JPH01243395A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
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- JPH01243395A JPH01243395A JP63069493A JP6949388A JPH01243395A JP H01243395 A JPH01243395 A JP H01243395A JP 63069493 A JP63069493 A JP 63069493A JP 6949388 A JP6949388 A JP 6949388A JP H01243395 A JPH01243395 A JP H01243395A
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- Pending
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜ＥＬ素子に係り、特に、発光特性の経時変
化の少ない、安定なＥＬ素子構造に関する。
化の少ない、安定なＥＬ素子構造に関する。
薄膜ＥＬ素子は、自己発光型で表示品質の良い平面デイ
スプレィとして、コンピュータ端末や計測装置の表示部
に用いられている。薄膜ＥＬ素子 −の構造を
第２図の模式図によって説明する。ガラス基板１の上に
Ｉ Ｔ Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）等の
′下部透明電極２が形成されている。この上にｖｚｏａ
。
スプレィとして、コンピュータ端末や計測装置の表示部
に用いられている。薄膜ＥＬ素子 −の構造を
第２図の模式図によって説明する。ガラス基板１の上に
Ｉ Ｔ Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）等の
′下部透明電極２が形成されている。この上にｖｚｏａ
。
５ｉＯｚ＊ ＡＱｚＯａ、ＴａＯ２，５ｉａＮ４、ある
いは、これらの組み合わせからなる第一絶縁層７が電子
ビーム蒸着、あるいは、スパッタリングによって形成さ
れている。この上にはｎ−Ｖｌ族化合物（ＺｎＳ、Ｃａ
Ｓ、ＳｒＳ等）を母体とし、これに活性物質（Ｍｎ、Ｔ
ｂ、Ｅｕ、Ｃｅまたは、これらの硫化物、酸化物、燐化
物、ハロゲン化物等）を適量混合した発光層４が、電子
ビーム蒸着、スパッタリング、あるいは、ＣＶＤ （化
学気相成長法）により形成されている。さらに、この上
には、第−絶縁層と同様な第二絶縁層８が形成されてお
り、その上にＡＱ、Ａｕ、ＩＴ○等の上部電極５が、ガ
ラス基板１上の下部電極２と直角方向にストライプ状に
形成されている。このような構造の薄膜ＥＬ素子は、た
とえば、日経エレクトロニクス１９８１． １１．９．
Ｎα２７７ Ｐ８６ （１９８１）に記載されている
。下部電極２と上部電極５の間に交流電圧を印加すると
、交差した部分（画素）のみが発光するので、文字やグ
ラフィックス表示等のデイスプレィ機能が実現できる。
いは、これらの組み合わせからなる第一絶縁層７が電子
ビーム蒸着、あるいは、スパッタリングによって形成さ
れている。この上にはｎ−Ｖｌ族化合物（ＺｎＳ、Ｃａ
Ｓ、ＳｒＳ等）を母体とし、これに活性物質（Ｍｎ、Ｔ
ｂ、Ｅｕ、Ｃｅまたは、これらの硫化物、酸化物、燐化
物、ハロゲン化物等）を適量混合した発光層４が、電子
ビーム蒸着、スパッタリング、あるいは、ＣＶＤ （化
学気相成長法）により形成されている。さらに、この上
には、第−絶縁層と同様な第二絶縁層８が形成されてお
り、その上にＡＱ、Ａｕ、ＩＴ○等の上部電極５が、ガ
ラス基板１上の下部電極２と直角方向にストライプ状に
形成されている。このような構造の薄膜ＥＬ素子は、た
とえば、日経エレクトロニクス１９８１． １１．９．
Ｎα２７７ Ｐ８６ （１９８１）に記載されている
。下部電極２と上部電極５の間に交流電圧を印加すると
、交差した部分（画素）のみが発光するので、文字やグ
ラフィックス表示等のデイスプレィ機能が実現できる。
薄膜Ｅ、Ｌ素子の絶縁層には多くの場合、酸化物系の材
料が使われている。しかし、ＣａＳ：Ｅｕ発光層を用い
た赤色ＥＬ素子では、輝度−電圧曲線に極大が現われる
。あるいは、輝度の低下が大きいなど、安定性に問題が
あることが、シャープ技報第３７号１９８７年Ｐ１７に
論じられている。
料が使われている。しかし、ＣａＳ：Ｅｕ発光層を用い
た赤色ＥＬ素子では、輝度−電圧曲線に極大が現われる
。あるいは、輝度の低下が大きいなど、安定性に問題が
あることが、シャープ技報第３７号１９８７年Ｐ１７に
論じられている。
このようなＣａＳ ： Ｅｕ発光層を用いたＥＬ素子で
の特性劣化に対しては、発光層に接する絶縁層材料にＳ
ｉ３Ｎ４を用いることで、特性が改善されることが、上
記文献で述べられている。また、Ｚ ｎ Ｓ ： Ｍ
ｎ発光層を用いた黄橙色ＥＬ素子でも、発光層と酸化物
絶縁層の中間に５ｉａＮ４のバッファ層を入れることに
より、発光特性が安定することが昭和６２年秋季応用物
理学会予稿集Ｐ、８５６に述べられている。
の特性劣化に対しては、発光層に接する絶縁層材料にＳ
ｉ３Ｎ４を用いることで、特性が改善されることが、上
記文献で述べられている。また、Ｚ ｎ Ｓ ： Ｍ
ｎ発光層を用いた黄橙色ＥＬ素子でも、発光層と酸化物
絶縁層の中間に５ｉａＮ４のバッファ層を入れることに
より、発光特性が安定することが昭和６２年秋季応用物
理学会予稿集Ｐ、８５６に述べられている。
上記従来技術により、ＥＬ発光特性の経時変化は減少し
たが、動作初期の劣化は防ぐことができていない。また
、５ｉａＮ４膜は、膜中の圧力が大きいため膜はがれ等
の欠陥が生じやすいという問題がある。
たが、動作初期の劣化は防ぐことができていない。また
、５ｉａＮ４膜は、膜中の圧力が大きいため膜はがれ等
の欠陥が生じやすいという問題がある。
本発明の目的は、より発光特性の安定した薄膜ＥＬ素子
を提供することにある。
を提供することにある。
上記目的は発光層に接する絶縁層材料として、Ｓｅ化合
物又はＴｅ化合物を用いることにより達成される。
物又はＴｅ化合物を用いることにより達成される。
Ｓｅ化合物、Ｔｅ化合物は、発光層材料に用いられる硫
化物（ＺｎＳ、ＣａＳ、ＳｒＳなど）と全率固溶である
ため、発光層との密着性に優れる。
化物（ＺｎＳ、ＣａＳ、ＳｒＳなど）と全率固溶である
ため、発光層との密着性に優れる。
そのため、発光層に接する絶縁層にこの材料を用いるこ
とにより、発光層界面と優れた連続性を保ちつつ、大気
中、あるいは、酸素を含む絶縁層材料から発光層中への
酸素の拡散を防ぐことができるのでＥＬ発光特性を安定
化することができる。
とにより、発光層界面と優れた連続性を保ちつつ、大気
中、あるいは、酸素を含む絶縁層材料から発光層中への
酸素の拡散を防ぐことができるのでＥＬ発光特性を安定
化することができる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
厚さ１ ｕｎ ｔのコーニング＃ ７０５９ガラス１上
に下部透明電極として、ＩＴ○をスパッタリングによっ
て０．２５μｍの厚さに形成し、ストライプ状にフォト
エツチングする。この上にスパッタリングによりＴａ２
０６の第一絶縁層３を０．５μｍ形成した。この上に、
Ｚｎ５ｅ層６を０．５μｍ形成する。この上に発光層４
としてＣａＳ：Ｅｕを電子ビーム蒸着法により約１μｍ
形成した後、再び、Ｚｎ５ｅ層６、Ｔ ａ ｚ○５第二
絶ａ層３を形成し、最後に上部電極５としてＡＱを抵抗
加熱蒸着により形成した。
に下部透明電極として、ＩＴ○をスパッタリングによっ
て０．２５μｍの厚さに形成し、ストライプ状にフォト
エツチングする。この上にスパッタリングによりＴａ２
０６の第一絶縁層３を０．５μｍ形成した。この上に、
Ｚｎ５ｅ層６を０．５μｍ形成する。この上に発光層４
としてＣａＳ：Ｅｕを電子ビーム蒸着法により約１μｍ
形成した後、再び、Ｚｎ５ｅ層６、Ｔ ａ ｚ○５第二
絶ａ層３を形成し、最後に上部電極５としてＡＱを抵抗
加熱蒸着により形成した。
発光層に接する絶縁層材料を変えたＥＬ素子の輝度の経
時変化を第３図に示した。ＴａｚＯａを用いた素子では
、輝度の低下が著しい。５ｉａＮ＋を用いた素子では、
輝度の低下は少なくなったが、初期特性の劣化は解決で
きない。しかし、Ｚｎ５ｅを用いた素子では初期劣化が
ほとんどない安定な特性が得られている。
時変化を第３図に示した。ＴａｚＯａを用いた素子では
、輝度の低下が著しい。５ｉａＮ＋を用いた素子では、
輝度の低下は少なくなったが、初期特性の劣化は解決で
きない。しかし、Ｚｎ５ｅを用いた素子では初期劣化が
ほとんどない安定な特性が得られている。
また、Ｚｎ５ｅの代りに、ＺｎＴｅ、ＣｄＳｅ。
ＣｄＴｅ、ＣａＳｅ、ＣａＴｅ、５ｅＳｅ、５ｒＴｅ。
ＢａＳｅ、ＢａＴｅを用いても、同様の効果が得られた
。
。
〔発明の効果〕
本発明によれば、発光層中への酸素の拡散を防ぐことが
できるので、ＥＬ発光特性の経時変化を安定化すること
ができる。
できるので、ＥＬ発光特性の経時変化を安定化すること
ができる。
第１図は、本発明の一実施例の薄膜ＥＩ、素子の断面図
、第２図は、一般的な交流駆動型薄膜ＥＬ素子の断面図
、第３図は、異なる絶縁層材料を用いたＥＬ素子の輝度
の経時変化を示す図である。 １・・・ガラス基板、２・・・下部電極、３・・・Ｔａ
ｚＯｓ、４−Ｃａ５：Ｅｕ、５・・・上部電極、６−
Ｚ ｎ Ｓ ｅ、第１ 図
、第２図は、一般的な交流駆動型薄膜ＥＬ素子の断面図
、第３図は、異なる絶縁層材料を用いたＥＬ素子の輝度
の経時変化を示す図である。 １・・・ガラス基板、２・・・下部電極、３・・・Ｔａ
ｚＯｓ、４−Ｃａ５：Ｅｕ、５・・・上部電極、６−
Ｚ ｎ Ｓ ｅ、第１ 図
Claims (2)
- １． 基板上に下部電極、第一絶縁層、発光層、第二絶
縁層及び上部電極を順次積層した薄膜ＥＬ素子において
、 前記第一絶縁層および／または前記第二絶縁層の一部あ
るいは全部をＳｅ化合物又はＴｅ化合物からなる膜で構
成し、前記Ｓｅ化合物又は前記Ｔｅ化合物からなる膜を
前記発光層と接するようにしたことを特徴とする薄膜Ｅ
Ｌ素子。 - ２． 特許請求の範囲第１項記栽の前記Ｓｅ化合物又は
前記Ｔｅ化合物がＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳｅ、Ｃｄ
Ｔｅ、ＣａＳｅ、ＣａＴｅ、ＳｒＳｅ、ＳｒＴｅ、Ｂａ
Ｓｅ、ＢａＴｅの、いずれか、又は、その任意の組合わ
せの混合物であることを特徴とする薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63069493A JPH01243395A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63069493A JPH01243395A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01243395A true JPH01243395A (ja) | 1989-09-28 |
Family
ID=13404292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63069493A Pending JPH01243395A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01243395A (ja) |
-
1988
- 1988-03-25 JP JP63069493A patent/JPH01243395A/ja active Pending
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