JPS6213028A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6213028A JPS6213028A JP60153036A JP15303685A JPS6213028A JP S6213028 A JPS6213028 A JP S6213028A JP 60153036 A JP60153036 A JP 60153036A JP 15303685 A JP15303685 A JP 15303685A JP S6213028 A JPS6213028 A JP S6213028A
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- Japan
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- slits
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- Pending
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体装置の製造方法のうち、特に、半導体基
板上に形成する微細窓のパターン形状に関する。
板上に形成する微細窓のパターン形状に関する。
ＩＣなどの半導体装置は、ＬＳＩ、ＶＬＳＩと高度に集
積化され、微細化されてきた。これは、高集積化・高微
細化される程、高性能化される利点があるからである。
積化され、微細化されてきた。これは、高集積化・高微
細化される程、高性能化される利点があるからである。
そのため、フォトプロセスでは、１〜２μｍ角、あるい
は、それ以下のサブミクロン程度の微細パターンが必要
とされるようになってきた。
は、それ以下のサブミクロン程度の微細パターンが必要
とされるようになってきた。
しかし、通常のフォトプロセスにおける露光方法では、
そのような微細な窓パターンを形成することが難しく、
その解決策が望まれている。
そのような微細な窓パターンを形成することが難しく、
その解決策が望まれている。
［従来の技術と発明が解決しようとする問題点］ウェハ
ープロセスにおいては、半導体基板上にパターンを形成
する場合には、フォトプロセスが適用され、それは、基
板上にレジスト膜を塗布し、そのレジスト膜をフォトマ
スクを介して露光して、マスク面のパターンを転写する
。次に、これを現像すると、転写されたレジスト膜パタ
ーンが形成されているため、そのレジスト膜パターンを
保護膜にして基板をエツチングし、基板上にパターンが
作成される。
ープロセスにおいては、半導体基板上にパターンを形成
する場合には、フォトプロセスが適用され、それは、基
板上にレジスト膜を塗布し、そのレジスト膜をフォトマ
スクを介して露光して、マスク面のパターンを転写する
。次に、これを現像すると、転写されたレジスト膜パタ
ーンが形成されているため、そのレジスト膜パターンを
保護膜にして基板をエツチングし、基板上にパターンが
作成される。
このような形成法は良く知られているが、更に、最近で
は、パターンの微細化に伴って、密着露光用のフォトマ
スクを用いる代わりに、１／１０や１）５にパターンを
縮小露光するレチクルマスクが用いられるようになって
きた。
は、パターンの微細化に伴って、密着露光用のフォトマ
スクを用いる代わりに、１／１０や１）５にパターンを
縮小露光するレチクルマスクが用いられるようになって
きた。
そして、転写されるマスクやレチクル面のパターン形状
は、一般に正方形や矩形状の方形パターン、または、そ
れらの合成パターンなど、直線で囲んだパターンが多い
。これは、ＩＣの設計やマスクの作成法に原因があって
、直線で描画すると電子回路の設計が容易であり、また
、マスク作成時、計算処理系を用いたパターン発生器で
は作図が簡単になるからである。
は、一般に正方形や矩形状の方形パターン、または、そ
れらの合成パターンなど、直線で囲んだパターンが多い
。これは、ＩＣの設計やマスクの作成法に原因があって
、直線で描画すると電子回路の設計が容易であり、また
、マスク作成時、計算処理系を用いたパターン発生器で
は作図が簡単になるからである。
従って、ＩＣにおける最小のパターンは正方形となり、
それは電極を接続する窓パターンなどで代表され、現在
、その寸法がパターン微細化の目安になっている。ここ
に、窓パターンとは、全面レジスト膜の中に窓開けした
パターンの名称で、別名をスルーホールとも呼んでいる
。かくして、このような窓パターンも次第に微細化され
、最近、正方形の一辺が１〜２μｍ位の微細な電極窓が
必要になってきた。
それは電極を接続する窓パターンなどで代表され、現在
、その寸法がパターン微細化の目安になっている。ここ
に、窓パターンとは、全面レジスト膜の中に窓開けした
パターンの名称で、別名をスルーホールとも呼んでいる
。かくして、このような窓パターンも次第に微細化され
、最近、正方形の一辺が１〜２μｍ位の微細な電極窓が
必要になってきた。
しかし、このように微細化されると、通常の露光法では
、レジスト膜パターンに窓パターンを形成することが難
しくなってきた。
、レジスト膜パターンに窓パターンを形成することが難
しくなってきた。
第３図はそれを説明するためのＭＴＦとマスクパターン
との関係図を示し、ＭＴＦはＭｏｄｕｌａｔｉｏｎＴｒ
ａｎｓｆａｒ Ｆｕｎｃｔｉｏｎ の略で、これは明
暗の差を表わし、コントラストと同様の意味である。図
において、１．２はマスクＭの窓パターンで、横軸はマ
スクパターンとの相対寸法位置、縦軸はＭＴＦの大きさ
を表わしている。また、Ｓは解像限界を示し、曲線ｍが
マスクＭのＭＴＦの大きさである。
との関係図を示し、ＭＴＦはＭｏｄｕｌａｔｉｏｎＴｒ
ａｎｓｆａｒ Ｆｕｎｃｔｉｏｎ の略で、これは明
暗の差を表わし、コントラストと同様の意味である。図
において、１．２はマスクＭの窓パターンで、横軸はマ
スクパターンとの相対寸法位置、縦軸はＭＴＦの大きさ
を表わしている。また、Ｓは解像限界を示し、曲線ｍが
マスクＭのＭＴＦの大きさである。
解像限界とは、一定の露光装置で露光し、一定の現像法
で現像してパターン像が得られる限界のことである。
で現像してパターン像が得られる限界のことである。
さて、第３図において、窓パターン１は十分に大きなパ
ターンであるから、ＭＴＦの大きさｍがＳ値を越えて、
レジスｌ−１）Ｎが十分に露光され、現像するとレジス
ト膜パターンが形成されること表している。一方、窓パ
ターン２は微細なパターンであるから、ＭＴＦの大きさ
ｍがＳ値より低く、レジスト膜は十分に露光されず、現
像してもレジスト膜パターンが形成されないことを表し
ている。
ターンであるから、ＭＴＦの大きさｍがＳ値を越えて、
レジスｌ−１）Ｎが十分に露光され、現像するとレジス
ト膜パターンが形成されること表している。一方、窓パ
ターン２は微細なパターンであるから、ＭＴＦの大きさ
ｍがＳ値より低く、レジスト膜は十分に露光されず、現
像してもレジスト膜パターンが形成されないことを表し
ている。
このように、レジスト膜パターンが形成されない窓パタ
ーンの大きさは、露光装置によって異なるが、例えば、
通常の紫外線露光法では１〜２μｍ角以下の寸法のもの
である。
ーンの大きさは、露光装置によって異なるが、例えば、
通常の紫外線露光法では１〜２μｍ角以下の寸法のもの
である。
一方、電子ビーム露光法やＸ線露光法が開発されて、こ
のような微細なパターンを露光することもできるが、そ
の装置は極めて高価であり、且つ、処理に大変工数がか
かる欠点がある。
のような微細なパターンを露光することもできるが、そ
の装置は極めて高価であり、且つ、処理に大変工数がか
かる欠点がある。
そのため、レジスト膜を多層に形成する等して、微細パ
ターンに対処する方法も用いられているが、そうすると
、処理工数が増加して、しかも、必ずしも満足なパター
ンは得られていない。
ターンに対処する方法も用いられているが、そうすると
、処理工数が増加して、しかも、必ずしも満足なパター
ンは得られていない。
本発明は、このような問題点を解消させる半導体装置の
製造方法を提案するものである。
製造方法を提案するものである。
Ｅ問題点を解決するための手段］
その目的は、複数のスリットを中央で重ねて星形にした
マスクパターン、または、レチクルパターン、あるいは
、複数のスリットを中央で重ねて星形にし、該星形の中
心部に方形パターンを重ね合わせたマスクパターン、ま
たは、レチクルパターンによって、窓パターンを形成す
るようにした半導体装置の製造方法によって達成される
。
マスクパターン、または、レチクルパターン、あるいは
、複数のスリットを中央で重ねて星形にし、該星形の中
心部に方形パターンを重ね合わせたマスクパターン、ま
たは、レチクルパターンによって、窓パターンを形成す
るようにした半導体装置の製造方法によって達成される
。
［作用］
即ち、本発明は解像限界以下の幅をもったスリットを組
み合わせた星形のマスクパターン（レチクルパターン）
、あるいは、それに方形パターンを重ねたマスクパター
ン（レチクルパターン）を′ 用い、それによって微細
パターンを形成する。そうすれば、通常の紫外線などの
露光法によっても、解像限界以下の微細パターンが得ら
れ、また、限界ぎりぎりの微細パターンも安定して形成
できる。
み合わせた星形のマスクパターン（レチクルパターン）
、あるいは、それに方形パターンを重ねたマスクパター
ン（レチクルパターン）を′ 用い、それによって微細
パターンを形成する。そうすれば、通常の紫外線などの
露光法によっても、解像限界以下の微細パターンが得ら
れ、また、限界ぎりぎりの微細パターンも安定して形成
できる。
［実施例］
以下、図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図＋８１は本発明にかかる星形のマスクパターンを
示しており、本例は解像限界以下の３つのスリットＬを
中央で重ね合わせたパターンである。
示しており、本例は解像限界以下の３つのスリットＬを
中央で重ね合わせたパターンである。
第１図（ｂｌはそのパターンに対応する寸法とＭＴＦと
の関係を示し、ｍｌは同図（ａｌの１つのスリットのＡ
Ａ’断面のＭＴＦの大きさで、これを３つ重ねると、中
心部のＭＴＦの大きさがｍ２となって解像限界Ｓを越え
、従来は得られなかった微細パターンが星形の中心位置
に形成されることを表している。
の関係を示し、ｍｌは同図（ａｌの１つのスリットのＡ
Ａ’断面のＭＴＦの大きさで、これを３つ重ねると、中
心部のＭＴＦの大きさがｍ２となって解像限界Ｓを越え
、従来は得られなかった微細パターンが星形の中心位置
に形成されることを表している。
次に、第２図（ａｌは本発明にかかる星形のマスクパタ
ーンに方形パターンを重ね合わせたマスクパターンを示
して幇り、本例は解像限界以下の３つのスリットＬを中
央で重ね合わせて星形とし、それに、解像限界以下ぎり
ぎりの方形パターンＱを重ねたパターンである。第１図
（ｂｌはそのパターンに対応する寸法とＭＴＦとの関係
を表わし、ｍ３は同図（ａｌの３つのスリットを重ねた
ＭＴＦの大きさで、これに方形パターンＱのＭＴＦの大
きさｍ４を重ね合わせると、ｍ５のＭＴＦの大きさが得
られ、これは解像限界Ｓを越えて方形パターンＱに近位
した微細パターンが形成できることを表わしており、こ
のようなパターンによれば窓パターンが安定して、再現
性良くえられる。
ーンに方形パターンを重ね合わせたマスクパターンを示
して幇り、本例は解像限界以下の３つのスリットＬを中
央で重ね合わせて星形とし、それに、解像限界以下ぎり
ぎりの方形パターンＱを重ねたパターンである。第１図
（ｂｌはそのパターンに対応する寸法とＭＴＦとの関係
を表わし、ｍ３は同図（ａｌの３つのスリットを重ねた
ＭＴＦの大きさで、これに方形パターンＱのＭＴＦの大
きさｍ４を重ね合わせると、ｍ５のＭＴＦの大きさが得
られ、これは解像限界Ｓを越えて方形パターンＱに近位
した微細パターンが形成できることを表わしており、こ
のようなパターンによれば窓パターンが安定して、再現
性良くえられる。
上記例のように、解像限界以下ぎりぎりのスリットやパ
ターンを重ねて、従来は通常の露光法で形成が回能であ
った微細パターンを形成することができる。且つ、本発
明によれば、露光装置に左右されることなく、且つ、多
層レジスト膜を設けることなく、微細な窓パターンが得
られる。
ターンを重ねて、従来は通常の露光法で形成が回能であ
った微細パターンを形成することができる。且つ、本発
明によれば、露光装置に左右されることなく、且つ、多
層レジスト膜を設けることなく、微細な窓パターンが得
られる。
なお、上記はマスクパターンで説明したが、縮小露光用
のレチクルにも同様に適用できることは云うまでもない
。
のレチクルにも同様に適用できることは云うまでもない
。
［発明の効果］
以上の説明から明らかなように、本発明によれば通常の
露光法によって微細パターンを形成できる利点があり、
ＩＣのコストダウンに大きく寄与するものである。
露光法によって微細パターンを形成できる利点があり、
ＩＣのコストダウンに大きく寄与するものである。
第１図（８１，（ｂｌおよび第２図ｆａ＋、 （ｂｌは
本発明にかかるマスクパターンと、そのＭＴＦの大きさ
との関係図、 第３図は従来のマスクパターンの問題点を示す図である
。 図において、 Ｌはスリット、 Ｑは方形パターン、を示して
いる。 すは 不廃幌町めマス７］＼０クーンＩ／）ＭＴＦめ欠之之第
１図 寸５天 ４Ａに明のイ娩う列釣７７フハ゛７−〉ＹＭＴＦの７ｔ
−テン寸５云 従来の廁顯莫（ｌ−、ｔ′ｉ図 第３圀
本発明にかかるマスクパターンと、そのＭＴＦの大きさ
との関係図、 第３図は従来のマスクパターンの問題点を示す図である
。 図において、 Ｌはスリット、 Ｑは方形パターン、を示して
いる。 すは 不廃幌町めマス７］＼０クーンＩ／）ＭＴＦめ欠之之第
１図 寸５天 ４Ａに明のイ娩う列釣７７フハ゛７−〉ＹＭＴＦの７ｔ
−テン寸５云 従来の廁顯莫（ｌ−、ｔ′ｉ図 第３圀
Claims (2)
- （１）複数のスリットを中央で重ねて星形にしたマスク
パターン、または、レチクルパターンによつて、窓パタ
ーンを形成するようにしたことを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - （２）複数のスリットを中央で重ねて星形にし、該星形
の中心部に方形パターンを重ね合わせたマスクパターン
、または、レチクルパターンによつて、窓パターンを形
成するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60153036A JPS6213028A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60153036A JPS6213028A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6213028A true JPS6213028A (ja) | 1987-01-21 |
Family
ID=15553570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60153036A Pending JPS6213028A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6213028A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010262212A (ja) * | 2009-05-11 | 2010-11-18 | Nsk Ltd | 露光装置及び露光方法 |
| US20120064666A1 (en) * | 2009-02-20 | 2012-03-15 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Manufacturing method of substrate for a semiconductor package, manufacturing method of semiconductor package, substrate for a semiconductor package and semiconductor package |
-
1985
- 1985-07-10 JP JP60153036A patent/JPS6213028A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120064666A1 (en) * | 2009-02-20 | 2012-03-15 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Manufacturing method of substrate for a semiconductor package, manufacturing method of semiconductor package, substrate for a semiconductor package and semiconductor package |
| JP2010262212A (ja) * | 2009-05-11 | 2010-11-18 | Nsk Ltd | 露光装置及び露光方法 |
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