JPH04132216A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
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- JPH04132216A JPH04132216A JP25388390A JP25388390A JPH04132216A JP H04132216 A JPH04132216 A JP H04132216A JP 25388390 A JP25388390 A JP 25388390A JP 25388390 A JP25388390 A JP 25388390A JP H04132216 A JPH04132216 A JP H04132216A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は、熱処理装置に関する。
半導体製造工程において、例えば拡散処理には熱処理装
置が用いられる。この種の熱処理装置の一例としての縦
型熱処理炉は、例えば周囲にヒーターが配された円筒状
の、石英製反応管を備え、この反応管の蓋体上の保温筒
上に設けられたボート受は台上に載置されたボートを前
記反応管の下方の開口端側から反応管内に挿入するとと
もに、前記蓋体により反応管の開口端を閉じて、ボート
に積載された複数枚例えば１００枚の半導体ウェーハを
熱処理する。熱処理が終了したときは、反応管の前記開
口側からボートを引出す。 以上のように、熱処理工程は、半導体ウェーハを積載し
たボートを反応管の開口より反応管内に出し入れして熱
処理を行う。このため、ボートを引出したときから次に
再びボートを挿入するまでの間は、開口部付近は大気開
放となるので、反応管内の温度が低下してしまう。この
ようになると、次にボートを挿入して新たな半導体ウェ
ーハを熱処理するときに、反応管内の温度を所定温度に
するまでに時間がかかり、処理速度が遅くなってしまう
。 そこで、従来、ボートを反応管から引出したとき、次に
ボートを挿入するまでの間、反応管の開口部をシャッタ
ー板により閉じることが行われている（特公平１−５４
８５２号公報、特開平１−１７５２２８号公報等参照）
。 従来、このシャッター板は例えばＳＵＳ板のみから形成
されていた。
置が用いられる。この種の熱処理装置の一例としての縦
型熱処理炉は、例えば周囲にヒーターが配された円筒状
の、石英製反応管を備え、この反応管の蓋体上の保温筒
上に設けられたボート受は台上に載置されたボートを前
記反応管の下方の開口端側から反応管内に挿入するとと
もに、前記蓋体により反応管の開口端を閉じて、ボート
に積載された複数枚例えば１００枚の半導体ウェーハを
熱処理する。熱処理が終了したときは、反応管の前記開
口側からボートを引出す。 以上のように、熱処理工程は、半導体ウェーハを積載し
たボートを反応管の開口より反応管内に出し入れして熱
処理を行う。このため、ボートを引出したときから次に
再びボートを挿入するまでの間は、開口部付近は大気開
放となるので、反応管内の温度が低下してしまう。この
ようになると、次にボートを挿入して新たな半導体ウェ
ーハを熱処理するときに、反応管内の温度を所定温度に
するまでに時間がかかり、処理速度が遅くなってしまう
。 そこで、従来、ボートを反応管から引出したとき、次に
ボートを挿入するまでの間、反応管の開口部をシャッタ
ー板により閉じることが行われている（特公平１−５４
８５２号公報、特開平１−１７５２２８号公報等参照）
。 従来、このシャッター板は例えばＳＵＳ板のみから形成
されていた。
ところで、反応管の開口からの放熱はできるだけ少ない
ことが好ましい。ところが、従来のように単にＳＵＳ板
からなるシャッター板により反応管の開口を閉じただけ
では、この５ＬＬＳ板が加熱され、このＳＵＳ板を介し
て熱を外部の大気に放出してしまう。このため反応管内
の開口部をシャッター板により閉じているにも拘らず、
この開口部付近の温度が低下してしまう欠点があった。 この発明は、以上の点を除去した熱処理装置を提供する
ことを目的とする。
ことが好ましい。ところが、従来のように単にＳＵＳ板
からなるシャッター板により反応管の開口を閉じただけ
では、この５ＬＬＳ板が加熱され、このＳＵＳ板を介し
て熱を外部の大気に放出してしまう。このため反応管内
の開口部をシャッター板により閉じているにも拘らず、
この開口部付近の温度が低下してしまう欠点があった。 この発明は、以上の点を除去した熱処理装置を提供する
ことを目的とする。
この発明は、筒状の反応管内に、この反応管の開口端か
ら被処理体を搭載するボートを挿入、また、引出しを行
なうと共に、前記反応管内部を加熱手段により加熱して
、反応管内部に挿入された前記被処理体を熱処理する熱
処理装置において、前記反応管の開口部を閉じる板状部
材の前記反応管内部側の面上に断熱具を設けるとともに
、この断熱具は、断熱効果を発揮する内容物を別部材に
よっテ覆った構成としたことを特徴とする。
ら被処理体を搭載するボートを挿入、また、引出しを行
なうと共に、前記反応管内部を加熱手段により加熱して
、反応管内部に挿入された前記被処理体を熱処理する熱
処理装置において、前記反応管の開口部を閉じる板状部
材の前記反応管内部側の面上に断熱具を設けるとともに
、この断熱具は、断熱効果を発揮する内容物を別部材に
よっテ覆った構成としたことを特徴とする。
反応管の開口部を閉じる板状部材、例えばシャッター板
に、断熱効果を発揮する内容物を別部材によって覆った
二重構造の断熱具が設けられているので、このシャッタ
ー板の加熱量が少なくなり、このため、このシャッター
板を介して外気に放熱される熱量が少なくなり、反応管
の開口部近傍の温度の低下を防止できる。 反応管の開口部を閉じる板状部材としては、反応管の蓋
体であってもよい。
に、断熱効果を発揮する内容物を別部材によって覆った
二重構造の断熱具が設けられているので、このシャッタ
ー板の加熱量が少なくなり、このため、このシャッター
板を介して外気に放熱される熱量が少なくなり、反応管
の開口部近傍の温度の低下を防止できる。 反応管の開口部を閉じる板状部材としては、反応管の蓋
体であってもよい。
以下、この発明による熱処理装置の一実施例を縦型拡散
炉の場合を例にとって図を参照しなから説明する。 第１図において、反応管１は、例えば石英からなる内管
２と、発熱部から・のコンタミネーションを遮蔽し、か
つ、上記反応管１内を均熱状態にする例えばＳｉＣから
なる外管３との二重萱の構造とされている。そして、例
えば１（ｌｅ■の厚さのＳＵＳからなる平板状の取付支
持部４により反応管１は、図示しない支持部により支持
固定される。 この取付支持部４は、フレーム構成で強固に構成された
壁部５に取り付けられている。 シャッター板６は、ＳＵＳ板７に断熱具８が載置される
とともに、この断熱具８上にシャッター石英板９が載置
され、このシャッター石英板９がねじによりＳＵＳ板７
に対して取り付けられる。 すなわち、シャッター板６は、反応管側の表面が石英板
９として、断熱具８をＳＵＳ板７との間に挟持するサン
ドイッチ構造とされている。なお、断熱具８の周囲には
、補強部材８Ａが設けられている。 断熱具８は、この例では、第３図に示すように、例えば
石英ウールからなるブランケット８１をガラス繊維等か
らなるシリカクロス８２で全体を覆った構成とされてい
る。したがって、この例の断熱具８は弾性を有している
。また、ブランケット８１が塵となって飛散することは
、シャッター石英板９によって防止することができる。 シャッター板６は、第２図にも示すように、そのＳＵＳ
板７の裏面が例えばＳＵＳからなる取付体１０に取り付
けられるが、この場合、取付体１０に対して、スプリン
グ１１により弾性的に偏倚可能の状態でシャッター板６
が取り付けられる。 すなわち、シャッター板６のＳＵＳ板７には、例えば互
いに９０°角間隔離れた位置に、第４図に示すような棒
状部材２１が４個取り付けられ、取付体１０の一部を成
すＳＵＳ板２２は、この棒状部材２１に対し、上下方向
に移動可能な可動部材２３を介して取り付けられてい−
る。そして、それぞれ可動部材２３の外周に、ＳＵＳ板
７とＳＵＳ板２板間２間弾性的に離間させるように作用
するスプリング１１が配されている。したがって、この
スプリング１１により、シャッター板６を強く反応管１
の開口部に押し当てても、シャッター板６に設けられた
シャッター石英板９や反応管１の石英からなる内管２に
強い衝撃が加わることはなく、上記石英類の破損やチッ
ピングを防止することができる。 また、取付体１０は、エアーシリンダ機構１２のシリン
ダ軸１３に対して取り付けられ、エアーシリンダ機構１
２により、シャッター板６が上下動する。また、シャッ
ター板６は、回動機構１４によりシリンダ軸１３に対し
て、このシリンダ軸１３を中心として回動自在とされ、
図示しないモータにより回動駆動される。 次に、シャッター板６の動作について以下に説明する。 反応管１内に、複数の半導体ウェーハが積載されたボー
トが挿入され、熱処理が行われているときは、シャッタ
ー板６は第２図に示す実線位置にあって、反応管１の下
方に対して退避した位置にある。 そして、熱処理が終了したボートを反応管１から引出し
た後、回動機構１４によりシャッター板６を回動させて
、第５図に示すように、反応管１の開口の下方に持ち来
たす。その後、エアーシリンダ機構１２を作用させ、シ
ャッター板６により反応管１の開口を閉じる。このとき
、シャッター板６が反応管１の開口端面に突き当たるが
、断熱具８の弾性及びスプリング１１による弾性によっ
て緩衝される。したがって、機構的にシャッター板６が
反応管１に対して強く押さえすぎられても、反応管１や
内管２や他の機構の破損やピッチングが防止できる。 そして、反応管１の開口部がこのシャッター板６により
閉じられたときは、断熱具８によりＳＵＳ板７の加熱が
防止され、開口部付近の温度の下降を防止できる。 断熱具８は、第３図の例に限定されるものではなく、例
えば第６図の断面図に示すように、中空の内部を真空引
きした石英８３により構成することができる。つまり断
熱効果を発揮する真空雰囲気８４を、石英８３により覆
った構造とする。なお、上記石英８３の表面は、輻射熱
を反射するためにサンドブラストが施されており、また
、８５は補強部材である。 また、内部を真空にせず、１／３気圧程度の低圧もしく
は常圧にし、断熱効果を発揮する石英ウールを内容物と
して石英８３により覆う構造としてもよい。この場合に
は、シャッター板６上の石英板９を設けなくともよい。 上記石英８３からなる断熱具は、石英で周囲を完全に覆
っているので、石英ウールが飛散することがなく、この
ため、半導体ウェーハに塵が付着することがなく、半導
体素子の歩留まりを向上させることができる。 なお、以上の例ではシャッター板６に断熱具を設けた例
であるが、反応管１の蓋体又は保温筒テーブルに対して
同様の断熱具を設けることもできる。この場合に、蓋体
が反応管１の開口端に突き当たるときに、弾性的に蓋を
保持するように、蓋の取付部に同様にスプリングを設け
ることもてきる。 なお、以上の例は縦型反応炉の場合であるが、この発明
は横型反応炉にも適用可能である。 また、被処理体としては半導体ウェー八に限らないこと
は言うまでもなく、例えば被処理体は液晶基板であって
もよい。
炉の場合を例にとって図を参照しなから説明する。 第１図において、反応管１は、例えば石英からなる内管
２と、発熱部から・のコンタミネーションを遮蔽し、か
つ、上記反応管１内を均熱状態にする例えばＳｉＣから
なる外管３との二重萱の構造とされている。そして、例
えば１（ｌｅ■の厚さのＳＵＳからなる平板状の取付支
持部４により反応管１は、図示しない支持部により支持
固定される。 この取付支持部４は、フレーム構成で強固に構成された
壁部５に取り付けられている。 シャッター板６は、ＳＵＳ板７に断熱具８が載置される
とともに、この断熱具８上にシャッター石英板９が載置
され、このシャッター石英板９がねじによりＳＵＳ板７
に対して取り付けられる。 すなわち、シャッター板６は、反応管側の表面が石英板
９として、断熱具８をＳＵＳ板７との間に挟持するサン
ドイッチ構造とされている。なお、断熱具８の周囲には
、補強部材８Ａが設けられている。 断熱具８は、この例では、第３図に示すように、例えば
石英ウールからなるブランケット８１をガラス繊維等か
らなるシリカクロス８２で全体を覆った構成とされてい
る。したがって、この例の断熱具８は弾性を有している
。また、ブランケット８１が塵となって飛散することは
、シャッター石英板９によって防止することができる。 シャッター板６は、第２図にも示すように、そのＳＵＳ
板７の裏面が例えばＳＵＳからなる取付体１０に取り付
けられるが、この場合、取付体１０に対して、スプリン
グ１１により弾性的に偏倚可能の状態でシャッター板６
が取り付けられる。 すなわち、シャッター板６のＳＵＳ板７には、例えば互
いに９０°角間隔離れた位置に、第４図に示すような棒
状部材２１が４個取り付けられ、取付体１０の一部を成
すＳＵＳ板２２は、この棒状部材２１に対し、上下方向
に移動可能な可動部材２３を介して取り付けられてい−
る。そして、それぞれ可動部材２３の外周に、ＳＵＳ板
７とＳＵＳ板２板間２間弾性的に離間させるように作用
するスプリング１１が配されている。したがって、この
スプリング１１により、シャッター板６を強く反応管１
の開口部に押し当てても、シャッター板６に設けられた
シャッター石英板９や反応管１の石英からなる内管２に
強い衝撃が加わることはなく、上記石英類の破損やチッ
ピングを防止することができる。 また、取付体１０は、エアーシリンダ機構１２のシリン
ダ軸１３に対して取り付けられ、エアーシリンダ機構１
２により、シャッター板６が上下動する。また、シャッ
ター板６は、回動機構１４によりシリンダ軸１３に対し
て、このシリンダ軸１３を中心として回動自在とされ、
図示しないモータにより回動駆動される。 次に、シャッター板６の動作について以下に説明する。 反応管１内に、複数の半導体ウェーハが積載されたボー
トが挿入され、熱処理が行われているときは、シャッタ
ー板６は第２図に示す実線位置にあって、反応管１の下
方に対して退避した位置にある。 そして、熱処理が終了したボートを反応管１から引出し
た後、回動機構１４によりシャッター板６を回動させて
、第５図に示すように、反応管１の開口の下方に持ち来
たす。その後、エアーシリンダ機構１２を作用させ、シ
ャッター板６により反応管１の開口を閉じる。このとき
、シャッター板６が反応管１の開口端面に突き当たるが
、断熱具８の弾性及びスプリング１１による弾性によっ
て緩衝される。したがって、機構的にシャッター板６が
反応管１に対して強く押さえすぎられても、反応管１や
内管２や他の機構の破損やピッチングが防止できる。 そして、反応管１の開口部がこのシャッター板６により
閉じられたときは、断熱具８によりＳＵＳ板７の加熱が
防止され、開口部付近の温度の下降を防止できる。 断熱具８は、第３図の例に限定されるものではなく、例
えば第６図の断面図に示すように、中空の内部を真空引
きした石英８３により構成することができる。つまり断
熱効果を発揮する真空雰囲気８４を、石英８３により覆
った構造とする。なお、上記石英８３の表面は、輻射熱
を反射するためにサンドブラストが施されており、また
、８５は補強部材である。 また、内部を真空にせず、１／３気圧程度の低圧もしく
は常圧にし、断熱効果を発揮する石英ウールを内容物と
して石英８３により覆う構造としてもよい。この場合に
は、シャッター板６上の石英板９を設けなくともよい。 上記石英８３からなる断熱具は、石英で周囲を完全に覆
っているので、石英ウールが飛散することがなく、この
ため、半導体ウェーハに塵が付着することがなく、半導
体素子の歩留まりを向上させることができる。 なお、以上の例ではシャッター板６に断熱具を設けた例
であるが、反応管１の蓋体又は保温筒テーブルに対して
同様の断熱具を設けることもできる。この場合に、蓋体
が反応管１の開口端に突き当たるときに、弾性的に蓋を
保持するように、蓋の取付部に同様にスプリングを設け
ることもてきる。 なお、以上の例は縦型反応炉の場合であるが、この発明
は横型反応炉にも適用可能である。 また、被処理体としては半導体ウェー八に限らないこと
は言うまでもなく、例えば被処理体は液晶基板であって
もよい。
以上説明したように、この発明によれば反応管の開口部
を閉じる板状部材に断熱具を設け、かつ、この断熱具は
断熱効果を発揮する内容物を別部材によって覆った構造
としたので、断熱効果が大きく、反応管の開口部からの
放熱を防止して、この開口部付近の温度の低下を効果的
に防止できる。
を閉じる板状部材に断熱具を設け、かつ、この断熱具は
断熱効果を発揮する内容物を別部材によって覆った構造
としたので、断熱効果が大きく、反応管の開口部からの
放熱を防止して、この開口部付近の温度の低下を効果的
に防止できる。
第１図は、この発明による熱装置の一実施例の要部の断
面図、第２図は、熱処理装置のシャッター板の説明図、
第３図は、断熱具の一実施例を示す図、第４図は、スプ
リング構造の一例を示す図、第５図は、シャッター板の
動作説明図、第６図は、断熱具の他の例を示す図である
。 １；反応管 ６：シャッター板 ７、ＳＵＳ板 ８；断熱具 ９；石英板 １０；取付体 １１ニスプリング １２；エアーシリンダ機構 １４一回転機構
面図、第２図は、熱処理装置のシャッター板の説明図、
第３図は、断熱具の一実施例を示す図、第４図は、スプ
リング構造の一例を示す図、第５図は、シャッター板の
動作説明図、第６図は、断熱具の他の例を示す図である
。 １；反応管 ６：シャッター板 ７、ＳＵＳ板 ８；断熱具 ９；石英板 １０；取付体 １１ニスプリング １２；エアーシリンダ機構 １４一回転機構
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 筒状の反応管内に、この反応管の開口端から被処理体を
搭載するボートを挿入、また、引出しを行なうと共に、
前記反応管内部を加熱手段により加熱して、反応管内部
に挿入された前記被処理体を熱処理する熱処理装置にお
いて、 前記反応管の開口部を閉じる板状部材の前記反応管内部
側の面上に断熱具を設けるとともに、この断熱具は、断
熱効果を発揮する内容物を別部材によって覆った構成と
したことを特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25388390A JPH04132216A (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25388390A JPH04132216A (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | 熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04132216A true JPH04132216A (ja) | 1992-05-06 |
Family
ID=17257452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25388390A Pending JPH04132216A (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04132216A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0536830U (ja) * | 1991-10-17 | 1993-05-18 | 国際電気株式会社 | 縦型拡散装置の炉口部保温装置 |
| JPH0538873U (ja) * | 1991-10-17 | 1993-05-25 | 国際電気株式会社 | 縦型拡散装置の炉口部保温装置 |
| KR100313276B1 (ko) * | 1999-06-09 | 2001-11-05 | 윤종용 | 실리카 글래스 형성용 겔의 열처리장치 |
| KR100313275B1 (ko) * | 1999-06-09 | 2001-11-05 | 윤종용 | 실리카 글래스 형성용 겔의 열처리장치 |
| US7223458B2 (en) | 2003-04-17 | 2007-05-29 | Fujitsu Limited | Molded product including coupling component incorporated in receiving member |
| WO2020171101A1 (ja) * | 2019-02-20 | 2020-08-27 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置及び炉口閉塞ユニット及び半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-09-21 JP JP25388390A patent/JPH04132216A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0536830U (ja) * | 1991-10-17 | 1993-05-18 | 国際電気株式会社 | 縦型拡散装置の炉口部保温装置 |
| JPH0538873U (ja) * | 1991-10-17 | 1993-05-25 | 国際電気株式会社 | 縦型拡散装置の炉口部保温装置 |
| KR100313276B1 (ko) * | 1999-06-09 | 2001-11-05 | 윤종용 | 실리카 글래스 형성용 겔의 열처리장치 |
| KR100313275B1 (ko) * | 1999-06-09 | 2001-11-05 | 윤종용 | 실리카 글래스 형성용 겔의 열처리장치 |
| US7223458B2 (en) | 2003-04-17 | 2007-05-29 | Fujitsu Limited | Molded product including coupling component incorporated in receiving member |
| WO2020171101A1 (ja) * | 2019-02-20 | 2020-08-27 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置及び炉口閉塞ユニット及び半導体装置の製造方法 |
| JPWO2020171101A1 (ja) * | 2019-02-20 | 2021-10-21 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置及び炉口閉塞ユニット及び半導体装置の製造方法 |
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