JPH02187013A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPH02187013A JPH02187013A JP1006846A JP684689A JPH02187013A JP H02187013 A JPH02187013 A JP H02187013A JP 1006846 A JP1006846 A JP 1006846A JP 684689 A JP684689 A JP 684689A JP H02187013 A JPH02187013 A JP H02187013A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- light source
- semiconductor wafer
- wafer
- infrared
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7065—Production of alignment light, e.g. light source, control of coherence, polarization, pulse length, wavelength
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分胃〕
この発明は、半導体装置の製造装置に係り、特に半導体
ウニへ上のマスクパターンをアライメントする写真製版
装置に関するものである。
ウニへ上のマスクパターンをアライメントする写真製版
装置に関するものである。
第２図（ａ）は従来のアライメント方法を説明するため
の写真製版装置の構成概略図、第２図（ｂ）は実際に半
導体ウェハに適用した場合のウェハ上面から見た図であ
る。第２図において、２は写真製版時に用いる紫外線光
源、４はフォトマスク、５はこのフォトマスク４に形成
されたパターン、６は半導体ウェハ、７は前記半導体ウ
ェハ６に塗布′されたフォトレジスト 〇に埋め込まれ形成されている既存のパターン、９は可
視光によりアライメントするための半導体ウェハ６の一
部に露出した既存のパターン、１０はアライメント時に
用いる可視光光源、１１はパターンをアライメントする
ための１ライメントスコープである。
の写真製版装置の構成概略図、第２図（ｂ）は実際に半
導体ウェハに適用した場合のウェハ上面から見た図であ
る。第２図において、２は写真製版時に用いる紫外線光
源、４はフォトマスク、５はこのフォトマスク４に形成
されたパターン、６は半導体ウェハ、７は前記半導体ウ
ェハ６に塗布′されたフォトレジスト 〇に埋め込まれ形成されている既存のパターン、９は可
視光によりアライメントするための半導体ウェハ６の一
部に露出した既存のパターン、１０はアライメント時に
用いる可視光光源、１１はパターンをアライメントする
ための１ライメントスコープである。
次に動作について説明する。
フォトレジスト７が表面に塗布された半導体ウニ八６を
写真製版装置にセットシ、パターン５が形成されなフォ
トマスク４と半導体ウェハ６の一部に露出された既存の
パターン９とをアライメントスコープ１１と可視光光ｇ
１０を用いて位置合わせを行う。その後、フォトレジス
ト７マスク４のパターン５を転写するため、紫外線光源
２を用い露光を行う。
写真製版装置にセットシ、パターン５が形成されなフォ
トマスク４と半導体ウェハ６の一部に露出された既存の
パターン９とをアライメントスコープ１１と可視光光ｇ
１０を用いて位置合わせを行う。その後、フォトレジス
ト７マスク４のパターン５を転写するため、紫外線光源
２を用い露光を行う。
上記のような従来の写真製版装置におけるアライメント
方法は、可視光光源１０を用いフォトマスク４のパター
ン５を半導体ウェハ６に埋め込まれて表面からは見えな
い既存のパターン８にアライメントする場合、半導体ウ
ェハ６の一部をエツチングし、既存のパターン８を露出
させ、それにフォトマスク４のパターン５をアライメン
ト方法ていた。
方法は、可視光光源１０を用いフォトマスク４のパター
ン５を半導体ウェハ６に埋め込まれて表面からは見えな
い既存のパターン８にアライメントする場合、半導体ウ
ェハ６の一部をエツチングし、既存のパターン８を露出
させ、それにフォトマスク４のパターン５をアライメン
ト方法ていた。
乙の発明は、上記の点にかんがみてなされたもので、半
導体ウニへの一部を露出することなく埋め込み形成され
た既存のパターンにマスクパターンをアライメントでき
る半導体装置の製造装置を１与ることを目的とするもの
である。
導体ウニへの一部を露出することなく埋め込み形成され
た既存のパターンにマスクパターンをアライメントでき
る半導体装置の製造装置を１与ることを目的とするもの
である。
この発明に係る半導体装置の製造装置は、半導体ウェハ
内部のパターンとマスクパターンとをアライメントする
光源として赤外線光源を備えたものである。
内部のパターンとマスクパターンとをアライメントする
光源として赤外線光源を備えたものである。
〔作用〕
この発明においては、半導体ウェハ上へのマスクパター
ンのアライメントに赤外線を用いることにより、半導体
ウニ八に埋め込まれた既存のパターンを露出させること
なく検出される。
ンのアライメントに赤外線を用いることにより、半導体
ウニ八に埋め込まれた既存のパターンを露出させること
なく検出される。
以下、この発明の一実施例を第１図について説明する。
第１図において、１はアライメントのための赤外線光源
１．３（よアライメントする時の赤外線スコープであり
、その他は第２図と同じものである。
１．３（よアライメントする時の赤外線スコープであり
、その他は第２図と同じものである。
次に動作について説明する。
フォｊ・レジスト７が表面に塗布された半導体ウェハ６
を写真製版装置にセットし、赤外線光源１を半導体ウェ
ハ６に照射すると半導体ウェハ６内に埋め込まれた既存
のパターン８が赤外線スコブ３にて検出できる。この既
存のパターン８とフォトマスク４に形成されたパターン
５とをアライメントし、紫外線光源２による紫外線を照
射する。
を写真製版装置にセットし、赤外線光源１を半導体ウェ
ハ６に照射すると半導体ウェハ６内に埋め込まれた既存
のパターン８が赤外線スコブ３にて検出できる。この既
存のパターン８とフォトマスク４に形成されたパターン
５とをアライメントし、紫外線光源２による紫外線を照
射する。
コｔｔによす半導体ウニ八６上のフォトレジスト７にマ
スクパターンが転写される。
スクパターンが転写される。
以上説明したようにこの発明は、半導体ウニ八内部のパ
ターンとマスクパターンとをアライメントする光源とし
て赤外線光源を備えたので、半導体ウニ八に埋め込まれ
ｔこ既存のパターンを露出させることなくマスクパター
ンをアライメントすることができる利点が得られる。
ターンとマスクパターンとをアライメントする光源とし
て赤外線光源を備えたので、半導体ウニ八に埋め込まれ
ｔこ既存のパターンを露出させることなくマスクパター
ンをアライメントすることができる利点が得られる。
第１図（ａ）はこの発明の一実施例を示す半導体装置の
製造装置の各部を分離して示した構成略図、第１図（ｂ
）は、第１図（ａ）のウェハの上面図、第２図（ａ）は
従来の半導体装置の製造装置の各部を分離して示、した
構成略図、第２図（ｂ）は、第２図（ａ）の半導体ウェ
ハの上面図である。 図において、１は赤外線光源、２は紫外線光源、３は赤
外線スコープ、４はフォトマスク、５はフォトマスク上
に形成されたパターン、６は半導体ウニ八、７はフォト
レジスト ンである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 第１図 第 図 ３、補正をする者 代表者 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄２図面の簡単な説明の欄
および図面 ６、補正の内容 （１）明細書の第１頁１４行の「半導体ウエノ）」のマ
スクパターン」を、［半導体ウニへ上にマスクパターン
」と補正する。 （２）゛ 同じく第５頁１７〜１８行の「８は既存Ｕ
パターンである。」を、「８は既存パターン、艷は露光
された既存のパターン、１０は可視光光ｔ１１はアライ
メントスコープである。」と補正−・る。 （３）図面中、第１図（ａ）および第２図を別泉のよう
に補正する。 以 上
製造装置の各部を分離して示した構成略図、第１図（ｂ
）は、第１図（ａ）のウェハの上面図、第２図（ａ）は
従来の半導体装置の製造装置の各部を分離して示、した
構成略図、第２図（ｂ）は、第２図（ａ）の半導体ウェ
ハの上面図である。 図において、１は赤外線光源、２は紫外線光源、３は赤
外線スコープ、４はフォトマスク、５はフォトマスク上
に形成されたパターン、６は半導体ウニ八、７はフォト
レジスト ンである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 第１図 第 図 ３、補正をする者 代表者 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄２図面の簡単な説明の欄
および図面 ６、補正の内容 （１）明細書の第１頁１４行の「半導体ウエノ）」のマ
スクパターン」を、［半導体ウニへ上にマスクパターン
」と補正する。 （２）゛ 同じく第５頁１７〜１８行の「８は既存Ｕ
パターンである。」を、「８は既存パターン、艷は露光
された既存のパターン、１０は可視光光ｔ１１はアライ
メントスコープである。」と補正−・る。 （３）図面中、第１図（ａ）および第２図を別泉のよう
に補正する。 以 上
Claims (1)
- 内部にパターンが埋め込まれた半導体ウェハ上にマスク
パターンをアライメントする半導体装置の製造装置にお
いて、前記半導体ウェハ内部のパターンと前記マスクパ
ターンとをアライメントする光源として赤外線光源を備
えたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1006846A JPH02187013A (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1006846A JPH02187013A (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02187013A true JPH02187013A (ja) | 1990-07-23 |
Family
ID=11649606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1006846A Pending JPH02187013A (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02187013A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20190179229A1 (en) * | 2017-12-11 | 2019-06-13 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Mask, device and method for exposure |
-
1989
- 1989-01-13 JP JP1006846A patent/JPH02187013A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20190179229A1 (en) * | 2017-12-11 | 2019-06-13 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Mask, device and method for exposure |
| US11086228B2 (en) * | 2017-12-11 | 2021-08-10 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Mask, device and method for exposure |
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