JPH0411720A - バイアホールの形成方法 - Google Patents
バイアホールの形成方法Info
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- JPH0411720A JPH0411720A JP11408490A JP11408490A JPH0411720A JP H0411720 A JPH0411720 A JP H0411720A JP 11408490 A JP11408490 A JP 11408490A JP 11408490 A JP11408490 A JP 11408490A JP H0411720 A JPH0411720 A JP H0411720A
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Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イｉ産業上の利用分野
本２ａ旧ｉ、 〜夏Ｍ Ｉ Ｃ（〜Ｉｏｎｏｌｉｔｈ
ｉｃ ＼ＩｉｃｒｏｗａｖｅＩｎｔｅｇｒａｔｅｄ
Ｃ１ｒｃｕｉｔｓ）等に備えられる／〈イアホールの杉
成方、去に関する。
ｉｃ ＼ＩｉｃｒｏｗａｖｅＩｎｔｅｇｒａｔｅｄ
Ｃ１ｒｃｕｉｔｓ）等に備えられる／〈イアホールの杉
成方、去に関する。
口 従来の技術
＼！λ１［Ｃは〜ＩＩｃいｌｉＣｒｏｗａｖｅ Ｉｎ
ｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔｓ）’４のノ１イブリ
、・ドＩＣに比して、小型、軽量であり、史に、量産性
及び信頼性に優れているので、各種マイクロ波機器のキ
ーデバイスと−て其ｆ１侍されている。
ｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔｓ）’４のノ１イブリ
、・ドＩＣに比して、小型、軽量であり、史に、量産性
及び信頼性に優れているので、各種マイクロ波機器のキ
ーデバイスと−て其ｆ１侍されている。
二〇Ｎ１〜ＩＩＣの性能向１に：よ、該〜１Ｍ［ｃをＩ
くイアホールを備えた構造とすることが必要不可欠であ
る。
くイアホールを備えた構造とすることが必要不可欠であ
る。
バイアホールを形成するには、半導体基板下面（裏面：
から工ｌチングする必要があり、この二ノチングの位置
決めには、従来、以下の方法が用いられているう ＩＩ’）両面アライナ−を用いる方ｉ去。
から工ｌチングする必要があり、この二ノチングの位置
決めには、従来、以下の方法が用いられているう ＩＩ’）両面アライナ−を用いる方ｉ去。
基板の表裏面を半視野ずつに結像させて目視できる双対
物顕微鏡で位置決めを行う。この種の両面アライナ−に
は、例えばユニオン光学製の° ＰＥ〜１−１０００°
がある。
物顕微鏡で位置決めを行う。この種の両面アライナ−に
は、例えばユニオン光学製の° ＰＥ〜１−１０００°
がある。
（１１，′赤外光を用いる方法。
基板に赤外線を透過させ、この赤外線に基づいて位置決
めを行う。
めを行う。
（ハ）発明が解決しようとする課題
電子ビーム露光技術による位置合わせは、合わせマーク
を形成して、この合わせマークからの反射電子あるいは
２次電子を検出することで行う必要があり、上述の両面
アライナ−あるいは赤外線を用いる方法では、行うこと
ができない。
を形成して、この合わせマークからの反射電子あるいは
２次電子を検出することで行う必要があり、上述の両面
アライナ−あるいは赤外線を用いる方法では、行うこと
ができない。
すなわち、上述の両面アライナ−あるいは赤外光を用い
た位置決めは、光リソグラフィー技術のみに対応するこ
とができるものであり、電子ビーム露光技術に対応する
ことはできない。
た位置決めは、光リソグラフィー技術のみに対応するこ
とができるものであり、電子ビーム露光技術に対応する
ことはできない。
本発明は、上述の事情に鑑みて為されたものであり、電
子ビーム露光技術に対応することのできる位置決め方法
を提供することを目的とするものである。
子ビーム露光技術に対応することのできる位置決め方法
を提供することを目的とするものである。
（ニ）課題を解決するための手段
本発明は、半導体基板上面に合わせマークを形成する工
程と、固定基板に前記半導体基板り面を接着剤により接
着する工程と、前記合わせマークが形成された部位を含
む領域の前記半導体基板を該半導体基板下面からエツチ
ング−、前記接着剤により接着された前記会わせマーク
を露出させる工程と、前記半導体基板上にレジストを形
成する工程と、露出した前記合わせマークに基づいて、
前記レジストを露光する工程と、前記レジストを現像り
で開孔を形成する工程と、前記レジストをマスクと−で
前記開孔から前記半導体基板をエツチング′−、バイア
ホールを形成する工程と、を含むことを特徴とするバイ
アホールの形成方法である。
程と、固定基板に前記半導体基板り面を接着剤により接
着する工程と、前記合わせマークが形成された部位を含
む領域の前記半導体基板を該半導体基板下面からエツチ
ング−、前記接着剤により接着された前記会わせマーク
を露出させる工程と、前記半導体基板上にレジストを形
成する工程と、露出した前記合わせマークに基づいて、
前記レジストを露光する工程と、前記レジストを現像り
で開孔を形成する工程と、前記レジストをマスクと−で
前記開孔から前記半導体基板をエツチング′−、バイア
ホールを形成する工程と、を含むことを特徴とするバイ
アホールの形成方法である。
ホ）作用
本発明によれば、固定基板に、合わせマークが形成され
た半導体基板上面を接着剤により接着−１前記合わせマ
ークが形成された部位を含む領域の前記半導体基板を該
半導体基板下面からエンチング−で前記接着剤により接
着された前記合わせマークを露出させているので、該合
わせマークに基づいて、すなわち、該合わせマークを用
いて位置決めして電子ビームを照射することができる。
た半導体基板上面を接着剤により接着−１前記合わせマ
ークが形成された部位を含む領域の前記半導体基板を該
半導体基板下面からエンチング−で前記接着剤により接
着された前記合わせマークを露出させているので、該合
わせマークに基づいて、すなわち、該合わせマークを用
いて位置決めして電子ビームを照射することができる。
（へ１実施例
第１図Ａ−Ｆは本発明の一実施例を説明するための工程
断面図、第２図Ａ−Ｆは本発明の一実施例を説明するた
めの上面図であり、第１図と第２図において、同一アル
ファベントは同一の工程を示す。
断面図、第２図Ａ−Ｆは本発明の一実施例を説明するた
めの上面図であり、第１図と第２図において、同一アル
ファベントは同一の工程を示す。
以下、図面に基づいて本発明の一実施例を説明する。
厚さ１１００Ａｌの半絶縁性Ｇ ａ 、Ａ ｓ基板（半
導体基板）ｌ上面にＡｕよりなる合わせマーク２及びパ
ｌド電極７を形成する（第１図Ａ、第２図Ａ）。
導体基板）ｌ上面にＡｕよりなる合わせマーク２及びパ
ｌド電極７を形成する（第１図Ａ、第２図Ａ）。
ガラス基板（固定基板）３に基板１上面を四指（接着剤
う４により接着する（第１図Ｂ、第２図Ｂ）。
う４により接着する（第１図Ｂ、第２図Ｂ）。
合わせマーク２が形成された部位を含む領域の基板Ｉを
註基板ＩＦ面から水と酒石酸と過酸化水素水からなる二
／チンダ液でエツチングし、四脂４により接着された合
わせマーク２を露出させる第１図Ｃ１第２図Ｃ） 基板ｌ上に電子ビーム用のレジスト； ｐ ｘｒＮｉ
Ａポリメチ７しメタクリレート・５を形成＝、露出−た
合わせマー２２に基づいて、レジスト５に電子ビームを
す！＊＝ｔＬ、該レジスト５を現像する（第１図Ｄ、第
２図Ｄ つ電子ビーム露光におけるマーク２７）検出は
、該マーク２からの反射電子あるい：よ２次電子を検出
する二とで行うことができ、二の検出波形に基づいて位
置決めを行う。
註基板ＩＦ面から水と酒石酸と過酸化水素水からなる二
／チンダ液でエツチングし、四脂４により接着された合
わせマーク２を露出させる第１図Ｃ１第２図Ｃ） 基板ｌ上に電子ビーム用のレジスト； ｐ ｘｒＮｉ
Ａポリメチ７しメタクリレート・５を形成＝、露出−た
合わせマー２２に基づいて、レジスト５に電子ビームを
す！＊＝ｔＬ、該レジスト５を現像する（第１図Ｄ、第
２図Ｄ つ電子ビーム露光におけるマーク２７）検出は
、該マーク２からの反射電子あるい：よ２次電子を検出
する二とで行うことができ、二の検出波形に基づいて位
置決めを行う。
レジスト５をマスクとして基板ｌをエツチングし、バイ
アホール（５を形成する（第１図Ｅ、第２図Ｅ レジスト５を除去するとともに四指４を溶かしてガラス
基板；３から基板ｌを取り外す（第１図Ｆ、第２図Ｆ 尚、上述の実施例て−は、電子ビームを用いて露光を行
ったが、紫外線、遠紫外線等を用いて露光を行ってもよ
い。
アホール（５を形成する（第１図Ｅ、第２図Ｅ レジスト５を除去するとともに四指４を溶かしてガラス
基板；３から基板ｌを取り外す（第１図Ｆ、第２図Ｆ 尚、上述の実施例て−は、電子ビームを用いて露光を行
ったが、紫外線、遠紫外線等を用いて露光を行ってもよ
い。
ト 発明の効果
本発明は、以上の説明から明らかなように、固定基板に
、合わせマークが形成された半導体基板上面を接着剤に
より接着し、前記合わせマークが形成された部位を含む
領域の前記半導体基板を該半導体基板下面からエツチン
グして前記接着剤により接着された前記合わせマークを
露出させているので、該合すせマークからの反射電子あ
るいは２次電子を検出することができる。すなわち、電
子ビーム露光技術を用いてバイアホールを形成すること
ができる。
、合わせマークが形成された半導体基板上面を接着剤に
より接着し、前記合わせマークが形成された部位を含む
領域の前記半導体基板を該半導体基板下面からエツチン
グして前記接着剤により接着された前記合わせマークを
露出させているので、該合すせマークからの反射電子あ
るいは２次電子を検出することができる。すなわち、電
子ビーム露光技術を用いてバイアホールを形成すること
ができる。
第１図Ａ−Ｆは本発明の一実施例を説明するための工程
断面図、第２図Ａ−Ｆは本発明の一実施例を説明するた
めの上面図である。 １ 基板、２ 合わせマーク、３ ガラス基板（
固定基板）、４ ・田脂（接着剤）、５レジスト、６
バイアホール。 第２図 手続補正書動式ノ 平成 ２年 ８月 ９日 （Ｃ） （Ｄ） ｌ。 ４゜ 事件の表示 平成 ２年特許順第１１４０８４号 発明の名祢 バイアホールの形成方法 補正を士る者 事件との関係 特許出顆人 住 所 守口市京阪本通２丁目１８番地名 称 （１８
８）三洋電機株式会社 代表者 井 植 敏
断面図、第２図Ａ−Ｆは本発明の一実施例を説明するた
めの上面図である。 １ 基板、２ 合わせマーク、３ ガラス基板（
固定基板）、４ ・田脂（接着剤）、５レジスト、６
バイアホール。 第２図 手続補正書動式ノ 平成 ２年 ８月 ９日 （Ｃ） （Ｄ） ｌ。 ４゜ 事件の表示 平成 ２年特許順第１１４０８４号 発明の名祢 バイアホールの形成方法 補正を士る者 事件との関係 特許出顆人 住 所 守口市京阪本通２丁目１８番地名 称 （１８
８）三洋電機株式会社 代表者 井 植 敏
Claims (2)
- （１）半導体基板上面に合わせマークを形成する工程と
、固定基板に前記半導体基板上面を接着剤により接着す
る工程と、前記合わせマークが形成された部位を含む領
域の前記半導体基板を該半導体基板下面からエッチング
し、前記接着剤により接着された前記合わせマークを露
出させる工程と、前記半導体基板上にレジストを形成す
る工程と、露出した前記合わせマークに基づいて、前記
レジストを露光する工程と、前記レジストを現像して開
孔を形成する工程と、前記レジストをマスクとして前記
開孔から前記半導体基板をエッチングし、バイアホール
を形成する工程と、を含むことを特徴とするバイアホー
ルの形成方法。 - （２）電子ビームにより露光されることを特徴とする請
求項（１）に記載のバイアホールの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11408490A JPH0411720A (ja) | 1990-04-28 | 1990-04-28 | バイアホールの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11408490A JPH0411720A (ja) | 1990-04-28 | 1990-04-28 | バイアホールの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0411720A true JPH0411720A (ja) | 1992-01-16 |
Family
ID=14628678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11408490A Pending JPH0411720A (ja) | 1990-04-28 | 1990-04-28 | バイアホールの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0411720A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998010170A1 (fr) | 1996-09-03 | 1998-03-12 | Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. | Procede d'excavation de tunnels et excavatrice de tunnels |
-
1990
- 1990-04-28 JP JP11408490A patent/JPH0411720A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998010170A1 (fr) | 1996-09-03 | 1998-03-12 | Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. | Procede d'excavation de tunnels et excavatrice de tunnels |
| US6142577A (en) * | 1996-09-03 | 2000-11-07 | Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. | Hydraulic muck handling system for tunnel boring machine |
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