CN112670196B - 晶圆检测方法 - Google Patents

Abstract

一种晶圆检测方法，包括：提供N₀个待测晶圆，每一待测晶圆包括N₁个可测试位置；按照预定的划分方式将每一待测晶圆划分为多个采样区域，所述多个采样区域在不同待测晶圆中分别对应设置，不同待测晶圆中对应设置的采样区域构成一组采样区域；确定一待测晶圆中每一采样区域的采样位置的数量，其中，所有待测晶圆的采样位置与所述N₁个可测试位置一一对应，每一待测晶圆的采样位置的数量为N₂，N₁＝N₀×N₂；以及根据每一采样区域的采样位置的数量依次在所述待测晶圆的每一采样区域中选定采样位置进行测试，其中，同一组采样区域在不同待测晶圆中选定的采样位置互不相同。

Description

晶圆检测方法

技术领域

本发明涉及一种晶圆检测方法。

背景技术

半导体制程中，需要对晶圆上图案的关键尺寸(critical dimension)、图案的偏移量或膜层的厚度等参数进行测量，以确保制程良率或品质。晶圆上图案的关键尺寸通常由微距量测扫描式电子显微镜(Critical Dimension Scanning Electron Microscope)进行测量，由于受限于测量时间和机台数量，通常无法将每一晶圆中所有的芯片位置都进行测量，而是采用抽样方式进行测量。

例如，一个晶圆在黄光制程中存在68个需要曝光的曝光场(shot)，每一曝光场包含4个芯片区域，每一芯片区域包含一个待测点，因此一个晶圆共存在272个待测点。所述抽样方式可以为选定其中8个曝光场并从每一选定的曝光场中选定1个芯片区域的待测点进行测量，因此针对一个晶圆只需对8个待测点进行测量便可。然而，此种抽样方式会导致被测量的待测点在晶圆上的位置一直是固定不变的，而其它待测点则一直未被测量，不利于提高制程良率。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种能够提高制程良率的晶圆检测方法。

本发明提供一种晶圆检测方法，包括：提供N₀个待测晶圆，每一待测晶圆包括N₁个可测试位置；按照预定的划分方式将每一待测晶圆划分为多个采样区域，所述多个采样区域在不同待测晶圆中分别对应设置，不同待测晶圆中对应设置的采样区域构成一组采样区域；确定一待测晶圆中每一采样区域的采样位置的数量，其中，所有待测晶圆的采样位置与所述N₁个可测试位置一一对应，每一待测晶圆的采样位置的数量为N₂，N₁＝N₀×N₂；以及根据每一采样区域的采样位置的数量依次在所述待测晶圆的每一采样区域中选定采样位置进行测试，其中，同一组采样区域在不同待测晶圆中选定的采样位置互不相同。

在本发明的一些实施例中，所述确定一待测晶圆中每一采样区域的采样位置的数量包括：确定一待测晶圆中每一采样区域的采样位置在所述一待测晶圆的采样位置中的占比，同一组采样区域在不同待测晶圆中的所述占比相同；以及根据一待测晶圆中每一采样区域的所述占比以及所述每一待测晶圆的采样位置的数量N₂确定所述一待测晶圆中每一采样区域的采样位置的数量。

在本发明的一些实施例中，所述方法还包括：将已测试的采样位置标记为已测位置，保存所述已测位置的标记；在对下一N₀个待测晶圆进行测试之前，清除所有所述已测位置的标记。

在本发明的一些实施例中，每一采样区域中的所述采样位置通过随机的方式选定。

在本发明的一些实施例中，所述测试包括对所述采样位置上图案的关键尺寸、所述采样位置上图案的偏移量或所述采样位置上膜层的厚度进行测试。

本发明还提供一种晶圆检测方法，包括：提供N₀个待测晶圆，每一待测晶圆包括N₁个可测试位置；按照预定的划分方式将每一待测晶圆划分为多个采样区域，所述多个采样区域在不同待测晶圆中分别对应设置，不同待测晶圆中对应设置的采样区域构成一组采样区域；确定一待测晶圆中每一采样区域的采样位置的数量，其中，所有待测晶圆的采样位置与所述N₁个可测试位置一一对应，每一待测晶圆的采样位置的数量为N₂，N₁<N₀×N₂；根据每一采样区域的采样位置的数量在一待测晶圆的每一采样区域中选定采样位置进行测试，并将已测试的采样位置标记为已测位置；在对下一待测晶圆进行测试时，判断所述下一待测晶圆的每一采样区域中的备选采样位置的数量，其中，所述备选采样位置为所述下一待测晶圆的每一采样区域中与同一组采样区域的所有所述已测位置不同的采样位置；当所述下一待测晶圆的一采样区域中的所述备选采样位置的数量不少于所述采样区域的采样位置的数量时，根据所述一采样区域的采样位置的数量在所述一采样区域中选定所述备选采样位置进行测试；当所述下一待测晶圆的一采样区域中的所述备选采样位置的数量少于所述采样区域的采样位置的数量时，根据所述一采样区域的采样位置的数量在所述一采样区域中选定所述备选采样位置和部分所述已测位置进行测试；以及当所述下一待测晶圆的一采样区域中的所述备选采样位置的数量为零时，根据所述一采样区域的采样位置的数量在所述一采样区域中选定所述已测位置进行测试。

在本发明的一些实施例中，所述确定一待测晶圆中每一采样区域的采样位置的数量包括：确定一待测晶圆中每一采样区域的采样位置在所述一待测晶圆的采样位置中的占比，同一组采样区域在不同待测晶圆中的所述占比相同；以及根据一待测晶圆中每一采样区域的所述占比以及所述每一待测晶圆的采样位置的数量N₂确定所述一待测晶圆中每一采样区域的采样位置的数量。

在本发明的一些实施例中，所述方法还包括：当将已测试的采样位置标记为已测位置时，保存所述已测位置的标记；在对下一N₀个待测晶圆进行测试之前，清除所有所述已测位置的标记。

在本发明的一些实施例中，每一采样区域中的所述采样位置通过随机的方式选定。

在本发明的一些实施例中，所述测试包括对所述采样位置上图案的关键尺寸、所述采样位置上图案的偏移量或所述采样位置上膜层的厚度进行测试。

相较于现有技术，本发明经过上述测试后，便可汇总所述待测晶圆所有采样位置的测试结果，由于所有待测晶圆的采样位置与一待测晶圆的所有可测试位置一一对应，如此便可获得一待测晶圆的所有可测试位置的测试结果，后续可根据所述测试结果确定出现异常的生产机台，使得操作人员可对出现异常的生产机台进行维修，有利于提高晶圆生产的良率。

附图说明

图1为本发明第一实施方式提供的晶圆测试方法的流程图。

图2为图1的晶圆测试方法中所提供的待测晶圆的示意图。

图3为将图2所示的待测晶圆划分为多个采样区域后的示意图。

图4为在图3所示的待测晶圆的每一采样区域中选定采样位置后的示意图。

图5为在图4所示的待测晶圆的下一待测晶圆的每一采样区域中选定采样位置后的示意图。

图6为在最后一个待测晶圆的每一采样区域中选定采样位置后的示意图。

图7为本发明第二实施方式提供的晶圆测试方法的流程图。

图8为图7的晶圆测试方法中在待测晶圆的每一采样区域中选定采样位置后的示意图。

图9为在图8所示的待测晶圆的下一待测晶圆的每一采样区域中选定采样位置后的示意图。

主要元件符号说明

待测晶圆 1

可测试位置 10

采样区域 20a，20b，20c

采样位置 21

步骤 S11-S16、S71～S78

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明。

第一实施方式

请参阅图1，本发明第一实施方式提供一种晶圆检测方法，包括如下步骤：

步骤S11，请一并参阅图2，提供N₀个待测晶圆1，每一待测晶圆1包括N₁个可测试位置10。

举例而言，所述待测晶圆1的数量为20个(即N₀＝20)。每一待测晶圆1共包括160个可测试位置10(即N₁＝160)。

步骤S12，请一并参阅图3，按照预定的划分方式将每一待测晶圆1划分为多个采样区域，所述多个采样区域在不同待测晶圆1中分别对应设置，不同待测晶圆1中对应设置的采样区域构成一组采样区域。

如图所示，每一待测晶圆1可包括三个采样区域，分别标记为第一采样区域20a、第二采样区域20b和第三采样区域20c。

其中，所述第一采样区域20a、所述第二采样区域20b和所述第三采样区域20c互相不重叠。所述第一采样区域20a不包含所述第二采样区域20b和所述第三采样区域20c，所述第二采样区域20b不包含所述第一采样区域20a和所述第三采样区域20c，所述第三采样区域20c不包含所述第一采样区域20a和所述第二采样区域20b。

不同待测晶圆1中对应设置的第一采样区域20a构成第一组采样区域，不同待测晶圆1中对应设置的第二采样区域20b构成第二组采样区域，不同待测晶圆1中对应设置的第三采样区域20c构成第三组采样区域。

步骤S13，确定一待测晶圆1中每一采样区域的采样位置21的数量，其中，所有待测晶圆1的采样位置21与所述N₁个可测试位置10一一对应，每一待测晶圆1的采样位置21的数量为N₂，N₁＝N₀×N₂。

举例而言，确定一待测晶圆1中所述第一采样区域20a的采样位置21的数量为4个，所述第二采样区域20b的采样位置21的数量为2个，所述第三采样区域20c的采样位置21的数量为2个。经计算，每一待测晶圆1的采样位置21的数量为8个(即N₂＝8)，N₁＝N₀×N₂＝20×8＝160。

在本实施方式中，确定一待测晶圆1中每一采样区域的采样位置21的数量具体包括如下步骤：

确定一待测晶圆1中每一采样区域的采样位置21在所述一待测晶圆1的采样位置21中的占比，同一组采样区域在不同待测晶圆1中的所述占比相同。例如，一待测晶圆1中所述第一采样区域20a、所述第二采样区域20b和所述第三采样区域20c的采样位置21在所述一待测晶圆1的采样位置21中的占比分别确定为50％、25％和25％。然后，根据一待测晶圆1中每一采样区域的所述占比以及所述每一待测晶圆1的采样位置21的数量N₂确定所述一待测晶圆1中每一采样区域的采样位置21的数量。例如，当所述每一待测晶圆1的采样位置21的数量N₂为8时，所述一待测晶圆1中所述第一采样区域20a的采样位置21的数量为4个(8个×50％)，所述第二采样区域20b的采样位置21的数量为2个(8个×25％)，所述第三采样区域20c的采样位置21的数量为2个(8个×25％)。

更具体地，在确定一待测晶圆1中每一采样区域的采样位置21的数量之前，还包括如下步骤：

确定每一组采样区域的采样位置21的数量，其中，每一组采样区域的采样位置21的数量之和等于N₁，且每一组采样区域的采样位置21的数量等于所述每一组采样区域中每一采样区域的采样位置21的数量与N₀的乘积。例如，所述第一采样区域20a、所述第二采样区域20b和所述第三采样区域20c所对应的每一组采样区域的采样位置21的数量分别为80个、40个和40个，其总和等于160个。然后，结合所述待测晶圆1的数量N₀便可确定所述每一组采样区域中每一采样区域的采样位置21的数量分别为4个、2个和2个。

步骤S14，请一并参阅图4至图6，根据每一采样区域的采样位置21的数量依次在所述待测晶圆1的每一采样区域中选定采样位置21进行测试，其中，同一组采样区域在不同待测晶圆1中选定的采样位置21互不相同。

其中，每一采样区域中的所述采样位置21通过随机的方式选定。例如，如图3所示，可通过随机的方式从所述第一采样区域20a的多个采样位置21中选定4个采样位置21。

例如，如图4所示，对第一个所述待测晶圆1进行测试时，从所述第一采样区域20a中随机选定4个采样位置21进行测试，从所述第二采样区域20b中随机选定2个采样位置21进行测试，从所述第三采样区域20c中随机选定2个采样位置21进行测试。

如图5所示，对第二个所述待测晶圆1进行测试时，从所述第一采样区域20a中随机选定4个采样位置21进行测试且所述4个采样位置21不同于第一个所述待测晶圆1的所述第一采样区域20a中所选定的采样位置21，从所述第二采样区域20b中随机选定2个采样位置21进行测试且所述2个采样位置21不同于第一个所述待测晶圆1的所述第二采样区域20b中所选定的采样位置21，从所述第三采样区域20c中随机选定2个采样位置21进行测试且所述2个采样位置21不同于第一个所述待测晶圆1的所述第三采样区域20c中所选定的采样位置21。

以此类推。如图6所示，对所述N₀个待测晶圆1的最后一个所述待测晶圆1进行测试时，从所述第一采样区域20a中随机选定4个采样位置21进行测试且所述4个采样位置21不同于其它所述待测晶圆1的所述第一采样区域20a中所选定的采样位置21，从所述第二采样区域20b中随机选定2个采样位置21进行测试且所述2个采样位置21不同于其它所述待测晶圆1的所述第二采样区域20b中所选定的采样位置21，从所述第三采样区域20c中随机选定2个采样位置21进行测试且所述2个采样位置21不同于其它所述待测晶圆1的所述第三采样区域20c中所选定的采样位置21。

在本实施方式中，所述测试包括对所述采样位置21上图案的关键尺寸(criticaldimension)、所述采样位置21上图案的偏移量或所述采样位置21上膜层的厚度进行测试。所述图案可以是所述采样位置21上形成的光刻图案。所述膜层可以是所述采样位置21上的光刻图案或涂覆的光刻胶。

经过上述测试后，便可汇总所述待测晶圆1所有采样位置21的测试结果，由于所有待测晶圆1的采样位置21与所述N₁个可测试位置10一一对应，如此便可获得所述N₁个可测试位置10的测试结果。后续可根据所述测试结果确定出现异常的生产机台，使得操作人员可对出现异常的生产机台进行维修，有利于提高晶圆生产的良率。

步骤S15，将已测试的采样位置21标记为已测位置，保存所述已测位置的标记。

其中，将其中一待测晶圆1的已测试的采样位置21标记为已测位置时，在对后续待测晶圆1进行测试时，便可从未标记的所述采样位置21中选定，从而确保同一组采样区域在不同待测晶圆1中选定的采样位置21互不相同。

步骤S16，在对下一N₀个待测晶圆1进行测试之前，清除所有所述已测位置的标记。

即，初始化设定所有采样位置21。如此，对下一N₀个待测晶圆1进行测试时，便可重复步骤S11-S16进行待测晶圆1的测试。

第二实施方式

请参阅图7，本发明第二实施方式还提供一种晶圆检测方法，包括如下步骤：

步骤S71，请一并参阅图2，提供N₀个待测晶圆1，每一待测晶圆1包括N₁个可测试位置10。

举例而言，所述待测晶圆1的数量为40个(即N₀＝40)。每一待测晶圆1共包括160个可测试位置10(即N₁＝160)。

步骤S72，请一并参阅图3，按照预定的划分方式将每一待测晶圆1划分为多个采样区域，所述多个采样区域在不同待测晶圆1中分别对应设置，不同待测晶圆1中对应设置的采样区域构成一组采样区域。

如图所示，每一待测晶圆1可包括三个采样区域，分别标记为第一采样区域20a、第二采样区域20b和第三采样区域20c。

其中，所述第一采样区域20a、所述第二采样区域20b和所述第三采样区域20c互相不重叠。所述第一采样区域20a不包含所述第二采样区域20b和所述第三采样区域20c，所述第二采样区域20b不包含所述第一采样区域20a和所述第三采样区域20c，所述第三采样区域20c不包含所述第一采样区域20a和所述第二采样区域20b。

不同待测晶圆1中对应设置的第一采样区域20a构成第一组采样区域，不同待测晶圆1中对应设置的第二采样区域20b构成第二组采样区域，不同待测晶圆1中对应设置的第三采样区域20c构成第三组采样区域。

步骤S73，确定一待测晶圆1中每一采样区域的采样位置21的数量，其中，所有待测晶圆1的采样位置21与所述N₁个可测试位置10一一对应，每一待测晶圆1的采样位置21的数量为N₂，N₁<N₀×N₂。

举例而言，确定一待测晶圆1中所述第一采样区域20a的采样位置21的数量为2个，所述第二采样区域20b的采样位置21的数量为2个，所述第三采样区域20c的采样位置21的数量为4个。经计算，每一待测晶圆1的采样位置21的数量为8个(即N₂＝8)，N₁<N₀×N₂＝40×8＝320。

在本实施方式中，确定一待测晶圆1中每一采样区域的采样位置21的数量具体包括如下步骤：

确定一待测晶圆1中每一采样区域的采样位置21在所述一待测晶圆1的采样位置21中的占比，同一组采样区域在不同待测晶圆1中的所述占比相同。例如，一待测晶圆1中所述第一采样区域20a、所述第二采样区域20b和所述第三采样区域20c的采样位置21在所述一待测晶圆1的采样位置21中的占比分别确定为25％、25％和50％。然后，根据一待测晶圆1中每一采样区域的所述占比以及所述每一待测晶圆1的采样位置21的数量N₂确定所述一待测晶圆1中每一采样区域的采样位置21的数量。例如，当所述每一待测晶圆1的采样位置21的数量N₂为8时，所述一待测晶圆1中所述第一采样区域20a的采样位置21的数量为2个(8个×25％)，所述第二采样区域20b的采样位置21的数量为2个(8个×25％)，所述第三采样区域20c的采样位置21的数量为4个(8个×50％)。

更具体地，在确定一待测晶圆1中每一采样区域的采样位置21的数量之前，还包括如下步骤：

确定每一组采样区域的采样位置21的数量，其中，每一组采样区域的采样位置21的数量之和等于N₁，且至少一组采样区域的采样位置21的数量小于所述至少一组采样区域中每一采样区域的采样位置21的数量与N₀的乘积。例如，所述第一采样区域20a、所述第二采样区域20b和所述第三采样区域20c所对应的每一组采样区域的采样位置21的数量分别为80个、40个和40个，其总和等于160个。所述第二组采样区域的采样位置21的数量(40个)小于所述第二采样区域20b的采样位置21的数量(2个)与N₀的乘积(40个<2个×40)，所述第三组采样区域的采样位置21的数量(40个)小于所述第三采样区域20c的采样位置21的数量(4个)与N₀的乘积(40个<4个×40)。

步骤S74，请一并参阅图8，根据每一采样区域的采样位置21的数量在一待测晶圆1的每一采样区域中选定采样位置21进行测试，并将已测试的采样位置21标记为已测位置。

其中，每一采样区域中的所述采样位置21通过随机的方式选定。

例如，如图8所示，对第一个所述待测晶圆1进行测试时，从所述第一采样区域20a中随机选定2个采样位置21进行测试，从所述第二采样区域20b中随机选定2个采样位置21进行测试，从所述第三采样区域20c中随机选定4个采样位置21进行测试。

在本实施方式中，所述测试包括对所述采样位置21上图案的关键尺寸(criticaldimension)、所述采样位置21上图案的偏移量或所述采样位置21上膜层的厚度进行测试。所述图案可以是所述采样位置21上形成的光刻图案。所述膜层可以是所述采样位置21上的光刻图案或涂覆的光刻胶。

步骤S75，在对下一待测晶圆1进行测试时，判断所述下一待测晶圆1的每一采样区域中的备选采样位置21的数量，其中，所述备选采样位置21为所述下一待测晶圆1的每一采样区域中与同一组采样区域的所有所述已测位置不同的采样位置21。

步骤S76，请一并参阅图9，当所述下一待测晶圆1的一采样区域中的所述备选采样位置21的数量不少于所述采样区域的采样位置21的数量时，根据所述一采样区域的采样位置21的数量在所述一采样区域中选定所述备选采样位置21进行测试；

当所述下一待测晶圆1的一采样区域中的所述备选采样位置21的数量少于所述采样区域的采样位置21的数量时，根据所述一采样区域的采样位置21的数量在所述一采样区域中选定所述备选采样位置21和部分所述已测位置进行测试；当所述下一待测晶圆1的一采样区域中的所述备选采样位置21的数量为零时，根据所述一采样区域的采样位置21的数量在所述一采样区域中选定所述已测位置进行测试。

例如，如图9所示，对第二个所述待测晶圆1进行测试时，由于所述第一采样区域20a的所述备选采样位置21的数量不少于2个，所述第二采样区域20b的所述备选采样位置21的数量不少于2个，所述第三采样区域20c的所述备选采样位置21的数量不少于4个，因此可直接在第二个所述待测晶圆1的所述第一采样区域20a中选定2个备选采样位置21进行测试，在所述第二采样区域20b中选定2个备选采样位置21进行测试，在所述第三采样区域20c中选定4个备选采样位置21进行测试。

对第三个所述待测晶圆1至第十个所述待测晶圆1的测试与对第二个所述待测晶圆1的测试类似，此不赘述。

当对第十一个所述待测晶圆1进行测试时，由于所述第一采样区域20a的所述备选采样位置21的数量不少于2个，所述第二采样区域20b的所述备选采样位置21的数量不少于2个，因此可直接在第十一个所述待测晶圆1的所述第一采样区域20a中选定2个备选采样位置21进行测试，在所述第二采样区域20b中选定2个备选采样位置21进行测试。然而，所述第三采样区域20c中已不存在与同一组采样区域的所有所述已测位置不同的采样位置21，即，所述第三采样区域20c中不存在所述备选采样位置21。因此，需要在所述第三采样区域20c中选定4个已测位置进行测试。

同理，当对第二十一个所述待测晶圆1进行测试时，由于所述第一采样区域20a的所述备选采样位置21的数量不少于2个，因此可直接在第二十一个所述待测晶圆1的所述第一采样区域20a中选定2个备选采样位置21进行测试。然而，所述第二采样区域20b中已不存在与同一组采样区域的所有所述已测位置不同的采样位置21，即，所述第二采样区域20b中不存在所述备选采样位置21。因此，需要在所述第二采样区域20b中选定2个已测位置进行测试。

与第一实施方式不同之处在于，可针对容易出现不良芯片的区域内的位置重复进行采样测量，从而进一步提高晶圆生产的良率。

步骤S77，当将已测试的采样位置21标记为已测位置时，保存所述已测位置的标记。

其中，将其中一待测晶圆1的已测试的采样位置21标记为已测位置时，在对后续待测晶圆1进行测试时，便可优先从未标记的所述采样位置21中进行选定。

步骤S78，在对下一N₀个待测晶圆1进行测试之前，清除所有所述已测位置的标记。

即，初始化设定所有采样位置21。如此，对下一N₀个待测晶圆1进行测试时，便可重复步骤S71-S78进行待测晶圆1的测试。

可以理解的是，以上实施例仅用来说明本发明，并非用作对本发明的限定。对于本领域的普通技术人员来说，根据本发明的技术构思做出的其它各种相应的改变与变形，都落在本发明权利要求的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种晶圆检测方法，其特征在于：包括：

提供N₀个待测晶圆，每一待测晶圆包括N₁个可测试位置；

按照预定的划分方式将每一待测晶圆划分为多个采样区域，所述多个采样区域在不同待测晶圆中分别对应设置，不同待测晶圆中对应设置的采样区域构成一组采样区域；

确定一待测晶圆中每一采样区域的采样位置的数量，其中，所有待测晶圆的采样位置与所述N₁个可测试位置一一对应，每一待测晶圆的采样位置的数量为N₂，N₁＝N₀×N₂；以及

根据每一采样区域的采样位置的数量依次在所述待测晶圆的每一采样区域中选定采样位置进行测试，其中，同一组采样区域在不同待测晶圆中选定的采样位置互不相同。

2.如权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述确定一待测晶圆中每一采样区域的采样位置的数量包括：

确定一待测晶圆中每一采样区域的采样位置在所述一待测晶圆的采样位置中的占比，同一组采样区域在不同待测晶圆中的所述占比相同；以及

根据一待测晶圆中每一采样区域的所述占比以及所述每一待测晶圆的采样位置的数量N₂确定所述一待测晶圆中每一采样区域的采样位置的数量。

3.如权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述方法还包括：

将已测试的采样位置标记为已测位置，保存所述已测位置的标记；

在对下一N₀个待测晶圆进行测试之前，清除所有所述已测位置的标记。

4.如权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，每一采样区域中的所述采样位置通过随机的方式选定。

5.如权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述测试包括对所述采样位置上图案的关键尺寸、所述采样位置上图案的偏移量或所述采样位置上膜层的厚度进行测试。

6.一种晶圆检测方法，其特征在于：包括：

提供N₀个待测晶圆，每一待测晶圆包括N₁个可测试位置；

按照预定的划分方式将每一待测晶圆划分为多个采样区域，所述多个采样区域在不同待测晶圆中分别对应设置，不同待测晶圆中对应设置的采样区域构成一组采样区域；

确定一待测晶圆中每一采样区域的采样位置的数量，其中，所有待测晶圆的采样位置与所述N₁个可测试位置一一对应，每一待测晶圆的采样位置的数量为N₂，N₁<N₀×N₂；

根据每一采样区域的采样位置的数量在一待测晶圆的每一采样区域中选定采样位置进行测试，并将已测试的采样位置标记为已测位置；

在对下一待测晶圆进行测试时，判断所述下一待测晶圆的每一采样区域中的备选采样位置的数量，其中，所述备选采样位置为所述下一待测晶圆的每一采样区域中与同一组采样区域的所有所述已测位置不同的采样位置；

当所述下一待测晶圆的一采样区域中的所述备选采样位置的数量不少于所述采样区域的采样位置的数量时，根据所述一采样区域的采样位置的数量在所述一采样区域中选定所述备选采样位置进行测试；

当所述下一待测晶圆的一采样区域中的所述备选采样位置的数量少于所述采样区域的采样位置的数量时，根据所述一采样区域的采样位置的数量在所述一采样区域中选定所述备选采样位置和部分所述已测位置进行测试；以及

当所述下一待测晶圆的一采样区域中的所述备选采样位置的数量为零时，根据所述一采样区域的采样位置的数量在所述一采样区域中选定所述已测位置进行测试。

7.如权利要求6所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述确定一待测晶圆中每一采样区域的采样位置的数量包括：

确定一待测晶圆中每一采样区域的采样位置在所述一待测晶圆的采样位置中的占比，同一组采样区域在不同待测晶圆中的所述占比相同；以及

根据一待测晶圆中每一采样区域的所述占比以及所述每一待测晶圆的采样位置的数量N₂确定所述一待测晶圆中每一采样区域的采样位置的数量。

8.如权利要求6所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述方法还包括：

当将已测试的采样位置标记为已测位置时，保存所述已测位置的标记；

在对下一N₀个待测晶圆进行测试之前，清除所有所述已测位置的标记。

9.如权利要求6所述的晶圆检测方法，其特征在于，每一采样区域中的所述采样位置通过随机的方式选定。

10.如权利要求6所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述测试包括对所述采样位置上图案的关键尺寸、所述采样位置上图案的偏移量或所述采样位置上膜层的厚度进行测试。

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