JPH04115410A - 絶縁材料用組成物および同組成物を原料とする回路基板の製造方法 - Google Patents
絶縁材料用組成物および同組成物を原料とする回路基板の製造方法Info
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- JPH04115410A JPH04115410A JP2235064A JP23506490A JPH04115410A JP H04115410 A JPH04115410 A JP H04115410A JP 2235064 A JP2235064 A JP 2235064A JP 23506490 A JP23506490 A JP 23506490A JP H04115410 A JPH04115410 A JP H04115410A
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Landscapes
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は絶縁材料用組成物、および同組成物を原料とす
る回路基板の製造方法に関する。
る回路基板の製造方法に関する。
(従来技術)
回路基板、電子管外周器等電子、電気部品材料の特定の
ものにおいては高周波絶縁性、熱膨張係数等との関係か
らフォルステライトを主成分とする絶縁材料が使用され
ている。しかして、フォルステライトを主成分とする原
料は高い焼成温度が必要なことから、これを解決する手
段が特開昭60−11259号公報にて提案されている
。
ものにおいては高周波絶縁性、熱膨張係数等との関係か
らフォルステライトを主成分とする絶縁材料が使用され
ている。しかして、フォルステライトを主成分とする原
料は高い焼成温度が必要なことから、これを解決する手
段が特開昭60−11259号公報にて提案されている
。
当該手段は磁器組成物に関するもので、当該組成物は多
種類の酸化物を含有するフォルステライトを主成分とし
、これにCao、 B ao、 S r Oおよび
ガイロメ粘土を含有させたものであり、かかる組成物に
より一般に使用されている焼成温度より相当低い133
0℃で焼成可能であるとし、これにより経済的に有利に
磁器を得る旨述べている。
種類の酸化物を含有するフォルステライトを主成分とし
、これにCao、 B ao、 S r Oおよび
ガイロメ粘土を含有させたものであり、かかる組成物に
より一般に使用されている焼成温度より相当低い133
0℃で焼成可能であるとし、これにより経済的に有利に
磁器を得る旨述べている。
(発明が解決しようとする課題)
ところで、上記した組成物を使用した場合、焼成温度を
低くできるという利点がある反面焼成温度が低いための
欠点、すなわち使用しているバインダーの除去(脱バイ
ンダー性)が十分になされないため製品が黒化し、また
回路基板等導体ペーストを印刷したものを焼成した製品
においては、メタライズの形成が不十分で導体抵抗が高
いとともに、メタライズの十分な付着強度が得られない
という問題がある。脱バインダー性のみを改善するため
には、従来の焼成時間に比較して極めて長く焼成するこ
とも考えられるが、かかる手段においては経済的にはむ
しろ不利となり、上記組成物を使用する意味が無くなる
。
低くできるという利点がある反面焼成温度が低いための
欠点、すなわち使用しているバインダーの除去(脱バイ
ンダー性)が十分になされないため製品が黒化し、また
回路基板等導体ペーストを印刷したものを焼成した製品
においては、メタライズの形成が不十分で導体抵抗が高
いとともに、メタライズの十分な付着強度が得られない
という問題がある。脱バインダー性のみを改善するため
には、従来の焼成時間に比較して極めて長く焼成するこ
とも考えられるが、かかる手段においては経済的にはむ
しろ不利となり、上記組成物を使用する意味が無くなる
。
従って、本発明の第1の目的はフォルステライトを主成
分とし電子、電気部品の絶縁材料として好適な絶縁材料
を得るための組成物を提供することにあり、その第2の
目的はかかる組成物を原料とする電子部品材料である回
路基板を提供することにある。
分とし電子、電気部品の絶縁材料として好適な絶縁材料
を得るための組成物を提供することにあり、その第2の
目的はかかる組成物を原料とする電子部品材料である回
路基板を提供することにある。
(課題を解決するための手段)
本発明の第1の発明は、フォルステライトを主成分とす
る絶縁材料を形成するための絶縁材料用組成物であり、
MgO40〜63wt%、SiO237〜60wt%か
らなるフォルステライトを主成分とし、同フォルステラ
イトに対してBaの酸化物または炭酸塩をBaO換算で
0.5〜12wt%、粘土を0.5−4wt%含有して
いることを特徴とするものであり、第2の発明はかかる
絶縁材料用組成物を原料とする回路基板の製造方法であ
り、前記絶縁材料用組成物からなるグリーンシートの表
面にMoを主成分とする導体ペーストを印刷し、これを
1400〜1500℃の還元雰囲気にて焼成することを
特徴とするものである。
る絶縁材料を形成するための絶縁材料用組成物であり、
MgO40〜63wt%、SiO237〜60wt%か
らなるフォルステライトを主成分とし、同フォルステラ
イトに対してBaの酸化物または炭酸塩をBaO換算で
0.5〜12wt%、粘土を0.5−4wt%含有して
いることを特徴とするものであり、第2の発明はかかる
絶縁材料用組成物を原料とする回路基板の製造方法であ
り、前記絶縁材料用組成物からなるグリーンシートの表
面にMoを主成分とする導体ペーストを印刷し、これを
1400〜1500℃の還元雰囲気にて焼成することを
特徴とするものである。
かかる組成物における粘土としては、カオリン、耐火粘
土、陶石、ロウ石、ベントナイトおよび酸性白土からな
る群から選ばれる少なくとも1種類の材料であることが
好ましい。
土、陶石、ロウ石、ベントナイトおよび酸性白土からな
る群から選ばれる少なくとも1種類の材料であることが
好ましい。
(発明の作用・効果)
本発明に係る絶縁材料用組成物においては、適正量のM
gO1Si02を主成分とするフォルステライトに適正
量のBaの酸化物または炭酸塩を含有しているため、絶
縁材料製造時の最適焼成温度を1400〜1500℃と
し、かつ絶縁材料の吸水率をゼロとなる等焼成特性を最
適化することができる。また、かかる組成物においては
S+02、Al2(hを主成分とするカオリン等の粘土
を適正量含有しているため、グリーンシートと同グリー
ンシートの表面に印刷した導体ペーストとを同時に焼成
する場合のメタライズ化を十分に行うことができ、メタ
ライズの強度を向上させることができる。
gO1Si02を主成分とするフォルステライトに適正
量のBaの酸化物または炭酸塩を含有しているため、絶
縁材料製造時の最適焼成温度を1400〜1500℃と
し、かつ絶縁材料の吸水率をゼロとなる等焼成特性を最
適化することができる。また、かかる組成物においては
S+02、Al2(hを主成分とするカオリン等の粘土
を適正量含有しているため、グリーンシートと同グリー
ンシートの表面に印刷した導体ペーストとを同時に焼成
する場合のメタライズ化を十分に行うことができ、メタ
ライズの強度を向上させることができる。
本発明に係る組成物において、フォルステライト中のM
gOの含有量は40〜63wt%、S +02の含有量
は37〜6owt%である。MgOが63wt%より多
い場合すなわちSiO2が37wt%より少ない場合に
は、MgOベリクレーズ相が生じて焼成温度が高くなり
すぎ、商業的連続炉での焼成が経済的に不利になり、ま
たは焼成不能になる。好ましい含有量はMgO58wt
%以下、S+Ot42wt%以上である。また、MgO
が40Vt%より少ない場合すなわちSiO2が60w
t%より多い場合には、フォルステライト結晶相の他に
ステアタイトの多形であるプロトエンステタイト相およ
びクリツエンステタイト相またはクリストバライト相が
絶縁材料中に発生する。このため、絶縁材料としての製
品の均一性が保てず、また焼成時におけるわずかの温度
差によって絶縁材料の焼成時における支持部材への融着
、変形が発生して絶縁材料としての使用が不能になるお
それがある。
gOの含有量は40〜63wt%、S +02の含有量
は37〜6owt%である。MgOが63wt%より多
い場合すなわちSiO2が37wt%より少ない場合に
は、MgOベリクレーズ相が生じて焼成温度が高くなり
すぎ、商業的連続炉での焼成が経済的に不利になり、ま
たは焼成不能になる。好ましい含有量はMgO58wt
%以下、S+Ot42wt%以上である。また、MgO
が40Vt%より少ない場合すなわちSiO2が60w
t%より多い場合には、フォルステライト結晶相の他に
ステアタイトの多形であるプロトエンステタイト相およ
びクリツエンステタイト相またはクリストバライト相が
絶縁材料中に発生する。このため、絶縁材料としての製
品の均一性が保てず、また焼成時におけるわずかの温度
差によって絶縁材料の焼成時における支持部材への融着
、変形が発生して絶縁材料としての使用が不能になるお
それがある。
本発明に係る組成物において、Baの酸化物または炭酸
塩の含有量はBaO換算で0.5〜12wt%である。
塩の含有量はBaO換算で0.5〜12wt%である。
Baのかかる化合物が0.5wt%よりも少ない場合に
は、焼成温度が1400℃より低くなるため成形時に用
いる有機結合剤の除去が不十分で得れる製品が黒化する
おそれが多く、また導体ペーストの印刷パターンとの同
時焼成時におけるメタライズの形成が不十分になる。ま
た、Baのかかる化合物が12wt%より多い場合には
、最大の崇比重となる最適温度での焼成によっても製品
の吸水率がゼロにならず絶縁材料としての信頼性に欠け
ることになる。
は、焼成温度が1400℃より低くなるため成形時に用
いる有機結合剤の除去が不十分で得れる製品が黒化する
おそれが多く、また導体ペーストの印刷パターンとの同
時焼成時におけるメタライズの形成が不十分になる。ま
た、Baのかかる化合物が12wt%より多い場合には
、最大の崇比重となる最適温度での焼成によっても製品
の吸水率がゼロにならず絶縁材料としての信頼性に欠け
ることになる。
本発明に係る組成物において、S i 02、Al2O
3を主成分とするカオリン等粘土の含有量は05〜4豐
t%である。粘土が0.5wt%よりも少ないと、同時
焼成により形成される導体ペーストの印刷パターン層へ
のガラス層の浸透が少なく、メタライズ層の付着強度が
不十分となる。また、粘土が4wt%よりも多いと焼成
温度が1400℃よりも低くなり、製品が黒化するとと
もに強度が低下する。
3を主成分とするカオリン等粘土の含有量は05〜4豐
t%である。粘土が0.5wt%よりも少ないと、同時
焼成により形成される導体ペーストの印刷パターン層へ
のガラス層の浸透が少なく、メタライズ層の付着強度が
不十分となる。また、粘土が4wt%よりも多いと焼成
温度が1400℃よりも低くなり、製品が黒化するとと
もに強度が低下する。
(実施例1)
主原料となるフォルステライト粉末を天然タルクおよび
水酸化マグネシウムを使用して下記の方法にて合成した
。
水酸化マグネシウムを使用して下記の方法にて合成した
。
先づ、天然タルクおよび水酸化マグネシウムを適宜量混
合してなる原料粉末を適宜の大きさに加圧成形し、これ
を最高温度】4oO°Cにて焼成した。
合してなる原料粉末を適宜の大きさに加圧成形し、これ
を最高温度】4oO°Cにて焼成した。
得られた焼成物をロールクラッンヤにて粗砕し、次いで
ボールミルにて微粉末にして下記の3種類の合成フォル
ステライトを形成した。得られた各フォルステライトは
、X線回折による結晶相の同定によれば全てフォルステ
ライト結晶相であり、また不純物としてはA12(hお
よびCaOが01〜0.5vL%含有していた。
ボールミルにて微粉末にして下記の3種類の合成フォル
ステライトを形成した。得られた各フォルステライトは
、X線回折による結晶相の同定によれば全てフォルステ
ライト結晶相であり、また不純物としてはA12(hお
よびCaOが01〜0.5vL%含有していた。
フォルステライト MgO(wt%) SiS102
(%)なお、フォルステライトの粉砕粒径は平均3〜4
μmとした。この粒度は後述するドクタブレード法によ
るグリーンシートの作成を容易にするためであり、粒径
が2μ鳳以下の場合にはグリーンシートに切れ等が発生
しやすくて量産に問題があり、また5μ■以上の場合に
はグリーンシートの表面粗さが大きくなり、これに対応
して焼成後の製品における表面粗度も大きくなって絶縁
材料、回路基板等として使用し得なくなるおそれがある
とともに、焼成時における収縮率に大きなバラツキが発
生する等の問題がある。
(%)なお、フォルステライトの粉砕粒径は平均3〜4
μmとした。この粒度は後述するドクタブレード法によ
るグリーンシートの作成を容易にするためであり、粒径
が2μ鳳以下の場合にはグリーンシートに切れ等が発生
しやすくて量産に問題があり、また5μ■以上の場合に
はグリーンシートの表面粗さが大きくなり、これに対応
して焼成後の製品における表面粗度も大きくなって絶縁
材料、回路基板等として使用し得なくなるおそれがある
とともに、焼成時における収縮率に大きなバラツキが発
生する等の問題がある。
次に、各フォルステライト粉末にBaCO3とカオリン
を適宜量添加してなる混合粉末100重量部に対して、
結合剤としてポリビニルブチラールを7重量部、トルエ
ンとイソプロピルアルコールの混合溶剤ラフ0重量部を
加え、ボットミルにて15時間混合しスラリーを調製し
た。得られた各スラリーの組成は別表に示すとうりであ
る。
を適宜量添加してなる混合粉末100重量部に対して、
結合剤としてポリビニルブチラールを7重量部、トルエ
ンとイソプロピルアルコールの混合溶剤ラフ0重量部を
加え、ボットミルにて15時間混合しスラリーを調製し
た。得られた各スラリーの組成は別表に示すとうりであ
る。
各スラリーを脱泡した後、同スラリーを使用してドクタ
ブレード法によりグリーンシートを作製した。グリーン
シートの厚みは0.1〜0.5mmが好ましく、本実施
例においては厚み0.3m++のグリーンシートを作製
した。また、各グリーンシート上にはMo粉末、有機バ
インダーであるエチルセルロース、溶剤であるブチルカ
ルピトール アセテートよすする導体ペーストを所定の
パターンに印刷し、各焼成条件にて焼成した。Moの粉
末の平均粒径は05〜4μ麿が好ましく、本実施例にお
いては2μ厘の粉末を採用している。焼成条件について
は、総焼成時間は30時間、最高温度で1時間保持した
。また、焼成雰囲気は窒素/水素の比が3/l、 露
点+40”Cの還元雰囲気を採用した。
ブレード法によりグリーンシートを作製した。グリーン
シートの厚みは0.1〜0.5mmが好ましく、本実施
例においては厚み0.3m++のグリーンシートを作製
した。また、各グリーンシート上にはMo粉末、有機バ
インダーであるエチルセルロース、溶剤であるブチルカ
ルピトール アセテートよすする導体ペーストを所定の
パターンに印刷し、各焼成条件にて焼成した。Moの粉
末の平均粒径は05〜4μ麿が好ましく、本実施例にお
いては2μ厘の粉末を採用している。焼成条件について
は、総焼成時間は30時間、最高温度で1時間保持した
。また、焼成雰囲気は窒素/水素の比が3/l、 露
点+40”Cの還元雰囲気を採用した。
別表において、焼成温度は各試料における吸水率が最小
となり、崇比重が最大となる最適な焼成温度に対応する
。また、ハンダピール強度は2×2mmのバットを直径
08−簡の軟鋼線リードフレームにより垂直方向に2層
m/sinの早さで引張った場合の破壊荷重の値である
。
となり、崇比重が最大となる最適な焼成温度に対応する
。また、ハンダピール強度は2×2mmのバットを直径
08−簡の軟鋼線リードフレームにより垂直方向に2層
m/sinの早さで引張った場合の破壊荷重の値である
。
別表から明かなように、本発明に係る組成物を原料とす
る回路基板(実験例1〜6)においては、回路基板とし
て十分に満足し得る製品が得られた。
る回路基板(実験例1〜6)においては、回路基板とし
て十分に満足し得る製品が得られた。
これに対して、本発明に係る組成物から外れる組成物を
原料とする回路基板(実験例7〜15)においては、吸
水率、比抵抗、ハンダピール強度、絶縁抵抗の少なくと
も1つに欠陥があり、また回路基板に黒化現象、膨れ、
変形等が観察される回路基板があった。
原料とする回路基板(実験例7〜15)においては、吸
水率、比抵抗、ハンダピール強度、絶縁抵抗の少なくと
も1つに欠陥があり、また回路基板に黒化現象、膨れ、
変形等が観察される回路基板があった。
(実施例2)
実施例1の実験例3における、Mo導体ペーストを印刷
しであるグリーンシートと印刷していないグリーンシー
トとを第1図および第2図に示すように3枚積層して、
水晶振動子用回路基板を作製した。各図において、符号
11.12.13はグリーンシートであり、符号14は
導体ペーストの印刷層である。
しであるグリーンシートと印刷していないグリーンシー
トとを第1図および第2図に示すように3枚積層して、
水晶振動子用回路基板を作製した。各図において、符号
11.12.13はグリーンシートであり、符号14は
導体ペーストの印刷層である。
水晶は熱膨張係数(10〜IIX 10−6/’C)が
大きいため、従来のアルミナ素地を用いると、同素地の
熱膨張係数(7X 10−6/”C)との差により水晶
にクラックが発生する場合があるが、本実施例に用いた
素地においては熱膨張係数が水晶に近いためクラックの
発生がなく、信頼性の高い水晶振動子用の回路基板を得
ることができた。
大きいため、従来のアルミナ素地を用いると、同素地の
熱膨張係数(7X 10−6/”C)との差により水晶
にクラックが発生する場合があるが、本実施例に用いた
素地においては熱膨張係数が水晶に近いためクラックの
発生がなく、信頼性の高い水晶振動子用の回路基板を得
ることができた。
第1図は本実施例2にて形成した水晶振動子用の回路基
板の平面図、第2図は同回路基板の第1図矢印■−■線
方向の断面図である。 符 号 の 説 明 11、12.13・・・グリーンシート、14・・・導
体ペーストの印刷層。
板の平面図、第2図は同回路基板の第1図矢印■−■線
方向の断面図である。 符 号 の 説 明 11、12.13・・・グリーンシート、14・・・導
体ペーストの印刷層。
Claims (3)
- (1).フォルステライトを主成分とする絶縁材料を形
成するための絶縁材料用組成物であり、MgO40〜6
3wt%、SiO_237〜60wt%からなるフォル
ステライトを主成分とし、同フォルステライトに対して
Baの酸化物または炭酸塩をBaO換算で0.5〜12
wt%、粘土を0.5〜4wt%含有していることを特
徴とする絶縁材料用組成物。 - (2).第1項に記載の絶縁材料用組成物において、前
記粘土がカオリン、耐火粘土、陶石、ロウ石、ベントナ
イトおよび酸性白土からなる群から選ばれる少なくとも
1種類の材料である絶縁材料用組成物。 - (3).第1項に記載の絶縁材料用組成物を原料とする
回路基板の製造方法であり、前記絶縁材料用組成物から
なるグリーンシートの表面にMoを主成分とする導体ペ
ーストを印刷し、これを1400〜1500℃の還元雰
囲気にて焼成することを特徴とする回路基板の製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2235064A JPH04115410A (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 絶縁材料用組成物および同組成物を原料とする回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2235064A JPH04115410A (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 絶縁材料用組成物および同組成物を原料とする回路基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04115410A true JPH04115410A (ja) | 1992-04-16 |
Family
ID=16980540
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2235064A Pending JPH04115410A (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 絶縁材料用組成物および同組成物を原料とする回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04115410A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014075339A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-04-24 | Toto Ltd | 固体酸化物形燃料電池セル及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-09-04 JP JP2235064A patent/JPH04115410A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014075339A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-04-24 | Toto Ltd | 固体酸化物形燃料電池セル及びその製造方法 |
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