JPS5818780B2 - 半導体ペレットの検出方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体素子のウニ・・−プロービングの電気
的特性検査の結果の検出に関するものである。

従来技術において、半導体素子のウェハープロービング
において素子の良否判定結果を記録選別する方法として
次に示すものがあった。

（１） インク打点及びスクラッチによる方法この方
法は、半導体素子のプロービングの結果判別が否の場合
、ウェハープロービング後においても外観上半導体素子
の良否判定が可能なようにプロービングの判定結果が否
の半導体素子表面にインクまたはスクラッチ跡を附はダ
イシング後ペレット選別工程において外観上から良、不
良ペレットを選別する方法である。

（２）テープ及びカードによる方法 これは半導体素子のプロービングの結果をテープ及びカ
ードに記録しダイシング後ペレットを選別する方法であ
る。

（３）電子的方法 この方法では、半導体素子のプロービングの結果を磁気
デスク、コアメモリードラム等に記録しダイシング後こ
れらのプロービングの判定結果の記録に従って、良、不
良ペレットを選別する方法である。

（４）ポラロイドフィルムによる方法 半導体素子のプロービングの結果をポロライドフィルム
に感光させて記録しダイシング後感光したポロライドフ
ィルムと対応させてペレットの良、不良を選別する方法
である。

これら（１）〜（４）が従来の方法であるが（１）のイ
ンク打点及びスクラッチによる記録方法ではインク打点
及びスクラッチの跡が不揃いで判別しにくい。

またインク打点やスクラッチを行なった後振動がプロー
ブニードル群に残り次のプロービングに影響がある。

またインク打点においてはインクがプローブニードルや
良品ペレットにまで飛び散りインクの影響を受ける。

（２）のテープ及びカードに半導体素子のプロービング
の判定結果を記録する方法においては、外部記録である
ためデータ（半導体素子のプロービング判定結果）と判
定されたウェハー上の素子との対応が困難である。

従来特定な素子又はパターンを座標の原点として各素子
を座標で表現し、データ（半導体素子のプロービング判
定結果）と対応させていたがウェハーがワレで分割され
た場合にはこの方法は無力となる。

又使用済テープ及びカードの量は非常に多量である為デ
ータ（半導体素子のプロ・−ピング判定結果）の混入が
懸念される。

（３）の電子的記録方法においては、（２）と同様にウ
ニ・・−とデータ（半導体素子のプロービング判定結果
）との対応が固難であること、装置が高価である。

（４）のポラロイドフィルムによる記録方法はポラロイ
ドフィルム面を清浄に保つ必要があり、保管、取扱に注
意しなければならず、特殊なキャリヤを使用するなどの
点で高価なものになっている。

上記マーキング方法に代って感光剤を塗布して不良のペ
レット上の感光剤を露光して除去する方法も考えられる
。

しかしながらこの方法においても単に感光剤の有無だけ
ではその後の検出が正確に行なうことは不可能である。

□そこで本発明の目的および構成は不良のペレット上の
感光剤を除去しただけではなく、さらにこのペレットの
金属配線層も除去し、この金属配線層の存在の有無によ
り光がペレットを通過す乞□か否かを検出するもので、
これにより正確な作業が可能となる検出方法を提供する
ものである。

すなわち本発明の特徴は、複数の半導体ペレットを有す
るウエノ・−の表面に感光剤を塗布し、ウェハープロー
ビングを行ない良否を判定し、否と判定された半導体ペ
レット上の該感光剤を露光する工程と、前記露光された
否と判定された半導体ペレット上の感光剤を除去し、該
否と判定された半導体ペレットの金属配線層を除去する
工程と、残余せる前記感光剤を除去する工程と、しかる
後に前記ウェハーを光源と受光素子との間に挿入して該
光源からの光を該受光素子が感知するか否かによって半
導体ペレットの良否を検出する±導体ペレットの検出方
法にある。

゛本発明を実際の工程に従□って図
面を用いて説明する。

全拡散工程の終了したつ＝７・−１〔第１図〕の表面に
感光剤２を塗布して感光剤２と守エニ・二１の密着を良
好にす乞ためにベーク処理した後〔第２図〕、゛ナル喀
西哀線９により、半導体素子のプロービングが行なわれ
る。

半導体素子のプロービングは第３図に示すようにプロー
ブニードル群３によりウェハー１表面に塗布された感光
剤２の層を突き通して行われる。

このときウェハー１表面に感光剤２を塗布した場合と感
光剤２を塗布しかい場合の接触抵抗の差は約１オーム程
度である。

第４図において感光剤２はポジタイプ（露光し現像する
と露光されない部分が残る感光剤２である。

）を使用し半導体素子のウニ・・−プロービングの結果
判別が否の場合はプローブニードル群３上にあるラング
ガイド４によりウェハー１の表面に塗布された感光剤２
に露光する〔第９図〕。

グローピング終了後プロービング工程においてグローブ
ニードル跡を小さくするために、ベーク処理を行ないグ
ローブニードル群３の跡の感光剤をウェハーと密着させ
る〔第４図〕。

その後、ウェハーを現像すればプロービングの判別が否
の場所はアルミ配線９が露出しているわけである〔第５
図〕。

次に露出しているアルミ配線９をエツチングにより取り
除くことで不良品はすべてＳｉ（珪素）の結晶が露出し
ている状態になる〔第６図〕 この後良品の表面に残っている感光剤２を取り除いてウ
ェハーを清浄にして次の工程に送る〔第７図〕。

シート６上でダイシングされウェハーの形をして整列し
ている各ペレットを縦、横方向に送って赤外線により検
出するものである。

〔第８図〕 ここで半導体素子に使用される材料がＳｉ（珪氷）め結
晶であることと赤外線は半導体素子の材料つまりＳｉ（
珪素）を透過する性質のものであり同時に赤外線は、Ａ
ｕ（金）Ａｇ（銀）ｐｔ（白金）ＡＩ（アルミ）を透過
できないとされている。

そこで半導体素子のアルミ配線９程度のアルミでも赤外
線を遮断することが可能であることからプロービング工
程においてプロービングの判定結果が否の素子について
半導体素子面に塗布された感光剤２に光源５からライト
ガイド４を通して露光を行いその後ベーク処理、現像、
エツチング、そして良品素子上に残っている感光剤２を
取り除くと第７図のようにプロービングの判定結果が否
どされた素子のすべてのＡＩ （アルミ）配線９はエツ
チングされＳｉ （珪素）と５ｉＯ３（酸化珪素）のみ
になる。

これによって不良素子は赤外線を透過させることになる
ので透過した赤外線を検出することにより半導体素子の
良品、不良品の判別が可能である。

なお赤外線の検出は第１０図のグラフに示すようにフォ
トトランジスターの分光感度は赤外線の波長範囲で最大
となることからフォトトランジスターで赤外線の検出は
可能である。

【図面の簡単な説明】

第１〜第９図は本発明の実施例の工程順を示す図で、第
１図は全拡散工程終了ウェハー断面、第２図は、全拡散
工程終了ウェハー表面に感光剤を塗布しベーク処理の断
面図、第３図はプローブニードル群が感光剤の層を突き
通してブロービングを行なっている状態の断面図、第４
図はブロービング工程終了後ベーク処理によりグローブ
ニードル群の跡に感光剤が流れ込んだ所を示す断面図、
第５図は現像することによって露光した部分が露出して
いる状態の断面図、第６図はアルミ配線がエツチングさ
れＳｉ （珪素）の結晶が露出している状態の断面図、
第１図はウニ・・−ブロービングの判定結果不良となっ
た素子のアルミ配線がエツチングされたウェハーの平面
図、第８図はシート上でグイランプされウェハー状態を
保持した各ペレットを縦、横方向に送って赤外線により
検出している状態を示す図、第９図はブロービングの判
定結果が否で光源からライトガイドを通して露光してい
る状態の断面図、第１０図はフォトトランジスタの分光
感度を示すグラフである。 図において、１は全拡散工程終了ウエノ・−１２は感光
剤、３はグローブニードル群、４はライトガイド、５は
光源、６はシート、７は赤外線ランプ、８はフォトトラ
ンジスタ、９はＡｌ （アルミ）配線である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 複数の半導体ペレットを有するウェハーの表面に感
   光剤を塗布し、ウェハープロービングを行ない良否を判
   定し、否と判定された半導体ペレット上の該感光剤を露
   光する工程と、前記露光された否と判定された半導体ペ
   レット上の感光剤を除去し、該否と判定された半導体ペ
   レットの金属配線層を除去する工程と、残余せる前記感
   光剤を除去する工程と、しかる後に前記ウェハーを光源
   と受光素子との間に挿入して該光源からの光を該受光素
   子が感知するか否かによって半導体ペレットの良否を検
   出することを特徴とする半導体ペレットの検出方法。