JPH04132944A - 熱膨張係数測定方法と装置 - Google Patents

熱膨張係数測定方法と装置

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JPH04132944A
JPH04132944A JP25490690A JP25490690A JPH04132944A JP H04132944 A JPH04132944 A JP H04132944A JP 25490690 A JP25490690 A JP 25490690A JP 25490690 A JP25490690 A JP 25490690A JP H04132944 A JPH04132944 A JP H04132944A
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JP
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laser beam
sample
heating
thermal expansion
enclosure
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JP25490690A
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Ichiro Yamaguchi
一郎 山口
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RIKEN Institute of Physical and Chemical Research
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RIKEN Institute of Physical and Chemical Research
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は対象物の膨張係数を測定する装置に係るもので
ある。
従来技術 対象物の熱膨張係数(α=ΔL/ΔT−L、ここでΔL
は対象物の伸び、ΔTは温度変化分、Lは対象物のもと
の長さ)を測定する従来の装置では、長尺の対象物の一
端に鏡を取りつけ、対象物を加熱し、鏡に光を投射して
、投射光と反射光とから干渉縞をつくって対象物の伸び
をその縞の数を計数して決定していた。この場合対象物
の僅かな伸びを生じさせるにもかなり長い対象物を使用
しなければならないという問題があった。
例えば、金属の棒の1μmという僅かな伸びを温度を1
度あげて生じさせるにも1mという長い対象物を使用し
なければならない。対象物が大きくなるとこれを収容し
て測定する測定装置も大きくなり、又膨張係数の小さい
対象物については計測できる程の伸びを生じさせる試料
は大きくなり過ぎ、結局熱膨張係数を計測できないとい
う不都合も生じる。
発明が解決しようとする課題 本発明の目的は、熱膨張係数が非常に小さい試料であっ
ても長大な試料を使用せず、正確に熱膨張係数を測定出
来る熱膨張係数測定装置を提供することである。
この目的は本発明に従って、熱膨張係数を測定しようと
する対象に単色レーザービームを投射し、前記の対象に
対して対称な位置に配置した一対のイメージ・センサー
に対象物からの反射レーザービームを入射させ、加熱の
前後で移動するイメージ・センサーのスペックル模様の
移動差の差に基づいて対象物の伸びを決定する、という
ことにより達成される。対象物は包囲空間内に挿入され
、この包囲空間は真空とされ、空気のゆらぎによるレー
ザービームの動揺を排除している。この包囲体はレーザ
ーからのレーザービームを対象に照射させるレーザービ
ーム取り込み窓と、対象から反射するレーザービームを
イメージ・センサーに投射させるレーザービーム取り出
し窓とを有している。これらの窓辺外の部分は不透明と
なっていて周囲光が包囲体内空間に入らないようにして
周囲光がイメージ・センサーに入ってノイズが生じるこ
とがないようにしている。また、真空空間内で試料を加
熱するようにしているので、たとえ高温になったとして
も、試料が空気と反応して酸化し、その結果試料表面の
光学的状態が変化して、計測が不正確となるような事態
は回避されている。また、高温で試料を加熱した時試料
から発生する輻射光はイメージ・センサーに入射すると
ノイズとなるが、この輻射光は包囲体の窓にフィルタを
配することによって単色のレーザービームのみ選択して
イメージ・センサーに入射させるようにする。
実施例 第1図において、lはレーザー光を発生するレーザー、
2,3はスペックルの変化を観測するための一対のイメ
ージ・センサー、5は対象即ちサンプル4を加熱するた
めのヒーター、6,7はスペックルの移動を求めるため
の相関計、8は温度を測定するための熱電対、9はヒー
ター5を調整する温度コントローラー、10は熱膨張係
数を決定するコンピュータである。
イメージ・センサー2.3は、X−Z面内において、方
向土θ。、距離り。に、サンプル4に対して対照に配置
されている。今、サンプル4をヒーター5によって加熱
すると、サンプル4は熱によって膨張し、その形を変化
させる。この変化につれて、イメージ・センサー2.3
によって観測されるスペックル模様の位置は移動する。
このスペックル模様の位置の移動は伸び以外のファクタ
によっても生じるので、伸びによる変化のみを取り出す
必要がある。このため2つのイメージ・センサー2.3
を使用しているのである。
各イメージ・センサー2.3における、サンプル4の加
熱前後のスペックル模様の位置の移動差のX成分を、そ
れぞれAx (θ。)、Ax(−θ。)とおくと、 これらの差、ΔAxは、 ΔAx=Ax (θo)  Ax(−θ、 ) −ff
ll)〜−2ΔL/L  −L、tanθ、−−七2)
従って、伸び率ΔL/Lは、 ΔL/L=−ΔAx/2L、tanθ、 +3)となり
、熱膨張係数αは、 α=−ΔAx/2L、tanθ。・ΔT−七4)として
求められる。
第2図には、本発明の計測部の具体的な構成を示す。図
に示すように、加熱による空気の揺らぎとサンプル4の
表面酸化をなくすため、サンプル4は包囲体17の中に
配置されている。ロータリーポンプ15は包囲体17の
内部を真空にするために用いられる。この包囲体17は
透明なものでもよいが、外部からの周囲光の影響を排除
するため、レーザー光の入射路と反射路以外は不透明と
されている。このレーザーの入射路及び反射路としてガ
ラス窓11が設けられている。
サンプル4が高温になるとサンプル4から輻射光が発生
することがある。この輻射光がイメージ・センサー2.
3に入射すると、測定誤差を生じさせる。そこで包囲体
の窓にフィルタを設け、このような光を排除し、レーザ
ーlからの単色ビームの反射光のみを透過させる。
石英ロッド16を介して赤外ランプ13によってサンプ
ル4を加熱する。加熱によるスペックル模様の位置の移
動距離の測定は、2つの相関計6.7(第1図参照)に
よって行われる。相関計6.7はそれぞれ、加熱前後に
おけるサンプルのスペックル模様の位置の移動距離のX
成分、Ax(θ。) 、Ax (−θ。)を求める。こ
のX成分は加熱前後のイメージ・センサー2.3からの
出力を相関させるさせることにより求められるその後、
このAx(θo)、Ax(−〇。)を用いて熱膨張係数
αを算出する。
熱膨張係数の計算はコンピュータ10が行う。
先ず初めに、上で求めたAx (θ。)、Ax (−θ
。)の差を求める(式(1))。この差を表すΔAxは
、サンプル4のX方向における伸びΔLを示している。
この伸びを生じさせた温度変化ΔTは、熱電対8から温
度コントローラーを介してコンピュータ10へ入力され
る。こうして得られたサンプル4の伸びΔAx、温度変
化ΔT、及び既知の値であるり。tanθ。とから、式
(4)に従って、熱膨張係数がコンピュータ10によっ
て求められる。
発明の効果 本発明の装置により、微小なサンプルを用いてサンプル
の熱膨張係数を測定することが出来る。
高温でのサンプルの酸化によるサンプル表面の反射状態
の変化による誤差は、本発明の真空の包囲体17にサン
プル4を配することによって排除され、高温でも正確に
熱膨張係数を測定出来る。
6. 8 彎 9 ・ 0 ・ 1 ・ 3 ・ a 5 ・ 6 @ 7 ・ ・相関器 ・熱電対 ・温度コントローラー ・コンピュータ ・ガラス窓 ・石英ロッド ・赤外ランプ ・ファン ・真空ポンプ ・冷却水 ・包囲体
【図面の簡単な説明】
第1図は、熱膨張係数の測定原理を示す。 第2図は、本発明に従った熱膨張係数装置の計測部の具
体的な構成を示している。 ■・・・・レーザー 2.3・・イメージ壷センサー 4・・・命サンプル 5・・・・ヒーター

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 熱膨張係数を測定しようとする対象に単色レーザービー
    ムを投射するレーザー、 前記の対象に対して等距離、等角度の対称位置に配置し
    た一対のイメージ・センサー、 前記の対象を加熱する加熱手段、 前記の対象を包囲し、前記のレーザーからのレーザービ
    ームを前記の対象に照射させるレーザービーム取り込み
    部分と、前記の対象から反射するレーザービームを前記
    のイメージ・センサーに投射させるレーザービーム取り
    出し部分とを有する包囲体、 この包囲体内の空間を真空とするため包囲体に接続され
    た真空ポンプ、 前記の対象の温度を測定する温度計、 前記のイメージ・センサーに接続され各イメージ・セン
    サーの加熱前後のスペックル模様の位置の移動差を求め
    る相関決定手段、及び、 単位加熱温度当たりのスペックル模様の位置の移動差の
    差と前記の対象位置のファクタとから熱膨張係数を決定
    する演算手段、 を備えたことを特徴とする熱膨張係数測定装置。
JP25490690A 1990-09-25 1990-09-25 熱膨張係数測定方法と装置 Expired - Lifetime JPH087169B2 (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007317943A (ja) * 2006-05-26 2007-12-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd 基板および半導体装置
JP2009162562A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 National Institute For Materials Science 熱膨張係数測定方法とその装置
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CN109406564A (zh) * 2018-10-23 2019-03-01 胜科纳米(苏州)有限公司 热膨胀系数的测量装置和方法
CN111638179A (zh) * 2020-06-15 2020-09-08 南京理工大学 基于图像传感的测量固体材料热膨胀系数的装置和方法
CN113325029A (zh) * 2021-05-08 2021-08-31 上海卫星工程研究所 一种材料面二维热膨胀系数高精度测量装置及方法

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JPH087169B2 (ja) 1996-01-29

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