JPH04116994A - 半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は　可視光領域でレーザ発振する半導体レーザお
よびその製造方法に関するものである。

従来の技術 可視光領域でレーザ発振する半導体レーザ４１光情報処
理用光源や光計測用光源として、その重要性を増してき
ていも　中で５　　（ＡｌｘＧ−＋−）・、６Ｉｎｍ、
ｓＰ系の材料ζよ　良質な基板であるＧａＡｓに格子整
合１．、　　Ａ１組成Ｘを変化させることで発振波長０
．６８μｍから０．５６μｍの間でレーザ発振を得られ
るため注目されてい４　以下、従来例を用いて横モード
制御型の赤色領域に発振波長をもつ半導体レーザについ
て説明すも　第５図に活性層をＧａｓ、５Ｉｎｓ、ｓＰ
とした発振波長が約０．６８μｍである赤色半導体レー
ザの断面図を示す。ｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−ＧａＡ
ｓバッファ層２、ｎ−（Ａｌｍ、＊Ｇａｓ、ａ）−，１
Ｉｎｓ、ｓＰクラッド層３、アンドープＧａ＠、５Ｉｎ
ｓ、ｓＰ活性層４、Ｐ−（Ａｌｓ、＊Ｇａｓ、ａ）ｓ、
５Ｉｎｓ、ｉＰクラッド層５、　Ｐ−Ｇａｓ、５ｌｎｓ
、ｓＰ層１５、　　ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層６、Ｐ−Ｇ
ａＡｓキャップ層９が順次形成され　その後Ｐ側電極１
０およびｎ側電極１１が形成されも　この赤色半導体レ
ーザで法　有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）などの
結晶成長技術により、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−Ｇａ
Ａｓバッファ層２、ｎ−（Ａｌｓ、＊Ｇａｍ、４）ｓ、
５Ｉｎｓ、ｓＰクラッド層３、アンドープＧａｍ、５Ｉ
ｎｓ、ｓＰ活性層４、　Ｐ−（Ａｌｓ、ｅＧａｓ、ｉ）
ｉ、ｓｌｎ＊ｓＰクラッド層５およびＰ−Ｇａｓ、ｓｌ
ｎｍ、ｓＰ層１５を順次堆積し　次にホトリソグラフィ
ー技術とエツチング技術を用いて、Ｐ−Ｇａｓ、５Ｉｎ
ｓ、ｓＰ層１５とＰ−（Ａｌｓ、５Ｇａｓ、　ｓ　）＠
　、　ｓ　Ｉｎ＠、　ｓ　Ｐクラッド層５をメサ形状に
エツチングし　その後ｒｒＧａＡｓ電流阻止層６をエピ
タキシャル成長し　さらにＰ−ＧａＡｓキャップ層９を
エピタキシャル成長すム　このような半導体レーザの構
造で４Ｌ　　ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層６により電流狭窄
を行うことができも　また　活性層４で発光した光が導
波する際ｇ；　　ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層６にしみ出す
力（光は電流阻止層６に吸収されるた数　実効的にメサ
形状に加工されたストライプの内外で屈折率差が生し　
光の閉じ込みが可能とな本 発明が解決しようとする課題 ところ力（第５図に示す構造では　作製１３回の結晶成
長（ｎ−ＧａＡＳバッファ層２からＰ−Ｇａｓ、ｓｌｎ
＠、ｉＰ層１５までを成長させる第１の結晶成長工程と
、ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層６を成長させる第２の結晶成
長工程と、Ｐ−ＧａＡｓキャップ層９を成長させる第３
の結晶成長工程）が必要であａ　また　クラッド層の（
Ａｌｍ、５Ｇａｓ、ｎ）ｓ、５Ｉｎｓ、ｓＰ層よ　材料
の性質上電気抵抗および熱抵抗が高く、半導体レーザの
Ｐ側電極ｎ側電極間の直列抵抗が増大し　発熱しやすか
ったこの発明の目的４＆　　直列抵抗が低くレーザ駆動
時の発熱が少なくて信頼性の高い半導体レーザを提供す
ること、およびこの半導体レーザを２回の結晶成長で作
製することができる半導体レーザの製造を提供すること
であも 課題を解決するための手段 請求項１記載の半導体レーザ（よ　化合物半導体基板上
にダブルヘテロ構造を有しており、活性層内に基本横モ
ード発振が成立する幅へ　電流注入のための順テーパー
に加工したストライプ状の溝を電流阻止層に確保し　こ
の溝および電流阻止層の上部を、電流阻止層よりも屈折
率の低い第３クラッド層で被覆していも　請求項２記載
の半導体レーザζよ　請求項１におけるエッチング・ス
トッパー層バ　電流阻止層のみを選択的にエツチングす
る目的で、（ＡＩＸ　Ｇａ＋−ｘ）＠、５Ｉｎｓ、５Ｐ
（０≦ｘ≦１）、またｉ’ｌ　　Ａｌｖ　Ｇａ＋−ｙＡ
ｓ（０≦ｙ≦１）の単層若しくは多層膜から成るとして
いも　請求項３の記載の半導体レーザの製造方法ζ戴　
ダブルヘテロ構造を有する半導体レーザを製造するもの
で、電流阻止層に対するエツチング速度が速く、かつエ
ッチング・ストッパー層に対するエツチング速度が極端
に遅いエツチング液を用いて、活性層内に基本横モード
発振が成立しつる輻のストライプ状の溝を電流阻止層に
形成し　しかる後く　電流阻止層より屈折率の小さい第
３のクラッド層をダブルヘテロ構造の上部に成長させも
　上記において、化合物半導体基板としてｇｔ　　例え
ばｎ−ＧａＡｓ基板が用いられ活性層として＆よ　例え
ば（Ａｌｚ　Ｇａ＋−ｚ）ｓ、５Ｉｎｓ、ｓＰ層が用い
られも　活性層を狭む２層のクラッド層（第１クラッド
層および第２クラッド層）としては　それぞｔｌ、ｎ−
およびＰ−（Ａ１１．ｌＧａ＋−ｗ）ｓ、５Ｉｎｓ、ｓ
Ｐ層が用いられも　ここで、４ｗの値は ０≦２≦Ｗ≦１ に設定されも　また　化合物半導体基板と第１クラッド
層の間に設けられるバッファ層としてＧよ例えばｎ−Ｇ
ａＡｓが用いられ　第３クラッド層としては　例えばＰ
−ＡＬｕＧａ＋−１ｌＡｓが用いられも　電流阻止層に
は例え４（ｎ−ＧａＡｓが用いられ　屈折率ζ、ｔ、　
　Ｐ−Ａｌ＋＋Ｇａ＋−ｕＡｓの方がｎ−ＧａＡｓより
も小さくなも作用 上記の半導体レーザの構成によれば　活性層内に基本横
モード発振が成立する幅へ　電流注入のためのストライ
プ状の溝を電流阻止層に確保しこの溝および電流阻止層
の上部を、電流阻止層よりも屈折率の低い第３クラッド
層で覆っているたム　活性層内で発生した光は　第３ク
ラッド層と電流阻止層の屈折率差を感じて、ストライプ
状の溝の下部の活性層内を導波するた取　屈折率導波型
の横モードのレーザ発振を生じも　第３クラッド層とし
て、電気抵抗および熱抵抗の低い材銖例えばＡｌｕ　Ｇ
ａ＋−ｕＡｓ（０≦Ｕ≦１）を用いることにより、素子
の直列抵抗を下げることができ、レーザ発振による発熱
を抑制でき、信頼性を向上させることができも　また前
記の半導体レーザの製造方法によれば　電流阻止層７に
対するエツチング速度が速く、かつエッチング・ストッ
パー層６に対するエツチング速度が非常に遅いエツチン
グ液を用しく活性層内に基本横モード発振が成立するよ
うな幅のストライプ状の溝を電流阻止層に形成し　溝底
部にエッチング・ストッパー層が露出した状態で、電流
阻止層よりも屈折率の低い第３クラッド層で溝底部を被
覆すａ　電流阻止層に設けられた溝から注入されるキャ
リア（化合物半導体基板に例えばｎ−ＧａＡｓを用いる
時ＣＬ　　正孔）と化合物半導体基板から注入されるキ
ャリア（化合物半導体基板に例えばｎ−ＧａＡｓを用い
るとき１よ　電子）により活性層内に発光が生じも　こ
の阪　活性層内の発光領域としては基本横モード発振と
なるような幅が確保されも　この場Ａ　　ＭＯＶＰＥ法
等による結晶成長工程は　バッファ層２から電流阻止層
７まで積層する工程と、電流阻止層７にストライプ状の
溝を作成した抵　第３クラッド層８とキャップ層９を被
覆する工程の２回の結晶成長で半導体レーザを作製する
ことができも 実施例 以下、本発明の実施例を図面を参照しながら説明すも （実施例１） 第１図にこの発明の一実施例の横モード制御型の赤色半
導体レーザの断面図を示し　第２図に第１図の半導体レ
ニザの製造工程を表す工程断面図を示も　この半導体レ
ーザ！よ　第１図に示すようＥ、　　ｎ−ＧａＡｓ基板
１上にｎ−ＧａＡｓバッファ層２を介して、アンドープ
Ｇａ＊、ｓＩｎ＠、ｓＰ活性層４をｎ−（Ａｌｍ、＊Ｇ
ａｓ、ａ）＊、ｓＩｎ＠、ｓＰクラッド層３およびＰ−
（Ａｌｓ、ａＧａ−。

４）・、ｓＩｎ＊、ｉｐクラッド層５で狭んでなるダブ
ルヘテロ構造を有していも　そして、１−ＧａＡｓ電流
阻止層７にはキャリア（この壕　正孔）を注入するため
のストライプ状の溝を形成していも　この溝およびｎ−
ＧａＡｓ電流阻止層７の上部にＣ１ｎ−ＧａＡｓ電流阻
止層７より屈折率の小さいＰ−Ａｌｓ、ｙＧａｓ、ｓＡ
ｓクラッド層８で覆われていも　キャリア（正孔）のア
ンドープＧａｓ、５Ｉｎｓ、ｓＰ活性層４内への注入に
より発光した光ζ；Ｌ　　ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７で
吸収されるためく　溝下部の活性層４と電流阻止層７の
下部の活性層で実効的な屈折率差を生じも　したがって
光はストライプ状の溝の下部の活性層内を導波すムそこ
で、この溝の幅を設定することにより、屈折率導波型の
単一横モードのレーザ発振を得ることができも　Ｐ−Ａ
ｌｓ、７Ｇａｍ、＊Ａｓフラッド層８の上部にｉｔ　　
Ｐ−ＧａＡｓキャップ層９が設けられ　さらにＰ側電極
１０が設けられていム　ま？Ｑ　　ｎ−ＧａＡｓ基板１
側にζＩｎ側電極１１が設けられてい７；）、、　　Ｐ
−Ｇａｓ、ｓＩｎ＊、ｓＰエッチング・ストッパー層６
　ｌ友ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７にストライプ状の溝を
形成する時に用いもすなわ板　ホトリソグラフィー技術
とエツチング技術で溝を形成する服　正確にエツチング
をＰ−Ｇａｓ、ｓＩｎ＠、ｓＰエッチング・ストッパー
層６で停止させるために必要であも　ここで、Ｐ−Ｇａ
ｓ、ｓｌｎ＠、ｓＰエッチング・ストッパー層６とアン
ドープＧａｓ　、　ｓ　Ｉｎ・、ＩＰ活性層４の禁制帯
幅はほぼ等しいたｋ　　Ｐ−Ｇａｓ、５Ｉｎｓ、ｓＰエ
ッチング・ストッパー層６での光の吸収がおこる恐れが
ある力＜、　　Ｐ−Ｇａ＠、ｓｒｎ＊、ｓＰエッチング
・ストッパー層６を１００人と薄くすれば問題はなｔ〜
第３クラッド層に用いているＰ−Ａｌｓ　、　ｔ　Ｇａ
ｓ　、　ｓ　Ａｓは従来例（第５図）のＰ−（Ａｌｍ、
５Ｇａｓ、ａ）＠、５Ｉｎｓ、ｓＰに比べ電気抵抗およ
び熱抵抗が低く、したがって、半導体レーザのＰ側電極
ｎ側電極間の直列抵抗を小さくすることができ、その結
果　レーザ発振時の発熱を抑えることができる。つぎに
　この半導体レーザの製造方法を第２図を参照しながら
説明すもまず第２図（ａ）に示すように　ｎ−ＧａＡｓ
：Ｓｉ基板１上にｎ−ＧａＡｓ：Ｓｅバッファ層２、　
厚さ１．０μｍのｎ−（ＡｌｅｓＧａｓ、４）ｉ、ｓＩ
ｎ＠、ｓＰ：Ｓｅクラッド層（キャリア濃度１ｘ、１０
”ｃｒ’）　　３、厚さ０．０６μｍのアンドープＧａ
ｉ、５ｉ１ｓ、ｓＰ層４、　厚さ０．２５μｍのＰ−（
Ａｌｍ、５Ｇａｉ、、４）ｉ、５Ｉｎｓ、６Ｐ：Ｚｎク
ラッド層（キャリア濃度５　Ｘ　ＬＯ”Ｃｍ−”）５、
　厚さ０．０１　ｐ　ｍ（１００人）のＰ−Ｇａｓ　、
　ｓ　Ｉｎｓ　、　６Ｐ　：Ｚｎｘ　ッチング・ストッ
パー層（キャリア濃度Ｉ　Ｘ　１０’８ｃｍ町　６、厚
さ０．５μｍのｎ−ＧａＡｓ　：Ｓｅ電流阻止層（キャ
リア濃度５　Ｘ　１０”ｃｍ−”）　７をＭＯＶＰＥ法
又はＭＴＪ　Ｅ法により順次エピタキシャル成長すム　
その後第２図（ｂ）に示すように　ホトリソグラフィー
技術とエツチング技術を用いて、ｎ−ＧａＡｓ電流阻止
層７にストライプ状の溝を形成すも　エツチング液には
硫酸系のエツチング液（例えば　硫酸：過酸化水素水・
水＝１・１：１０で混合した液）を用いると、Ｐ−Ｇａ
ｍ、ｓｌｎｍ、ｓＰエッチング・ストッパー層６でエツ
チングが停止すム　この溝の幅は　溝底部で約３μｍで
あも　その後第２図（Ｃ）に示すように　ストライプ状
の溝およびｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７の上部番へＰ−Ａ
ｌｇ、〒Ｇａｓ、ｓＡｓ：Ｚｎクラッド層８およびＰ−
ＧａＡｓ：Ｚｎキャップ層９を順欠　ＭＯＶＰＥ法（ま
たはＭＢＥ法）により成長すム　最後に　Ｐ側電極Ａｕ
／Ｚｎ／Ａｕ１Ｑ、　ｎ側電極ＡｕＧｅ／Ｎｉｌを蒸着
し　熱処理すム　（第２図（ｄ））以上の様な製造方法
により、第１図に示すような赤色半導体レーザを作製す
ることができも　この製造方法で（よ　結晶成長が２回
で済へ工程を簡便化できも　その結棗　不純物（Ｚｎ、
Ｓｅ）の拡散が軽減でもレーザの特性および信頼性が向
上す也　また電流阻止層とエッチング・ストッパー層と
でエツチング速度が全く異なる材料（ここでｇｇ　　ｎ
−ＧａＡｓ７とＰ−Ｇａｓ、５Ｉｎｉ、ｓＰ６　）を用
いることにより、エツチング工程を正確かつ簡便に行う
ことができ、その結果ストライプの溝底部の幅が再現性
よく制御できも （実施例２） この発明の第２実施例を第３図を参照しながら説明すも
　第３図は横モード制御型の赤色半導体レーザの断面図
であム　第２の実施例でｌｉ　　ｎ−ＧａＡｓ電流阻止
層７にストライプ状の溝を形成する際のエッチング・ス
トッパー層として、ｎ−Ａｌｍ、ｓＧａ・ｓＡｓエッチ
ング・ストッパー層１３およびＰ−ＧａＡｓエッチング
・ストッパー層１２を用いていも　これはＰ−ＡＩＧａ
Ａｓクラッド層８のエピタキシャル成長啄結晶成長表面
である電流阻止層７、ｎ−Ａｌ＠、５Ｇａａ、ｓＡｓエ
ッチング・ストッパー層１３のＶ族原子がすべてＡｓと
なり、またストライプ溝底部の表面に（Ａｌ・Ｇａ＋−
翼）Ｍ　Ｉｎ＋−νＰ（０≦ｘ≦−１）クラッド層５が
露出せず、かつｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７のみを選択的
にエツチングすることができるようにするためであも　
エッチング・ストッパー層の厚さ【友　約０．０１μｍ
であムこの構造の製造方法（友　第２図に示すそれとほ
とんど同じである戟　エツチング工程が異なも　７まで
堆積させてエツチング工程では　ま哄　アンモニア系の
エツチング液（例えば　アンモニア：過酸化水素水＝１
・２０の比率の混合液）を用いて、ｎＧａＡｓ電流阻止
層７のエツチングをｎ−Ａｌ１．５Ｇａｉ、６ＡＳエッ
チング・ストッパー層１３で停止させも　次善ミフッ酸
若しくは塩酸系のエツチング液によりｎ−Ａｌ・、ｓＧ
ａ・、ｓＡｓエッチング・ストッパー層１３のみをエツ
チングしてＰ−ＧａＡｓエッチング・ストッパー層１２
を溝の底部に露出させも　以上の様にｎ−ＧａＡｓ電流
阻止層７にストライプ状の溝を形成した後の工程ζ上　
実施例１と同様に８．９．１０を堆積させも　第２実施
例で（よ　エッチング・ストッパー層として、ｎ−Ａｌ
５．５Ｇａｓ、ｓＡｓエッチング・ストッパー層１３お
よびＰ−ＧａＡｓエッチング・ストッパー層１２を用い
てい衣　本発明の効果は第１実施例と変わらない。第２
実施例で（↓　７のエッチング・ストッパーとしてｎ−
Ａｌ５．５Ｇａｓ、ｓＡｓの組成を限定したＭ　　ｎ−
Ａ１５Ｇａ＋−５Ａｓ（Ｓ２Ｏ，４）であれば良し−以
上の様く　２層のエッチング・ストッパー層を用いるこ
とにより、ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７に正確かつ簡便に
　ストライプ状の溝を作製することができも （実施例３） この発明の第３の実施例を第４図に示す。第３図は横モ
ード制御型の赤色半導体レーザの断面図であａ　第３実
施例では　実施例１と比べてエッチング・ストッパー層
としてＰ−Ｇａ＠、　ｓ　Ｉｎ・、ｓＰの代わりＣミ　
厚さ約０．０１．ｕｎのＰ−Ａｌｓ、５Ｇａｉ、ｓＡｓ
エッチング・ストッパー層１４を用いてい４　　ｎ　−
Ｇ　ａ　Ａ　ｓ電流阻止層７にストライプ状の溝を形成
する際のエツチング液には　アンモニア系のエツチング
液（例え（ｉアンモニア：過酸化水素水＝　１　：２０
の混合液）を用いる・上記エツチング液を用いることに
より、Ｐ−Ａｌｓ、ａＧａｓ、ｓＡｓエツチング・スト
・ソバ−層℃　工・ソチングが停止すム　第３の実施例
でＣＬ　　電流阻止層７のエッチング・ストッパーとし
てＰ−Ａｌｓ、５Ｇａｓ、５Ａｓ１４の組成を限定した
力＜、　　Ｐ−ＡｌｔＧａ＋−ｔＡＳ（ｔ≧０゜４）で
あればよしｔ　以上述べた様に　エッチング・ストッパ
ー層を入れることにより、ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７に
正確かつ容易へ　ストライプ状の溝を形成できも　前記
３つの実施例では　ダブルヘテロ構造を構成する材料を
指定した力丈　クラッド層力（（Ａ１ｗＧａ＋−ｍ）ｓ
、ｓＩｎ＠、ｓＰ、　　活性層が（Ａｌｚ　Ｇａ＋　−
２）＠　、　ｓ　Ｉｎ・ｓＰ（ここで、　１≧Ｗ≧２≧
０）の場合で耘　この発明の効果は太き（Ｘ。

発明の効果 半導体レーザによれば　電流阻止層にストライプ状の溝
を設（す、この溝および電流阻止層の上部を電流阻止層
よりも屈折率の小さい第３クラッド層で覆うことにより
、単一横モードのレーザ発振を得ることができ、また　
第３クラッド層に電気抵抗および熱抵抗の小さな材料を
用いることにより、電流注入時のクラッド層の抵抗を下
げることができ、したがって素子全体の直列抵抗を下げ
ることができ、　レーザ駆動時の発熱を抑えることが可
能で信頼性を向上させることができも　半導体レーザに
よれば　エッチング・ストッパー層に（ＡｌｘＧａ＋−
ｘ）ｓ、５Ｉｎｓ、ｓＰ（０≦ｘ≦１）またはＡＩ、Ｇ
ａ＋−ｖ／’１ｓ（０≦ｙ≦１）の単層若しくは多層膜
を用いること−により、前記電流素子層にストライプ状
の溝を容易に形成することができも　半導体レーザの製
造方法によれば　電流阻止層のエツチング速度とエッチ
ング・ストッパー層のエツチング速度が大きく異なるエ
ツチング液を用いて、電流阻止層にストライプ状の溝を
形成でき、また　結晶成長が２回で屈折率導波型・の半
導体レーザを得ることができム

【図面の簡単な説明】

第１＠　第３図および第４図（よ　それぞれ本発明の実
施例の半導体レーザの構造を示す断面医第２図は第１図
に示す本発明の一実施例の半導体レーザの製造を示す工
程順断面医　第５図は従来の半導体レーザの構造断面図
であも １・・・・ｎ−ＧａＡｓ基板、　２・・・・ｎ−ＧａＡ
ｓバッファ凰３　・・・・ｎ−（Ａｌｓ、ａＧａｓ、４
）ｓ、５Ｉｎｓ、ＧＰクラ・ンド凰　４・・・・アンド
ープＧａｓ　、　ｓ　Ｇａｓ　、　ｓ　Ｐ活性Ｊｌ　　
５　・・・・Ｐ−（Ａｌｅ、５Ｇａｓ、４）ｓ、５Ｉｎ
ｉ、ｓＰクラッド層、　６　・・・・Ｐ−Ｇａｓ、５Ｉ
ｎｓ、ｓＰエッチング・ストッパー恩　７・・・・ｎ−
ＧａＡｓ電流阻止凰　８　・・・・Ｐ−Ａｌｓ、ｖＧａ
ｓ、ｔＡｓクラッド＃　９・・・・Ｐ−ＧａＡｓキャッ
プＪｊｊ、　　１０・・・・Ｐ側型Ｋ　　１１・・・・
ｎ側ｔＫ　　１２・・・・Ｐ−ＧａＡｓエッチング・ス
トッパー凰１３”ｎ−Ａ１５．１Ｇａａ、ｓＡＳエッチ
ング・ストッパー凰１４・・・・Ｐ−Ａｌｓ、ｓＧａ＠
、ｓＡｓエッチング・ストッパー凰１５”Ｐ−Ｇａｓ、
５Ｉｎａ、ｓＰ凰 代理人の氏名　弁理士　小鍜治　明　ほか２名悪 図 第 図 第 図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）第１クラッド層、活性層、第２クラッド層、エッ
   チング・ストッパー層、電流阻止層を有するダブルヘテ
   ロ構造において、前記電流阻止層を順テーパに加工した
   ストライプ状の溝を有し、かつ前記溝部および前記電流
   阻止層の上部に前記電流阻止層よりも屈折率の低い第３
   クラッド層を有することを特徴とする半導体レーザ。
2. （２）エッチング・ストッパー層が、（Ａｌ＿ｘＧａ＿
   １＿−＿ｘ）＿０＿．＿５Ｉｎ＿０＿．＿５Ｐ（０≦ｘ
   ≦１）またはＡｌ＿ｙＧａ＿１＿−＿ｙＡｓ（０≦ｙ≦
   １）の単層から成る特許請求の範囲第１項記載の半導体
   レーザ。
3. （３）第２クラッド層上に、Ａｌ＿ｙＧａ＿１＿−＿ｙ
   Ａｓ（０≦ｙ≦０．４）のエッチング・ストッパー層、
   さらにその上にＡｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ（０．４
   ≦ｘ≦１）のエッチング・ストッパー層を備えたことを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ。
4. （４）半導体基板上に第１クラッド層、活性層、第２ク
   ラッド層、エッチング・ストッパー層、電流阻止層を順
   次積層したダブルヘテロ構造において、前記電流阻止層
   に対するエッチング速度が速くかつエッチング・ストッ
   パー層に対するエッチング速度が遅いエッチング液を用
   いて、前記電流阻止層に前記活性層内に基本横モード発
   振が成立しうる幅のストライプ状の溝を形成し、溝底部
   にエッチング・ストッパー層が露出した状態で、前記電
   流阻止層より屈折率の小さい第３クラッド層を成長させ
   る工程を備えたことを特徴とする半導体レーザの製造方
   法。