JPH0413302A - トランジスタ耐圧補償回路 - Google Patents
トランジスタ耐圧補償回路Info
- Publication number
- JPH0413302A JPH0413302A JP2116200A JP11620090A JPH0413302A JP H0413302 A JPH0413302 A JP H0413302A JP 2116200 A JP2116200 A JP 2116200A JP 11620090 A JP11620090 A JP 11620090A JP H0413302 A JPH0413302 A JP H0413302A
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- JP
- Japan
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- emitter
- transistor
- collector
- terminal
- base
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- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、トランジスタを使う回路一般に利用可能なト
ランジスタ耐圧補償回路に関する。
ランジスタ耐圧補償回路に関する。
従来の技術
第2図に従来技術lこよる構成を示す。図に示すNPN
hランシスタQI2のベースを入力端子とし、コレク
タを電源端子へ、エミッタを電流源を介して接地点へ接
続し、且つ出力端子とする。
hランシスタQI2のベースを入力端子とし、コレク
タを電源端子へ、エミッタを電流源を介して接地点へ接
続し、且つ出力端子とする。
発明が解決しようとする課題
第2図において、入力端子をOvから電源電圧VCCま
で変化した場合の出力電位vEはVE=0
人力≦v、、、!時VE=VCCVBE 入
力=電源電圧時但し、電流源は最下点OVとする。
で変化した場合の出力電位vEはVE=0
人力≦v、、、!時VE=VCCVBE 入
力=電源電圧時但し、電流源は最下点OVとする。
ここで、使用するNPN トランジスタの使用限界の電
位を、コレクタ・エミッタ電圧vceとすると、電源電
圧をV。e以下としなければならない。
位を、コレクタ・エミッタ電圧vceとすると、電源電
圧をV。e以下としなければならない。
この場合、出力最大振幅は、
VCCVB[!= Vce −VIE =−・
(1)となり、使用するトランジスタの耐圧以下の出力
振幅しか得られない。
(1)となり、使用するトランジスタの耐圧以下の出力
振幅しか得られない。
本発明はこれらの課題を解決するものであり、新たなト
ランジスタのエミッタ、コレクタ耐圧補償回路を提供す
ることを目的とする。
ランジスタのエミッタ、コレクタ耐圧補償回路を提供す
ることを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は、前記のNPNトランジスタQ1のコレクタと
電源端子間にNPNトランジスタQ3を付加した構成の
トランジスタ耐圧補償回路である。
電源端子間にNPNトランジスタQ3を付加した構成の
トランジスタ耐圧補償回路である。
作用
本発明によると、電流源の損失分と、トランジスタの飽
和電圧及び、ベース・エミッタ電位の総和が、トランジ
スタのエミッタ・コレクタ耐圧に対して小さければ、電
源電圧を2つのトランジスタのエミッタ・コレクタ電圧
で分割し、耐圧以上の出力振幅を得ることができる。
和電圧及び、ベース・エミッタ電位の総和が、トランジ
スタのエミッタ・コレクタ耐圧に対して小さければ、電
源電圧を2つのトランジスタのエミッタ・コレクタ電圧
で分割し、耐圧以上の出力振幅を得ることができる。
実施例
第1図に本発明の一実施例を示す。ベースを入力端子と
するNPNトランジスタQ1のエ ミ ツタに他端を接
地した電流源■1を接続し、このコレクタにコレクタを
電源端子接続したNPNトランジスタQ3のエミッタを
接続し、このベースと電流源■2をエミッタ接続したP
NPトランジスタのコレクタを接地し、電源端子とトラ
ンジスタQ、のエミッタ間に抵抗R2,R1を接続し、
該抵抗の接続点にトランジスタQ2のベースを接続し、
トランジスタQIのエミッタを出力端子とする。入力端
子に、Ovから電源電圧VCCまでの大きさの入力電圧
を与えた場合、出力電位VOは 最下点にて V o = O−・・・t12) 最上点にて、 vo=vcc−(v^+VBE十VsAT)・・・・・
・(3)但し、V^は電流源I2の損失電圧、V B
EはトランジスタQ3のベース・エミッタ間電圧、V
SATはトランジスタQ+の飽和電圧である。
するNPNトランジスタQ1のエ ミ ツタに他端を接
地した電流源■1を接続し、このコレクタにコレクタを
電源端子接続したNPNトランジスタQ3のエミッタを
接続し、このベースと電流源■2をエミッタ接続したP
NPトランジスタのコレクタを接地し、電源端子とトラ
ンジスタQ、のエミッタ間に抵抗R2,R1を接続し、
該抵抗の接続点にトランジスタQ2のベースを接続し、
トランジスタQIのエミッタを出力端子とする。入力端
子に、Ovから電源電圧VCCまでの大きさの入力電圧
を与えた場合、出力電位VOは 最下点にて V o = O−・・・t12) 最上点にて、 vo=vcc−(v^+VBE十VsAT)・・・・・
・(3)但し、V^は電流源I2の損失電圧、V B
EはトランジスタQ3のベース・エミッタ間電圧、V
SATはトランジスタQ+の飽和電圧である。
ここで、最下点での各接続点の電位を求める。
抵抗値R1,R2をRI=R2とすると、トランジスタ
Q2のベース電圧VB2は、 (2)式を代入し、R1=R2から VB2=VCC/2 さらに、トランジスタQ3のエミッタ電圧VE3は、V
B3 ” VB2 + VBE2 VBE3但し、V
BE2はトランジスタQ2のベース・エミッタ間電圧、
VBE3はトランジスタQ3のベース・エミッタ間電圧
である。
Q2のベース電圧VB2は、 (2)式を代入し、R1=R2から VB2=VCC/2 さらに、トランジスタQ3のエミッタ電圧VE3は、V
B3 ” VB2 + VBE2 VBE3但し、V
BE2はトランジスタQ2のベース・エミッタ間電圧、
VBE3はトランジスタQ3のベース・エミッタ間電圧
である。
こコテVBE2 = VBE3とすルト・VE3=VC
C/2 が得られる。さらにトランジスタQ+、Q3の各エミッ
タ・コレクタ間電圧VCEIとVCE3はVCEI =
VCE3 = Vcc/ 2となり、電源電圧をトラ
ンジスタQ1とQ3のエミッタ・コレクタ電位で二分割
している事がわかる。
C/2 が得られる。さらにトランジスタQ+、Q3の各エミッ
タ・コレクタ間電圧VCEIとVCE3はVCEI =
VCE3 = Vcc/ 2となり、電源電圧をトラ
ンジスタQ1とQ3のエミッタ・コレクタ電位で二分割
している事がわかる。
従って、使用限界電位をvceとするとvcc = 2
Vce ・・・・・・(4)が可
能となる。
Vce ・・・・・・(4)が可
能となる。
さらに出力振幅は(2)と(3)式の電位差をΔVとお
いて(4)式を代入すると、 ΔV、=Vcc (VA+VBE十VSAT)=2V
ce (VA+VBE十VSAT)ここで出力振幅が
前に記した(1)より大きい条件を求めると 2 Vce−(VA+ VBE+ VSAT)> Vc
e −VBEvce>V^十VSAT
・・・−(5)即ち、従来例以上の出力振幅が得られ、
さらに下記のように耐圧以上の振幅が得られる。
いて(4)式を代入すると、 ΔV、=Vcc (VA+VBE十VSAT)=2V
ce (VA+VBE十VSAT)ここで出力振幅が
前に記した(1)より大きい条件を求めると 2 Vce−(VA+ VBE+ VSAT)> Vc
e −VBEvce>V^十VSAT
・・・−(5)即ち、従来例以上の出力振幅が得られ、
さらに下記のように耐圧以上の振幅が得られる。
Vce > VA+ VBE+ VSAT ・
−・・(6)発明の効果 本発明によると、耐圧以上の振幅幅を得る事が可能とな
り、特に半導体集積回路のように耐圧の制限を受ける場
合に特に有用である。
−・・(6)発明の効果 本発明によると、耐圧以上の振幅幅を得る事が可能とな
り、特に半導体集積回路のように耐圧の制限を受ける場
合に特に有用である。
第1図は本発明による耐圧補償回路図、第2図は従来回
路図である。 Ql、 Q3. Ql2・・・・・・NPNトランジス
タ、Q2・・・・・・PNP トランジスタ、II+
12.III・・・・・・定電流源。
路図である。 Ql、 Q3. Ql2・・・・・・NPNトランジス
タ、Q2・・・・・・PNP トランジスタ、II+
12.III・・・・・・定電流源。
Claims (1)
- ベースを入力端子とする第1のNPNトランジスタのエ
ミッタに他方を接地した電流源に接続し、また、この第
1のNPNトランジスタのエミッタを出力端子とし、エ
ミッタと電源端子間に第1、第2の抵抗を接続し、この
第1の抵抗と第2の抵抗の中点にコレクタを接地した、
第1のPNPトランジスタのベースを接続し、そのエミ
ッタに他方を電源端子に接続した第2の電流源に、また
接続し、この第1のPNPトランジスタのエミッタにコ
レクタを電源端子に接続した第2のNPNトランジスタ
のベースを接続し、この第2のNPNトランジスタのエ
ミッタを第1のNPNトランジスタのコレクタと接続し
たことを特徴とするトランジスタ耐圧補償回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2116200A JP2630014B2 (ja) | 1990-05-02 | 1990-05-02 | トランジスタ耐圧補償回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2116200A JP2630014B2 (ja) | 1990-05-02 | 1990-05-02 | トランジスタ耐圧補償回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0413302A true JPH0413302A (ja) | 1992-01-17 |
JP2630014B2 JP2630014B2 (ja) | 1997-07-16 |
Family
ID=14681317
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2116200A Expired - Fee Related JP2630014B2 (ja) | 1990-05-02 | 1990-05-02 | トランジスタ耐圧補償回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2630014B2 (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5941617U (ja) * | 1982-09-13 | 1984-03-17 | トヨタ自動車株式会社 | デイ−ゼル機関の渦流室構造 |
-
1990
- 1990-05-02 JP JP2116200A patent/JP2630014B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5941617U (ja) * | 1982-09-13 | 1984-03-17 | トヨタ自動車株式会社 | デイ−ゼル機関の渦流室構造 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2630014B2 (ja) | 1997-07-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |