JPH04115492A - エレクトロルミネセンスパネル - Google Patents
エレクトロルミネセンスパネルInfo
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- JPH04115492A JPH04115492A JP2235257A JP23525790A JPH04115492A JP H04115492 A JPH04115492 A JP H04115492A JP 2235257 A JP2235257 A JP 2235257A JP 23525790 A JP23525790 A JP 23525790A JP H04115492 A JPH04115492 A JP H04115492A
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- insulating layer
- zns
- electrode
- oxide insulating
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- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 32
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 5
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、発光膜母体材料としてSrS、CaS、Ba
S等のアルカリ土類硫化物を用いたエレクトロルミネセ
ンス(EL)パネルに関するものである。
S等のアルカリ土類硫化物を用いたエレクトロルミネセ
ンス(EL)パネルに関するものである。
第2図は、SID 85 Digest、p218
−221に記載のELパネルを示す概略断面図である。
−221に記載のELパネルを示す概略断面図である。
このELパネルは、カラス基板11上に透明電極12、
酸化物絶縁層13、バッファ層14、発光層15、バッ
ファ層16、酸化物絶縁層17、背面電極18が順に積
層された構成を持つ。ここで、酸化物絶縁層13.17
はY203等からなる。また、バッファ層14.16は
酸化物絶縁層13.17と発光層15とが剥離しにくい
ようにするために備えられた層であり、ZnSにより形
成される。さらに、発光層15はSrS等の発光膜母体
材料にCe等の希土類材料を発光材料として混合したも
のか用いられている。
酸化物絶縁層13、バッファ層14、発光層15、バッ
ファ層16、酸化物絶縁層17、背面電極18が順に積
層された構成を持つ。ここで、酸化物絶縁層13.17
はY203等からなる。また、バッファ層14.16は
酸化物絶縁層13.17と発光層15とが剥離しにくい
ようにするために備えられた層であり、ZnSにより形
成される。さらに、発光層15はSrS等の発光膜母体
材料にCe等の希土類材料を発光材料として混合したも
のか用いられている。
第3図は、SID 86 Digest、、p41
−43に記載のELパネルを示す概略断面図である。こ
のELパネルは、カラス基板21上に透明電極22、酸
化物絶縁層23a、窒化物絶縁膜23b1発光層25、
窒化物絶縁膜27b、酸化物絶縁層27a、背面電極2
8が順に積層された構成を持つ。ここで、酸化物絶縁層
23aはSiO2からなり、窒化物絶縁膜23b、27
bはSi3N4からなる。また、発光層25はCaS:
EuSからなり、酸化物絶縁層25aはAJ 203か
らなる。
−43に記載のELパネルを示す概略断面図である。こ
のELパネルは、カラス基板21上に透明電極22、酸
化物絶縁層23a、窒化物絶縁膜23b1発光層25、
窒化物絶縁膜27b、酸化物絶縁層27a、背面電極2
8が順に積層された構成を持つ。ここで、酸化物絶縁層
23aはSiO2からなり、窒化物絶縁膜23b、27
bはSi3N4からなる。また、発光層25はCaS:
EuSからなり、酸化物絶縁層25aはAJ 203か
らなる。
口発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、上記第2図のELパネルの輝度は発光層
かSrS:Ceの場合に5kHz駆動時で350 c
d、/m2程度であり、第3図のELパネルのm、には
1kHz駆動時で170 c d、/m2程度である。
かSrS:Ceの場合に5kHz駆動時で350 c
d、/m2程度であり、第3図のELパネルのm、には
1kHz駆動時で170 c d、/m2程度である。
従って、輝度が駆動周波数に比例するものとして換算す
ると、60Hzの場合の輝度は第2図のELパネルで約
4.2cd/m2、第3図のELパネルで約10Cd/
′m2であり、実用化するためには輝度が低すぎる問題
かあった5そこで、本発明は上記課題に鑑み、アルカリ
土類硫化物を発光膜母木材料とするELパネルの輝度の
向上を図ることを目的とする。
ると、60Hzの場合の輝度は第2図のELパネルで約
4.2cd/m2、第3図のELパネルで約10Cd/
′m2であり、実用化するためには輝度が低すぎる問題
かあった5そこで、本発明は上記課題に鑑み、アルカリ
土類硫化物を発光膜母木材料とするELパネルの輝度の
向上を図ることを目的とする。
本発明に係るELパネルは、第一の電極と、上記第一の
電極上に形成された第一の酸化物絶縁層と、上記第一の
酸化物絶縁層上に形成された第一の窒化物絶縁層と、上
記第一の窒化物絶縁層上に形成された第一のZnS層と
、上記第一のZnS層上に形成されたアルカリ土類硫化
物よりなる発光層と、上記発光層上に形成された第二の
ZnS層と、上記第二のZnS層上に形成された第二の
窒化物絶縁層と、上記第二の窒化物絶縁層上に形成され
た第二の酸化物絶縁層と、上記第二の酸化物絶縁層上に
形成された第二の電極とを有することによって構成され
る。
電極上に形成された第一の酸化物絶縁層と、上記第一の
酸化物絶縁層上に形成された第一の窒化物絶縁層と、上
記第一の窒化物絶縁層上に形成された第一のZnS層と
、上記第一のZnS層上に形成されたアルカリ土類硫化
物よりなる発光層と、上記発光層上に形成された第二の
ZnS層と、上記第二のZnS層上に形成された第二の
窒化物絶縁層と、上記第二の窒化物絶縁層上に形成され
た第二の酸化物絶縁層と、上記第二の酸化物絶縁層上に
形成された第二の電極とを有することによって構成され
る。
本発明においては、アルカリ土類硫化物よりなる発光層
をZnS層で挟み、さらにZnS層の外側に窒化物絶縁
層を備えている。これは、ZnS層の外側に酸化物絶縁
層を備えた場合より、窒化物絶縁層を介して酸化物絶縁
層を備えた場合の方か輝度が向上することが、実験的に
確がめられなことによる。尚、輝度が向上する理由は、
ZnS層の外側に窒化物絶縁層を介して酸化物絶縁層を
備えた場合とZnS層の外側に直接酸化物絶縁層を備え
た場合とでは、ZnS層の機能に違いが生じる(ZnS
層の外側に窒化物絶縁層を介して酸化物絶縁層を備えた
場合にはZnS層が電荷注入層として機能する)ことに
よるものと考えられる。
をZnS層で挟み、さらにZnS層の外側に窒化物絶縁
層を備えている。これは、ZnS層の外側に酸化物絶縁
層を備えた場合より、窒化物絶縁層を介して酸化物絶縁
層を備えた場合の方か輝度が向上することが、実験的に
確がめられなことによる。尚、輝度が向上する理由は、
ZnS層の外側に窒化物絶縁層を介して酸化物絶縁層を
備えた場合とZnS層の外側に直接酸化物絶縁層を備え
た場合とでは、ZnS層の機能に違いが生じる(ZnS
層の外側に窒化物絶縁層を介して酸化物絶縁層を備えた
場合にはZnS層が電荷注入層として機能する)ことに
よるものと考えられる。
以下に本発明を図示の実施例に基づいて説明する。
第1図は本発明に係るELパネルの一実施例を示す概略
断面図である。
断面図である。
本実施例のBLパネルは、ガラス基板1上に透明電極(
第一の電[i)2、酸化物絶縁層(第一の酸化物絶縁層
>3a、窒化物絶縁層(第一の窒化物絶縁層)3b、Z
nS層(第一のZnS層)4、発光層5、ZnS層(第
二のZnS層)6、窒化物絶縁層(第二の窒化物絶縁層
>7b、酸化物絶縁層(第二の酸化物絶縁層)7a、背
面電極(第二の電極)8が順に積層された構成を持つ。
第一の電[i)2、酸化物絶縁層(第一の酸化物絶縁層
>3a、窒化物絶縁層(第一の窒化物絶縁層)3b、Z
nS層(第一のZnS層)4、発光層5、ZnS層(第
二のZnS層)6、窒化物絶縁層(第二の窒化物絶縁層
>7b、酸化物絶縁層(第二の酸化物絶縁層)7a、背
面電極(第二の電極)8が順に積層された構成を持つ。
上記酸化物絶縁層3a、7aはスパッタリング法により
S l 02を80nmに成膜して形成される。
S l 02を80nmに成膜して形成される。
上記窒化物絶縁層3b、7bはスパッタリング法により
Si3N4.All N、スは5iAJNを150nm
に成膜して形成される。
Si3N4.All N、スは5iAJNを150nm
に成膜して形成される。
上記発光層5は、SrS、CaS、BaS等のアルカリ
土類硫化物を発光膜母体材料とし、電子線蒸着法により
形成される。この場合、蒸着材料として、発光中心材料
(青緑色用にCe Cj 3、赤色用にEu5)に電荷
補償材料であるKCjを混合した粉末を加圧成形したベ
レットを用いる。
土類硫化物を発光膜母体材料とし、電子線蒸着法により
形成される。この場合、蒸着材料として、発光中心材料
(青緑色用にCe Cj 3、赤色用にEu5)に電荷
補償材料であるKCjを混合した粉末を加圧成形したベ
レットを用いる。
上記透明電極2はITOからなり、背面電極8はAj等
の金属からなる。
の金属からなる。
そして、透明電極2と背面電極8に約200Vの交流電
圧を印加すると、透明電極2と背面電極8の交差した部
分の発光層5が発光し、透明電極2及びガラス基板1を
通して観測される。
圧を印加すると、透明電極2と背面電極8の交差した部
分の発光層5が発光し、透明電極2及びガラス基板1を
通して観測される。
第4図は本実施例と窒化物絶縁層を備えない比較例とに
ついてZnS層の膜厚と輝度との関係を測定した結果を
示すグラフである。ここで、本実施例のELパネルとし
ては第1図の構成のものを用い、ZnS層なしの場合と
ZnS層が1100n、200nm、300nmの場合
とニツイて輝度を測定しな。比較例のELパネルとして
は、第1図の構成のうちの窒化物絶縁層3b、7bをT
a205で置き換えた構成のものを用い、ZnS層なし
の場合とZnS層が1100n、200nm、300n
mの場合とについて輝度を測定した。
ついてZnS層の膜厚と輝度との関係を測定した結果を
示すグラフである。ここで、本実施例のELパネルとし
ては第1図の構成のものを用い、ZnS層なしの場合と
ZnS層が1100n、200nm、300nmの場合
とニツイて輝度を測定しな。比較例のELパネルとして
は、第1図の構成のうちの窒化物絶縁層3b、7bをT
a205で置き換えた構成のものを用い、ZnS層なし
の場合とZnS層が1100n、200nm、300n
mの場合とについて輝度を測定した。
尚、発光層はSrS:Ce、Eu、にである。
この結果、第4図に示されるように、1 kHz駆動時
で、比較例では最大輝度か7’30cd、/m2であり
、ZnS層を備えることにより輝度か低下することが観
測された。これに対し、本実施例では輝度がZnS層の
膜厚に応じて増加して、最大950cd/m2となるこ
とが観測された。従って、輝度が駆動周波数に比例する
ものとして換算すると、本実施例では60Hz駆動時で
輝度が50cd/m2程度になる。
で、比較例では最大輝度か7’30cd、/m2であり
、ZnS層を備えることにより輝度か低下することが観
測された。これに対し、本実施例では輝度がZnS層の
膜厚に応じて増加して、最大950cd/m2となるこ
とが観測された。従って、輝度が駆動周波数に比例する
ものとして換算すると、本実施例では60Hz駆動時で
輝度が50cd/m2程度になる。
尚、発光層5をZn3層4,6で挟む#J遣とし、さら
にZn3層4.6の外側に窒化物絶縁層3a7aを備え
ることによって発光輝度が向上する理由は、印加電圧に
よる電界によりZn3層4.6から発光層5に電荷が注
入されることによるためと考えられる。
にZn3層4.6の外側に窒化物絶縁層3a7aを備え
ることによって発光輝度が向上する理由は、印加電圧に
よる電界によりZn3層4.6から発光層5に電荷が注
入されることによるためと考えられる。
また、Zn3層4,6が厚い程、輝度を向上させること
ができるが、Zn3層4,6が厚い程、印加電圧を大き
くする必要があるため、Zn3層4.6の厚さの上限は
300nm程度である。
ができるが、Zn3層4,6が厚い程、印加電圧を大き
くする必要があるため、Zn3層4.6の厚さの上限は
300nm程度である。
以上説明したように、本発明によれば、発光層をZnS
層で挟み、さらにZnS層の外側に窒化物絶縁層を備え
ることにより、発光輝度をZnS層の膜厚に応じて増加
させることができる。
層で挟み、さらにZnS層の外側に窒化物絶縁層を備え
ることにより、発光輝度をZnS層の膜厚に応じて増加
させることができる。
第1図は本発明に係るELパネルの一実施例を示す概略
断面図、 第2図は従来例を示す概略断面図、 第3図は他の従来例を示す概略断面図、第4図は本実施
例と窒化物絶縁層を備えない比較例とについてZnS層
の膜厚と輝度との関係を測定した結果を示すグラフであ
る。 1・・・ガラス基板 2・・・透明電極〈第一の電極) 3a・・・酸化物絶縁層(第一の酸化物絶縁層)3b・
・・窒化物絶縁層(第一の窒化物絶縁N)4・・−Zn
S層(第一のZnS層) 5・・・発光層、 6一−−ZnS層(第二のZnS層) 7b・・・窒化物絶縁層(第二の窒化物絶縁層)7a・
・・酸化物絶縁層(第二の酸化物絶縁層)8・・・背面
電極く第二の電極) 特許出願人 沖電気工業株式会社 代理人 弁理士 前 1) 実 伎旬輻11A行丁灰酪漁面図 第2図 第3図 ZnS J x! 4 (nm) ZnSノ噛ゎ月東4とffa、1PAI糸を視り妄1斤
条長も三零万グラフ第4図
断面図、 第2図は従来例を示す概略断面図、 第3図は他の従来例を示す概略断面図、第4図は本実施
例と窒化物絶縁層を備えない比較例とについてZnS層
の膜厚と輝度との関係を測定した結果を示すグラフであ
る。 1・・・ガラス基板 2・・・透明電極〈第一の電極) 3a・・・酸化物絶縁層(第一の酸化物絶縁層)3b・
・・窒化物絶縁層(第一の窒化物絶縁N)4・・−Zn
S層(第一のZnS層) 5・・・発光層、 6一−−ZnS層(第二のZnS層) 7b・・・窒化物絶縁層(第二の窒化物絶縁層)7a・
・・酸化物絶縁層(第二の酸化物絶縁層)8・・・背面
電極く第二の電極) 特許出願人 沖電気工業株式会社 代理人 弁理士 前 1) 実 伎旬輻11A行丁灰酪漁面図 第2図 第3図 ZnS J x! 4 (nm) ZnSノ噛ゎ月東4とffa、1PAI糸を視り妄1斤
条長も三零万グラフ第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第一の電極と、 上記第一の電極上に形成された第一の酸化物絶縁層と、 上記第一の酸化物絶縁層上に形成された第一の窒化物絶
縁層と、 上記第一の窒化物絶縁層上に形成された第一のZnS層
と、 上記第一のZnS層上に形成されたアルカリ土類硫化物
よりなる発光層と、 上記発光層上に形成された第二のZnS層と、上記第二
のZnS層上に形成された第二の窒化物絶縁層と、 上記第二の窒化物絶縁層上に形成された第二の酸化物絶
縁層と、 上記第二の酸化物絶縁層上に形成された第二の電極とを
有することを特徴とするエレクトロルミネセンスパネル
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2235257A JPH04115492A (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | エレクトロルミネセンスパネル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2235257A JPH04115492A (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | エレクトロルミネセンスパネル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04115492A true JPH04115492A (ja) | 1992-04-16 |
Family
ID=16983405
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2235257A Pending JPH04115492A (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | エレクトロルミネセンスパネル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04115492A (ja) |
-
1990
- 1990-09-04 JP JP2235257A patent/JPH04115492A/ja active Pending
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