JPH04137484A - 薄膜ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH04137484A JPH04137484A JP2257239A JP25723990A JPH04137484A JP H04137484 A JPH04137484 A JP H04137484A JP 2257239 A JP2257239 A JP 2257239A JP 25723990 A JP25723990 A JP 25723990A JP H04137484 A JPH04137484 A JP H04137484A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- active material
- metal
- sulfide
- evaporated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 15
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 12
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000013543 active substance Substances 0.000 claims description 10
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 10
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 9
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 7
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011149 active material Substances 0.000 abstract 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、表示パネル等に有用な薄膜ＥＬ素子の製造方
法に関し、さらに詳しくは硫化物を母体材料とする発光
層を有する薄膜ＥＬ素子の製造方法に関する。
法に関し、さらに詳しくは硫化物を母体材料とする発光
層を有する薄膜ＥＬ素子の製造方法に関する。
薄膜ＥＬ素子は、従来一般に、ガラス基板上に電子ビー
ム蒸着法、スパッタリング法などによりＩＴＯ等の透明
電極を形成し、フォトリソグラフ法等によりパターニン
グした後、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法等によ
りＴａ２Ｏ５、Ｙ ２０３等の誘電体からなる第１絶縁
層を形成し、その後、ＺｎＳ％ＣａＳ、ＳｒＳ等の母体
材料にＭｎ５Ｔｂ、Ｃｅ５Ｅｕ等の活性物質（発光中心
不純物）及び必要に応じてＦ等の共付活剤をドープした
発光層を形成し、その後第２絶縁層を積層した後、アル
ミニウム等の金属電極（背面電極）を蒸着し、バターニ
ングして作成されている。
ム蒸着法、スパッタリング法などによりＩＴＯ等の透明
電極を形成し、フォトリソグラフ法等によりパターニン
グした後、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法等によ
りＴａ２Ｏ５、Ｙ ２０３等の誘電体からなる第１絶縁
層を形成し、その後、ＺｎＳ％ＣａＳ、ＳｒＳ等の母体
材料にＭｎ５Ｔｂ、Ｃｅ５Ｅｕ等の活性物質（発光中心
不純物）及び必要に応じてＦ等の共付活剤をドープした
発光層を形成し、その後第２絶縁層を積層した後、アル
ミニウム等の金属電極（背面電極）を蒸着し、バターニ
ングして作成されている。
そして、上記発光層の形成工程に関して、従来、硫化物
を母材材料とする発光層を形成する際には、例えばＺ
ｎ Ｓ ： Ｍ ｎからなるペレットに真空中で電子線
を照射して蒸発させ、基板上に成膜させる電子ビーム蒸
着法や、特開昭６０−２０２６８４号公報に記載されて
いるように、Ｃａ５ＣｅＣ１３を電子ビーム蒸着すると
同時に他の蒸発源から硫黄単体を蒸発させて基板に供給
する共蒸着法が知られている。
を母材材料とする発光層を形成する際には、例えばＺ
ｎ Ｓ ： Ｍ ｎからなるペレットに真空中で電子線
を照射して蒸発させ、基板上に成膜させる電子ビーム蒸
着法や、特開昭６０−２０２６８４号公報に記載されて
いるように、Ｃａ５ＣｅＣ１３を電子ビーム蒸着すると
同時に他の蒸発源から硫黄単体を蒸発させて基板に供給
する共蒸着法が知られている。
しかしながら、前記のように硫化物ベレットに電子線を
照射すると、その蒸発に伴ってベレットの形が刻々変化
するため、安定に蒸発させることは困難である。そのた
め、基板上に成膜された膜の品質のバラツキが大きくな
るという欠点があった。
照射すると、その蒸発に伴ってベレットの形が刻々変化
するため、安定に蒸発させることは困難である。そのた
め、基板上に成膜された膜の品質のバラツキが大きくな
るという欠点があった。
一方、前記欠点を回避するため硫化物を抵抗加熱法で蒸
発させようとしても、その前に分解してしまい、硫黄だ
けが先に蒸発するためうまくいかない。そのため、硫化
物を蒸発させるためには電子ビームを用いなければなら
ず、前記したような問題は依然として残されていた。
発させようとしても、その前に分解してしまい、硫黄だ
けが先に蒸発するためうまくいかない。そのため、硫化
物を蒸発させるためには電子ビームを用いなければなら
ず、前記したような問題は依然として残されていた。
従って、本発明の目的は、前記したような従来の問題を
解決し、安定した高品質の発光層が得られる薄膜ＥＬ素
子の製造方法を提供することにある。
解決し、安定した高品質の発光層が得られる薄膜ＥＬ素
子の製造方法を提供することにある。
本発明によれば、前記目的を達成するため、硫化物を母
体材料とし、活性物質を添加した薄膜を発光層とする薄
膜ＥＬ素子において、発光層を成膜する際、硫黄雰囲気
中で母体材料を構成する金属元素及び活性物質を蒸発さ
せることを特徴とする薄膜ＥＬ素子の製造方法が提供さ
れる。
体材料とし、活性物質を添加した薄膜を発光層とする薄
膜ＥＬ素子において、発光層を成膜する際、硫黄雰囲気
中で母体材料を構成する金属元素及び活性物質を蒸発さ
せることを特徴とする薄膜ＥＬ素子の製造方法が提供さ
れる。
本発明の方法によれば、蒸発させるのに電子ビームを用
いる必要のない金属（硫化物の一方の構成元素）を硫黄
雰囲気中で抵抗加熱法で蒸発させ、また同時に活性物質
を蒸発させることにより、基板上で活性物質を含んだ硫
化物薄膜を得る。
いる必要のない金属（硫化物の一方の構成元素）を硫黄
雰囲気中で抵抗加熱法で蒸発させ、また同時に活性物質
を蒸発させることにより、基板上で活性物質を含んだ硫
化物薄膜を得る。
この際、金属元素を蒸発させる際の温度は融点を超える
ことが多い。その場合、金属蒸気は溶融した金属液体の
表面から蒸発するため、表面形状の変化による蒸発量の
変化は起らない。
ことが多い。その場合、金属蒸気は溶融した金属液体の
表面から蒸発するため、表面形状の変化による蒸発量の
変化は起らない。
また、るつぼの温度を温度調節器により一定に保つこと
ができるので、蒸発量は安定する。その結果、膜厚方向
での組成の変化が少ない安定した高品質の発光層が得ら
れる。
ができるので、蒸発量は安定する。その結果、膜厚方向
での組成の変化が少ない安定した高品質の発光層が得ら
れる。
上記硫黄雰囲気は、硫黄を真空槽内で蒸発させて作って
もよく、また外部で発生させた硫黄蒸気を真空槽内に供
給するようにしてもよい。
もよく、また外部で発生させた硫黄蒸気を真空槽内に供
給するようにしてもよい。
いずれの場合にも、真空槽内の硫黄蒸気圧はＩＸ １０
−’〜Ｉ Ｘ １０−２Ｔｏ ｒ ｒの範囲に設定する
ことが好ましい。なお、母体材料を構成する金属元素は
Ｃａ５ＳｒＳＺｎ等の周期表のＩｌａ族又はＩＩｂ族か
ら選ばれ、活性物質（発光中心不純物）は所望の発光色
に応じて選定される。
−’〜Ｉ Ｘ １０−２Ｔｏ ｒ ｒの範囲に設定する
ことが好ましい。なお、母体材料を構成する金属元素は
Ｃａ５ＳｒＳＺｎ等の周期表のＩｌａ族又はＩＩｂ族か
ら選ばれ、活性物質（発光中心不純物）は所望の発光色
に応じて選定される。
以下、添付図面に示す実施例を説明しつつ、本発明につ
いて具体的に説明する。
いて具体的に説明する。
実施例１
第１図に示すように、真空槽（１）内に発光層の構成元
素Ｚｎ、Ｓ、Ｍｎをそれぞれ入れたるつぼ（２）、（３
）、（４）を設け、その周囲に配設したヒータ（図示せ
ず）により加熱してそれぞれの蒸気を噴出させ、ヒータ
（６）により加熱されている基板（５）上にＺ ｎ Ｓ
： Ｍｎの薄膜を成膜した。
素Ｚｎ、Ｓ、Ｍｎをそれぞれ入れたるつぼ（２）、（３
）、（４）を設け、その周囲に配設したヒータ（図示せ
ず）により加熱してそれぞれの蒸気を噴出させ、ヒータ
（６）により加熱されている基板（５）上にＺ ｎ Ｓ
： Ｍｎの薄膜を成膜した。
実施例２
第２図に示すように、真空槽（１）の外部に設けた硫黄
を収容する加熱容器（７）をその周囲に配設したヒータ
（８）により加熱してイオウ蒸気を発生させ、これを配
管（９）を介して真空槽内に導くと共に、真空槽内のＺ
ｎ、、Ｍｎをそれぞれ入れたつるぼ（２）、（４）を上
記実施例１と同様に加熱してＺｎ、Ｍｎの蒸気を噴出さ
せ、基板（５）上にＺ ｎ Ｓ ： Ｍ ｎの薄膜を形
成した。
を収容する加熱容器（７）をその周囲に配設したヒータ
（８）により加熱してイオウ蒸気を発生させ、これを配
管（９）を介して真空槽内に導くと共に、真空槽内のＺ
ｎ、、Ｍｎをそれぞれ入れたつるぼ（２）、（４）を上
記実施例１と同様に加熱してＺｎ、Ｍｎの蒸気を噴出さ
せ、基板（５）上にＺ ｎ Ｓ ： Ｍ ｎの薄膜を形
成した。
以上のように、本発明の方法によれば、発光層を成膜す
る際、硫黄雰囲気中で母体材料を構成する金属元素及び
活性物質を蒸発させるものであるため、従来のように電
子ビームを用いる必要がなく、抵抗加熱法で加熱、蒸発
させることができる。従って、構成元素のそれぞれの蒸
発が安定して行われるため、得られる発光層の品質が安
定する。また、膜厚方向での組成の変化も少ないので、
高品質のＥＬ発光層が得られる。
る際、硫黄雰囲気中で母体材料を構成する金属元素及び
活性物質を蒸発させるものであるため、従来のように電
子ビームを用いる必要がなく、抵抗加熱法で加熱、蒸発
させることができる。従って、構成元素のそれぞれの蒸
発が安定して行われるため、得られる発光層の品質が安
定する。また、膜厚方向での組成の変化も少ないので、
高品質のＥＬ発光層が得られる。
第１図は本発明の一実施例を示す概略構成図、第２図は
本発明の他の実施例を示す概略構成図である。 １は真空槽、２〜４はるつぼ、５は基板、６゜８はヒー
タ、７は加熱容器、９は配管。 第 図 第 図
本発明の他の実施例を示す概略構成図である。 １は真空槽、２〜４はるつぼ、５は基板、６゜８はヒー
タ、７は加熱容器、９は配管。 第 図 第 図
Claims (4)
- （１）硫化物を母体材料とし、活性物質を添加した薄膜
を発光層とする薄膜ＥＬ素子において、発光層を成膜す
る際、硫黄雰囲気中で母体材料を構成する金属元素及び
活性物質を蒸発させることを特徴とする薄膜ＥＬ素子の
製造方法。 - （２）前記硫黄雰囲気の硫黄蒸気圧が１×１０＾−＾５
〜１×１０＾−＾２Ｔｏｒｒの範囲にあることを特徴と
する請求項１に記載の方法。 - （３）前記母体材料を構成する金属元素が周期表のIIａ
族に属するものであることを特徴とする請求項１又は２
に記載の方法。 - （４）前記母体材料を構成する金属元素が周期表のIIｂ
族に属するものであることを特徴とする請求項１又は２
に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2257239A JP2549319B2 (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2257239A JP2549319B2 (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04137484A true JPH04137484A (ja) | 1992-05-12 |
| JP2549319B2 JP2549319B2 (ja) | 1996-10-30 |
Family
ID=17303621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2257239A Expired - Lifetime JP2549319B2 (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2549319B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62160694A (ja) * | 1986-01-08 | 1987-07-16 | 株式会社小松製作所 | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
| JPH01206594A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-08-18 | Komatsu Ltd | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
| JPH0256897A (ja) * | 1988-08-22 | 1990-02-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蛍光体薄膜の製造方法および薄膜ｅｌ素子 |
-
1990
- 1990-09-28 JP JP2257239A patent/JP2549319B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62160694A (ja) * | 1986-01-08 | 1987-07-16 | 株式会社小松製作所 | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
| JPH01206594A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-08-18 | Komatsu Ltd | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
| JPH0256897A (ja) * | 1988-08-22 | 1990-02-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蛍光体薄膜の製造方法および薄膜ｅｌ素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2549319B2 (ja) | 1996-10-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE602005002033T2 (de) | Aufdampfen temperaturempfindlicher materialien für oled-vorrichtungen | |
| US6837939B1 (en) | Thermal physical vapor deposition source using pellets of organic material for making OLED displays | |
| US6162707A (en) | Low work function, stable thin films | |
| EP1727922A1 (en) | High thickness uniformity vaporization source | |
| JP3483719B2 (ja) | 有機材料用蒸発源及びこれを用いた有機薄膜形成装置 | |
| JPH06163157A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPH04137484A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JP2008088464A (ja) | 蒸着装置、蒸着方法および有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 | |
| JPH10335062A (ja) | 有機ｅｌ素子の製造装置および製造方法 | |
| JPH09204984A (ja) | 有機ｅｌディスプレイの製造方法 | |
| KR100465513B1 (ko) | 승화 정제 과정을 통해 예비 도핑된 고순도 유기 호스트물질 및 유기 도판트 물질 혼합물의 제조방법 및 이를이용한 유기 전계 발광 소자 | |
| JP2004164992A (ja) | 電子注入性電極の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| JPS6134890A (ja) | 電界発光薄膜形成方法 | |
| JPH06349582A (ja) | 有機薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| CN109860433B (zh) | 显示面板、其制作方法及显示装置 | |
| KR100787757B1 (ko) | 발광재료 및 이를 이용한 유기전계 발광소자 | |
| JP2001057289A (ja) | 有機ｅｌ表示装置の製造装置および製造方法 | |
| JPH05117845A (ja) | 化合物材料の成膜装置および成膜方法 | |
| JPS63915B2 (ja) | ||
| US20060172537A1 (en) | Method of forming thin film and method of fabricating OLED | |
| JP2000208256A (ja) | 有機ｅｌ表示装置の製造装置および製造方法 | |
| JPH0992167A (ja) | 蛍光面 | |
| JPH07135081A (ja) | 有機薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| KR960030746A (ko) | 청색발광용 전계발광소자(eld) 및 그 제조방법 | |
| JPH05234677A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |