JPH09145627A - 半導体検査方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウェハの欠陥検査の結果を迅速に半導体製造
工程内に反映させ、併せて検査時間を含めた検査効率を
向上させる。 【解決手段】 ウェハ１上に光を照射する照明ランプ２
と、ウェハ１を支持するステージ３と、ウェハ１の検査
面１ａの画像を取り込む検出器４ｂと、予め登録された
正常画像との比較を行う画像処理部４ａと、比較後の不
一致箇所を欠陥分布として検出しさらにウェハ１の検査
面１ａを複数個の所定領域に分割しかつ前記欠陥分布に
基づいて前記所定領域を欠陥が存在しない良領域と欠陥
が存在する不良領域とに分類する制御部７と、ステージ
３を移動させる駆動部８と、制御部７からの種々の情報
を出力する出力部９とからなり、制御部７によってウェ
ハ１上の前記欠陥が前記良領域の欠陥であるかまたは前
記不良領域の欠陥であるかを判別する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造技術に
おける半導体ウェハ（以降、単にウェハという）の検査
技術に関し、特に、ウェハ上の欠陥を検査する半導体検
査方法および装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。

【０００３】ウェハの製造工程内においては、画像比較
処理を用いてウェハ上の回路パターンなどの欠陥を検出
する半導体検査装置が使用され、前記半導体検査装置に
は光源にランプを用いた検査装置がある。

【０００４】また、レーザなどによる散乱・回折光を用
いてウェハ上の回路パターンなどの欠陥、特にパーテイ
クルを検出する検査装置もある。

【０００５】これらの半導体検査装置は、その検査結果
から得られる欠陥をウェハや半導体チップ上の位置とし
て図示する機能と、前記欠陥のウェハ上や半導体チップ
上における座標データを他の情報処理装置に転送する機
能を有している。

【０００６】なお、ウェハ表面の異物検査装置について
は、例えば、工業調査会発行「超ＬＳＩ製造・試験装置
ガイドブック１９９４年版（電子材料別冊）」１９９３
年１１月２０日発行、１８８〜１９２頁に記載されてい
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術における半導体検査装置では、その検査結果から不良
（欠陥）の原因を推定する場合、欠陥の座標情報が詳細
であるにもかかわらず、半導体チップの電気的不良との
対応がつけにくく、迅速な不良解析や不良推定ができな
いという問題がある。

【０００８】本発明の目的は、ウェハの欠陥検査の結果
を迅速に半導体製造工程内に反映させ、併せて検査時間
を含めた検査効率を向上させる半導体検査方法および装
置を提供することにある。

【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１１】すなわち、本発明の半導体検査方法は、ウ
ェハの検査面の欠陥検査を行うことにより前記検査面に
おける欠陥を求め、前記ウェハの検査面を複数個の所定
領域に分割し、前記欠陥の分布に基づいて前記所定領域
を欠陥が存在しない良領域と欠陥が存在する不良領域と
に分類し、前記ウェハ上の欠陥が前記良領域の欠陥であ
るかまたは前記不良領域の欠陥であるかを判別するもの
である。

【００１２】これにより、ウェハの検査面を複数個の所
定領域に分割し、ウェハの検査面の欠陥分布に基づい
て、所定領域を欠陥が存在しない良領域と欠陥が存在す
る不良領域とに分類して欠陥の判別を行うため、検査結
果から不良原因を推定する場合、ウェハの所定領域の不
良解析や不良推定を迅速に行うことができる。

【００１３】その結果、ウェハの欠陥検査の結果を迅速
に半導体製造工程内に反映させることができ、さらに、
検査時間を含めた検査効率を向上させることができる。

【００１４】また、本発明の半導体検査方法は、複数枚
のウェハにおける各々の検査面の欠陥検査を行うことに
より各々のウェハの検査面における欠陥を求め、各々の
ウェハの検査面をそれぞれ複数個の所定領域に分割し、
各々のウェハの欠陥の分布に基づいて全てのウェハの所
定領域を欠陥が存在しない良領域と欠陥が存在する不良
領域とに分類した後、全てのウェハの分類結果を重ね合
わせることにより、分類複合情報を形成し、前記ウェハ
上の欠陥が前記分類複合情報における良領域の欠陥であ
るかまたは不良領域の欠陥であるかを判別するものであ
る。

【００１５】さらに、本発明の半導体検査方法は、複数
枚のウェハにおける各々の検査面の欠陥検査を行い、各
々のウェハの検査面における欠陥分布を求めた後、全て
のウェハの欠陥分布を重ね合わせることにより欠陥複合
分布を形成し、前記欠陥複合分布を形成したウェハの検
査面を複数個の所定領域に分割し、前記欠陥複合分布に
基づいて前記ウェハの所定領域を欠陥が存在しない良領
域と欠陥が存在する不良領域とに分類し、前記ウェハ上
の欠陥が前記良領域の欠陥であるかまたは前記不良領域
の欠陥であるかを判別するものである。

【００１６】なお、本発明の半導体検査方法は、ウェハ
の検査面で分割された所定領域が、半導体チップ領域、
分割記憶メモリ素子領域、露光処理における繰り返し露
光領域、矩形領域または円形領域である。

【００１７】また、本発明の半導体検査装置は、ウェハ
を支持するステージと、前記ステージ上のウェハの検査
面の欠陥検査を行いかつ前記検査面における欠陥を求め
る欠陥検出手段と、前記ウェハの検査面を複数個の所定
領域に分割しかつ前記欠陥の分布に基づいて前記所定領
域を欠陥が存在しない良領域と欠陥が存在する不良領域
とに分類する制御部とを有し、前記ウェハ上の欠陥が前
記良領域の欠陥であるかまたは前記不良領域の欠陥であ
るかを判別するものである。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。

【００１９】図１は本発明による半導体検査装置の構造
の実施の形態の一例を示す構成概念図、図２は本発明の
半導体検査方法の実施の形態の一例を示すウェハ概念
図、図３は本発明の半導体検査方法の実施の形態の一例
を示すウェハ概念図、図４は本発明の半導体検査方法の
実施の形態の一例を示すウェハ概念図である。

【００２０】本実施の形態による半導体検査装置は、ウ
ェハ上で発生した欠陥（前記欠陥にはウェハ上に付着し
た異物も含む）を検査するものであり、その一例として
画像比較処理を用いたパターン欠陥検査装置の場合を説
明する。

【００２１】本実施の形態の半導体検査装置（パターン
欠陥検査装置）の構成について説明すると、ウェハ１上
に光を照射する照明ランプ２と、ウェハ１を支持するス
テージ３と、ステージ３上のウェハ１の検査面１ａの欠
陥５の検査を行いかつ検査面１ａにおける欠陥５を求め
る欠陥検出手段４と、ウェハ１の検査面１ａを複数個の
所定領域６に分割しかつ欠陥分布５ａに基づいて所定領
域６を欠陥５が存在しない良領域６ａと欠陥５が存在す
る不良領域６ｂとに分類する制御部７と、ステージ３を
Ｘ，Ｙ，Ｚ方向に移動かつθ回転させる駆動部８と、制
御部７からの種々の情報を出力する出力部９とからな
り、制御部７によってウェハ１上の欠陥５が良領域６ａ
の欠陥５であるかまたは不良領域６ｂの欠陥５であるか
を判別するものである。

【００２２】ここで、欠陥検出手段４は、ウェハ１の検
査面１ａの画像を取り込む検出器４ｂと、前記画像と予
め登録された正常画像との比較を行う画像処理部４ａと
を有している。また、制御部７は、比較後の不一致箇所
を欠陥５の分布である欠陥分布５ａとして検出するもの
である。

【００２３】つまり、本実施の形態による制御部７に
は、過去の実績による良領域６ａおよび不良領域６ｂの
分類結果のデータと、過去の実績によるウェハ１上の欠
陥分布５ａのデータとが予め登録されている。

【００２４】ただし、前記２種類のデータは、何れか一
方のデータだけが登録されていてもよく、また、前記２
種類のデータとも登録されていなくてもよい。

【００２５】つまり、前記２種類のデータとも登録され
ていない場合は、後で説明する分類複合情報１２（図３
参照）や２値化分類情報１５（図４参照）などを形成
し、欠陥検査によって得られた欠陥分布５ａを前記分類
複合情報１２や前記２値化分類情報１５などと比較す
る。

【００２６】さらに、過去の実績による前記２種類のデ
ータは、ウェハ１上のデータとして変換され、予め所定
のパターンが設定された判定用のマスクなどであっても
よい。

【００２７】なお、本実施の形態では、１つの所定領域
６が所望の半導体チップの形状および大きさと同様のも
のである。

【００２８】また、照明ランプ２から発せられる光の通
路には、ミラー１０と対物レンズ１１とが設置されてい
る。

【００２９】すなわち、照明ランプ２から発せられた光
はミラー１０によって屈折し、対物レンズ１１を通過後
にウェハ１上に照射される。さらに、ウェハ１上のパタ
ーンの画像を検出器４ｂを介して画像処理部４ａ内に取
り込み、画像比較処理を行う。

【００３０】次に、図１および図２を用いて、本実施の
形態の半導体検査方法について説明する。

【００３１】まず、ウェハ１上に光を照射し、画像処理
部４ａと検出器４ｂとを有する欠陥検出手段４によって
ウェハ１の検査面１ａの欠陥検査を行う。

【００３２】これにより、検査面１ａにおける欠陥５を
求める。

【００３３】さらに、制御部７によって、ウェハ１の検
査面１ａを複数個の所定領域６（任意の大きさの領
域）、すなわち、本実施の形態では、所望の半導体チッ
プの形状および大きさに分割する。

【００３４】続いて、制御部７により、欠陥分布５ａに
基づいて所定領域６を欠陥５が存在しない良領域６ａと
欠陥５が存在する不良領域６ｂとに分類する。

【００３５】この際、欠陥５の密度の大きさ、すなわ
ち、密度の大きさの所定の規格値によって２値化し、分
類する。

【００３６】その後、制御部７によって、ウェハ１上の
欠陥５が良領域６ａの欠陥５であるかまたは不良領域６
ｂの欠陥５であるかを判別する。

【００３７】なお、ウェハ１上の欠陥５の判別精度を向
上させるために、図３および図４に示す半導体検査方法
を用いてもよい。

【００３８】図１および図３を用いて、図３に示す半導
体検査方法について説明する。

【００３９】まず、複数枚のウェハ１の各々に光を照射
し、欠陥検出手段４によって各々のウェハ１の検査面１
ａの欠陥検査を行うことにより、各々のウェハ１の検査
面１ａにおける欠陥５を求める。

【００４０】さらに、制御部７によって、各々のウェハ
１の検査面１ａをそれぞれ複数個の所定領域６（任意の
大きさの領域）、すなわち、本実施の形態では、所望の
半導体チップの形状および大きさに分割する。

【００４１】続いて、制御部７により、各々のウェハ１
の欠陥分布５ａに基づいて全てのウェハ１の所定領域６
を欠陥５が存在しない良領域６ａと欠陥５が存在する不
良領域６ｂとに分類する。

【００４２】この際、欠陥５の密度の大きさ、すなわ
ち、密度の大きさの所定の規格値によって２値化し、分
類する。

【００４３】その後、全てのウェハ１の分類結果を重ね
合わせることにより、分類複合情報１２を形成する。

【００４４】この際、１つの欠陥５をそのまま欠陥５と
認識する和方式か、もしくは重複して複数個の欠陥５が
集まった箇所だけを欠陥５と認識する積方式の何れか一
方の方式によって前記分類結果を重ね合わせることによ
り、分類複合情報１２を形成する。

【００４５】これにより、ウェハ１上の欠陥５が分類複
合情報１２における良領域６ａの欠陥５であるかまたは
不良領域６ｂの欠陥５であるかを判別する。

【００４６】なお、分類複合情報１２を用いずに、予め
制御部７に登録された良領域６ａおよび不良領域６ｂの
分類結果のデータか、または予め制御部７に登録された
ウェハ１上の欠陥分布５ａのデータの何れか一方もしく
は両方のデータを用いて、ウェハ１上の欠陥５が良領域
６ａの欠陥５であるかまたは不良領域６ｂの欠陥５であ
るかを判別する。

【００４７】図１および図４を用いて、図４に示す半導
体検査方法について説明する。

【００４８】まず、複数枚のウェハ１の各々に光を照射
し、欠陥検出手段４によって各々のウェハ１の検査面１
ａの欠陥検査を行うことにより、各々のウェハ１の検査
面１ａにおける欠陥５を求める。

【００４９】続いて、制御部７によって全てのウェハ１
の欠陥分布５ａを重ね合わせることにより、欠陥複合分
布１３を形成する。

【００５０】この際、１つの欠陥５をそのまま欠陥５と
認識する和方式か、もしくは重複して複数個の欠陥５が
集まった箇所だけを欠陥５と認識する積方式の何れか一
方の方式によって欠陥分布５ａを重ね合わせることによ
り、欠陥複合分布１３を形成する。

【００５１】さらに、制御部７によって、欠陥複合分布
１３を形成したウェハ１の検査面１ａを複数個の所定領
域６（任意の大きさの領域）、すなわち、本実施の形態
では、所望の半導体チップの形状および大きさに分割す
る。

【００５２】その後、制御部７により、欠陥複合分布１
３に基づいてウェハ１の所定領域６を欠陥５が存在しな
い良領域６ａと欠陥５が存在する不良領域６ｂとに分類
する。

【００５３】この際、欠陥５の密度の大きさ、すなわ
ち、密度の大きさの所定の規格値によって２値化し、さ
らに、分類して２値化分類情報１５を形成する。

【００５４】これにより、ウェハ１上の欠陥５が２値化
分類情報１５における良領域６ａの欠陥５であるかまた
は不良領域６ｂの欠陥５であるかを判別する。

【００５５】なお、２値化分類情報１５を用いずに、予
め制御部７に登録された良領域６ａおよび不良領域６ｂ
の分類結果のデータか、または予め制御部７に登録され
たウェハ１上の欠陥分布５ａのデータの何れか一方もし
くは両方のデータを用いてウェハ１上の欠陥５が良領域
６ａの欠陥５であるかまたは不良領域６ｂの欠陥５であ
るかを判別する。

【００５６】本実施の形態の半導体検査方法および装置
によれば、以下のような作用効果が得られる。

【００５７】すなわち、ウェハ１の検査面１ａを複数個
の所定領域６に分割し、ウェハ１の検査面１ａの欠陥分
布５ａに基づいて、所定領域６を欠陥５が存在しない良
領域６ａと欠陥５が存在する不良領域６ｂとに分類する
ことにより、ウェハ１上の欠陥５が良領域６ａの欠陥５
であるかまたは不良領域６ｂの欠陥５であるかを判別す
ることができる。

【００５８】これにより、検査結果から不良原因を推定
する場合、ウェハ１の所定領域６の不良解析や不良推定
を迅速に行うことができる。

【００５９】なお、ウェハ１の検査面１ａにおいて分割
された所定領域６を、例えば、半導体チップ１個の領域
とし、前記半導体チップ１個の領域に欠陥５がある場合
には、前記領域を不良とすることにより、半導体チップ
製造工程の次工程で行う半導体チップ単位の電気的検査
との対応を容易に可能とすることができる。

【００６０】その結果、ウェハ１の欠陥検査の結果を迅
速に半導体製造工程内に反映させることができるため、
ウェハ１あるいは前記半導体チップの早期歩留り向上を
可能にできる。

【００６１】さらに、ウェハ１の欠陥検査の結果を迅速
に半導体製造工程内に反映させることができるため、欠
陥検査の作業性を向上させることができ、その結果、検
査時間を含めた検査効率を向上させることができる。

【００６２】また、複数枚のウェハ１の欠陥検査を行っ
て各々のウェハ１の検査面１ａにおける欠陥分布５ａを
求め、各々のウェハ１の検査面１ａをそれぞれ複数個の
所定領域６に分割し、かつ、各々のウェハ１の欠陥分布
５ａに基づいて全てのウェハ１の所定領域６を欠陥５が
存在しない良領域６ａと欠陥５が存在する不良領域６ｂ
とに分類してウェハ１上の欠陥５が良領域６ａの欠陥５
であるかまたは不良領域６ｂの欠陥５であるかを判別す
ることにより、不良領域６ｂを重複した不良領域６ｂと
単独の不良領域６ｂとに区別することができる。

【００６３】したがって、前記半導体チップの製造工程
中に発生する欠陥５を、製造条件の不十分な管理下での
変化によって発生する欠陥５と偶発的な欠陥５とに分け
ることができる。つまり、前者の欠陥５の多くはウェハ
１上の前記半導体チップの不良分布が特定の形状を持つ
ことが、前記半導体チップの電気的検査結果から経験的
に知られているため、プロセスで発生した製造条件の変
化に伴う欠陥５と偶発的に発生する欠陥５とを容易に区
別することが可能になる。

【００６４】なお、ウェハ１の検査面１ａで分割された
所定領域６が、半導体チップ１個の領域である場合、１
枚または複数枚のウェハ１において、ウェハ１上で分割
された領域単位で重ね合わせることにより、特定の回路
パターンに依存する問題を容易に区別することが可能に
なる。

【００６５】また、予め制御部７に良領域６ａおよび不
良領域６ｂの分類結果のデータもしくはウェハ１上の欠
陥分布５ａのデータが登録され、前記データを用いるこ
とにより、欠陥検査を選択的に行うように検査領域すな
わち所定領域６を設定できる。

【００６６】これにより、予め良領域６ａまたは不良領
域６ｂを選択して欠陥検査を行うことができ、その結
果、欠陥検査の効率を向上させることができる。

【００６７】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言う
までもない。

【００６８】例えば、前記実施の形態では、ウェハにお
いて分割する所定領域を半導体チップの形状および大き
さと同様の領域の場合を説明したが、分割する所定領域
の形状や大きさは他のものであってもよい。

【００６９】すなわち、前記所定領域は、半導体チップ
の領域だけでなく、分割記憶メモリ素子領域、露光処理
における繰り返し露光領域、矩形領域または円形領域
（例えば、同心円上に分割された円形領域）などであっ
てもよい。

【００７０】ここで、図５および図６に示す他の実施の
形態のウェハ概念図は、図３または図４に示したウェハ
１上の所定領域６をさらに細かく分割したものである。

【００７１】図５に示すウェハ概念図は、図３に示した
所定領域６をさらに細分割化したものである。

【００７２】図５に示すウェハ概念図による半導体検査
方法は、前記所定領域６をさらに細分割化して細分割化
所定領域１４とし、これを例えば欠陥５の密度の大きさ
の規格値で２値化し、良領域６ａと不良領域６ｂとに分
けるものである。

【００７３】さらに、この結果を所定領域６を単位とし
た座標系で重ね合わせ、１個でも不良領域６ｂがあった
場合に細分割化所定領域１４を不良領域６ｂと判定（前
記実施の形態で説明した和方式）するか、もしくは不良
領域６ｂが重複した場合に細分割化所定領域１４を不良
領域６ｂと判定（前記実施の形態で説明した積方式）す
る。こうして決定された良領域６ａと不良領域６ｂとに
よって、欠陥検査の結果を不良領域６ｂ内の欠陥５と良
領域６ａ内の欠陥５とに分類（判別）する。

【００７４】図６に示すウェハ概念図による半導体検査
方法は、欠陥分布５ａが得られた複数個の所定領域６を
その所定領域６を単位とした座標系で重ね合わせるもの
である。

【００７５】この重ね合わせた結果をさらに細かい領
域、すなわち、細分割化所定領域１４に分割する。続い
て、全ての欠陥５（前記和方式）あるいは重複した欠陥
５（前記積方式）を例えば欠陥５の密度の大きさの規格
値で２値化し、良領域６ａと不良領域６ｂとに分ける。

【００７６】こうして決定された良領域６ａと不良領域
６ｂとで、欠陥検査の結果を不良領域６ｂ内の欠陥５と
良領域６ａ内の欠陥５とに分類（判別）する。

【００７７】なお、図５または図６に示す他の実施の形
態のウェハ概念図のように、前記所定領域６をさらに細
分割化することにより、ウェハ１（図２参照）の露光処
理における繰り返し露光領域や分割記憶メモリ素子領域
などにおける欠陥５の検査を行うことができる。

【００７８】また、前記実施の形態においては、半導体
検査装置が画像比較処理によるパターン欠陥検査装置の
場合について説明したが、前記半導体検査装置は、レー
ザ光を用いた散乱・回折光によってウェハ上の異物など
を検査するパーティクル検査装置、あるいはその両者を
併用した半導体検査装置であってもよい。

【００７９】さらに、前記実施の形態で説明した半導体
検査方法は、ウェハの欠陥検査に限らず、ウェハの膜厚
検査や半導体チップの電気的特性検査などにおいても利
用することができる。

【００８０】

【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００８１】（１）．ウェハの検査面を複数個の所定領
域に分割し、ウェハの検査面の欠陥分布に基づいて、所
定領域を欠陥が存在しない良領域と欠陥が存在する不良
領域とに分類することにより、ウェハ上の欠陥が良領域
の欠陥であるかまたは不良領域の欠陥であるかを判別す
ることができる。これにより、検査結果から不良原因を
推定する場合、ウェハの所定領域の不良解析や不良推定
を迅速に行うことができる。

【００８２】（２）．ウェハの検査面において分割され
た所定領域を、半導体チップ１個の領域とし、前記半導
体チップ１個の領域に欠陥がある場合には、前記領域を
不良とすることにより、半導体チップ製造工程の次工程
で行う半導体チップ単位の電気的検査との対応を容易に
可能とすることができる。その結果、ウェハの欠陥検査
の結果を迅速に半導体製造工程内に反映させることがで
きるため、ウェハあるいは半導体チップの早期歩留り向
上を可能にできる。

【００８３】（３）．ウェハの欠陥検査の結果を迅速に
半導体製造工程内に反映させることができるため、欠陥
検査の作業性を向上させることができ、その結果、検査
時間を含めた検査効率を向上させることができる。

【００８４】（４）．複数枚のウェハの欠陥検査を行っ
て各々のウェハの検査面における欠陥分布を求め、前記
検査面を各々複数個の所定領域に分割し、かつ各々のウ
ェハの欠陥分布に基づいて全てのウェハの所定領域を欠
陥が存在しない良領域と欠陥が存在する不良領域とに分
類してウェハ上の欠陥が良領域の欠陥であるかまたは不
良領域の欠陥であるかを判別することにより、不良領域
を重複した不良領域と単独の不良領域とに区別すること
ができる。これにより、半導体チップの製造工程中に発
生する欠陥を、製造条件の不十分な管理下での変化によ
って発生する欠陥と偶発的な欠陥とに分けることができ
るため、プロセスで発生した製造条件の変化に伴う欠陥
と偶発的に発生する欠陥とを容易に区別することが可能
になる。

【００８５】（５）．ウェハの検査面で分割された所定
領域が、半導体チップ領域、分割記憶メモリ素子領域、
露光処理における繰り返し露光領域、矩形領域または円
形領域であることにより、１枚または複数枚のウェハに
おいて、ウェハ上で分割された領域単位、例えば、分割
記憶メモリ素子領域単位で重ね合わせることにより、特
定の回路パターンに依存する問題を容易に区別すること
が可能になる。

【００８６】（６）．予め制御部に良領域および不良領
域の分類結果のデータもしくはウェハ上の欠陥分布のデ
ータが登録され、前記データを用いることにより、欠陥
検査を選択的に行うように検査領域すなわち所定領域を
設定できる。これにより、予め良領域または不良領域を
選択して欠陥検査を行うことができ、その結果、欠陥検
査の効率を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による半導体検査装置の構造の実施の形
態の一例を示す構成概念図である。

【図２】本発明の半導体検査方法の実施の形態の一例を
示すウェハ概念図である。

【図３】本発明の半導体検査方法の実施の形態の一例を
示すウェハ概念図である。

【図４】本発明の半導体検査方法の実施の形態の一例を
示すウェハ概念図である。

【図５】本発明の他の実施の形態である半導体検査方法
の一例を示すウェハ概念図である。

【図６】本発明の他の実施の形態である半導体検査方法
の一例を示すウェハ概念図である。

【符号の説明】 １ ウェハ １ａ 検査面 ２ 照明ランプ ３ ステージ ４ 欠陥検出手段 ４ａ 画像処理部 ４ｂ 検出器 ５ 欠陥 ５ａ 欠陥分布 ６ 所定領域 ６ａ 良領域 ６ｂ 不良領域 ７ 制御部 ８ 駆動部 ９ 出力部 １０ ミラー １１ 対物レンズ １２ 分類複合情報 １３ 欠陥複合分布 １４ 細分割化所定領域 １５ ２値化分類情報

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウェハ上の欠陥を検査する半導体
   検査方法であって、 前記半導体ウェハの検査面の欠陥検査を行うことによ
   り、前記検査面における欠陥を求め、 前記半導体ウェハの検査面を複数個の所定領域に分割
   し、 前記欠陥の分布に基づいて前記所定領域を欠陥が存在し
   ない良領域と欠陥が存在する不良領域とに分類し、 前記半導体ウェハ上の欠陥が前記良領域の欠陥であるか
   または前記不良領域の欠陥であるかを判別することを特
   徴とする半導体検査方法。
2. 【請求項２】 半導体ウェハ上の欠陥を検査する半導体
   検査方法であって、 複数枚の半導体ウェハにおける各々の検査面の欠陥検査
   を行うことにより、各々の半導体ウェハの検査面におけ
   る欠陥を求め、 各々の半導体ウェハの検査面をそれぞれ複数個の所定領
   域に分割し、 各々の半導体ウェハの欠陥の分布に基づいて全ての半導
   体ウェハの所定領域を欠陥が存在しない良領域と欠陥が
   存在する不良領域とに分類した後、全ての半導体ウェハ
   の分類結果を重ね合わせることにより、分類複合情報を
   形成し、 前記半導体ウェハ上の欠陥が前記分類複合情報における
   良領域の欠陥であるかまたは不良領域の欠陥であるかを
   判別することを特徴とする半導体検査方法。
3. 【請求項３】 半導体ウェハ上の欠陥を検査する半導体
   検査方法であって、 複数枚の半導体ウェハにおける各々の検査面の欠陥検査
   を行い、 各々の半導体ウェハの検査面における欠陥分布を求めた
   後、全ての半導体ウェハの欠陥分布を重ね合わせること
   により、欠陥複合分布を形成し、 前記欠陥複合分布を形成した半導体ウェハの検査面を複
   数個の所定領域に分割し、 前記欠陥複合分布に基づいて前記半導体ウェハの所定領
   域を欠陥が存在しない良領域と欠陥が存在する不良領域
   とに分類し、 前記半導体ウェハ上の欠陥が前記良領域の欠陥であるか
   または前記不良領域の欠陥であるかを判別することを特
   徴とする半導体検査方法。
4. 【請求項４】 請求項１，２または３記載の半導体検査
   方法であって、前記良領域および前記不良領域の分類結
   果をデータとして登録するかまたは予め半導体ウェハ上
   の欠陥分布をデータとして登録しておき、前記何れか一
   方もしくは両方のデータを用いて半導体ウェハ上の欠陥
   が良領域の欠陥であるかまたは不良領域の欠陥であるか
   を判別することを特徴とする半導体検査方法。
5. 【請求項５】 請求項２または３記載の半導体検査方法
   であって、前記分類複合情報もしくは前記欠陥複合分布
   を形成する際に、１つの欠陥をそのまま欠陥と認識する
   和方式か、重複した欠陥だけを欠陥と認識する積方式の
   何れか一方の方式によって重ね合わせて形成することを
   特徴とする半導体検査方法。
6. 【請求項６】 請求項１，２，３，４または５記載の半
   導体検査方法であって、前記半導体ウェハの所定領域を
   前記良領域と前記不良領域とに分類する際に、欠陥の密
   度の大きさによる２値化によって分類することを特徴と
   する半導体検査方法。
7. 【請求項７】 請求項１，２，３，４，５または６記載
   の半導体検査方法であって、前記半導体ウェハの検査面
   において分割された所定領域は、半導体チップ領域、分
   割記憶メモリ素子領域、露光処理における繰り返し露光
   領域、矩形領域または円形領域であることを特徴とする
   半導体検査方法。
8. 【請求項８】 半導体ウェハ上の欠陥の検査を行う半導
   体検査装置であって、 前記半導体ウェハを支持するステージと、 前記ステージ上の半導体ウェハの検査面の欠陥検査を行
   い、かつ前記検査面における欠陥を求める欠陥検出手段
   と、 前記半導体ウェハの検査面を複数個の所定領域に分割
   し、かつ前記欠陥の分布に基づいて前記所定領域を欠陥
   が存在しない良領域と欠陥が存在する不良領域とに分類
   する制御部とを有し、 前記半導体ウェハ上の欠陥が前記良領域の欠陥であるか
   または前記不良領域の欠陥であるかを判別することを特
   徴とする半導体検査装置。
9. 【請求項９】 請求項８記載の半導体検査装置であっ
   て、前記制御部には、前記良領域および前記不良領域の
   分類結果がデータとして登録されているかまたは予め半
   導体ウェハ上の欠陥分布がデータとして登録されている
   ことを特徴とする半導体検査装置。