JPH0473887A - Elパネル - Google Patents
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- JPH0473887A JPH0473887A JP2185690A JP18569090A JPH0473887A JP H0473887 A JPH0473887 A JP H0473887A JP 2185690 A JP2185690 A JP 2185690A JP 18569090 A JP18569090 A JP 18569090A JP H0473887 A JPH0473887 A JP H0473887A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は画像表示装置に使用されるELパネルに関する
ものであり、さらに詳しくはアルカリ土類金属硫化物を
発光母体に用いてマトリクス表示を行うELパネルに関
するものである。
ものであり、さらに詳しくはアルカリ土類金属硫化物を
発光母体に用いてマトリクス表示を行うELパネルに関
するものである。
[従来の技術]
近年、アルカリ土類金属硫化物を発光母体に用いてマト
リクス表示を行うELパネルが研究されている。上記E
Lパネルでは、Ca5SSrSなどのアルカリ土類金属
硫化物を発光母体とし、発光中心としてo、oi−iモ
ル%程度の希土類元素などを含む発光体により発光膜が
形成されている。上記発光膜により生じるEL発光は、
例えば、発光体としてSrS:Ce、Eu、Kを使用し
ている白色発光パネルでは、1kHz駆動時に最高50
0cd/i程度の輝度が得られるとされている。ところ
が、一般にELパネルでマトリクス表示を行う場合には
駆動周波数は通常60Hzであり、また、EL発光の輝
度は周波数にほぼ比例するので、上記した最高輝度でも
マトリクス表示の場合には30cd/rr?程度の輝度
しか得られない。
リクス表示を行うELパネルが研究されている。上記E
Lパネルでは、Ca5SSrSなどのアルカリ土類金属
硫化物を発光母体とし、発光中心としてo、oi−iモ
ル%程度の希土類元素などを含む発光体により発光膜が
形成されている。上記発光膜により生じるEL発光は、
例えば、発光体としてSrS:Ce、Eu、Kを使用し
ている白色発光パネルでは、1kHz駆動時に最高50
0cd/i程度の輝度が得られるとされている。ところ
が、一般にELパネルでマトリクス表示を行う場合には
駆動周波数は通常60Hzであり、また、EL発光の輝
度は周波数にほぼ比例するので、上記した最高輝度でも
マトリクス表示の場合には30cd/rr?程度の輝度
しか得られない。
そこで、上記発光体を用いるELパネルにおいて、輝度
の向上が望まれている。
の向上が望まれている。
一方、上記発光体により形成した発光膜をSiO□、T
a*O+s、Y2O,などからなる絶縁膜と直接種層す
る構成とした場合には、上記絶縁膜を形成する酸化物か
ら酸素が発光膜中に拡散し、発光膜が酸化されやすくな
ることが知られている。そこで、上記発光膜の酸化を防
止するために、ELパネルの発光膜と絶縁膜との間にバ
ッファー層を設けることが、ダイジェスト オブ テク
ニカルペーパーズ ニスアイデー 1986 (S、T
anakaet、al、、”Red and Blue
Erectoroluminescence 1nA
lkaline−earth 5ulfide Thi
n−Film DevicesDigest of T
echnical Papers、5ID1986.(
1986) p。
a*O+s、Y2O,などからなる絶縁膜と直接種層す
る構成とした場合には、上記絶縁膜を形成する酸化物か
ら酸素が発光膜中に拡散し、発光膜が酸化されやすくな
ることが知られている。そこで、上記発光膜の酸化を防
止するために、ELパネルの発光膜と絶縁膜との間にバ
ッファー層を設けることが、ダイジェスト オブ テク
ニカルペーパーズ ニスアイデー 1986 (S、T
anakaet、al、、”Red and Blue
Erectoroluminescence 1nA
lkaline−earth 5ulfide Thi
n−Film DevicesDigest of T
echnical Papers、5ID1986.(
1986) p。
29−32)、及び、ダイジェスト オブ テクニカル
ペーパーズ ニスアイデー 1989 (T、Yosh
iokaet、al、、”Characteristi
cs of Red Erectoro−1umine
scent Devices Using Ca5t−
、Se、:Eu Phos−phor Layers”
、Digest of Technical Pape
rs、5ID1989、(1989) p、313−3
16)などの刊行物に記載されている。上記刊行物記載
のバッファー層は、いずれも硫化亜鉛(ZnS)により
形成されている。
ペーパーズ ニスアイデー 1989 (T、Yosh
iokaet、al、、”Characteristi
cs of Red Erectoro−1umine
scent Devices Using Ca5t−
、Se、:Eu Phos−phor Layers”
、Digest of Technical Pape
rs、5ID1989、(1989) p、313−3
16)などの刊行物に記載されている。上記刊行物記載
のバッファー層は、いずれも硫化亜鉛(ZnS)により
形成されている。
第2図は、アルカリ土類金属硫化物を発光母体に用い、
上記バッファー層を設けた従来のELパネルの構成例を
示す一部断面図である。
上記バッファー層を設けた従来のELパネルの構成例を
示す一部断面図である。
従来のELパネルは第2図に示すように、ガラス基板2
1上にITOなどからなるストライブ状の透明電極22
.5iOz、Ta、0.、Y 20 aなどからなる絶
縁膜23aSZnSからなるバッファー層24a1及び
、上記アルカリ土類金属硫化物を発光母体とする発光体
により形成された発光膜25がこの順に積層されて備え
られている。発光膜25上には、さらに、上記バッファ
ー層24a及び絶縁膜23aと同一の材料から形成され
ているバッファー層24b及び絶縁膜23bが備えられ
ており、いわゆる二重絶縁構造を構成している。
1上にITOなどからなるストライブ状の透明電極22
.5iOz、Ta、0.、Y 20 aなどからなる絶
縁膜23aSZnSからなるバッファー層24a1及び
、上記アルカリ土類金属硫化物を発光母体とする発光体
により形成された発光膜25がこの順に積層されて備え
られている。発光膜25上には、さらに、上記バッファ
ー層24a及び絶縁膜23aと同一の材料から形成され
ているバッファー層24b及び絶縁膜23bが備えられ
ており、いわゆる二重絶縁構造を構成している。
上記ELパネルにおいて、発光膜25の厚さは通常50
0〜2000nm程度であり、バッファー層24a及び
24bの厚さは共に通常100〜300nm程度である
。
0〜2000nm程度であり、バッファー層24a及び
24bの厚さは共に通常100〜300nm程度である
。
上記絶縁膜23a及び23bは、上記したいずれか一つ
の材料からなる単層の薄膜であってもよいが、一般には
二種類以上積層した複合絶縁膜が使用される。上記複合
絶縁膜を使用する際には、絶縁膜23aと23bとが発
光膜25に対して対称的に形成されていることが好まし
く、例えば絶縁膜23aを5insにTa*Ogを積層
して形成した場合には絶縁膜23bはTa、O,に5i
02を積層して形成する。そして、絶縁膜23b上には
、アルミニウムなどの金属からなる背面電極26が透明
電極22と直交するストライブ状に備えられており、上
記した各構成要素とともにELパネルを構成している。
の材料からなる単層の薄膜であってもよいが、一般には
二種類以上積層した複合絶縁膜が使用される。上記複合
絶縁膜を使用する際には、絶縁膜23aと23bとが発
光膜25に対して対称的に形成されていることが好まし
く、例えば絶縁膜23aを5insにTa*Ogを積層
して形成した場合には絶縁膜23bはTa、O,に5i
02を積層して形成する。そして、絶縁膜23b上には
、アルミニウムなどの金属からなる背面電極26が透明
電極22と直交するストライブ状に備えられており、上
記した各構成要素とともにELパネルを構成している。
上記ELパネルでは、透明電極22と背面電極26との
間に例えば200V程度の交流電圧を印加することによ
り、上記画電極の交差した部分に挟まれる発光膜25に
てEL発光が生じ、該発光はガラス基板21を通して観
察される。
間に例えば200V程度の交流電圧を印加することによ
り、上記画電極の交差した部分に挟まれる発光膜25に
てEL発光が生じ、該発光はガラス基板21を通して観
察される。
上記文献の記載によれば、ELパネルを上記した構成と
することにより、アルカリ土類金属硫化物を発光母体と
する発光膜の酸化を防止することができるとされている
。また、上記した後者の刊行物には、上記発光膜をZn
S層で挟むことにより輝度が向上することが記載されて
いる。
することにより、アルカリ土類金属硫化物を発光母体と
する発光膜の酸化を防止することができるとされている
。また、上記した後者の刊行物には、上記発光膜をZn
S層で挟むことにより輝度が向上することが記載されて
いる。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、上記従来のELパネルに備えられている
ZnS層は上記の通り本来発光膜の酸化防止のために備
えられているものであり、このようなZnS層による輝
度の向上は十分に満足できるものとはいえない。
ZnS層は上記の通り本来発光膜の酸化防止のために備
えられているものであり、このようなZnS層による輝
度の向上は十分に満足できるものとはいえない。
そこで、本発明は上記従来技術の問題を解決するために
なされたものであり、その目的とするところは、アルカ
リ土類金属硫化物を発光母体に用い、マトリクス表示を
行うために十分な輝度が得られるELパネルを提供する
ことにある。
なされたものであり、その目的とするところは、アルカ
リ土類金属硫化物を発光母体に用い、マトリクス表示を
行うために十分な輝度が得られるELパネルを提供する
ことにある。
[課題を解決するための手段]
本発明に関わるELパネルは、基板と、上記基板上に備
えられた第一の電極と、上記第一の電極上に備えられた
第一の絶縁膜と、上記第一の絶縁膜上に備えられた発光
膜と、上記発光膜上に備えられた第二の絶縁膜と、上記
第二の絶縁膜上に備えられた第二の電極とからなり、上
記発光膜がアルカリ土類金属硫化物を発光母体とする複
数の発光体層と複数の硫化亜鉛層とを交互に積層してな
ることを特徴としている。
えられた第一の電極と、上記第一の電極上に備えられた
第一の絶縁膜と、上記第一の絶縁膜上に備えられた発光
膜と、上記発光膜上に備えられた第二の絶縁膜と、上記
第二の絶縁膜上に備えられた第二の電極とからなり、上
記発光膜がアルカリ土類金属硫化物を発光母体とする複
数の発光体層と複数の硫化亜鉛層とを交互に積層してな
ることを特徴としている。
[作用]
本発明のELパネルは、発光膜をアルカリ土類金属硫化
物を発光母体とする複数の発光体層と複数の硫化亜鉛層
とを交互に積層した複合膜としている。
物を発光母体とする複数の発光体層と複数の硫化亜鉛層
とを交互に積層した複合膜としている。
上記構成の発光膜は、上記第一の電極と第二の電極との
間に200v程度の交流電圧を印加することにより、上
記画電極の交差した部分に挟まれる領域の発光膜にEL
発光が生じるが、このとき、上記複数のZnS層からは
それぞれの上下に積層されている上記発光体層に電子が
注入される。そして、上記電子の作用がそれぞれ複数の
ZnS層及び発光体層により増幅され、輝度が向上する
ものと考えられる。
間に200v程度の交流電圧を印加することにより、上
記画電極の交差した部分に挟まれる領域の発光膜にEL
発光が生じるが、このとき、上記複数のZnS層からは
それぞれの上下に積層されている上記発光体層に電子が
注入される。そして、上記電子の作用がそれぞれ複数の
ZnS層及び発光体層により増幅され、輝度が向上する
ものと考えられる。
[実施例]
以下に本発明を図示の実施例に基づいて説明する。
第1図は、本発明に係わるELパネルの一実施例の構成
を示す一部断面図である。本実施例のELパネルは第1
図に示すように、ガラス基板11上にITOからなる透
明電極12がストライブ状に備えられ、透明電極12上
には絶縁膜13aが備えられている。絶縁膜13aは、
膜厚80nmの5in2薄膜に、膜厚300nmのT
a *Os薄膜を積層した複合膜である。絶縁膜13a
上にはZnSからなるバッファー層14aが備えられて
おり、その厚さは通常100〜200nmである。
を示す一部断面図である。本実施例のELパネルは第1
図に示すように、ガラス基板11上にITOからなる透
明電極12がストライブ状に備えられ、透明電極12上
には絶縁膜13aが備えられている。絶縁膜13aは、
膜厚80nmの5in2薄膜に、膜厚300nmのT
a *Os薄膜を積層した複合膜である。絶縁膜13a
上にはZnSからなるバッファー層14aが備えられて
おり、その厚さは通常100〜200nmである。
そして、バッファー層14a上には、発光膜15が備え
られている。本発明においては、上記発光膜15が、ア
ルカリ土類金属硫化物を発光母体とする複数の発光体薄
膜と複数のZnS薄膜とを交互に積層して形成されてい
ることを特徴としている。上記発光体薄膜の厚さは通常
100〜800nmの範囲であることが好ましく、上記
ZnS薄膜の厚さは通常30〜300nmの範囲である
ことが好ましい。本実施例では、膜厚約200nmの発
光体薄膜15aと膜厚約50nmのZnS薄膜15bと
を交互に積層して発光膜15を形成している。本実施例
において、発光体薄膜15aの数は6層、ZnS薄膜層
15bの数は5層であり、発光体薄膜15aにZnS薄
膜層15bを挟み込み、発光体薄膜−ZnS薄膜−発光
体薄膜−・・・・・−発光体薄膜−ZnS薄膜−発光体
薄膜となるように形成している。この結果、得られる上
記発光膜15の全膜厚は約1.45μmである。尚、本
実施例では上記発光体として、SrS:Ce、Eu、K
を使用している。上記発光体において、Ceは青緑色の
発光中心、Euは赤色の発光中心であり、KはCeの電
荷補償材料である。
られている。本発明においては、上記発光膜15が、ア
ルカリ土類金属硫化物を発光母体とする複数の発光体薄
膜と複数のZnS薄膜とを交互に積層して形成されてい
ることを特徴としている。上記発光体薄膜の厚さは通常
100〜800nmの範囲であることが好ましく、上記
ZnS薄膜の厚さは通常30〜300nmの範囲である
ことが好ましい。本実施例では、膜厚約200nmの発
光体薄膜15aと膜厚約50nmのZnS薄膜15bと
を交互に積層して発光膜15を形成している。本実施例
において、発光体薄膜15aの数は6層、ZnS薄膜層
15bの数は5層であり、発光体薄膜15aにZnS薄
膜層15bを挟み込み、発光体薄膜−ZnS薄膜−発光
体薄膜−・・・・・−発光体薄膜−ZnS薄膜−発光体
薄膜となるように形成している。この結果、得られる上
記発光膜15の全膜厚は約1.45μmである。尚、本
実施例では上記発光体として、SrS:Ce、Eu、K
を使用している。上記発光体において、Ceは青緑色の
発光中心、Euは赤色の発光中心であり、KはCeの電
荷補償材料である。
上記発光膜15は、例えば、発光母体であるSrSに0
. 1モル%のCeCI8.0.03モル%のEuS、
0.1モル%のKCIを混合した粉末を加圧成形したの
ち焼成した発光体のベレットと、ZnS粉末を加圧成形
したのち焼成したベレットとを用いて、電子線の照射位
置を変えることにより上記2種類のベレットを交互に照
射する蒸着法により有利に形成することができる。
. 1モル%のCeCI8.0.03モル%のEuS、
0.1モル%のKCIを混合した粉末を加圧成形したの
ち焼成した発光体のベレットと、ZnS粉末を加圧成形
したのち焼成したベレットとを用いて、電子線の照射位
置を変えることにより上記2種類のベレットを交互に照
射する蒸着法により有利に形成することができる。
発光膜15上には、バッファー層14b及び絶縁膜13
bが備えられている。バッファー層14b及び絶縁膜1
3bの組成及び膜厚は、上記バッファー層14a及び絶
縁膜13aと同様であるが、絶縁膜13bはバッファー
層14b上にTa、0゜薄膜、5iOz薄膜の順に積層
し発光膜15に対して絶縁膜13aと対称になるように
形成されている。本実施例のELパネルでは、上記絶縁
膜13a及び13bにより、二重絶縁構造を構成してい
る。
bが備えられている。バッファー層14b及び絶縁膜1
3bの組成及び膜厚は、上記バッファー層14a及び絶
縁膜13aと同様であるが、絶縁膜13bはバッファー
層14b上にTa、0゜薄膜、5iOz薄膜の順に積層
し発光膜15に対して絶縁膜13aと対称になるように
形成されている。本実施例のELパネルでは、上記絶縁
膜13a及び13bにより、二重絶縁構造を構成してい
る。
そして、絶縁膜13b上には、アルミニウムなどの金属
からなる背面電極16が透明電極12と直交するストラ
イプ状に備えられており、上記した各構成要素とともに
ELパネルを構成している。
からなる背面電極16が透明電極12と直交するストラ
イプ状に備えられており、上記した各構成要素とともに
ELパネルを構成している。
本実施例のELパネルを用いて、従来のELパネルと輝
度を比較した。従来のELパネルとしては、第2図に示
す構成を有し、発光体がSrS:Ce、Eu、にであり
、発光膜の厚さが1.2μmのものを使用した。その結
果を第3図に示す。
度を比較した。従来のELパネルとしては、第2図に示
す構成を有し、発光体がSrS:Ce、Eu、にであり
、発光膜の厚さが1.2μmのものを使用した。その結
果を第3図に示す。
第3図において、横軸は印加電圧を、縦軸は輝度(任意
の単位)をそれぞれ示し、本実施例のELパネルの輝度
を実線で、従来例のELパネルの輝度を破線でそれぞれ
示した。
の単位)をそれぞれ示し、本実施例のELパネルの輝度
を実線で、従来例のELパネルの輝度を破線でそれぞれ
示した。
第3図から明らかなように、本実施例のELパネルでは
、200V程度の印加電圧で従来例に対しての約1.4
倍の輝度の向上が認められた。
、200V程度の印加電圧で従来例に対しての約1.4
倍の輝度の向上が認められた。
[発明の効果]
以上詳しく説明したように、本発明のELパネルでは、
発光膜をアルカリ土類金属硫化物を発光母体とする複数
の発光体層と複数の硫化亜鉛層とを交互に積層した複合
膜とすることにより、従来例に比較して約1.4倍の輝
度を得ることができる。
発光膜をアルカリ土類金属硫化物を発光母体とする複数
の発光体層と複数の硫化亜鉛層とを交互に積層した複合
膜とすることにより、従来例に比較して約1.4倍の輝
度を得ることができる。
第1図は本発明に係わるELパネルの一実施例の構成を
示す一部断面図であり、 第2図は従来のELパネルの構成例を示す一部断面図で
あり、 第3図は本発明に係わるELパネルと第2図に示す従来
のELパネルの輝度の比較を示すグラフである。 15 ・・・発光膜、 15a・・・発光体薄膜、 15b・・・ZnS薄膜。
示す一部断面図であり、 第2図は従来のELパネルの構成例を示す一部断面図で
あり、 第3図は本発明に係わるELパネルと第2図に示す従来
のELパネルの輝度の比較を示すグラフである。 15 ・・・発光膜、 15a・・・発光体薄膜、 15b・・・ZnS薄膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板と、 上記基板上に備えられた第一の電極と、 上記第一の電極上に備えられた第一の絶縁膜と、上記第
一の絶縁膜上に備えられた発光膜と、上記発光膜上に備
えられた第二の絶縁膜と、上記第二の絶縁膜上に備えら
れた第二の電極とからなり、 上記発光膜がアルカリ土類金属硫化物を発光母体とする
複数の発光体層と複数の硫化亜鉛層とを交互に積層して
なることを特徴とするELパネル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2185690A JPH0473887A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | Elパネル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2185690A JPH0473887A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | Elパネル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0473887A true JPH0473887A (ja) | 1992-03-09 |
Family
ID=16175158
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2185690A Pending JPH0473887A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | Elパネル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0473887A (ja) |
-
1990
- 1990-07-13 JP JP2185690A patent/JPH0473887A/ja active Pending
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