JPS6034048A - キャリヤテ−プの製造方法 - Google Patents

キャリヤテ−プの製造方法

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Publication number
JPS6034048A
JPS6034048A JP58143219A JP14321983A JPS6034048A JP S6034048 A JPS6034048 A JP S6034048A JP 58143219 A JP58143219 A JP 58143219A JP 14321983 A JP14321983 A JP 14321983A JP S6034048 A JPS6034048 A JP S6034048A
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JP
Japan
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photosensitive resin
film
substrate
conductive layer
projected electrodes
Prior art date
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Granted
Application number
JP58143219A
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English (en)
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JPH0437586B2 (ja
Inventor
Isamu Kitahiro
北広 勇
Kenzo Hatada
畑田 賢造
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP58143219A priority Critical patent/JPS6034048A/ja
Publication of JPS6034048A publication Critical patent/JPS6034048A/ja
Publication of JPH0437586B2 publication Critical patent/JPH0437586B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4846Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto

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  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は近年、LSI等半導体集積回路の高密度実装に
用いられているフィルム・キャυτ方式のテープ製造方
法に関するものである。
従来例の構成とその問題点 第1図に従来の突起型極付テープキャlJ、2を用いて
LSIをボンディングした例を示す。第1図において、
1は銅リード、2は銅リードのエツチングされた領域、
3は銅リード先端に残された突起で金メッキされている
。4は樹脂フィルム、5は半導体デバイス、6は半導体
デバイス上のアルミ電極である。図かられかるようにリ
ード先端の銅の突起は、リード1の部分2をエツチング
して作られるが、そのエツチング量は銅リード厚の半分
位である。銅リードはボンディング時に変形が少ないた
め、例え先端の突起が金メッキされているとしても接合
しにくく、アルミボンディングバッド6上に金の蒸着膜
を形成する必要がある。
さらに、以上述べたキャリヤテープを作成するには複雑
な工程を必要とし、歩留り、コストの点で問題が大きい
発明の目的 本発明の目的はこのような従来の問題に鑑み、容易かつ
歩留り良く突起電極を先端部に有するキャリヤテープの
製造方法を提供することにある。
発明の構成 本発明は予かしめ別基板に金等の突起電極を形成してお
き、通常のフィルムキャリヤ方式で使用するテープキャ
IJ−jのリード先端に前記突起電極を転写する方式に
おいて、主として突起電極を形成する方法に関するもの
である。即ち、本発明は表面に導電層を有する基板上に
絶縁膜を形成し、さらにその上にポジ型感光性樹脂膜を
塗布し、しかる後、前記樹脂膜の所定部に光ビームを照
射し、現像した後に、前記樹脂膜をマスクとして前記絶
縁膜をエツチングし突起電極形成用の窓を形成するもの
である。
さらに、本発明は単位領域内の窓は光ビームの移動によ
り行ない、単位領域間は基板載置台を移動させることに
より基板全域にわたり効率よくかつ精度よく突起電極形
成用の窓を形成する方法を含むキャリヤテープの製造方
法である。
実施例の説明 第2図は本発明の一実施例に関る製造法を部分断面図で
示したものである。第2図において、21は基板、22
は導電層、23は絶縁層、24は感光性樹脂、25は光
を導くガイド、26は紫外光、27は露光された領域、
28はエツチングにより形成された窓、29は突起電極
、29′はリード31に転写された突起電極、30は樹
脂フィルム、31はフィルム30からなるテープキャリ
ヤのリードである。
第2図かられかるように、人のごとく基板21上に導電
層22を形成する。但し基板が金属でかつメッキできる
場合は特に導電層を設ける必要はない。次にBに示す如
く、全面に絶縁層23を形成する。前記絶縁層としては
シリコンの酸化膜や窒化膜あるいは耐熱性樹脂膜等が良
い。次にCに示す如く、感光性樹脂膜24を塗布するが
、この場合、ポジ型即ち光が照射された領域が現像処理
により除去されるものが良い。この状態で、Dに示す如
くガイド25を通して紫外光26を照射する。Dにおい
て27は露光された領域を示している。所定の場所を照
射した後現像処理を行ない、前記感光性樹脂膜をマスク
として絶縁層23をエツチングする(2犯 しかる後感光性樹脂を除去すれば絶縁層23に窓28を
有する基板ができる。この状態で導体層22を電極とし
て金メッキすれば突起電極29が形成される(F)。次
にテープキャリヤのり−ド31の先端を突起電極29に
位置合せしてボンディングすればリード31の先端に突
起電極29′が転写される(G)。ここに、突起電極2
9′の材質としては銀、鉛−錫半田等が同様に使用でき
る。
第2図の工程において、Dに示す露光は単位区画内は紫
外光を動かして行ない、単位区画間は基板21を移動さ
せて行うことにより単位区画内の加工精度が維持できて
好ましい。
発明の効果 本発明の製造方法によれば、高価なマスク及び高価な露
光装置が不要であり、設計変更に際17て紫外光と基板
を載置したテーブルの移動を制御するシステムに露光位
置を入力してやるだけで良く即応性がある。本発明の製
造方法では第2図りの工程Vi−、を先注樹脂24を紫
外光26で露光するだけであり装置が簡便で取扱いが容
易かつ安全である。但し絶縁層23をエツチングする必
要があるが、・二′lLi1絶縁層と感光性樹脂のエノ
チレ−1・をうまくと八るよう選択すれば、ドライエッ
チング化は可能であり、特別の装置を必要としない0
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の突起電極付テープをボンディングした状
態の断面図、第2図人〜Gは本発明のフィルムキャリヤ
テープの製造工程の一実施例を示す断面図である。 21・・・・・・基板、22・・・・・・導電層、23
・・・・・・絶縁層、25・・・・・・紫外光ガイド、
26・・・・・・紫外光、28・・・・・・開孔、29
・・・・・・全突起電極、3o・・・・・・樹脂フィル
ム、31・・・・・IJ −ト。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第 
1 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)少なくとも表面が導電層である基板上に絶縁層を
    形成する工程、前記基板上にポジ型感光性樹脂を塗布す
    る工程、微細光スポットを照射して前記スポット孔と略
    々同程度の大きさの露光部分を前記感光性樹脂層内に多
    数個形成する工程、しかる後現像処理を施し、前記光ス
    ポツト照射部分の感光性樹脂を除去、開口とする工程、
     3前記感光性樹脂をマスクとして前記絶縁層をエツチ
    ングし開口を設ける工程、前記感光性樹脂′を除去した
    る後、前記導電層を一方の電極として、前記開口部にメ
    ッキにより突起電極を設ける工程、一群のリードを前記
    突起電極に位置合せし一加熱、圧接することにより、前
    記突起電極を前記リード先端に転写すること、を特徴と
    するキャリXテープの製造方法。 (2)光スポットを移動させて感光性樹脂膜の1区画内
    に多数個の露光部分を設ける工程、基板を移動させ前記
    工程をくり返して多数個の区画部分を形成することを特
    徴とする特許請求の範囲第1項記載のキャリヤテープの
    製造方法0(3)絶縁膜として金属酸化膜を使用したこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のキャリXテ
    ープの製造方法0 (4)絶縁膜として高分子膜を使用したことを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項記載のキャIJ Yテープの製
    造方法。
JP58143219A 1983-08-04 1983-08-04 キャリヤテ−プの製造方法 Granted JPS6034048A (ja)

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JP58143219A JPS6034048A (ja) 1983-08-04 1983-08-04 キャリヤテ−プの製造方法

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Publications (2)

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JPS6034048A true JPS6034048A (ja) 1985-02-21
JPH0437586B2 JPH0437586B2 (ja) 1992-06-19

Family

ID=15333658

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JP58143219A Granted JPS6034048A (ja) 1983-08-04 1983-08-04 キャリヤテ−プの製造方法

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63212803A (ja) * 1987-03-02 1988-09-05 Mitsubishi Kasei Corp 変位計測装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57152147A (en) * 1981-03-16 1982-09-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd Formation of metal projection on metal lead

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57152147A (en) * 1981-03-16 1982-09-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd Formation of metal projection on metal lead

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63212803A (ja) * 1987-03-02 1988-09-05 Mitsubishi Kasei Corp 変位計測装置

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JPH0437586B2 (ja) 1992-06-19

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