JP2000091392A - 異物・外観検査装置およびそれを用いた情報の作成方法 - Google Patents
異物・外観検査装置およびそれを用いた情報の作成方法Info
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- JP2000091392A JP2000091392A JP10260037A JP26003798A JP2000091392A JP 2000091392 A JP2000091392 A JP 2000091392A JP 10260037 A JP10260037 A JP 10260037A JP 26003798 A JP26003798 A JP 26003798A JP 2000091392 A JP2000091392 A JP 2000091392A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置を製造する際の有効な情報である
致命・非致命の判定・出力ができる異物・外観検査装置
およびそれを用いた情報の作成方法を提供する。 【解決手段】 制御系３にステージコントローラ系２が
介在されて電気的に接続されているステージ１と、ステ
ージ１にセットされているウエハ１０に光９を照射でき
るレーザ４と、ステージ１の上に配置されているレンズ
５と、レンズ５の上に配置されている光検出器６と、光
検出器６および制御系３に電気的に接続されている電気
的情報作成系７と、制御系３に電気的に接続されている
設計パターンデータ処理系８とを有するものである。
致命・非致命の判定・出力ができる異物・外観検査装置
およびそれを用いた情報の作成方法を提供する。 【解決手段】 制御系３にステージコントローラ系２が
介在されて電気的に接続されているステージ１と、ステ
ージ１にセットされているウエハ１０に光９を照射でき
るレーザ４と、ステージ１の上に配置されているレンズ
５と、レンズ５の上に配置されている光検出器６と、光
検出器６および制御系３に電気的に接続されている電気
的情報作成系７と、制御系３に電気的に接続されている
設計パターンデータ処理系８とを有するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、異物・外観検査装
置およびそれを用いた情報の作成方法に関し、特に、半
導体装置を製造する際の有効な情報である致命・非致命
の判定・出力ができる異物・外観検査装置およびそれを
用いた情報の作成方法に関するものである。
置およびそれを用いた情報の作成方法に関し、特に、半
導体装置を製造する際の有効な情報である致命・非致命
の判定・出力ができる異物・外観検査装置およびそれを
用いた情報の作成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】本発明者は、半導体装置の製造技術に使
用されている異物・外観検査装置について検討した。以
下は、本発明者によって検討された技術であり、その概
要は次のとおりである。
用されている異物・外観検査装置について検討した。以
下は、本発明者によって検討された技術であり、その概
要は次のとおりである。
【０００３】すなわち、半導体装置の製造工程に使用さ
れている異物・外観検査装置は、半導体装置の製造工程
において発生する異物（本明細書においては、欠陥をも
含まれている用語であり、異物・欠陥という用語も異物
と称している）を検査し、その情報によって、製造工程
の状態を調査するために使用されている場合がある。
れている異物・外観検査装置は、半導体装置の製造工程
において発生する異物（本明細書においては、欠陥をも
含まれている用語であり、異物・欠陥という用語も異物
と称している）を検査し、その情報によって、製造工程
の状態を調査するために使用されている場合がある。
【０００４】この場合、従来の異物・外観検査装置は、
異物のサイズ情報を獲得することができる機能を有する
ものである。
異物のサイズ情報を獲得することができる機能を有する
ものである。
【０００５】なお、異物・外観検査装置について記載さ
れている文献としては、例えば１９９７年１１月２０
日、日刊工業新聞社発行の「半導体製造装置用語辞典」
ｐ９６〜ｐ９７に記載されているものがある。
れている文献としては、例えば１９９７年１１月２０
日、日刊工業新聞社発行の「半導体製造装置用語辞典」
ｐ９６〜ｐ９７に記載されているものがある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前述した異
物・外観検査装置について、以下に記載するような機能
がないことを本発明者が見い出した。
物・外観検査装置について、以下に記載するような機能
がないことを本発明者が見い出した。
【０００７】すなわち、従来の異物・外観検査は、異物
のサイズ情報が出力可能であるが、異物の付置位置の情
報を得ることができない。
のサイズ情報が出力可能であるが、異物の付置位置の情
報を得ることができない。
【０００８】したがって、従来の異物・外観検査では、
異物とパターン（半導体装置の製造工程におけるウエハ
における半導体チップの配線パターンなどのパターン）
の位置関係を検出することができないことにより、その
異物の致命率を判定することができない。
異物とパターン（半導体装置の製造工程におけるウエハ
における半導体チップの配線パターンなどのパターン）
の位置関係を検出することができないことにより、その
異物の致命率を判定することができない。
【０００９】本発明の目的は、半導体装置を製造する際
の有効な情報である致命・非致命の判定・出力ができる
異物・外観検査装置およびそれを用いた情報の作成方法
を提供することにある。
の有効な情報である致命・非致命の判定・出力ができる
異物・外観検査装置およびそれを用いた情報の作成方法
を提供することにある。
【００１０】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１２】すなわち、（１）．本発明の異物・外観検
査装置は、制御系にステージコントローラ系が介在され
て電気的に接続されているステージと、ステージにセッ
トされているウエハに光を照射できるレーザと、ステー
ジの上に配置されているレンズと、レンズの上に配置さ
れている光検出器と、光検出器および制御系に電気的に
接続されている電気的情報作成系と、制御系に電気的に
接続されている設計パターンデータ処理系とを有するも
のである。
査装置は、制御系にステージコントローラ系が介在され
て電気的に接続されているステージと、ステージにセッ
トされているウエハに光を照射できるレーザと、ステー
ジの上に配置されているレンズと、レンズの上に配置さ
れている光検出器と、光検出器および制御系に電気的に
接続されている電気的情報作成系と、制御系に電気的に
接続されている設計パターンデータ処理系とを有するも
のである。
【００１３】（２）．本発明の異物・外観検査装置は、
制御系にステージコントローラ系が介在されて電気的に
接続されているステージと、ステージにセットされてい
るウエハに光を照射できるレーザと、ステージの上に配
置されているレンズと、レンズの上に配置されている光
検出器と、光検出器および前記制御系に電気的に接続さ
れている電気的情報作成系とを有するものである。
制御系にステージコントローラ系が介在されて電気的に
接続されているステージと、ステージにセットされてい
るウエハに光を照射できるレーザと、ステージの上に配
置されているレンズと、レンズの上に配置されている光
検出器と、光検出器および前記制御系に電気的に接続さ
れている電気的情報作成系とを有するものである。
【００１４】（３）．本発明の異物・外観検査装置を用
いた情報の作成方法は、ウエハの表面に存在する各々の
異物の位置を検査した後、各々の異物が致命としての異
物であるか非致命としての異物であるかを検査するもの
であり、少なくとも致命・非致命の判定・出力方法を有
するものである。
いた情報の作成方法は、ウエハの表面に存在する各々の
異物の位置を検査した後、各々の異物が致命としての異
物であるか非致命としての異物であるかを検査するもの
であり、少なくとも致命・非致命の判定・出力方法を有
するものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において同一機能を有するものは同一の符
号を付し、重複説明は省略する。
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において同一機能を有するものは同一の符
号を付し、重複説明は省略する。
【００１６】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１である異物・外観検査装置を示す概略構成図であ
る。
形態１である異物・外観検査装置を示す概略構成図であ
る。
【００１７】図１に示すように、本実施の形態の異物・
外観検査装置は、試料としてのウエハ１０をセットする
ステージ１が設置されており、ステージ１にはステージ
コントローラ系２が電気的に接続されており、ステージ
コントローラ系２が制御系３に電気的に接続されてい
る。
外観検査装置は、試料としてのウエハ１０をセットする
ステージ１が設置されており、ステージ１にはステージ
コントローラ系２が電気的に接続されており、ステージ
コントローラ系２が制御系３に電気的に接続されてい
る。
【００１８】また、本実施の形態の異物・外観検査装置
は、ウエハ１０に光９を照射できるレーザ４が設置され
ており、レーザ４からウエハ１０に照射された光９がウ
エハ１０によって反射された光９を調整するレンズ５
が、ステージ１の上に配置されている。また、レンズ１
の上には、光検出器６が設置されている。
は、ウエハ１０に光９を照射できるレーザ４が設置され
ており、レーザ４からウエハ１０に照射された光９がウ
エハ１０によって反射された光９を調整するレンズ５
が、ステージ１の上に配置されている。また、レンズ１
の上には、光検出器６が設置されている。
【００１９】また、本実施の形態の異物・外観検査装置
は、光検出器６に電気的に接続されている電気的情報作
成系７が設置されており、電気的情報作成系７は、制御
系３に電気的に接続されている。この場合、電気的情報
作成系７は、異物（異物・欠陥）検出処理系の機能を有
するものである。
は、光検出器６に電気的に接続されている電気的情報作
成系７が設置されており、電気的情報作成系７は、制御
系３に電気的に接続されている。この場合、電気的情報
作成系７は、異物（異物・欠陥）検出処理系の機能を有
するものである。
【００２０】また、本実施の形態の異物・外観検査装置
は、制御系３に電気的に接続されている設計パターンデ
ータ処理系８が設置されている。
は、制御系３に電気的に接続されている設計パターンデ
ータ処理系８が設置されている。
【００２１】次に、本実施の形態の異物・外観検査装置
の動作は、次の通りである。すなわち、例えば半導体装
置の配線に対応している設計パターンデータは、設計パ
ターンデータ系８に入力されて、必要な時に、設計パタ
ーンデータ系８から制御系３に送られる。
の動作は、次の通りである。すなわち、例えば半導体装
置の配線に対応している設計パターンデータは、設計パ
ターンデータ系８に入力されて、必要な時に、設計パタ
ーンデータ系８から制御系３に送られる。
【００２２】次に、ステージ１にセットされているウエ
ハ１０に、レーザ４を利用して光９を照射する。そうす
ると、ウエハ１０における半導体チップの異物に対応し
ている光９が、レンズ５を通して光検出器６に入力され
る。そして、光検出器６によって、前記光９が電気的信
号に変換されて、その電気信号が電気的情報作成系７に
入力されると、電気的情報作成系７によって、異物座標
データからなる異物検出信号に変換されて、その異物座
標データからなる異物検出信号が制御系３に入力され
る。そして、制御系３によって、異物座標データからな
る異物検出信号と設計パターンデータとの対応が行われ
て、異物がパターン上かパターン外かが検査される。
ハ１０に、レーザ４を利用して光９を照射する。そうす
ると、ウエハ１０における半導体チップの異物に対応し
ている光９が、レンズ５を通して光検出器６に入力され
る。そして、光検出器６によって、前記光９が電気的信
号に変換されて、その電気信号が電気的情報作成系７に
入力されると、電気的情報作成系７によって、異物座標
データからなる異物検出信号に変換されて、その異物座
標データからなる異物検出信号が制御系３に入力され
る。そして、制御系３によって、異物座標データからな
る異物検出信号と設計パターンデータとの対応が行われ
て、異物がパターン上かパターン外かが検査される。
【００２３】その結果、異物がパターン上にあると検査
されると、致命（不良品となる異物・欠陥）と判定され
る。また、異物がパターン外にあると検査されると、非
致命（不良品とならない異物・欠陥）と判定される。
されると、致命（不良品となる異物・欠陥）と判定され
る。また、異物がパターン外にあると検査されると、非
致命（不良品とならない異物・欠陥）と判定される。
【００２４】前述した本実施の形態の異物・外観検査装
置によれば、レーザ４とレンズ５と光検出器６とを備え
ている光学器機系に電気的に接続されている電気的情報
作成系７を備えており、電気的情報作成系７と設計パタ
ーンデータ処理系８とが、制御系３に電気的に接続され
ていることにより、設計パターンデータ処理系８から出
力できる設計パターンデータと電気情報作成系７から出
力できる異物座標データからなる異物検出信号とを比較
することができる。
置によれば、レーザ４とレンズ５と光検出器６とを備え
ている光学器機系に電気的に接続されている電気的情報
作成系７を備えており、電気的情報作成系７と設計パタ
ーンデータ処理系８とが、制御系３に電気的に接続され
ていることにより、設計パターンデータ処理系８から出
力できる設計パターンデータと電気情報作成系７から出
力できる異物座標データからなる異物検出信号とを比較
することができる。
【００２５】その結果、本実施の形態の異物・外観検査
装置によれば、異物がパターン上にあると検査される
と、致命と判定でき、異物がパターン外にあると検査さ
れると、非致命と判定できるので、各々の異物が致命の
ための異物か、非致命のための異物かという情報を得る
（獲得する）ことができるなど、種々の情報を得ること
ができる。
装置によれば、異物がパターン上にあると検査される
と、致命と判定でき、異物がパターン外にあると検査さ
れると、非致命と判定できるので、各々の異物が致命の
ための異物か、非致命のための異物かという情報を得る
（獲得する）ことができるなど、種々の情報を得ること
ができる。
【００２６】本実施の形態の異物・外観検査装置を用い
た情報の作成方法は、次の通りである。この場合、本実
施の形態の異物・外観検査装置を用いた致命・非致命の
判定・出力方法が含まれている。
た情報の作成方法は、次の通りである。この場合、本実
施の形態の異物・外観検査装置を用いた致命・非致命の
判定・出力方法が含まれている。
【００２７】まず、例えば半導体装置の配線に対応して
いる設計パターンデータを、設計パターンデータ系８に
入力し、必要な時に、設計パターンデータ系８から制御
系３に送る。
いる設計パターンデータを、設計パターンデータ系８に
入力し、必要な時に、設計パターンデータ系８から制御
系３に送る。
【００２８】この場合、図２は、ウエハ１０における各
々の半導体チップ１１の配線に対応している設計パター
ンデータ１２を示す概略平面図である。図２において、
１２ａは配線層が存在する領域のパターン（パターン
部）であり、１２ｂは第１の電極が存在する領域のパタ
ーンであり、１２ｃは第２の電極が存在する領域のパタ
ーンであり、１２ｄは前述した配線層および電極からな
る配線のパターンがない部（無パターン部であり、パタ
ーン外とも称する）である。
々の半導体チップ１１の配線に対応している設計パター
ンデータ１２を示す概略平面図である。図２において、
１２ａは配線層が存在する領域のパターン（パターン
部）であり、１２ｂは第１の電極が存在する領域のパタ
ーンであり、１２ｃは第２の電極が存在する領域のパタ
ーンであり、１２ｄは前述した配線層および電極からな
る配線のパターンがない部（無パターン部であり、パタ
ーン外とも称する）である。
【００２９】また、Ｘ1 は、第１の電極のパターン１２
ｂにおける最低座標の点におけるＸ方向の座標であり、
Ｙ1 は、第１の電極のパターン１２ｂにおける最低座標
の点におけるＹ方向の座標であり、Ｘ2 は、第１の電極
のパターン１２ｂにおける最高座標の点におけるＸ方向
の座標であり、Ｙ2 は、第１の電極のパターン１２ｂに
おける最高座標の点におけるＹ方向の座標である。
ｂにおける最低座標の点におけるＸ方向の座標であり、
Ｙ1 は、第１の電極のパターン１２ｂにおける最低座標
の点におけるＹ方向の座標であり、Ｘ2 は、第１の電極
のパターン１２ｂにおける最高座標の点におけるＸ方向
の座標であり、Ｙ2 は、第１の電極のパターン１２ｂに
おける最高座標の点におけるＹ方向の座標である。
【００３０】次に、ステージ１にセットされているウエ
ハ１０に、レーザ４を利用して光９を照射し、ウエハ１
０における半導体チップ１１の異物の位置を示す異物の
座標を検査する。
ハ１０に、レーザ４を利用して光９を照射し、ウエハ１
０における半導体チップ１１の異物の位置を示す異物の
座標を検査する。
【００３１】この場合、図３は、ウエハ１０における半
導体チップ１１の異物１１ａの位置を示す概略平面図で
ある。図３において、Ｘa は、第１の異物１１ａにおけ
るＸ方向の座標であり、Ｙa は、第１の異物１１ａにお
けるＹ方向の座標である。
導体チップ１１の異物１１ａの位置を示す概略平面図で
ある。図３において、Ｘa は、第１の異物１１ａにおけ
るＸ方向の座標であり、Ｙa は、第１の異物１１ａにお
けるＹ方向の座標である。
【００３２】次に、制御系３によって、異物座標データ
からなる異物検出信号と設計パターンデータとの対応を
行って、異物１１ａがパターン１２ａ〜１２ｃ上かパタ
ーン外１２ｄかを検査する。
からなる異物検出信号と設計パターンデータとの対応を
行って、異物１１ａがパターン１２ａ〜１２ｃ上かパタ
ーン外１２ｄかを検査する。
【００３３】そして、異物１１ａがパターン１２ａ〜１
２ｃ上にあると検査されると、致命と判定する。また、
異物１１ａがパターン外１２ｄにあると検査されると、
非致命と判定する。
２ｃ上にあると検査されると、致命と判定する。また、
異物１１ａがパターン外１２ｄにあると検査されると、
非致命と判定する。
【００３４】この場合、第１の異物１１ａの位置が、第
１の電極のパターンの内か外かを検査する場合、第１の
異物１１ａの異物座標（Ｘa ，Ｙa ）と第１の電極のパ
ターン１２ｂの座標とを比較することにより、検査操作
が行われている。すなわち、Ｘa がＸ1 よりも大きな座
標であり、Ｘ2 よりも小さな座標であるか否かの条件
と、Ｙ aがＹ1 よりも大きな座標であり、Ｙ2 よりも小
さな座標であるか否かの条件を、制御系３によって検査
することにより、第１の異物１１ａが致命としての異物
であるか非致命としての異物であるかを検査している。
１の電極のパターンの内か外かを検査する場合、第１の
異物１１ａの異物座標（Ｘa ，Ｙa ）と第１の電極のパ
ターン１２ｂの座標とを比較することにより、検査操作
が行われている。すなわち、Ｘa がＸ1 よりも大きな座
標であり、Ｘ2 よりも小さな座標であるか否かの条件
と、Ｙ aがＹ1 よりも大きな座標であり、Ｙ2 よりも小
さな座標であるか否かの条件を、制御系３によって検査
することにより、第１の異物１１ａが致命としての異物
であるか非致命としての異物であるかを検査している。
【００３５】図４は、図２と図３とを合成した図であ
り、ウエハ１０における各々の半導体チップ１１の配線
に対応している設計パターンデータ１２とウエハ１０に
おける半導体チップ１１の異物１１ａの位置とを合成し
た図である。
り、ウエハ１０における各々の半導体チップ１１の配線
に対応している設計パターンデータ１２とウエハ１０に
おける半導体チップ１１の異物１１ａの位置とを合成し
た図である。
【００３６】図４に示すように、Ｘa がＸ1 よりも大き
な座標であり、Ｘ2 よりも小さな座標であり、Ｙa がＹ
1 よりも大きな座標であり、Ｙ2 よりも小さな座標であ
ることにより、制御系３によって検査することにより、
第１の異物１１ａが致命としての異物であると検査して
いる。また、図４において、１１ｂは致命に対応する異
物（内部が黒色の円で示されている異物）を示し、１１
ｃは非致命に対応する異物（内部が白色の円で示されて
いる異物）を示している。
な座標であり、Ｘ2 よりも小さな座標であり、Ｙa がＹ
1 よりも大きな座標であり、Ｙ2 よりも小さな座標であ
ることにより、制御系３によって検査することにより、
第１の異物１１ａが致命としての異物であると検査して
いる。また、図４において、１１ｂは致命に対応する異
物（内部が黒色の円で示されている異物）を示し、１１
ｃは非致命に対応する異物（内部が白色の円で示されて
いる異物）を示している。
【００３７】前述した本実施の形態の異物・外観検査装
置を用いた情報の作成方法によれば、設計パターン情報
と異物座標情報から、各々の異物がパターン部に位置し
ているか、位置していないかが区別できることにより、
パターン部に異物が位置している場合には致命と判定で
き、パターン部に異物が位置していない場合には非致命
と判定できる。
置を用いた情報の作成方法によれば、設計パターン情報
と異物座標情報から、各々の異物がパターン部に位置し
ているか、位置していないかが区別できることにより、
パターン部に異物が位置している場合には致命と判定で
き、パターン部に異物が位置していない場合には非致命
と判定できる。
【００３８】したがって、本実施の形態の異物・外観検
査装置を用いた情報の作成方法によれば、設計パターン
情報と異物座標情報から、各々の異物のパターンに対す
る位置関係を認識できることにより、各々の異物に対応
している致命・非致命の情報を判定および出力すること
ができる。
査装置を用いた情報の作成方法によれば、設計パターン
情報と異物座標情報から、各々の異物のパターンに対す
る位置関係を認識できることにより、各々の異物に対応
している致命・非致命の情報を判定および出力すること
ができる。
【００３９】その結果、本実施の形態の異物・外観検査
装置を用いた情報の作成方法によれば、各々の異物に対
応している致命・非致命の情報を判定および出力するこ
とができることにより、各々の異物と半導体装置の各々
の製造工程における製造歩留りとの相関関係を調査する
ことができるので、半導体装置の製造歩留りを向上化す
るための情報を獲得することができる。
装置を用いた情報の作成方法によれば、各々の異物に対
応している致命・非致命の情報を判定および出力するこ
とができることにより、各々の異物と半導体装置の各々
の製造工程における製造歩留りとの相関関係を調査する
ことができるので、半導体装置の製造歩留りを向上化す
るための情報を獲得することができる。
【００４０】（実施の形態２）図５〜図８は、本発明の
実施の形態２である異物・外観検査装置を用いた情報の
作成方法により得られた情報であるウエハにおける異物
の位置を示す概略平面図である。
実施の形態２である異物・外観検査装置を用いた情報の
作成方法により得られた情報であるウエハにおける異物
の位置を示す概略平面図である。
【００４１】本実施の形態の異物・外観検査装置を用い
た情報の作成方法は、前述した実施の形態１の異物・外
観検査装置を用いて、ウエハ１０における各々の半導体
チップ１１における異物の位置を検出した後、致命・非
致命の判定・出力方法が含まれている情報の作成方法を
行っている。その後、各々の半導体チップにおける致命
に対応する異物と非致命に対応する異物とを集合化した
情報を獲得している。
た情報の作成方法は、前述した実施の形態１の異物・外
観検査装置を用いて、ウエハ１０における各々の半導体
チップ１１における異物の位置を検出した後、致命・非
致命の判定・出力方法が含まれている情報の作成方法を
行っている。その後、各々の半導体チップにおける致命
に対応する異物と非致命に対応する異物とを集合化した
情報を獲得している。
【００４２】本実施の形態の異物・外観検査装置を用い
た情報の作成方法により、図５に示すように、ウエハ１
０における異物１１ａの位置を示す図（全異物マップ表
示）からなる情報を獲得することができる。
た情報の作成方法により、図５に示すように、ウエハ１
０における異物１１ａの位置を示す図（全異物マップ表
示）からなる情報を獲得することができる。
【００４３】また、本実施の形態の異物・外観検査装置
を用いた情報の作成方法により、図６に示すように、ウ
エハ１０における致命に対応する異物１１ｂと非致命に
対応する異物１１ｃとを示す図（致命・非致命に対応す
る異物の同時マップ表示）からなる情報を獲得すること
ができる。
を用いた情報の作成方法により、図６に示すように、ウ
エハ１０における致命に対応する異物１１ｂと非致命に
対応する異物１１ｃとを示す図（致命・非致命に対応す
る異物の同時マップ表示）からなる情報を獲得すること
ができる。
【００４４】さらに、本実施の形態の異物・外観検査装
置を用いた情報の作成方法により、図７に示すように、
ウエハ１０における致命に対応する異物１１ｂのみを示
す図（致命に対応する異物のみのマップ表示）からなる
情報を獲得することができる。
置を用いた情報の作成方法により、図７に示すように、
ウエハ１０における致命に対応する異物１１ｂのみを示
す図（致命に対応する異物のみのマップ表示）からなる
情報を獲得することができる。
【００４５】さらにまた、本実施の形態の異物・外観検
査装置を用いた情報の作成方法により、図８に示すよう
に、ウエハ１０における非致命に対応する異物１１ｃの
みを示す図（非致命に対応する異物のみのマップ表示）
からなる情報を獲得することができる。
査装置を用いた情報の作成方法により、図８に示すよう
に、ウエハ１０における非致命に対応する異物１１ｃの
みを示す図（非致命に対応する異物のみのマップ表示）
からなる情報を獲得することができる。
【００４６】前述した本実施の形態の異物・外観検査装
置を用いた情報の作成方法によれば、ウエハ１０におけ
る異物１１ａの位置を示す図（全異物マップ表示）、ウ
エハ１０における致命に対応する異物１１ｂと非致命に
対応する異物１１ｃとを示す図（致命・非致命に対応す
る異物の同時マップ表示）、ウエハ１０における致命に
対応する異物１１ｂのみを示す図（致命に対応する異物
のみのマップ表示）、ウエハ１０における非致命に対応
する異物１１ｃのみを示す図（非致命に対応する異物の
みのマップ表示）からなる情報を獲得することができる
ことにより、異物の態様の情報を種々獲得することがで
きるので、各々の異物と半導体装置の各々の製造工程に
おける製造歩留りとの相関関係を調査することができる
ので、半導体装置の製造歩留りを向上化するための情報
を獲得することができる。
置を用いた情報の作成方法によれば、ウエハ１０におけ
る異物１１ａの位置を示す図（全異物マップ表示）、ウ
エハ１０における致命に対応する異物１１ｂと非致命に
対応する異物１１ｃとを示す図（致命・非致命に対応す
る異物の同時マップ表示）、ウエハ１０における致命に
対応する異物１１ｂのみを示す図（致命に対応する異物
のみのマップ表示）、ウエハ１０における非致命に対応
する異物１１ｃのみを示す図（非致命に対応する異物の
みのマップ表示）からなる情報を獲得することができる
ことにより、異物の態様の情報を種々獲得することがで
きるので、各々の異物と半導体装置の各々の製造工程に
おける製造歩留りとの相関関係を調査することができる
ので、半導体装置の製造歩留りを向上化するための情報
を獲得することができる。
【００４７】（実施の形態３）図９および図１０は、本
発明の実施の形態３である異物・外観検査装置を用いた
情報の作成方法により得られた情報である複数のウエハ
と異物の数との関係を示す図である。
発明の実施の形態３である異物・外観検査装置を用いた
情報の作成方法により得られた情報である複数のウエハ
と異物の数との関係を示す図である。
【００４８】本実施の形態の異物・外観検査装置を用い
た情報の作成方法は、前述した実施の形態１の異物・外
観検査装置を用いて、複数のウエハの各ウエハにおける
各々の半導体チップにおける異物の位置を検出した後、
致命・非致命の判定・出力方法が含まれている情報の作
成方法を行っている。その後、各々の半導体チップにお
ける致命に対応する異物と非致命に対応する異物とを集
合化した情報を獲得している。
た情報の作成方法は、前述した実施の形態１の異物・外
観検査装置を用いて、複数のウエハの各ウエハにおける
各々の半導体チップにおける異物の位置を検出した後、
致命・非致命の判定・出力方法が含まれている情報の作
成方法を行っている。その後、各々の半導体チップにお
ける致命に対応する異物と非致命に対応する異物とを集
合化した情報を獲得している。
【００４９】本実施の形態の異物・外観検査装置を用い
た情報の作成方法により、図９に示すように、複数のウ
エハにおける各ウエハにおける致命に対応する異物１１
ｂと非致命に対応する異物１１ｃとを示す図（ウエハ状
態における致命・非致命判定の時系列推移画面表示）か
らなる情報を獲得することができる。
た情報の作成方法により、図９に示すように、複数のウ
エハにおける各ウエハにおける致命に対応する異物１１
ｂと非致命に対応する異物１１ｃとを示す図（ウエハ状
態における致命・非致命判定の時系列推移画面表示）か
らなる情報を獲得することができる。
【００５０】また、本実施の形態の異物・外観検査装置
を用いた情報の作成方法により、図１０に示すように、
複数のウエハにおける各ウエハにおける致命に対応する
異物１１ｂと非致命に対応する異物１１ｃと、それらの
合計値（致命に対応する異物１１ｂと非致命に対応する
異物１１ｃとの合計値）１１ｄとを示すグラフ的な図
（ウエハ状態における致命・非致命判定の時系列推移画
面表示）からなる情報を獲得することができる。
を用いた情報の作成方法により、図１０に示すように、
複数のウエハにおける各ウエハにおける致命に対応する
異物１１ｂと非致命に対応する異物１１ｃと、それらの
合計値（致命に対応する異物１１ｂと非致命に対応する
異物１１ｃとの合計値）１１ｄとを示すグラフ的な図
（ウエハ状態における致命・非致命判定の時系列推移画
面表示）からなる情報を獲得することができる。
【００５１】前述した本実施の形態の異物・外観検査装
置を用いた情報の作成方法によれば、複数のウエハにお
ける各ウエハにおける致命に対応する異物１１ｂと非致
命に対応する異物１１ｃとを示す図（ウエハ状態におけ
る致命・非致命判定の時系列推移画面表示）および複数
のウエハにおける各ウエハにおける致命に対応する異物
１１ｂと非致命に対応する異物１１ｃと、それらの合計
値（致命に対応する異物１１ｂと非致命に対応する異物
１１ｃとの合計値）１１ｄとを示すグラフ的な図（ウエ
ハ状態における致命・非致命判定の時系列推移画面表
示）からなる情報を獲得することができることにより、
異物の時系列推移態様の情報を獲得することができるの
で、各々の異物と半導体装置の各々の製造工程における
製造歩留りとの相関関係を調査することができるので、
半導体装置の製造歩留りを向上化するための情報を獲得
することができる。
置を用いた情報の作成方法によれば、複数のウエハにお
ける各ウエハにおける致命に対応する異物１１ｂと非致
命に対応する異物１１ｃとを示す図（ウエハ状態におけ
る致命・非致命判定の時系列推移画面表示）および複数
のウエハにおける各ウエハにおける致命に対応する異物
１１ｂと非致命に対応する異物１１ｃと、それらの合計
値（致命に対応する異物１１ｂと非致命に対応する異物
１１ｃとの合計値）１１ｄとを示すグラフ的な図（ウエ
ハ状態における致命・非致命判定の時系列推移画面表
示）からなる情報を獲得することができることにより、
異物の時系列推移態様の情報を獲得することができるの
で、各々の異物と半導体装置の各々の製造工程における
製造歩留りとの相関関係を調査することができるので、
半導体装置の製造歩留りを向上化するための情報を獲得
することができる。
【００５２】（実施の形態４）図１１〜図１３は、本発
明の実施の形態４である異物・外観検査装置を用いた情
報の作成方法により得られた情報である半導体装置の各
製造工程と異物の数との関係を示す図である。
明の実施の形態４である異物・外観検査装置を用いた情
報の作成方法により得られた情報である半導体装置の各
製造工程と異物の数との関係を示す図である。
【００５３】本実施の形態の異物・外観検査装置を用い
た情報の作成方法は、前述した実施の形態１の異物・外
観検査装置を用いて、ウエハ１０における各々の半導体
チップ１１における異物の位置を検出した後、致命・非
致命の判定・出力方法が含まれている情報の作成方法を
行っている。その後、各々の半導体チップにおける致命
に対応する異物と非致命に対応する異物とを集合化した
情報を獲得している。
た情報の作成方法は、前述した実施の形態１の異物・外
観検査装置を用いて、ウエハ１０における各々の半導体
チップ１１における異物の位置を検出した後、致命・非
致命の判定・出力方法が含まれている情報の作成方法を
行っている。その後、各々の半導体チップにおける致命
に対応する異物と非致命に対応する異物とを集合化した
情報を獲得している。
【００５４】この場合、本実施の形態の異物・外観検査
装置を用いた情報の作成方法は、半導体装置の製造工程
における各製造工程の後に、行っている態様である。図
１１〜図１３において、Ａ〜Ｅは、半導体装置の製造工
程におけるウエハ処理を使用している製造工程であり、
ＡはＭＯＳＦＥＴのゲート電極の製造工程、Ｂはソース
およびドレインとしての半導体領域の製造工程、Ｃは１
層目の絶縁膜におけるスルーホールの製造工程、Ｄは１
層目の配線層の製造工程、Ｅは２層目の絶縁膜における
スルーホールの製造工程である。
装置を用いた情報の作成方法は、半導体装置の製造工程
における各製造工程の後に、行っている態様である。図
１１〜図１３において、Ａ〜Ｅは、半導体装置の製造工
程におけるウエハ処理を使用している製造工程であり、
ＡはＭＯＳＦＥＴのゲート電極の製造工程、Ｂはソース
およびドレインとしての半導体領域の製造工程、Ｃは１
層目の絶縁膜におけるスルーホールの製造工程、Ｄは１
層目の配線層の製造工程、Ｅは２層目の絶縁膜における
スルーホールの製造工程である。
【００５５】本実施の形態の異物・外観検査装置を用い
た情報の作成方法により、図１１に示すように、半導体
装置の製造工程におけるウエハ処理を使用している製造
工程Ａ〜Ｅの各々の製造工程における異物の数を示す図
（致命に対応する異物と非致命に対応する異物との合計
値を示す致命・非致命判定の製造工程追跡表示画面表
示）からなる情報を獲得することができる。
た情報の作成方法により、図１１に示すように、半導体
装置の製造工程におけるウエハ処理を使用している製造
工程Ａ〜Ｅの各々の製造工程における異物の数を示す図
（致命に対応する異物と非致命に対応する異物との合計
値を示す致命・非致命判定の製造工程追跡表示画面表
示）からなる情報を獲得することができる。
【００５６】また、本実施の形態の異物・外観検査装置
を用いた情報の作成方法により、図１２に示すように、
半導体装置の製造工程におけるウエハ処理を使用してい
る製造工程Ａ〜Ｅの各々の製造工程における非致命に対
応する異物の数を示す図（非致命に対応する異物の数を
示す非致命判定の製造工程追跡表示画面表示）からなる
情報を獲得することができる。
を用いた情報の作成方法により、図１２に示すように、
半導体装置の製造工程におけるウエハ処理を使用してい
る製造工程Ａ〜Ｅの各々の製造工程における非致命に対
応する異物の数を示す図（非致命に対応する異物の数を
示す非致命判定の製造工程追跡表示画面表示）からなる
情報を獲得することができる。
【００５７】さらに、本実施の形態の異物・外観検査装
置を用いた情報の作成方法により、図１３に示すよう
に、半導体装置の製造工程におけるウエハ処理を使用し
ている製造工程Ａ〜Ｅの各々の製造工程における致命に
対応する異物の数を示す図（致命に対応する異物の数を
示す致命判定の製造工程追跡表示画面表示）からなる情
報を獲得することができる。
置を用いた情報の作成方法により、図１３に示すよう
に、半導体装置の製造工程におけるウエハ処理を使用し
ている製造工程Ａ〜Ｅの各々の製造工程における致命に
対応する異物の数を示す図（致命に対応する異物の数を
示す致命判定の製造工程追跡表示画面表示）からなる情
報を獲得することができる。
【００５８】前述した本実施の形態の異物・外観検査装
置を用いた情報の作成方法によれば、半導体装置の製造
工程におけるウエハ処理を使用している製造工程Ａ〜Ｅ
の各々の製造工程における異物の数を示す図（致命に対
応する異物と非致命に対応する異物との合計値を示す致
命・非致命判定の製造工程追跡表示画面表示）、半導体
装置の製造工程におけるウエハ処理を使用している製造
工程Ａ〜Ｅの各々の製造工程における非致命に対応する
異物の数を示す図（非致命に対応する異物の数を示す非
致命判定の製造工程追跡表示画面表示）、半導体装置の
製造工程におけるウエハ処理を使用している製造工程Ａ
〜Ｅの各々の製造工程における致命に対応する異物の数
を示す図（致命に対応する異物の数を示す致命判定の製
造工程追跡表示画面表示）からなる情報を獲得すること
ができることにより、各々の製造工程で発生した異物の
状態および各製造工程の前と後の製造工程に発生した異
物の影響性からなる異物の態様の情報を獲得することが
できるので、各々の異物と半導体装置の各々の製造工程
における製造歩留りとの相関関係を調査することができ
るので、半導体装置の製造歩留りを向上化するための情
報を獲得することができる。
置を用いた情報の作成方法によれば、半導体装置の製造
工程におけるウエハ処理を使用している製造工程Ａ〜Ｅ
の各々の製造工程における異物の数を示す図（致命に対
応する異物と非致命に対応する異物との合計値を示す致
命・非致命判定の製造工程追跡表示画面表示）、半導体
装置の製造工程におけるウエハ処理を使用している製造
工程Ａ〜Ｅの各々の製造工程における非致命に対応する
異物の数を示す図（非致命に対応する異物の数を示す非
致命判定の製造工程追跡表示画面表示）、半導体装置の
製造工程におけるウエハ処理を使用している製造工程Ａ
〜Ｅの各々の製造工程における致命に対応する異物の数
を示す図（致命に対応する異物の数を示す致命判定の製
造工程追跡表示画面表示）からなる情報を獲得すること
ができることにより、各々の製造工程で発生した異物の
状態および各製造工程の前と後の製造工程に発生した異
物の影響性からなる異物の態様の情報を獲得することが
できるので、各々の異物と半導体装置の各々の製造工程
における製造歩留りとの相関関係を調査することができ
るので、半導体装置の製造歩留りを向上化するための情
報を獲得することができる。
【００５９】（実施の形態５）図１４は、本発明の実施
の形態５である異物・外観検査装置を示す概略構成図で
ある。
の形態５である異物・外観検査装置を示す概略構成図で
ある。
【００６０】図１４に示すように、本実施の形態の異物
・外観検査装置は、前述した実施の形態１の異物・外観
検査装置における設計パターンデータ処理系を取り除い
た態様の装置であり、それ以外の構成要素は、前述した
実施の形態１の異物・外観検査装置と同様な構成要素で
あることにより、説明を省略する。
・外観検査装置は、前述した実施の形態１の異物・外観
検査装置における設計パターンデータ処理系を取り除い
た態様の装置であり、それ以外の構成要素は、前述した
実施の形態１の異物・外観検査装置と同様な構成要素で
あることにより、説明を省略する。
【００６１】本実施の形態の異物・外観検査装置の動作
は、次の通りである。すなわち、ステージ１にセットさ
れているウエハ１０に、レーザ４を利用して光９を照射
する。そうすると、ウエハ１０における検査用の半導体
チップの異物およびパターン部に対応している光９が、
レンズ５を通して光検出器６に入力される。そして、光
検出器６によって、前記光９が電気的信号に変換され
て、その電気信号が電気的情報作成系７に入力される
と、電気的情報作成系７によって、異物およびパターン
部からなる信号に変換されて、その信号が制御系３に入
力される。そして、制御系３によって、検査用の半導体
チップに対応している信号と異物がない半導体チップに
対応している信号との比較が行われて、異物の位置と異
物がパターン上かパターン外かが検査される。
は、次の通りである。すなわち、ステージ１にセットさ
れているウエハ１０に、レーザ４を利用して光９を照射
する。そうすると、ウエハ１０における検査用の半導体
チップの異物およびパターン部に対応している光９が、
レンズ５を通して光検出器６に入力される。そして、光
検出器６によって、前記光９が電気的信号に変換され
て、その電気信号が電気的情報作成系７に入力される
と、電気的情報作成系７によって、異物およびパターン
部からなる信号に変換されて、その信号が制御系３に入
力される。そして、制御系３によって、検査用の半導体
チップに対応している信号と異物がない半導体チップに
対応している信号との比較が行われて、異物の位置と異
物がパターン上かパターン外かが検査される。
【００６２】その結果、異物がパターン上にあると検査
されると、致命と判定される。また、異物がパターン外
にあると検査されると、非致命と判定される。
されると、致命と判定される。また、異物がパターン外
にあると検査されると、非致命と判定される。
【００６３】前述した本実施の形態の異物・外観検査装
置によれば、レーザ４とレンズ５と光検出器６とを備え
ている光学器機系に電気的に接続されている電気的情報
作成系７が、制御系３に電気的に接続されていることに
より、電気情報作成系７から出力できる検査用の半導体
チップに対応している信号と異物がない半導体チップに
対応している信号との比較を行うことができる。その結
果、本実施の形態の異物・外観検査装置によれば、異物
がパターン上にあると検査されると、致命と判定でき、
異物がパターン外にあると検査されると、非致命と判定
できるので、各々の異物が致命のための異物か、非致命
のための異物かという情報を得ることができるなど、種
々の情報を得ることができる。
置によれば、レーザ４とレンズ５と光検出器６とを備え
ている光学器機系に電気的に接続されている電気的情報
作成系７が、制御系３に電気的に接続されていることに
より、電気情報作成系７から出力できる検査用の半導体
チップに対応している信号と異物がない半導体チップに
対応している信号との比較を行うことができる。その結
果、本実施の形態の異物・外観検査装置によれば、異物
がパターン上にあると検査されると、致命と判定でき、
異物がパターン外にあると検査されると、非致命と判定
できるので、各々の異物が致命のための異物か、非致命
のための異物かという情報を得ることができるなど、種
々の情報を得ることができる。
【００６４】本実施の形態の異物・外観検査装置を用い
た情報の作成方法は、次の通りである。この場合、本実
施の形態の異物・外観検査装置を用いた致命・非致命の
判定・出力方法が含まれている。
た情報の作成方法は、次の通りである。この場合、本実
施の形態の異物・外観検査装置を用いた致命・非致命の
判定・出力方法が含まれている。
【００６５】まず、ステージ１にセットされているウエ
ハ１０に、レーザ４を利用して光９を照射し、ウエハ１
０における検査用の半導体チップ１１のパターンおよび
異物の位置に対応する信号を検査する。
ハ１０に、レーザ４を利用して光９を照射し、ウエハ１
０における検査用の半導体チップ１１のパターンおよび
異物の位置に対応する信号を検査する。
【００６６】この場合、図１５は、ウエハ１０における
検査用の半導体チップ１１の配線におけるパターン１１
ｅ〜１１ｇおよび異物１１ａを示す概略平面図である。
パターン１１ｅは配線層が存在する領域のパターン（パ
ターン部）であり、パターン１１ｆは第１の電極が存在
する領域のパターンであり、パターン１１ｇは第２の電
極が存在する領域のパターンであり、パターン１１ｈは
前述した配線層および電極からなる配線のパターンがな
い部（無パターン部であり、パターン外とも称する）で
ある。
検査用の半導体チップ１１の配線におけるパターン１１
ｅ〜１１ｇおよび異物１１ａを示す概略平面図である。
パターン１１ｅは配線層が存在する領域のパターン（パ
ターン部）であり、パターン１１ｆは第１の電極が存在
する領域のパターンであり、パターン１１ｇは第２の電
極が存在する領域のパターンであり、パターン１１ｈは
前述した配線層および電極からなる配線のパターンがな
い部（無パターン部であり、パターン外とも称する）で
ある。
【００６７】また、位置と信号との関係を示す図は、異
物１１ａが存在する第１の電極のパターンが含まれてい
るＸ方向の半導体チップ１１の位置と信号との関係を示
している図である。この場合、信号における長方形の領
域は、第１の電極のパターンに対応している信号であ
り、その長方形の領域に対応している信号における上方
に延長されている三角形の領域は、第１の電極のパター
ンに存在している異物１１ａに対応している信号であ
る。
物１１ａが存在する第１の電極のパターンが含まれてい
るＸ方向の半導体チップ１１の位置と信号との関係を示
している図である。この場合、信号における長方形の領
域は、第１の電極のパターンに対応している信号であ
り、その長方形の領域に対応している信号における上方
に延長されている三角形の領域は、第１の電極のパター
ンに存在している異物１１ａに対応している信号であ
る。
【００６８】次に、制御系３に、ウエハ１０における半
導体チップ１１における異物がない半導体チップ１１の
パターンに対応する信号を入力する。なお、ウエハ１０
における半導体チップ１１における異物がない半導体チ
ップ１１のパターンに対応する信号は、図１５に示され
ている半導体チップ１１の隣接の半導体チップのパター
ンに対応する信号を適用することができる。
導体チップ１１における異物がない半導体チップ１１の
パターンに対応する信号を入力する。なお、ウエハ１０
における半導体チップ１１における異物がない半導体チ
ップ１１のパターンに対応する信号は、図１５に示され
ている半導体チップ１１の隣接の半導体チップのパター
ンに対応する信号を適用することができる。
【００６９】この場合、図１６は、ウエハ１０における
半導体チップ１１における異物がない半導体チップ１１
のパターンを示す概略平面図である。
半導体チップ１１における異物がない半導体チップ１１
のパターンを示す概略平面図である。
【００７０】また、位置と信号との関係を示す図は、第
１の電極のパターンが含まれているＸ方向の半導体チッ
プ１１の位置と信号との関係を示している図である。こ
の場合、信号における長方形の領域は、第１の電極のパ
ターンに対応している信号である。
１の電極のパターンが含まれているＸ方向の半導体チッ
プ１１の位置と信号との関係を示している図である。こ
の場合、信号における長方形の領域は、第１の電極のパ
ターンに対応している信号である。
【００７１】次に、制御系３によって、検査用の半導体
チップ１１に対応する信号と異物がない半導体チップ１
１に対応する信号とを比較して、異物１１ａの位置を検
査する。
チップ１１に対応する信号と異物がない半導体チップ１
１に対応する信号とを比較して、異物１１ａの位置を検
査する。
【００７２】この場合、図１７は、検査用の半導体チッ
プ１１に対応する信号と異物がない半導体チップ１１に
対応する信号とを比較して、検査された異物１１ａの位
置を示す概略平面図である。
プ１１に対応する信号と異物がない半導体チップ１１に
対応する信号とを比較して、検査された異物１１ａの位
置を示す概略平面図である。
【００７３】その後、制御系３によって、異物１１ａお
よびパターン１１ｅ〜１１ｇならびにパターン外１１ｈ
に対応している信号を利用して、異物１１ａがパターン
１１ｅ〜１１ｆ上かパターン外１１ｈかを検査する。
よびパターン１１ｅ〜１１ｇならびにパターン外１１ｈ
に対応している信号を利用して、異物１１ａがパターン
１１ｅ〜１１ｆ上かパターン外１１ｈかを検査する。
【００７４】そして、異物１１ａがパターン１１ｅ〜１
１ｆ上にあると検査されると、致命と判定する。また、
異物１１ａがパターン外１１ｈにあると検査されると、
非致命と判定する。
１ｆ上にあると検査されると、致命と判定する。また、
異物１１ａがパターン外１１ｈにあると検査されると、
非致命と判定する。
【００７５】この場合、異物１１ａがパターン１１ｅ〜
１１ｆ上にある場合は、異物１１ａの信号にパターン部
の最低値の信号が付着されていることにより、異物１１
ａがパターン１１ｅ〜１１ｆ上にあると検査できて、致
命と判定することができる。また、異物１１ａがパター
ン外１１ｈにある場合は、異物１１ａの信号にパターン
部の最低値の信号が付着されていないことにより、異物
１１ａがパターン外１１ｈ（パターン１１ｅ〜１１ｆ
外）にあると検査できて、非致命と判定することができ
る。
１１ｆ上にある場合は、異物１１ａの信号にパターン部
の最低値の信号が付着されていることにより、異物１１
ａがパターン１１ｅ〜１１ｆ上にあると検査できて、致
命と判定することができる。また、異物１１ａがパター
ン外１１ｈにある場合は、異物１１ａの信号にパターン
部の最低値の信号が付着されていないことにより、異物
１１ａがパターン外１１ｈ（パターン１１ｅ〜１１ｆ
外）にあると検査できて、非致命と判定することができ
る。
【００７６】図１８は、検査用の半導体チップ１１にお
ける致命に対応する異物（内部が黒色の円で示されてい
る異物）１１ｂおよび非致命に対応する異物（内部が白
色の円で示されている異物）１１ｃを示す概略平面図で
ある。
ける致命に対応する異物（内部が黒色の円で示されてい
る異物）１１ｂおよび非致命に対応する異物（内部が白
色の円で示されている異物）１１ｃを示す概略平面図で
ある。
【００７７】前述した本実施の形態の異物・外観検査装
置を用いた情報の作成方法によれば、検査用の半導体チ
ップに対応している信号と異物がない半導体チップに対
応している信号から、検査用の半導体チップにおける各
々の異物がパターン部に位置しているか、位置していな
いかが区別できることにより、パターン部に異物が位置
している場合には致命と判定でき、パターン部に異物が
位置していない場合には非致命と判定できる。
置を用いた情報の作成方法によれば、検査用の半導体チ
ップに対応している信号と異物がない半導体チップに対
応している信号から、検査用の半導体チップにおける各
々の異物がパターン部に位置しているか、位置していな
いかが区別できることにより、パターン部に異物が位置
している場合には致命と判定でき、パターン部に異物が
位置していない場合には非致命と判定できる。
【００７８】したがって、本実施の形態の異物・外観検
査装置を用いた情報の作成方法によれば、前述した実施
の形態１の異物・外観検査装置を用いた情報の作成方法
と同様な効果を得ることができる。
査装置を用いた情報の作成方法によれば、前述した実施
の形態１の異物・外観検査装置を用いた情報の作成方法
と同様な効果を得ることができる。
【００７９】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。
【００８０】例えば、本発明の異物・外観検査装置およ
びそれを用いた情報の作成方法に使用されるウエハにお
ける半導体チップとして、種々の半導体集積回路装置チ
ップを適用でき、その半導体チップに形成されている半
導体素子として、ＭＯＳＦＥＴ、ＣＭＯＳＦＥＴまたは
バイポーラトランジスタあるいはそれらを組み合わせた
半導体素子とすることができ、ＭＯＳ型、ＣＭＯＳ型、
ＢｉＭＯＳ型またはＢｉＣＭＯＳ型の半導体集積回路装
置に適用できる。
びそれを用いた情報の作成方法に使用されるウエハにお
ける半導体チップとして、種々の半導体集積回路装置チ
ップを適用でき、その半導体チップに形成されている半
導体素子として、ＭＯＳＦＥＴ、ＣＭＯＳＦＥＴまたは
バイポーラトランジスタあるいはそれらを組み合わせた
半導体素子とすることができ、ＭＯＳ型、ＣＭＯＳ型、
ＢｉＭＯＳ型またはＢｉＣＭＯＳ型の半導体集積回路装
置に適用できる。
【００８１】また、本発明の異物・外観検査装置および
それを用いた情報の作成方法に使用されるウエハにおけ
る半導体チップからなる半導体装置として、ＭＯＳＦＥ
Ｔ、ＣＭＯＳＦＥＴ、ＢｉＭＯＳＦＥＴ、ＢｉＣＭＯＳ
ＦＥＴなどを構成要素とするロジック系あるいはＳＲＡ
Ｍ（Static Random Access Memory ）、ＤＲＡＭ（Dyn
amic Random Access Memory）などのメモリ系などを有
する種々の半導体集積回路装置が適用できる。
それを用いた情報の作成方法に使用されるウエハにおけ
る半導体チップからなる半導体装置として、ＭＯＳＦＥ
Ｔ、ＣＭＯＳＦＥＴ、ＢｉＭＯＳＦＥＴ、ＢｉＣＭＯＳ
ＦＥＴなどを構成要素とするロジック系あるいはＳＲＡ
Ｍ（Static Random Access Memory ）、ＤＲＡＭ（Dyn
amic Random Access Memory）などのメモリ系などを有
する種々の半導体集積回路装置が適用できる。
【００８２】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００８３】（１）．本発明の異物・外観検査装置によ
れば、レーザとレンズと光検出器とを備えている光学器
機系に電気的に接続されている電気的情報作成系と設計
パターンデータ処理系とが、制御系に電気的に接続され
ていることにより、設計パターンデータ処理系から出力
できる設計パターンデータと電気情報作成系から出力で
きる異物座標データからなる異物検出信号とを比較する
ことができる。その結果、本実施の形態の異物・外観検
査装置によれば、異物がパターン上にあると検査される
と、致命と判定でき、異物がパターン外にあると検査さ
れると、非致命と判定できるので、各々の異物が致命の
ための異物か、非致命のための異物かという情報を得る
ことができるなど、種々の情報を得ることができる。
れば、レーザとレンズと光検出器とを備えている光学器
機系に電気的に接続されている電気的情報作成系と設計
パターンデータ処理系とが、制御系に電気的に接続され
ていることにより、設計パターンデータ処理系から出力
できる設計パターンデータと電気情報作成系から出力で
きる異物座標データからなる異物検出信号とを比較する
ことができる。その結果、本実施の形態の異物・外観検
査装置によれば、異物がパターン上にあると検査される
と、致命と判定でき、異物がパターン外にあると検査さ
れると、非致命と判定できるので、各々の異物が致命の
ための異物か、非致命のための異物かという情報を得る
ことができるなど、種々の情報を得ることができる。
【００８４】（２）．本発明の異物・外観検査装置によ
れば、レーザとレンズと光検出器とを備えている光学器
機系に電気的に接続されている電気的情報作成系が、制
御系に電気的に接続されていることにより、電気情報作
成系から出力できる検査用の半導体チップに対応してい
る信号と異物がない半導体チップに対応している信号と
の比較を行うことができる。その結果、本発明の異物・
外観検査装置によれば、異物がパターン上にあると検査
されると、致命と判定でき、異物がパターン外にあると
検査されると、非致命と判定できるので、各々の異物が
致命のための異物か、非致命のための異物かという情報
を得ることができるなど、種々の情報を得ることができ
る。
れば、レーザとレンズと光検出器とを備えている光学器
機系に電気的に接続されている電気的情報作成系が、制
御系に電気的に接続されていることにより、電気情報作
成系から出力できる検査用の半導体チップに対応してい
る信号と異物がない半導体チップに対応している信号と
の比較を行うことができる。その結果、本発明の異物・
外観検査装置によれば、異物がパターン上にあると検査
されると、致命と判定でき、異物がパターン外にあると
検査されると、非致命と判定できるので、各々の異物が
致命のための異物か、非致命のための異物かという情報
を得ることができるなど、種々の情報を得ることができ
る。
【００８５】（３）．本発明の異物・外観検査装置を用
いた情報の作成方法によれば、設計パターン情報と異物
座標情報から、各々の異物がパターン部に位置している
か、位置していないかが区別できることにより、パター
ン部に異物が位置している場合には致命と判定でき、パ
ターン部に異物が位置していない場合には非致命と判定
できる。
いた情報の作成方法によれば、設計パターン情報と異物
座標情報から、各々の異物がパターン部に位置している
か、位置していないかが区別できることにより、パター
ン部に異物が位置している場合には致命と判定でき、パ
ターン部に異物が位置していない場合には非致命と判定
できる。
【００８６】したがって、本発明の異物・外観検査装置
を用いた情報の作成方法によれば、設計パターン情報と
異物座標情報から、各々の異物のパターンに対する位置
関係を認識できることにより、各々の異物に対応してい
る致命・非致命の情報を判定および出力することができ
る。
を用いた情報の作成方法によれば、設計パターン情報と
異物座標情報から、各々の異物のパターンに対する位置
関係を認識できることにより、各々の異物に対応してい
る致命・非致命の情報を判定および出力することができ
る。
【００８７】その結果、本発明の異物・外観検査装置を
用いた情報の作成方法によれば、各々の異物に対応して
いる致命・非致命の情報を判定および出力することがで
きることにより、各々の異物と半導体装置の各々の製造
工程における製造歩留りとの相関関係を調査することが
できるので、半導体装置の製造歩留りを向上化するため
の情報を獲得することができる。
用いた情報の作成方法によれば、各々の異物に対応して
いる致命・非致命の情報を判定および出力することがで
きることにより、各々の異物と半導体装置の各々の製造
工程における製造歩留りとの相関関係を調査することが
できるので、半導体装置の製造歩留りを向上化するため
の情報を獲得することができる。
【００８８】（４）．本発明の異物・外観検査装置を用
いた情報の作成方法によれば、検査用の半導体チップに
対応している信号と異物がない半導体チップに対応して
いる信号から、検査用の半導体チップにおける各々の異
物がパターン部に位置しているか、位置していないかが
区別できることにより、パターン部に異物が位置してい
る場合には致命と判定でき、パターン部に異物が位置し
ていない場合には非致命と判定できる。
いた情報の作成方法によれば、検査用の半導体チップに
対応している信号と異物がない半導体チップに対応して
いる信号から、検査用の半導体チップにおける各々の異
物がパターン部に位置しているか、位置していないかが
区別できることにより、パターン部に異物が位置してい
る場合には致命と判定でき、パターン部に異物が位置し
ていない場合には非致命と判定できる。
【００８９】（５）．本発明の異物・外観検査装置を用
いた情報の作成方法によれば、ウエハにおける異物の位
置を示す図（全異物マップ表示）、ウエハにおける致命
に対応する異物と非致命に対応する異物とを示す図（致
命・非致命に対応する異物の同時マップ表示）、ウエハ
における致命に対応する異物のみを示す図（致命に対応
する異物のみのマップ表示）、ウエハにおける非致命に
対応する異物のみを示す図（非致命に対応する異物のみ
のマップ表示）からなる情報を獲得することができるこ
とにより、異物の態様の情報を種々獲得することができ
るので、各々の異物と半導体装置の各々の製造工程にお
ける製造歩留りとの相関関係を調査することができるの
で、半導体装置の製造歩留りを向上化するための情報を
獲得することができる。
いた情報の作成方法によれば、ウエハにおける異物の位
置を示す図（全異物マップ表示）、ウエハにおける致命
に対応する異物と非致命に対応する異物とを示す図（致
命・非致命に対応する異物の同時マップ表示）、ウエハ
における致命に対応する異物のみを示す図（致命に対応
する異物のみのマップ表示）、ウエハにおける非致命に
対応する異物のみを示す図（非致命に対応する異物のみ
のマップ表示）からなる情報を獲得することができるこ
とにより、異物の態様の情報を種々獲得することができ
るので、各々の異物と半導体装置の各々の製造工程にお
ける製造歩留りとの相関関係を調査することができるの
で、半導体装置の製造歩留りを向上化するための情報を
獲得することができる。
【図１】本発明の実施の形態１である異物・外観検査装
置を示す概略構成図である。
置を示す概略構成図である。
【図２】ウエハにおける各々の半導体チップの配線に対
応している設計パターンデータを示す概略平面図であ
る。
応している設計パターンデータを示す概略平面図であ
る。
【図３】ウエハにおける半導体チップの異物の位置を示
す概略平面図である。
す概略平面図である。
【図４】図２と図３とを合成した図である。
【図５】本発明の実施の形態２である異物・外観検査装
置を用いた情報の作成方法により得られた情報であるウ
エハにおける異物の位置を示す概略平面図である。
置を用いた情報の作成方法により得られた情報であるウ
エハにおける異物の位置を示す概略平面図である。
【図６】本発明の実施の形態２である異物・外観検査装
置を用いた情報の作成方法により得られた情報であるウ
エハにおける異物の位置を示す概略平面図である。
置を用いた情報の作成方法により得られた情報であるウ
エハにおける異物の位置を示す概略平面図である。
【図７】本発明の実施の形態２である異物・外観検査装
置を用いた情報の作成方法により得られた情報であるウ
エハにおける異物の位置を示す概略平面図である。
置を用いた情報の作成方法により得られた情報であるウ
エハにおける異物の位置を示す概略平面図である。
【図８】本発明の実施の形態２である異物・外観検査装
置を用いた情報の作成方法により得られた情報であるウ
エハにおける異物の位置を示す概略平面図である。
置を用いた情報の作成方法により得られた情報であるウ
エハにおける異物の位置を示す概略平面図である。
【図９】本発明の実施の形態３である異物・外観検査装
置を用いた情報の作成方法により得られた情報である複
数のウエハと異物の数との関係を示す図である。
置を用いた情報の作成方法により得られた情報である複
数のウエハと異物の数との関係を示す図である。
【図１０】本発明の実施の形態３である異物・外観検査
装置を用いた情報の作成方法により得られた情報である
複数のウエハと異物の数との関係を示す図である。
装置を用いた情報の作成方法により得られた情報である
複数のウエハと異物の数との関係を示す図である。
【図１１】本発明の実施の形態４である異物・外観検査
装置を用いた情報の作成方法により得られた情報である
半導体装置の各製造工程と異物の数との関係を示す図で
ある。
装置を用いた情報の作成方法により得られた情報である
半導体装置の各製造工程と異物の数との関係を示す図で
ある。
【図１２】本発明の実施の形態４である異物・外観検査
装置を用いた情報の作成方法により得られた情報である
半導体装置の各製造工程と異物の数との関係を示す図で
ある。
装置を用いた情報の作成方法により得られた情報である
半導体装置の各製造工程と異物の数との関係を示す図で
ある。
【図１３】本発明の実施の形態４である異物・外観検査
装置を用いた情報の作成方法により得られた情報である
半導体装置の各製造工程と異物の数との関係を示す図で
ある。
装置を用いた情報の作成方法により得られた情報である
半導体装置の各製造工程と異物の数との関係を示す図で
ある。
【図１４】本発明の実施の形態５である異物・外観検査
装置を示す概略構成図である。
装置を示す概略構成図である。
【図１５】ウエハにおける検査用の半導体チップの配線
におけるパターンおよび異物を示す概略平面図である。
におけるパターンおよび異物を示す概略平面図である。
【図１６】ウエハにおける半導体チップにおける異物が
ない半導体チップのパターンを示す概略平面図である。
ない半導体チップのパターンを示す概略平面図である。
【図１７】検査用の半導体チップに対応する信号と異物
がない半導体チップに対応する信号とを比較して、検査
された異物の位置を示す概略平面図である。
がない半導体チップに対応する信号とを比較して、検査
された異物の位置を示す概略平面図である。
【図１８】検査用の半導体チップにおける致命に対応す
る異物および非致命に対応する異物を示す概略平面図で
ある。
る異物および非致命に対応する異物を示す概略平面図で
ある。
１ ステージ ２ ステージコントローラ系 ３ 制御系 ４ レーザ ５ レンズ ６ 光検出器 ７ 電気的情報作成系 ８ 設計パターンデータ処理系 ９ 光 １０ ウエハ １１ 半導体チップ １１ａ 異物 １１ｂ 致命に対応する異物 １１ｃ 非致命に対応する異物 １１ｄ 致命に対応する異物と非致命に対応する異物と
の合計値 １１ｅ 配線層が存在する領域のパターン １１ｆ 第１の電極が存在する領域のパターン １１ｇ 第２の電極が存在する領域のパターン １１ｈ 配線のパターンがない部（パターン外） １２ 設計パターンデータ １２ａ 配線層が存在する領域のパターン １２ｂ 第１の電極が存在する領域のパターン １２ｃ 第２の電極が存在する領域のパターン １２ｄ 配線のパターンがない部（パターン外） Ｘ1 第１の電極のパターンにおける最低座標の点にお
けるＸ方向の座標 Ｙ1 第１の電極のパターンにおける最低座標の点にお
けるＹ方向の座標 Ｘ2 第１の電極のパターンにおける最高座標の点にお
けるＸ方向の座標 Ｙ2 第１の電極のパターンにおける最高座標の点にお
けるＹ方向の座標 Ｘa 第１の異物におけるＸ方向の座標 Ｙa 第１の異物におけるＹ方向の座標
の合計値 １１ｅ 配線層が存在する領域のパターン １１ｆ 第１の電極が存在する領域のパターン １１ｇ 第２の電極が存在する領域のパターン １１ｈ 配線のパターンがない部（パターン外） １２ 設計パターンデータ １２ａ 配線層が存在する領域のパターン １２ｂ 第１の電極が存在する領域のパターン １２ｃ 第２の電極が存在する領域のパターン １２ｄ 配線のパターンがない部（パターン外） Ｘ1 第１の電極のパターンにおける最低座標の点にお
けるＸ方向の座標 Ｙ1 第１の電極のパターンにおける最低座標の点にお
けるＹ方向の座標 Ｘ2 第１の電極のパターンにおける最高座標の点にお
けるＸ方向の座標 Ｙ2 第１の電極のパターンにおける最高座標の点にお
けるＹ方向の座標 Ｘa 第１の異物におけるＸ方向の座標 Ｙa 第１の異物におけるＹ方向の座標
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G051 AA51 AB01 AB02 BA10 CA01 CB05 DA07 EA11 EA12 EB09 EC02 FA01 4M106 AA01 AA02 AA20 AB01 AB06 AB07 BA05 CA42 CA50 CA70 DA15 DB02 DB08 DB11 DJ27 DJ28 DJ38
Claims (9)
- 【請求項１】 制御系にステージコントローラ系が介在
されて電気的に接続されているステージと、前記ステー
ジにセットされているウエハに光を照射できるレーザ
と、前記ステージの上に配置されているレンズと、前記
レンズの上に配置されている光検出器と、前記光検出器
および前記制御系に電気的に接続されている電気的情報
作成系と、前記制御系に電気的に接続されている設計パ
ターンデータ処理系とを有することを特徴とする異物・
外観検査装置。 - 【請求項２】 制御系にステージコントローラ系が介在
されて電気的に接続されているステージと、前記ステー
ジにセットされているウエハに光を照射できるレーザ
と、前記ステージの上に配置されているレンズと、前記
レンズの上に配置されている光検出器と、前記光検出器
および前記制御系に電気的に接続されている電気的情報
作成系とを有することを特徴とする異物・外観検査装
置。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の異物・外観検査
装置を用いた情報の作成方法であって、ウエハの表面に
存在する各々の異物の位置を検査した後、各々の異物が
致命としての異物であるか非致命としての異物であるか
を検査することを特徴とする情報の作成方法。 - 【請求項４】 請求項３の情報の作成方法であって、致
命および非致命の判定方法と出力方法を有することを特
徴とする情報の作成方法。 - 【請求項５】 請求項３または４記載の情報の作成方法
であって、設計パターンデータを、設計パターンデータ
系に入力し、必要な時に、設計パターンデータ系から制
御系に送る工程と、 ステージにセットされているウエハに、レーザを利用し
て光を照射し、前記ウエハにおける半導体チップの異物
の位置を示す異物の座標を検査する工程と、 制御系によって、異物座標データからなる異物検出信号
と設計パターンデータとの対応を行って、前記異物がパ
ターン上かパターン外かを検査し、前記異物が前記パタ
ーン上にあると検査されると、致命と判定し、前記異物
が前記パターン外にあると検査されると、非致命と判定
する工程とを有することを特徴とする情報の作成方法。 - 【請求項６】 請求項３または４記載の情報の作成方法
であって、ステージにセットされているウエハに、レー
ザを利用して光を照射し、前記ウエハにおける検査用の
半導体チップのパターンおよび異物の位置に対応する信
号を検査する工程と、 制御系に、前記ウエハにおける半導体チップにおける異
物がない半導体チップのパターンに対応する信号を入力
する工程と、 制御系によって、検査用の半導体チップに対応する信号
と異物がない半導体チップに対応する信号とを比較し
て、異物の位置を検査する工程と、 制御系によって、前記異物および前記パターンに対応し
ている信号を利用して、前記異物がパターン上かパター
ン外かを検査し、前記異物がパターン上にあると検査さ
れると、致命と判定し、前記異物がパターン外にあると
検査されると、非致命と判定する工程とを有することを
特徴とする情報の作成方法。 - 【請求項７】 請求項１または２記載の異物・外観検査
装置を用いた情報の作成方法であって、ウエハにおける
異物の位置を示す図である全異物マップ表示、致命・非
致命に対応する異物の同時マップ表示、致命に対応する
異物のみのマップ表示、非致命に対応する異物のみのマ
ップ表示からなる情報を獲得することを特徴とする情報
の作成方法。 - 【請求項８】 請求項１または２記載の異物・外観検査
装置を用いた情報の作成方法であって、複数のウエハに
おける各ウエハにおける致命に対応する異物と非致命に
対応する異物とを示す図からなるウエハ状態における致
命・非致命判定の時系列推移画面表示および複数のウエ
ハにおける各ウエハにおける致命に対応する異物と非致
命に対応する異物とそれらの合計値とを示すグラフ的な
図であるウエハ状態における致命・非致命判定の時系列
推移画面表示からなる情報を獲得することを特徴とする
情報の作成方法。 - 【請求項９】 請求項１または２記載の異物・外観検査
装置を用いた情報の作成方法であって、半導体装置の製
造工程におけるウエハ処理を使用している製造工程の各
々の製造工程における異物の数を示す図からなる致命に
対応する異物と非致命に対応する異物との合計値を示す
致命・非致命判定の製造工程追跡表示画面表示、非致命
に対応する異物の数を示す非致命判定の製造工程追跡表
示画面表示、致命に対応する異物の数を示す致命判定の
製造工程追跡表示画面表示からなる情報を獲得すること
を特徴とする情報の作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10260037A JP2000091392A (ja) | 1998-09-14 | 1998-09-14 | 異物・外観検査装置およびそれを用いた情報の作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10260037A JP2000091392A (ja) | 1998-09-14 | 1998-09-14 | 異物・外観検査装置およびそれを用いた情報の作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000091392A true JP2000091392A (ja) | 2000-03-31 |
Family
ID=17342432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10260037A Withdrawn JP2000091392A (ja) | 1998-09-14 | 1998-09-14 | 異物・外観検査装置およびそれを用いた情報の作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000091392A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2020240708A1 (ja) * | 2019-05-28 | 2020-12-03 | ||
| WO2020240707A1 (ja) * | 2019-05-28 | 2020-12-03 | 日本電信電話株式会社 | 光電子デバイス製造支援装置 |
| JP2023044159A (ja) * | 2021-09-17 | 2023-03-30 | Ckd株式会社 | 基板検査装置及び基板検査方法 |
-
1998
- 1998-09-14 JP JP10260037A patent/JP2000091392A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2020240708A1 (ja) * | 2019-05-28 | 2020-12-03 | ||
| WO2020240707A1 (ja) * | 2019-05-28 | 2020-12-03 | 日本電信電話株式会社 | 光電子デバイス製造支援装置 |
| JPWO2020240707A1 (ja) * | 2019-05-28 | 2020-12-03 | ||
| WO2020240708A1 (ja) * | 2019-05-28 | 2020-12-03 | 日本電信電話株式会社 | 光電子デバイスの製造方法、及び光電子デバイス製造支援システム |
| JP7197816B2 (ja) | 2019-05-28 | 2022-12-28 | 日本電信電話株式会社 | 光電子デバイス製造支援装置 |
| JP7197817B2 (ja) | 2019-05-28 | 2022-12-28 | 日本電信電話株式会社 | 光電子デバイスの製造方法、及び光電子デバイス製造支援システム |
| JP2023044159A (ja) * | 2021-09-17 | 2023-03-30 | Ckd株式会社 | 基板検査装置及び基板検査方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050308 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061016 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061031 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20061117 |