られる。特に中心ヘンゼン環の５の位置は立体的配置か
らも光励起時に酸素などの酸化物質からの攻撃を受けや
すい分子構造となっており、この部分から電子か引き抜
かれるため閉環反応が起こると考えられる。そこで、こ
の部分を置換基で置換して保護することにより反応性を
抑制し、安定性を向上することか可能であると考え、種
々の実験の結果、この位置を電子吸引性の置換基で置換
した場合、他の置換基で置換した場合よりも光安定性を
より効果的に改善できることを見出した。

しかして、この発明のｍ−フェニレンジアミン系化合物
は、 下記の一般式［Ｉコ　： （式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は同一または異なって
、アルキル基、アルコキシル基、ハロゲン原子、アミノ
基またはＮ−置換アミノ基を示し、ｊ＋　ｍ、ｏ、ｐは
同一または異なって、０〜５の整数を示し、Ｒ５は電子
吸引性基を示す）で表されるｍ　−７’二ユニンジアミ
ン系化合物である。

前記ｍ−フェニレンジアミン系化合物は中心ベンゼン環
の５の位置が置換基で保護されたことにより、酸化物質
などからの攻撃を受けにくくなり、光劣化反応が抑制さ
れて光に対する安定性が向上する。しかも、この中心ベ
ンゼン環の、５の位置が電子吸引性基で置換されること
により中心ベンゼン環に偏っていた電子分布が均一化さ
れるため、他の置換基で置換したとき以上に光に対する
安定性が向上する。このことは、分子軌道法計算により
求めた基底状態における電子密度分布の変化からも推測
されることである。

また、上記ｍ−フェニレンジアミン系化合物を含有する
感光体は、長時間の光暴露や高温下での光暴露に対して
、従来の感光体よりダメージを被ることか少なく、光安
定性に優れている。

［発明の好適態様コ 前記−数式［Ｉ］で表されるこの発明のｍ−フェニレン
ジアミン系化合物において、Ｒ１，Ｒ２Ｒ，、Ｒ４のう
ちアルキル基としては、メチル基。

エチル基、プロピル基、イソプロプル基、ブチル基、イ
ソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシ
ル等の炭素数１〜６の低級アルキル基が例示される。

アルフキシル基としては、メトキシ基、エトキシ基、プ
ロポキシ基、イソプロポキシ基、ペンチルオキシ基、ヘ
キシルオキシ基などのアルキル部分の炭素数が１〜６の
低級アルコキシ基が例示される。

なお、上記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は同一であってもよ
く、互いに異なっていてもよい。

また、Ｒ５て示される電子吸引性基としては、ハロゲン
原子、ニド０基、スルホ基、シアノ基、アルデヒド基、
基：　−ＣＯＲ６（式中、Ｒ６は水素原子、アルキル基
またはアミノ基である）、カルボキシル基、エステル化
されたカルボキシル基があげられる。

一般式［１］で表されるｍ−フェニレンジアミン系化合
物としては、具体的には次のような化合物が例示される
。

反応式［Ａ］　　。

本発明の上記−数式［１］で表される化合物は、種々の
方法で合成することが可能であり、例えば、以下に示す
一連の反応式［Ａ］あるいは反応式［Ｂ］により合成す
ることができる。

（以下余白） 反応式［８］ 〔式中、Ｒ″およびＲ’は、同一または異なって、アル
キル基、アルコキシル基、ハロゲン原子、アミノ基また
はＮ−置換アミノ基を示す。］すなわち、上記反応式［
Ａ］においては、上記式（１）で表されるレソルシノー
ル誘導体と上記式（２）で表されるアニリン誘導体をヨ
ウ素と、ともに窒素気流下で還流して反応させて、上記
式Ｇ）で表されるフェニレンジアミン系化合物を得る。

次いて、上記式Ｏ）の化合物と上記式（４）て表わされ
るヨードベンゼン誘導体とを炭酸カリウム、銅粉ととも
に溶剤に加え還流反応させることにより上記一般式［１
］において、Ｒ１とＲ３Ｒ２とＲ４かそれぞれ同しであ
る本発明の化合物か得られる。なお、上述のように、−
数式［１］で表される化合物における置換基（電子吸引
性基）Ｒ５は、例えば、レソルシノールに予め導入して
おくことか可能であり、Ｒ２，Ｒ’はアニリンに予め導
入し、さらに、置換基Ｒ１，Ｒ３はヨードベンゼンに予
め導入しておくことができる。

また、上記反応式［Ｂ］に示すように、式（５）のフェ
ニレンジアミン誘導体と式（６）のヨードベンゼン誘導
体を炭酸カリウム、銅粉とともに溶剤中で還流して反応
させることによって一般弐Ｎ］においてＲ１−Ｒ４がす
べて同一置換基である本発明の化合物を合成することが
できる。

また、上記反応式［Ａ］または［Ｂ］で得られる化合物
以外の本発明化合物、ｆｌｌえばＲ１−Ｒ４が全て異な
る置換基である化合物等を合成するには、上記反応式［
Ａ］または［Ｂ］における出発原料のモル比を適宜調製
して、段階的に置換基ＲＩ　、　Ｒ４を有する各フェニ
ル基を導入する方法かあげられる。また、置換基を有し
ないフェニル基を導入した後、置換基Ｒ１〜Ｒ′さらに
Ｒ５を順次導入するようにしてもよい。

前記−数式［１］で表される本発明の化合物は、公知の
他の電荷輸送材料と組み合わせて使用することができる
。この場合の電荷輸送材料としては、公知の種々の電子
吸引性化合物、電子供与性化合物を用いることができる
。

上記電子吸引性化合物としては、例えば、２゜６−シメ
チルー２”、６°　−ジｔｅｒｔ−ジブチルジフェノキ
ノン等のジフェノキノン誘導体、マロノニトリル、チオ
ピラン系化合物、テトラシアノエチレン、２，４．８−
）リニトロチオキサントン、３，４．５．７−テトラニ
トロ−９−フルオレノン、ジニトロベンゼン、ジニトロ
アントラセン、ジニトロアクリジン、ニトロアントラキ
ノン、ジニトロアントラキノン、無水コノ＼り酸、無水
マレイン酸、ジブロモ無水マレイン酸等が例示される。

また、電子供与性化合物としては、２．５−ジ（４−メ
チルアミノフェニルＣ１１，３，４−オキサジアゾール
、等のオキサジアゾール化合物、９−（４−ジエチルア
ミノスチリル）アントラセン等のスチリル化合物、ポリ
ビニルカルバゾール等のカルバゾール化合物、１−フェ
ニル−３−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリン
等のピラゾリン化合物、ヒドラゾン化合物、トリフェニ
ルアミン系化合物、インドール系化合物、オキサゾール
系化合物、イソオキサゾール系化合物、チアゾール系化
合物、チアジアゾール系化合物、イミダゾール系化合物
、ピラゾール系化合物、トリアゾール系化合物等の含窒
素環式化合物、縮合多環式化合物が例示される。

これらの電荷輸送材料は、１種または２種以上混合して
用いられる。なお、ポリビニルカルバゾール等成膜性を
有する電荷輸送材料を用いる場合には、結合剤樹脂は必
ずしも必要ではない。

上記−数式［Ｉ］て表される化合物は、いわゆる単層型
及び積層型の電子写真感光体のいずれにも適用すること
ができる。

単層型電子写真感光体とするには、電荷輸送材料である
前記−数式［Ｉ］で表される化合物と電荷発生材料と結
合剤樹脂等とを含有する感光層を導電性基村上に形成す
ればよい。

また、積層型の電子写真感光体とするには、導電性基材
上に、蒸着または、塗布等の手段により電荷発生材料を
含有する電荷発生層を形成し、この電荷発生層上に、前
記−数式［Ｉ］で表される化合物と結合材樹脂とを含有
する電荷輸送層を形成すればよい。また、上記とは逆に
、導電性基材上に上記と同様の電荷輸送層を形成し、次
いて蒸着または塗布などの手段により電荷発生材料を含
有する電荷発生層を形成してもよい。さらに、電荷発生
層を電荷発生材料と電荷輸送材料とを結合剤樹脂中に分
散して塗布することにより形成してもよい。

上記電荷発生材料としては、例えば、セレン、セレン−
テルル、アモルファスシリコン、ピリリウム塩、アゾ系
顔料、ジスアゾ系顔料、アンサンスロン系顔料、フタロ
シアニン系顔料、インジゴ系顔料、トリフェニルメタン
系顔料、スレン系顔料、トルイジン系顔料、ピラゾリン
系顔料、ペリレン系顔料、キナクリドン系顔料、ピロー
ル系顔料等が例示され、所望の領域に吸収波長域を有す
るように、一種または２種以上を混合して用いられる。

また、上記感光層、電荷発生層及び電荷輸送層における
結合剤樹脂としては、種々の樹脂を使用することができ
る。例えば、スチレン系重合体、スチレン−ブタジェン
共重合体、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチ
レン−マレイン酸共重合体、アクリル系重合体、スチレ
ン−アクリル系共重合体、ポリエチレン、エチレン酢酸
ビニル共重合体、塩素化ポリエチレン、ポリ塩化ビニル
、ポリプロピレン、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、
ポリエステル、アルキッド樹脂、ポリアミド、ポリウレ
タン、ポリカーボネート、ボリアリレート、ポリスルホ
ン、ジアリルフタレート樹脂、ケトン樹脂、ポリビニル
ブチラール樹脂、ポリエーテル樹脂等の熱可塑性樹脂や
、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿
素樹脂、メラミン樹脂、その他架橋性の熱硬化性樹脂、
及びエポキシアクリレート、ウレタン−アクリレート等
の光硬化性樹脂等積々の重合体か例示される。これらの
結合剤樹脂は１種でまたは２種以上混合して用いられる
。

また、塗布手法により電荷発生層及び電荷輸送層を形成
する場合には溶剤が使用される。この溶剤としては、種
々の有機溶剤を使用することが可能であり、メタノール
、エタノール、イソプロパツール、ブタノール等のアル
コール類、ｎ−へキサン、オクタン、シクロヘキサン等
の脂肪族系炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン等
の芳香族炭化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、
四塩化炭素、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素、
ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフ
ラン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、アセト
ン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン
類、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル類、ジメチル
ホルムアルデヒド、ジメチルホルムアミド、ジメチルス
ルホキシド等の種々の溶剤が例示され、これらを１種ま
たは２種以上混合して用いることかできる。

また、上記電荷発生層の感度をよくするために、例えば
、ターフェニル、ハロナフトキノン類、アセナフチレン
等の公知の増感剤を上記電荷発生材料と共に用いてもよ
い。さらには、電荷輸送材料や電荷発生材料の分散性、
染工性等をよくするために界面活性剤、レベリング剤等
を使用してもよい。

上記導電性基材としでは、導電性を有する種々の材料を
使用することができ、例えば、アルミニウム、銅、スズ
、白金、金、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カ
ドミウム、チタン、ニッケル、パラジウム、インジウム
、ステンレス銅、真鍮等の金属単体や、上記金属が蒸着
またはラミネートされたプラスチック材料、ヨウ化アル
ミニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で被覆されたガ
ラス等が例示される。上記導電性基材はシート状、ドラ
ム状のいずれでもよく、基材自体が導電性を有するかあ
るいは基材の表面が導電性を有していればよい。この基
材としては、使用に際し、十分な機械的強度を有するも
のが好ましい。

上記電荷輸送材料としてのこの発明の化合物と結合樹脂
は、電荷の輸送を阻害しない範囲及び結晶化しない範囲
で種々の割合で使用することが可能であるが、結合剤樹
脂１００重量部に対して、前記一般式［１１で表される
化合物１２５重量部ないし２００重量部を使用すること
が好ましい。

また、一般式［Ｉ］で表される化合物を含有する電荷輸
送層は、２〜１００μｍ１特に５〜３０μｍ程度の層厚
に形成することが好ましい。

上記電荷発生材料を結合剤樹脂と共に用いる場合、電荷
発生材料と結合剤樹脂とは種々の割合で使用することが
できるが、電荷発生材料１０重量部に対して、結合剤樹
脂１〜１５０重量部の割合で用いることが望ましい。

また、上記電荷発生材料を含有する電荷発生層は、その
膜厚を任意に選択することができるが、０．０１〜２０
μｍ１特に０．１〜１０μｍ程度に形成することが望ま
しい。

また、−数式［Ｉ］で表される化合物及び電荷発生材料
を単一層中に存在させた単層型感光層は、その膜厚を任
意に選択することができるか、２〜１００／ｆｆｉ、特
に５〜３０Ｉ！ｒＡ程度の層厚にすることが好ましい。

また、単層型電子写真用感光体にあっては、上記基材と
感光層との間に、また、積層型電子写真用感光体にあっ
ては、上記基材と電荷発生層との間や基材と電荷輸送層
との間及び電荷発生層と電荷輸送層との間に、感光体の
特性を阻害しない範囲でバリア層が形成されていてもよ
く、感光体の表面には、保護層か形成されていてもよい
。

上記電荷発生層及び電荷輸送層を、塗布の方法により形
成する場合には、電荷発生材料等と結合剤樹脂などを公
知の方法、例えば、ロールミル、ボールミル、アトライ
タ、ペイントシェーカーあるいは超音波分散器等を用い
て分散混合して調製し、これを公知の手段により塗布、
乾燥すればよぃ。なお、上述のように、電荷発生層は上
記電荷発生材料を蒸着することにより形成してもよ０゜
以下、実施例により本発明の詳細な説明する。

［実施例コ （１）電荷輸送材料の合成例 第１の合成例 （Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’−テトラキス（３−トリル）−
５−クロロ−１，３−フェニレンジアミンの合成） ５−クロロ−１，３−フェニレンシアミン３゜６ｇ１ヨ
ードトルエン２１．８ｇ、炭酸カリウム６．９ｇおよび
銅粉末２ｇをニトロベンゼン１００ｍＪに加え２４時間
還流反応させた。

反応後、水蒸気蒸留によりニトロベンゼン、ヨードトル
エンを除去し、残渣を水洗し、メタノールで洗浄した。

次に、残渣をベンゼン９００ｍＪ中に加え、水溶物を濾
別し、活性アルミナカラムクロマト展開液（ベンゼン−
ヘキサン１．１）で１ｓｔフラクシヨンをとった。さら
にこのフラクションを、ベンゼン−ヘキサン１：２を展
開液として活性アルミナカラムクロマトで分離し、ＩＳ
ｔフラクションをとった。溶媒を留去し、その−部をア
セトニトリルに常温で溶解させ、生じた結晶を種として
、アセトニトリルから結晶させることにより、標記の化
合物Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’　−テトラキス（３−トリル
）−５−クロロ−１，３−フェニレンジアミン（本発明
化合物１）を得た。

この化合物の融点は１１２〜１１３℃であった。

第２の合成例 （Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’−テトラキス（３−トリル）−
５−二トロー１．３−フェニレンジアミンの合成） ５−ニトロレソルシノール（５−ニトロ−１゜３−ベン
ゼンジオール）１３．６ｇ、ｍ−トルイジン２２．６ｇ
とをヨウ素０．５ｇの存在下、窒素気流中で３日間還流
して反応させた。反応後、室温まで冷却し、生じた固体
をメタノール５００ｍ１で洗浄し、Ｎ、Ｎ’−ビス（３
−トリル）５−ニトロ−１，３−フェニレンジアミンを
得た。

次いで、このＮ、Ｎ’−ビス（３−トリル）−５ニトロ
−１，３−フェニレンシアミン１６．７ｇ１ヨードトル
エン２１．８ｇ、炭酸カリウム９゜７ｇおよび銅粉末２
ｇをニトロベンゼン１００田ノに加え２４時間還流させ
反応させた。反応後、水蒸気蒸留によりニトロベンゼン
、ヨードトルエンを除去し、残渣を水洗し、メタノール
で洗浄した。次いて、残渣をベンゼン９００ｒｒ＋Ｊ中
に加え、水溶物を濾別し、活性アルミナカラムクロマト
展開液（ベンゼン−ヘキサン１：１）で１ｓｔフフクシ
ヨンをとった。さらにこのフラクションを、ベンゼン−
ヘキサン１：２を展開液として活性アルミナカラムクロ
マトで分離し、１ｓｔフラクシヨンをとった。溶媒を留
去し、その一部をアセトニトリルに常温で溶解させ、生
じた結晶を種として、アセトニトリルから結晶させるこ
とにより、標記の化合物Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’−テトラ
キス（３−トリル）−５−二トロー１，３−フェニレン
ジアミン（本発明化合物２）を得た。この化合物の融点
は１１９〜１２０℃であった。

（Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’−テトラキス（３−トリル）−
５−スルホ−１，３−フェニレンシアミンの合成） 上記第２の合成例の５−ニトロレソルシノールの代わり
に５−スルホレソルシノール（３，５ジヒドロキシベン
ゼンスルホン酸）１６．８ｇを用いて上記第２の合成例
と同様にして、Ｎ、Ｎ’−ビス（３−トリル）−５−ス
ルホ−１，３−フェニレンシアミンを得た。このＮ、Ｎ
’　−ビス（３−トリル）−５−スルホ−１，３−フェ
ニレンジアミン９．３ｇ、ヨードトルエン１０．９ｇ。

炭酸カリウム５ｇおよび銅粉末１．２ｇをニトロベンゼ
ン５０ｍＪに加え２４時間還流反応させた。

以下、第２の合成例と同様にして標記の化合物Ｎ。

Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラキス（３−トリル）−５−スル
ホ−１，３−フェニレンジアミン（本発明化合物３）を
得た。この化合物の融点は１３３〜１３４℃であった。

第４の合成例 （Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’−テトラキス（３−トリル）−
５−シアノ−１，３−フェニレンジアミンの合成） 上記第２の合成例の５−二トロレソルシノールの代わり
に５−シアルツルシノール（３，５−ジヒドロキシベン
ゾニトリル）１１゜９ｇを用いて上記第２の合成例と同
様にして、Ｎ、Ｎ’−ビス（３−トリル）−５−シアノ
−１，３−フェニレンジアミンを得た。このＮ、Ｎ’−
ビス（３−トリル）−５−シアノ−１，３−フェニレン
ジアミン７．８ｇ、ヨードトルエン１０．９ｇ、炭酸カ
リウム５ｇおよび銅粉末１．２ｇをニトロベンゼン５０
ｍＪに加え、２４時間還流して反応させた。以下、第２
の合成例と同様にして標記の化合物Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ
’−テトラキス（３−トリル）−５−シアノ−１，３−
フェニレンジアミン（本発明化合物４）を得た。この化
合物の融点は１１８〜１１９℃であった。

第５の合成例 （Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’−テトラキス（３−トリル）−
５−ホルミル−１，３−フェニレンジアミンの合成） 上記第２の合成例の５−二トロレソルシノールの代わり
に５−ホルミルレソルシノール（３，５ジヒドロキシベ
ンズアルデヒド）１２．１ｇを用いて上記第２の合成例
と同様にして、Ｎ、Ｎ’−ビス（３−トリル）−５−ホ
ルミル−１，３−フェニレンシアミンを得た。

このＮ、Ｎ’−ビス（４−トリル）−５−ホルミル−１
，３−フェニレンジアミン７．９ｇ、ヨードトルエン１
０．９ｇ、炭酸カリウム５ｇおよび銅粉末１．２ｇをニ
トロベンゼン５０ｍＪに加え２４時間還流して反応させ
た。以下、第２の合成例と同様にして標記の化合物Ｎ、
Ｎ、Ｎ’　、Ｎ−テトラキス（３−トリル）−５−ホル
ミル−１゜３−フェニレンジアミン（本発明化合物５ン
を得た。この化合物の融点は１２０〜１２１℃であった
。

第６の合成例 （Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’−テトラキス（３−トリル）−
５−アセチル−１，３−フェニレンシアミンの合成） 上記第２の合成例の５−ニトロレソルシノールの代わり
に５−アセチルレソルシノール（３，５ジヒドロキシア
セトフエノン）１３．４ｇを用いて上記第２の合成例と
同様にして、Ｎ、　Ｎビス（３−トリル）−５−アセチ
ル−１，３−フェニレンシアミンを得た。このＮ、Ｎ’
　−ビス（３−トリル）−５−アセチル−１，３−フェ
ニレンジアミン８．３ｇ、ヨードトルエン１０．９ｇ１
炭酸力リウム５ｇおよび銅粉末１．２ｇをニトロベンゼ
ン５０ｍｊに加え、２４時間還流して反応させた。以下
、第２の合成例と同様にして標記の化合物Ｎ、Ｎ、Ｎ’
　、Ｎ’−テトラキス（３−トリル）−５−アセチル−
１，３−フェニレンシアミン（本発明化合物６）を得た
。この化合物の融点は１２２〜１２３℃であった。

第７の合成例 （Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’−テトラキス（３−トリル）−
５−カルボキシ−１，３−フェニレンジアミンの合成） 上記第２の合成例の５−二トロレソルシノールの代わり
に５−カルポキシレソルシノール（３゜５−ジヒドロキ
シベンゼンカルボン酸）１３．６ｇを用いて上記第２の
合成例と同様に−して、Ｎ。

Ｎｏ−ビス（３−トリル）−５−カルボキシ−１゜３−
フェニレンジアミンを得た。このＮ、　Ｎビス（３−ト
リル）−５−カルボキシ−１，３−フェニレンジアミン
８．３ｇ、ヨードトルエン１０．９ｇ、炭酸カリウム５
ｇ及び銅粉末１．２ｇをニトロベンゼン５０ｍＪに加え
、２４時間還流して反応させた一０以下、第２の合成例
と同様にして標記の化合物Ｎ、Ｎ、Ｎ“、Ｎｏ−テトラ
キス（３−トリル）−５−カルボキシ−１，３−フェニ
レンジアミン（本発明化合物７）を得た。

この化合物の融点は１４３〜１４４℃であった。

第８の合成例 （Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’−テトラキス（３−トリル）−
５−エトキシカルボニル−１，３−フェニレンジアミン
の合成） 上記第２の合成例の５−二トロレソルシノールノ代ワリ
に３，５−ジヒドロキシ−安息香酸エチル１６．０ｇを
用いて上記第２の合成例と同様にして、Ｎ、Ｎ’　　−
ビス（３−トリル）−５−エトキシカルボニル−１，３
−フェニレンジアミンを得た。このＮ、Ｎｏ−ビス（３
−トリル）−５−エトキシカルボニル−１，３−フェニ
レンジアミン９．０ｇ、ヨードトルエン１０．９ｇ、炭
酸カリウム５ｇおよび銅粉末１．２ｇをニトロベンゼン
５０ｍＪに加え、２４時間還流して反応させた。

以下、第２の合成例と同様にして標記の化合物Ｎ。

Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’−テトラキス（３−トリル）−５−エ
トキシカルボニル−１，３−フェニレンジアミン（本発
明化合物８）を得た。

この化合物の融点は１３６〜１３７℃であった。

（２）電子写真感光体の調製 単層型電子写真感光体の調製 電荷発生材料としてＮ、Ｎ“−ジ（３，５−ジメチルフ
ェニル）ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボキ
シジイミド８重量部、電荷輸送材料として上記合成例１
〜８て合成した本発明化合物１００重量部、結合剤樹脂
としてポリ−（４゜４°−シクロへキシリデンジフェニ
ル）カーボネート（三菱瓦斯化学社製、ポリカーボネー
）Ｚ２００）１００重量部及び所定量のテトラヒドロフ
ランを合わせて、超音波分散器にて混合分散し、単層型
感光層用塗布液を調製した。この塗布液を外径７８龍Ｘ
長さ３４０　ｍ＋ｔのアルミニウム素管上に塗布した後
、暗所にて１００℃で３０分間加熱乾燥させて、厚み２
４μｍの単層型感光層を有するドラム型の電子写真感光
体を作成した。

積層型電子写真感光体の調製 結合剤樹脂としてポリビニルブチラール（積木化学社製
、商品名工スレツクＢＬＩ）１００重量部と、電荷発生
材料としてオキソチタニルフタロシアニン１００重量部
と、所定量のテトラヒドロフランとをボールミルに仕込
み、２４時間撹拌混合して電荷発生層用塗布液を調製し
、この調製液をアルミニウムドラムに浸漬法によって塗
布し、１１０℃で３０分間熱風乾燥して硬化させること
により膜厚０，５μｍの電荷発生層を形成した。

それから、結合剤樹脂としてポリカーボネート樹脂（三
菱瓦斯化学社製、商品名ニーピロン）１００重量部と、
電荷輸送層として上記上記合成例１〜８て合成した各化
合物１００重量部と、所定量のトルエンとをホモミキサ
で撹拌混合して電荷輸送層用塗布液を調製した。この塗
布液を上記電荷発生層の表面に浸漬法により塗布し、１
２０℃で３０分間熱風乾燥することにより膜厚約２０μ
ｍの電荷輸送層を形成して、積層型電子写真感光体を作
成した。

比較例 電荷輸送材料として（Ｎ、Ｎ、Ｎ’　　Ｎ’−テトラキ
ス（３−トリル）−１，３−フユニレンジアミン１００
重量部を用いる以外は上記調製例と同様にして単層型及
び積層型の電子写真感光体を作成した。

（３）電子写真感光体の評価 単層型電子感光体 （初期表面電位ＶＳＰの測定） 上記各単層型電子写真感光体を、静電複写試験装置（ジ
エンチック社製、ジエンチックシンシア３０Ｍ）に装填
し、その表面を正に帯電させて各感光体の表面電位Ｖｓ
ｐ（Ｖ）を測定した。

（半減露光量、残留電位測定） 上記帯電状態の各電子写真感光体を、上記静電複写試験
装置の露光光源であるハロゲンランプ（露光強度０．　
９２　ｍＷ／ｃｄ）を用いて露光させ、表面電位ＶＳＰ
が１／２となるまでの時間を求めて、半減露光量Ｅｌ／
２（μＩ／Ｃｍ２）を算出した。

また、上記露光開始後０．１５秒を経過した後の表面電
位を残留電位Ｖ、、（Ｖ）とした。

積層型電子写真感光体 露光光源として分光器にＸｅランプ光を通して得た単色
光（λ−７８０ｎｍ、露光強度−１０μＷ　／　ｃシ、
露光時間−１秒）を用いて各積層型電子写真感光体を露
光し、露光後０．５秒経過した後の表面電位を残留電位
ｖ２．とじて測定する。その他については上記単層型電
子写真感光体の場合と同様の測定を行った。

上記実施例及び比較例で得られた電子写真感光体の帯電
特性及び感光特性の測定結果を表１及び表２に示す。

（以下余白） 表１ （単層Ｊ！２電子写真感光体） 次ページに続く 表２ （積層型電子写真感光体） 次ページに続く 表１及び表２において、「露光前」は、光照射前の初期
特性、「露光後」は白色螢光灯を用いて、４００ルツク
スの紫外線を含む白色光を４０分間照射した後の特性を
示す。

上記表１及び２に示すように、本願発明の電荷輸送材料
用化合物を用いた感光体はいずれも、初期表面電位ＶＳ
Ｆ、半減露光量ＥＩ７２　、残留電位ＶＲＰともに露光
前後の値の変動が比較例より小さく光に対する安定性に
優れていることが判る。

［発明の効果］ 以上のように、この発明の電荷輸送材料用化合物は中心
ベンゼン環の５の位置を電子吸引性基で置換して保護し
ているため、光安定性に優れており、かつ該電荷輸送材
料を用いることにより、光安定性に優れた電子写真感光
体を得ることができる。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記の一般式［ I ］： ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 （式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３、Ｒ＾４は同一または
   異なって、アルキル基、アルコキシル基、ハロゲン原子
   、アミノ基またはＮ−置換アミノ基を示し、ｌ、ｍ、ｏ
   、ｐは同一または異なって、０〜５の整数を示し、Ｒ＾
   ５は電子吸引性基を示す）で表されるｍ−フェニレンジ
   アミン系化合物。
2. （２）導電性基材上に、請求項１記載のｍ−フェニレン
   ジアミン系化合物を含む感光層を設けたことを特徴とす
   る電子写真感光体。