JPH0473887A - Elパネル - Google Patents

Elパネル

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Publication number
JPH0473887A
JPH0473887A JP2185690A JP18569090A JPH0473887A JP H0473887 A JPH0473887 A JP H0473887A JP 2185690 A JP2185690 A JP 2185690A JP 18569090 A JP18569090 A JP 18569090A JP H0473887 A JPH0473887 A JP H0473887A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
layers
luminescent
panel
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2185690A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuro Mita
見田 充郎
Seichiku Kou
高 青竹
Masanobu Kobayashi
小林 政信
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP2185690A priority Critical patent/JPH0473887A/ja
Publication of JPH0473887A publication Critical patent/JPH0473887A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は画像表示装置に使用されるELパネルに関する
ものであり、さらに詳しくはアルカリ土類金属硫化物を
発光母体に用いてマトリクス表示を行うELパネルに関
するものである。
[従来の技術] 近年、アルカリ土類金属硫化物を発光母体に用いてマト
リクス表示を行うELパネルが研究されている。上記E
Lパネルでは、Ca5SSrSなどのアルカリ土類金属
硫化物を発光母体とし、発光中心としてo、oi−iモ
ル%程度の希土類元素などを含む発光体により発光膜が
形成されている。上記発光膜により生じるEL発光は、
例えば、発光体としてSrS:Ce、Eu、Kを使用し
ている白色発光パネルでは、1kHz駆動時に最高50
0cd/i程度の輝度が得られるとされている。ところ
が、一般にELパネルでマトリクス表示を行う場合には
駆動周波数は通常60Hzであり、また、EL発光の輝
度は周波数にほぼ比例するので、上記した最高輝度でも
マトリクス表示の場合には30cd/rr?程度の輝度
しか得られない。
そこで、上記発光体を用いるELパネルにおいて、輝度
の向上が望まれている。
一方、上記発光体により形成した発光膜をSiO□、T
a*O+s、Y2O,などからなる絶縁膜と直接種層す
る構成とした場合には、上記絶縁膜を形成する酸化物か
ら酸素が発光膜中に拡散し、発光膜が酸化されやすくな
ることが知られている。そこで、上記発光膜の酸化を防
止するために、ELパネルの発光膜と絶縁膜との間にバ
ッファー層を設けることが、ダイジェスト オブ テク
ニカルペーパーズ ニスアイデー 1986 (S、T
anakaet、al、、”Red and Blue
 Erectoroluminescence 1nA
lkaline−earth 5ulfide Thi
n−Film DevicesDigest of T
echnical Papers、5ID1986.(
1986) p。
29−32)、及び、ダイジェスト オブ テクニカル
ペーパーズ ニスアイデー 1989 (T、Yosh
iokaet、al、、”Characteristi
cs of Red Erectoro−1umine
scent Devices Using Ca5t−
、Se、:Eu Phos−phor Layers”
、Digest of Technical Pape
rs、5ID1989、(1989) p、313−3
16)などの刊行物に記載されている。上記刊行物記載
のバッファー層は、いずれも硫化亜鉛(ZnS)により
形成されている。
第2図は、アルカリ土類金属硫化物を発光母体に用い、
上記バッファー層を設けた従来のELパネルの構成例を
示す一部断面図である。
従来のELパネルは第2図に示すように、ガラス基板2
1上にITOなどからなるストライブ状の透明電極22
.5iOz、Ta、0.、Y 20 aなどからなる絶
縁膜23aSZnSからなるバッファー層24a1及び
、上記アルカリ土類金属硫化物を発光母体とする発光体
により形成された発光膜25がこの順に積層されて備え
られている。発光膜25上には、さらに、上記バッファ
ー層24a及び絶縁膜23aと同一の材料から形成され
ているバッファー層24b及び絶縁膜23bが備えられ
ており、いわゆる二重絶縁構造を構成している。
上記ELパネルにおいて、発光膜25の厚さは通常50
0〜2000nm程度であり、バッファー層24a及び
24bの厚さは共に通常100〜300nm程度である
上記絶縁膜23a及び23bは、上記したいずれか一つ
の材料からなる単層の薄膜であってもよいが、一般には
二種類以上積層した複合絶縁膜が使用される。上記複合
絶縁膜を使用する際には、絶縁膜23aと23bとが発
光膜25に対して対称的に形成されていることが好まし
く、例えば絶縁膜23aを5insにTa*Ogを積層
して形成した場合には絶縁膜23bはTa、O,に5i
02を積層して形成する。そして、絶縁膜23b上には
、アルミニウムなどの金属からなる背面電極26が透明
電極22と直交するストライブ状に備えられており、上
記した各構成要素とともにELパネルを構成している。
上記ELパネルでは、透明電極22と背面電極26との
間に例えば200V程度の交流電圧を印加することによ
り、上記画電極の交差した部分に挟まれる発光膜25に
てEL発光が生じ、該発光はガラス基板21を通して観
察される。
上記文献の記載によれば、ELパネルを上記した構成と
することにより、アルカリ土類金属硫化物を発光母体と
する発光膜の酸化を防止することができるとされている
。また、上記した後者の刊行物には、上記発光膜をZn
S層で挟むことにより輝度が向上することが記載されて
いる。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、上記従来のELパネルに備えられている
ZnS層は上記の通り本来発光膜の酸化防止のために備
えられているものであり、このようなZnS層による輝
度の向上は十分に満足できるものとはいえない。
そこで、本発明は上記従来技術の問題を解決するために
なされたものであり、その目的とするところは、アルカ
リ土類金属硫化物を発光母体に用い、マトリクス表示を
行うために十分な輝度が得られるELパネルを提供する
ことにある。
[課題を解決するための手段] 本発明に関わるELパネルは、基板と、上記基板上に備
えられた第一の電極と、上記第一の電極上に備えられた
第一の絶縁膜と、上記第一の絶縁膜上に備えられた発光
膜と、上記発光膜上に備えられた第二の絶縁膜と、上記
第二の絶縁膜上に備えられた第二の電極とからなり、上
記発光膜がアルカリ土類金属硫化物を発光母体とする複
数の発光体層と複数の硫化亜鉛層とを交互に積層してな
ることを特徴としている。
[作用] 本発明のELパネルは、発光膜をアルカリ土類金属硫化
物を発光母体とする複数の発光体層と複数の硫化亜鉛層
とを交互に積層した複合膜としている。
上記構成の発光膜は、上記第一の電極と第二の電極との
間に200v程度の交流電圧を印加することにより、上
記画電極の交差した部分に挟まれる領域の発光膜にEL
発光が生じるが、このとき、上記複数のZnS層からは
それぞれの上下に積層されている上記発光体層に電子が
注入される。そして、上記電子の作用がそれぞれ複数の
ZnS層及び発光体層により増幅され、輝度が向上する
ものと考えられる。
[実施例] 以下に本発明を図示の実施例に基づいて説明する。
第1図は、本発明に係わるELパネルの一実施例の構成
を示す一部断面図である。本実施例のELパネルは第1
図に示すように、ガラス基板11上にITOからなる透
明電極12がストライブ状に備えられ、透明電極12上
には絶縁膜13aが備えられている。絶縁膜13aは、
膜厚80nmの5in2薄膜に、膜厚300nmのT 
a *Os薄膜を積層した複合膜である。絶縁膜13a
上にはZnSからなるバッファー層14aが備えられて
おり、その厚さは通常100〜200nmである。
そして、バッファー層14a上には、発光膜15が備え
られている。本発明においては、上記発光膜15が、ア
ルカリ土類金属硫化物を発光母体とする複数の発光体薄
膜と複数のZnS薄膜とを交互に積層して形成されてい
ることを特徴としている。上記発光体薄膜の厚さは通常
100〜800nmの範囲であることが好ましく、上記
ZnS薄膜の厚さは通常30〜300nmの範囲である
ことが好ましい。本実施例では、膜厚約200nmの発
光体薄膜15aと膜厚約50nmのZnS薄膜15bと
を交互に積層して発光膜15を形成している。本実施例
において、発光体薄膜15aの数は6層、ZnS薄膜層
15bの数は5層であり、発光体薄膜15aにZnS薄
膜層15bを挟み込み、発光体薄膜−ZnS薄膜−発光
体薄膜−・・・・・−発光体薄膜−ZnS薄膜−発光体
薄膜となるように形成している。この結果、得られる上
記発光膜15の全膜厚は約1.45μmである。尚、本
実施例では上記発光体として、SrS:Ce、Eu、K
を使用している。上記発光体において、Ceは青緑色の
発光中心、Euは赤色の発光中心であり、KはCeの電
荷補償材料である。
上記発光膜15は、例えば、発光母体であるSrSに0
. 1モル%のCeCI8.0.03モル%のEuS、
0.1モル%のKCIを混合した粉末を加圧成形したの
ち焼成した発光体のベレットと、ZnS粉末を加圧成形
したのち焼成したベレットとを用いて、電子線の照射位
置を変えることにより上記2種類のベレットを交互に照
射する蒸着法により有利に形成することができる。
発光膜15上には、バッファー層14b及び絶縁膜13
bが備えられている。バッファー層14b及び絶縁膜1
3bの組成及び膜厚は、上記バッファー層14a及び絶
縁膜13aと同様であるが、絶縁膜13bはバッファー
層14b上にTa、0゜薄膜、5iOz薄膜の順に積層
し発光膜15に対して絶縁膜13aと対称になるように
形成されている。本実施例のELパネルでは、上記絶縁
膜13a及び13bにより、二重絶縁構造を構成してい
る。
そして、絶縁膜13b上には、アルミニウムなどの金属
からなる背面電極16が透明電極12と直交するストラ
イプ状に備えられており、上記した各構成要素とともに
ELパネルを構成している。
本実施例のELパネルを用いて、従来のELパネルと輝
度を比較した。従来のELパネルとしては、第2図に示
す構成を有し、発光体がSrS:Ce、Eu、にであり
、発光膜の厚さが1.2μmのものを使用した。その結
果を第3図に示す。
第3図において、横軸は印加電圧を、縦軸は輝度(任意
の単位)をそれぞれ示し、本実施例のELパネルの輝度
を実線で、従来例のELパネルの輝度を破線でそれぞれ
示した。
第3図から明らかなように、本実施例のELパネルでは
、200V程度の印加電圧で従来例に対しての約1.4
倍の輝度の向上が認められた。
[発明の効果] 以上詳しく説明したように、本発明のELパネルでは、
発光膜をアルカリ土類金属硫化物を発光母体とする複数
の発光体層と複数の硫化亜鉛層とを交互に積層した複合
膜とすることにより、従来例に比較して約1.4倍の輝
度を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係わるELパネルの一実施例の構成を
示す一部断面図であり、 第2図は従来のELパネルの構成例を示す一部断面図で
あり、 第3図は本発明に係わるELパネルと第2図に示す従来
のELパネルの輝度の比較を示すグラフである。 15 ・・・発光膜、 15a・・・発光体薄膜、 15b・・・ZnS薄膜。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 基板と、 上記基板上に備えられた第一の電極と、 上記第一の電極上に備えられた第一の絶縁膜と、上記第
    一の絶縁膜上に備えられた発光膜と、上記発光膜上に備
    えられた第二の絶縁膜と、上記第二の絶縁膜上に備えら
    れた第二の電極とからなり、 上記発光膜がアルカリ土類金属硫化物を発光母体とする
    複数の発光体層と複数の硫化亜鉛層とを交互に積層して
    なることを特徴とするELパネル。
JP2185690A 1990-07-13 1990-07-13 Elパネル Pending JPH0473887A (ja)

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JP2185690A JPH0473887A (ja) 1990-07-13 1990-07-13 Elパネル

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