JPH04129238A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH04129238A JPH04129238A JP25056090A JP25056090A JPH04129238A JP H04129238 A JPH04129238 A JP H04129238A JP 25056090 A JP25056090 A JP 25056090A JP 25056090 A JP25056090 A JP 25056090A JP H04129238 A JPH04129238 A JP H04129238A
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- Japan
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- film
- dyestuff layer
- defective
- semiconductor device
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特にウェハー状態で半導体
装置の機能をモニタするための測定用バタンに関する。
装置の機能をモニタするための測定用バタンに関する。
従来、半導体装置の機能をモニタするための測定用パタ
ンには、トランジスタの特性測定用バタン、各種導電層
のシート抵抗測定用バタン、各種導電層間の接続抵抗用
バタン等の機能測定用バタンがあるが、半導体装置の良
品、不良品及び不良モードをモニタできるバタンは作ら
れていなかった。
ンには、トランジスタの特性測定用バタン、各種導電層
のシート抵抗測定用バタン、各種導電層間の接続抵抗用
バタン等の機能測定用バタンがあるが、半導体装置の良
品、不良品及び不良モードをモニタできるバタンは作ら
れていなかった。
また、ウェハー状態で半導体チップの良品、不良品を判
断する場合は、不良品に傷をつけることによって後工程
での不良品の選別の目印とし、良品との区別を行う方法
が用いられていた。
断する場合は、不良品に傷をつけることによって後工程
での不良品の選別の目印とし、良品との区別を行う方法
が用いられていた。
モードモニタ用のバタンか形成されていない為、どの半
導体装置がどの様なモードで不良品となったかは、破壊
方式のマーキングを行うウェハー選別後では全く知るこ
とができず、各種の機能チエツクを行い莫大なデータ収
集が可能であるのにもかかわらず、良品、不良品といっ
た２分類のデータしか残らなかった。一方不良解析を行
う為には、マーキングを行なわず、ウェハー選別を行っ
た後に、再度側々の機能チエツクを行い、半導体装置を
各々について調べ直す必要がある為、多くの時間と工数
をかけなければならないといった問題点があった。
導体装置がどの様なモードで不良品となったかは、破壊
方式のマーキングを行うウェハー選別後では全く知るこ
とができず、各種の機能チエツクを行い莫大なデータ収
集が可能であるのにもかかわらず、良品、不良品といっ
た２分類のデータしか残らなかった。一方不良解析を行
う為には、マーキングを行なわず、ウェハー選別を行っ
た後に、再度側々の機能チエツクを行い、半導体装置を
各々について調べ直す必要がある為、多くの時間と工数
をかけなければならないといった問題点があった。
また、破壊方式のマーキングでは、治工具及び測定装置
の不具合の際にもマーキングが行なわれる為、ウェハー
やベレットを無駄にすることがある。また、マーキング
が薄かったり、位置によっては見ずらい場合があるため
、目視での判定が困難で、間違う場合もあり得るといっ
た問題点があった。
の不具合の際にもマーキングが行なわれる為、ウェハー
やベレットを無駄にすることがある。また、マーキング
が薄かったり、位置によっては見ずらい場合があるため
、目視での判定が困難で、間違う場合もあり得るといっ
た問題点があった。
本発明の半導体装置は、光により発色または変色する色
素層を半導体基板上のカバー膜内に設けたものである。
素層を半導体基板上のカバー膜内に設けたものである。
従ってウェハー状態での選別測定時に、良品、不良品判
定及び不良モードをこのパターンに光学的に書き込むこ
とができる。このため、従来の破壊方式のマーキング方
式ではできなかった各々の半導体装置の不良モードを、
半導体装置上に記録することも可能である。
定及び不良モードをこのパターンに光学的に書き込むこ
とができる。このため、従来の破壊方式のマーキング方
式ではできなかった各々の半導体装置の不良モードを、
半導体装置上に記録することも可能である。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。
第１図において、素子が形成さ゛れたＳｉ基板１上には
、Ｓｉｇｈ膜２を介して厚さ約１μｍのＰＳＧ膜３とプ
ラズマＣＶＤ法により形成された厚さ約０．５μｍの窒
化膜５とがカバー膜として形成されているが、このＰＳ
Ｇ膜３と窒化膜５の間には、光により発色する色素層４
が設けられている。
、Ｓｉｇｈ膜２を介して厚さ約１μｍのＰＳＧ膜３とプ
ラズマＣＶＤ法により形成された厚さ約０．５μｍの窒
化膜５とがカバー膜として形成されているが、このＰＳ
Ｇ膜３と窒化膜５の間には、光により発色する色素層４
が設けられている。
この色素層４としては、例えばトリフェニルメタンフタ
リドとビスフェノールＡとの混合物を用いる。この色素
層４に赤外線を照射することにより約９０℃以上で（１
）式による反応が起り、色素層は無色から青色に発色す
る。
リドとビスフェノールＡとの混合物を用いる。この色素
層４に赤外線を照射することにより約９０℃以上で（１
）式による反応が起り、色素層は無色から青色に発色す
る。
（トリフェニルメタンフタリド）
（ビスフェノールＡ）
Ｎ（ＣＨｌ）！
この発色反応においてビスフェノールＡは顕色剤として
使用される。ウェハー選別時にこの色素層４の部分に赤
外線ビームをあて、その発色の有無により良品、不良品
を区別することができる。
使用される。ウェハー選別時にこの色素層４の部分に赤
外線ビームをあて、その発色の有無により良品、不良品
を区別することができる。
この際赤外線ビームの大きさは、チップサイズと同等か
それ以下に絞って照射する必要がある。
それ以下に絞って照射する必要がある。
第２図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の第２の実施例の上
面図及びＡ−Ａ線断面図である。
面図及びＡ−Ａ線断面図である。
この第２の実施例も第１図に示した第１の実施例とほぼ
同様の構造であるが、ＰＳＧ膜３上の色素１’１４ Ａ
は５ｍｍＸ５ｍｍの大きさのパターンに形成されている
。この色素層４Ａはフォトリソグラフィ技術を用いて容
易に形成することができる。
同様の構造であるが、ＰＳＧ膜３上の色素１’１４ Ａ
は５ｍｍＸ５ｍｍの大きさのパターンに形成されている
。この色素層４Ａはフォトリソグラフィ技術を用いて容
易に形成することができる。
色素層４Ａとして第１の実施例で用いたトリフェニルメ
タンフタリドとビスフェノールＡを用いる。
タンフタリドとビスフェノールＡを用いる。
赤外線ビームを約２ｍｍ口に絞り、ウェハー選別中にこ
の色素層４Ａに照射することで、不良品。
の色素層４Ａに照射することで、不良品。
良品の区別と不良モードの書き込みが可能となる。
本第２の実施例における色素層のパターンでは発色部の
組合せで２’＝１６通りの不良モードを表現することが
できる。
組合せで２’＝１６通りの不良モードを表現することが
できる。
また、このモニタ用のバタンをすべての製品において、
共通の位置に形成させることによって、組立工程での良
品、不良品の自動認識が可能となるといった利点もある
。
共通の位置に形成させることによって、組立工程での良
品、不良品の自動認識が可能となるといった利点もある
。
第３図は本発明の第３の実施例の断面図である。
第３図において、素子が形成されたＳｉ基板１上には、
Ｓ ｉ Ｏ２膜２を介して厚さ約１．５μｍのＰＳＧ膜
３Ａと厚さ約０゜５μｍの窒化膜５からなるカバー膜が
形成されている。そしてこのＰＳＧ膜３Ａ中には、例え
ばＰ−Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノベンゼンジアゾニウム塩
化物からなる色素層４Ｂ、！−１２，３−ジヒドロキシ
ナフタレン−６−スルホン酸ナトリウムからなるカップ
リング層７とがポリメタクリル酸メチルからなる光分解
型高分子膜６で分割された構造で形成されている。
Ｓ ｉ Ｏ２膜２を介して厚さ約１．５μｍのＰＳＧ膜
３Ａと厚さ約０゜５μｍの窒化膜５からなるカバー膜が
形成されている。そしてこのＰＳＧ膜３Ａ中には、例え
ばＰ−Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノベンゼンジアゾニウム塩
化物からなる色素層４Ｂ、！−１２，３−ジヒドロキシ
ナフタレン−６−スルホン酸ナトリウムからなるカップ
リング層７とがポリメタクリル酸メチルからなる光分解
型高分子膜６で分割された構造で形成されている。
このように構成された第３の実施例の光分解型高分子層
６に紫外線を照射すると、光分解型高分子膜６は光分解
し、色素層４Ｂとカップリング層７を分離する膜として
の性質を失う。従って色素層４Ｂとカップリング層７と
は混合し、（２）式の反応に従って青色に発色する。
６に紫外線を照射すると、光分解型高分子膜６は光分解
し、色素層４Ｂとカップリング層７を分離する膜として
の性質を失う。従って色素層４Ｂとカップリング層７と
は混合し、（２）式の反応に従って青色に発色する。
ＯＨＯＨ・・・・・・ （２）
木簡３の実施例においても第２の実施例と同様に、良品
、不、良品の区別に加え、種々の不良モードを書き込む
ことができる。
、不、良品の区別に加え、種々の不良モードを書き込む
ことができる。
以上説明したように本発明は、半導体基板上のカバー膜
内に光により発色または変色する色素層を形成すること
により、半導体装置を破壊することなく良品、不良品の
区別及び不良モードを書き込めるので、半導体装置の不
良内容を容易に知ることができる。また不良解析の際に
も、再度テスター等を使って機能チエツクを行なわなく
ても目視で不良モードがわかるという効果もある。
内に光により発色または変色する色素層を形成すること
により、半導体装置を破壊することなく良品、不良品の
区別及び不良モードを書き込めるので、半導体装置の不
良内容を容易に知ることができる。また不良解析の際に
も、再度テスター等を使って機能チエツクを行なわなく
ても目視で不良モードがわかるという効果もある。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図、第２図（ａ）
、 （ｂ）は第２の実施例の上面図及びＡ−Ａ線断面
図、第３図は第３の実施例の断面図である。 １・・・・・・Ｓｉ基板、２・・・・・・Ｓｉｎ、膜、
３，３Ａ・・・・・・ＰＳＧ膜、４，４Ａ、４Ｂ・・・
・・・色素層、５・・・・・・窒化膜、６・・・・・・
光分解型高分子層、７・・・・・・カップリング層。 代理人 弁理士 内 原 音 声 図 力 ？ 図 党 図
、 （ｂ）は第２の実施例の上面図及びＡ−Ａ線断面
図、第３図は第３の実施例の断面図である。 １・・・・・・Ｓｉ基板、２・・・・・・Ｓｉｎ、膜、
３，３Ａ・・・・・・ＰＳＧ膜、４，４Ａ、４Ｂ・・・
・・・色素層、５・・・・・・窒化膜、６・・・・・・
光分解型高分子層、７・・・・・・カップリング層。 代理人 弁理士 内 原 音 声 図 力 ？ 図 党 図
Claims (1)
- 光により発色または変色する色素層を半導体基板上のカ
バー膜内に設けたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25056090A JPH04129238A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25056090A JPH04129238A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04129238A true JPH04129238A (ja) | 1992-04-30 |
Family
ID=17209715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25056090A Pending JPH04129238A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04129238A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109839388A (zh) * | 2017-11-29 | 2019-06-04 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子运行状态实时监控方法、晶圆监测件和监控系统 |
-
1990
- 1990-09-20 JP JP25056090A patent/JPH04129238A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109839388A (zh) * | 2017-11-29 | 2019-06-04 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子运行状态实时监控方法、晶圆监测件和监控系统 |
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