JPH04114962A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH04114962A JPH04114962A JP2230803A JP23080390A JPH04114962A JP H04114962 A JPH04114962 A JP H04114962A JP 2230803 A JP2230803 A JP 2230803A JP 23080390 A JP23080390 A JP 23080390A JP H04114962 A JPH04114962 A JP H04114962A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、平坦な温度特性を有し、比誘電率が高く、焼
成温度が低い誘電体磁器組成物に関するものである。
成温度が低い誘電体磁器組成物に関するものである。
従来、チタン酸バリウムを主成分とし、温度特性が比較
的平坦で、比誘電率が高く、焼成温度が低い誘電体磁器
組成物として、Nb2O5、酸化チタン、酸化ランタン
、酸化鉛、酸化ビスマスか添加されたものが知られてい
る。(特開昭58−30002号)。
的平坦で、比誘電率が高く、焼成温度が低い誘電体磁器
組成物として、Nb2O5、酸化チタン、酸化ランタン
、酸化鉛、酸化ビスマスか添加されたものが知られてい
る。(特開昭58−30002号)。
しかし、かかる誘電体磁器組成物は、酸化ビスマスが添
加されているのて、誘電体磁器組成物を積層コンデンサ
の誘電体材料として用いるとき、内部電極のPdと反応
を起こし、抗折強度等が大きく劣化してしまい、積層コ
ンデンサの多層化に制限があった。
加されているのて、誘電体磁器組成物を積層コンデンサ
の誘電体材料として用いるとき、内部電極のPdと反応
を起こし、抗折強度等が大きく劣化してしまい、積層コ
ンデンサの多層化に制限があった。
本発明者らは上記問題点に鑑みて、鋭意研究を重ねた結
果、チタン酸バリウムに、所定量の酸化ネオジウム(N
d202 ) 、酸化亜鉛(ZnO)、酸化ニオブ(N
b20.) を添加することにより、積層コンデンサの
内部電極材料のPctと反応か皆無で、温度特性か比較
的平坦で、比誘電率が高く、焼成温度が低い誘電体磁器
組成物が得られることを知見した。
果、チタン酸バリウムに、所定量の酸化ネオジウム(N
d202 ) 、酸化亜鉛(ZnO)、酸化ニオブ(N
b20.) を添加することにより、積層コンデンサの
内部電極材料のPctと反応か皆無で、温度特性か比較
的平坦で、比誘電率が高く、焼成温度が低い誘電体磁器
組成物が得られることを知見した。
〔問題点を解決するための具体的な手段〕本発明が要旨
とするところは、チタン酸バリウム(BaTiOs )
100重量部に対して、酸化水オジウム(Nd20.
)が0.2〜1.2重量%、酸化亜鉛(ZnO)か0.
3〜1.5重量%、酸化ニオブ(Nb205)か1.4
〜28重量%、を添加して成る誘電体磁器組成物である
。
とするところは、チタン酸バリウム(BaTiOs )
100重量部に対して、酸化水オジウム(Nd20.
)が0.2〜1.2重量%、酸化亜鉛(ZnO)か0.
3〜1.5重量%、酸化ニオブ(Nb205)か1.4
〜28重量%、を添加して成る誘電体磁器組成物である
。
BaTiO2は主成分てあり、Nd2O3は温度特性を
制御するものであり、即ち、Nd2O3が0.2重量%
未満及び12重量96を越えると温度特性か±15%を
越える。
制御するものであり、即ち、Nd2O3が0.2重量%
未満及び12重量96を越えると温度特性か±15%を
越える。
Zn○は絶縁抵抗、温度特性、誘電損失を制御するもの
であり、ZnOが0. 3重量%未満では、絶縁抵抗が
下かり、温度特性か大きくなる。また、ZnOが1.5
重量%越えると、絶縁抵抗か下かり、温度特性、誘電損
失が大きくなる。
であり、ZnOが0. 3重量%未満では、絶縁抵抗が
下かり、温度特性か大きくなる。また、ZnOが1.5
重量%越えると、絶縁抵抗か下かり、温度特性、誘電損
失が大きくなる。
Nb2O5は焼成温度、比誘電率を制御するものであり
、Nb2O5か1.4重量%未満ては、焼成温度が高く
なり、また、Nb2O5か2.8重量%を越えると比誘
電率か低下してしまう。
、Nb2O5か1.4重量%未満ては、焼成温度が高く
なり、また、Nb2O5か2.8重量%を越えると比誘
電率か低下してしまう。
誘電体磁器組成物を前記範囲内に設定することにより、
誘電率を20001上、温度変化率か55〜125°C
にわたって±1596以内、誘電圧接tanδを10未
満の誘電体磁器組成物が得られ、厚みが薄く、誘電率が
高いグリーンシートで達成できるので、積層数の少ない
小型、低背型の積層コンデンサが提供できる。さらに、
焼成温度か1200°C以下となり、積層コンデンサの
内部電極材料に比較的安価なAg−Pct (Ag/P
d=60/40〜70/30)か使用でき、安価な積層
コンデンサか提供できる。さらに、上述の従来の誘電体
材料に比較して、Biを排除することかでき、内部電極
材料のPdとの反応が皆無となり、抗折強度が向上した
積層コンデンサが提供できる。
誘電率を20001上、温度変化率か55〜125°C
にわたって±1596以内、誘電圧接tanδを10未
満の誘電体磁器組成物が得られ、厚みが薄く、誘電率が
高いグリーンシートで達成できるので、積層数の少ない
小型、低背型の積層コンデンサが提供できる。さらに、
焼成温度か1200°C以下となり、積層コンデンサの
内部電極材料に比較的安価なAg−Pct (Ag/P
d=60/40〜70/30)か使用でき、安価な積層
コンデンサか提供できる。さらに、上述の従来の誘電体
材料に比較して、Biを排除することかでき、内部電極
材料のPdとの反応が皆無となり、抗折強度が向上した
積層コンデンサが提供できる。
以下、本発明を具体的に説明する。
出発材料として、水熱合成法により生成されたチタン酸
バリウム100重量部に対してNd2O3、Zn○及び
Nb2O5の各粉末を表1に示す配合比になるように秤
量し、ボールミルにて20時時間式粉砕した後、有機系
粘結剤を添加する。
バリウム100重量部に対してNd2O3、Zn○及び
Nb2O5の各粉末を表1に示す配合比になるように秤
量し、ボールミルにて20時時間式粉砕した後、有機系
粘結剤を添加する。
しかる後攪拌、ドクターブレード法で厚さ20〜30μ
mのテープに成型した。このテープを40枚積層して、
熱圧着した。このようにして作成された厚みi、Omm
の積層体を直径20mmの円板状に打ち抜き、酸素雰囲
気にて1100〜1200°Cて2時間焼成した。さら
に両端面に銀ペーストによる電極を焼きつけ試料とした
。
mのテープに成型した。このテープを40枚積層して、
熱圧着した。このようにして作成された厚みi、Omm
の積層体を直径20mmの円板状に打ち抜き、酸素雰囲
気にて1100〜1200°Cて2時間焼成した。さら
に両端面に銀ペーストによる電極を焼きつけ試料とした
。
このように形成された試料について、比誘電率ε及び誘
電正接tanδを基準温度25°C1周波数1.0kH
z、測定電圧1.OVrmsで測定した。
電正接tanδを基準温度25°C1周波数1.0kH
z、測定電圧1.OVrmsで測定した。
その結果を表1に示す。試料番号に*印を付したものは
本発明の範囲外である。
本発明の範囲外である。
そして本発明の範囲の評価として、比誘電率εは200
0以上を良品とした。即ち、比誘電率εが2000未満
では、充分な比誘電率εが得れず、これにより積層コン
デンサの小型化が困難となってしまう。
0以上を良品とした。即ち、比誘電率εが2000未満
では、充分な比誘電率εが得れず、これにより積層コン
デンサの小型化が困難となってしまう。
また、誘電正接tanδは10%未満を良品とした。即
ち、誘電正接tanδか10%以上では、積層コンデン
サの誘電正接janδ不良となり、シート層の薄膜化か
困難となる。
ち、誘電正接tanδか10%以上では、積層コンデン
サの誘電正接janδ不良となり、シート層の薄膜化か
困難となる。
また、温度特性は±15%以内を良品とした。
即ち、温度特性は±15%以外になると、X7R(E
IA規格)を満足しなくなる。
IA規格)を満足しなくなる。
また、絶縁抵抗がlXl0’MΩ以上を良品とした。絶
縁抵抗がlX105MΩ未満では、積層コンデンサを作
成したとき、絶縁不良か発生する。
縁抵抗がlX105MΩ未満では、積層コンデンサを作
成したとき、絶縁不良か発生する。
また、焼成温度は1200°C以下が望ましい。
焼成温度が1200℃を越えると、内部電極にPdの含
有率が高い高価な電極材料しか使用できない。
有率が高い高価な電極材料しか使用できない。
(以下、余白)
*印は本発明の範囲外である。
度か比較的良好な結果となるものの、温度変化率が±1
596を越えて、−]88.0%−55°C)となって
しまう。
596を越えて、−]88.0%−55°C)となって
しまう。
従って、本発明のBaTiO3に、Nd2O。
の添加量によって温度変化率か大きくなる。
結局、Nd、O,を0. 2〜1.2重量%添加するこ
とか重要である。
とか重要である。
試料番号10〜16は誘電体光磁組成物の主成分となる
BaTiOs 100重量部に添加するZn○の添加
量を検討した。即ち、ZnOを0.2〜1.6重量%ま
で変化させた。この時、Nd。
BaTiOs 100重量部に添加するZn○の添加
量を検討した。即ち、ZnOを0.2〜1.6重量%ま
で変化させた。この時、Nd。
0、 、Nb2O5の添加量を夫々0.6重量%、2.
0〜2.7重量%に設定した。
0〜2.7重量%に設定した。
試料番号10(Zn0・0.2重量%)では比誘電率ε
、誘電正接tanδ及び焼成温度が比較的良好な結果と
なるものの、温度特性が±15%を越えて一20%(−
55°C)となり、さらに絶縁抵抗かlXl0’ とな
ってしまう。
、誘電正接tanδ及び焼成温度が比較的良好な結果と
なるものの、温度特性が±15%を越えて一20%(−
55°C)となり、さらに絶縁抵抗かlXl0’ とな
ってしまう。
試料番号11〜15 (ZnO: 0. 3〜1. 5
重量%)では比誘電率εか2200以上、誘電圧試料番
号1〜9は誘電体材料の主成分となるBaTiO310
0重量部に添加するNd2O3の添加量を検討した。即
ち、Nc120.を0.]重量%から1.3重量%まで
変化させた。この時、Zn○及びN b 20 sを夫
々0.6重量%、20重量%に設定した。これは後述の
夫々の添加量で本発明の範囲の中心的な値となるもので
ある。
重量%)では比誘電率εか2200以上、誘電圧試料番
号1〜9は誘電体材料の主成分となるBaTiO310
0重量部に添加するNd2O3の添加量を検討した。即
ち、Nc120.を0.]重量%から1.3重量%まで
変化させた。この時、Zn○及びN b 20 sを夫
々0.6重量%、20重量%に設定した。これは後述の
夫々の添加量で本発明の範囲の中心的な値となるもので
ある。
試料番号1 (Nd203 : 0.]重量%)では
、比誘電率ε及び誘電正接tanδか比較的良好な結果
となるものの、温度変化率か±15%を越えて、18.
0%(−55°C)となってしまう。
、比誘電率ε及び誘電正接tanδか比較的良好な結果
となるものの、温度変化率か±15%を越えて、18.
0%(−55°C)となってしまう。
また、試料番号2〜8(Nd、0.3 ・0.2〜12
重量%)では、比誘電率εが2950以上、誘電正接t
anδが05%以下、温度変化率が12〜10%、絶縁
抵抗か4X]05MQ以上、焼成温度1160°C以下
となり、EIA規格のX7R特性を満足する小型の積層
コンデンサ用の誘電体磁器組成物が達成できる。
重量%)では、比誘電率εが2950以上、誘電正接t
anδが05%以下、温度変化率が12〜10%、絶縁
抵抗か4X]05MQ以上、焼成温度1160°C以下
となり、EIA規格のX7R特性を満足する小型の積層
コンデンサ用の誘電体磁器組成物が達成できる。
試料番号9 (Nd20.: 1.3重量%)では比誘
電率ε、誘電正接tanδ、絶縁抵抗、焼成温= 8 接tanδか0.75%以下、温度特性が一12〜+1
4%、絶縁抵抗か3XI05MΩ以上、焼成温度116
0°C以下となり、EIA規格のX7R特性を満足する
小型の積層コンデンサ用の誘電体磁器組成物が達成でき
る。
電率ε、誘電正接tanδ、絶縁抵抗、焼成温= 8 接tanδか0.75%以下、温度特性が一12〜+1
4%、絶縁抵抗か3XI05MΩ以上、焼成温度116
0°C以下となり、EIA規格のX7R特性を満足する
小型の積層コンデンサ用の誘電体磁器組成物が達成でき
る。
試料番号16(Zn0・1. 6重量%)では比誘電率
ε及び焼成温度が良好な結果が得られるものの、誘電正
接ta、nδが1.0%を越え182%となり、温度変
化率が±15%を越えて一25%(−55°C)、絶縁
抵抗か5XIO’MΩとなってしまう。
ε及び焼成温度が良好な結果が得られるものの、誘電正
接ta、nδが1.0%を越え182%となり、温度変
化率が±15%を越えて一25%(−55°C)、絶縁
抵抗か5XIO’MΩとなってしまう。
従って、本発明のBaTiO3に添加するZn○の添加
量が所定範囲外となると絶縁抵抗、温度特性が悪化し、
さらにZnOの添加量が増加すれば、誘電正接tanδ
か小さくなる傾向かあるものの、ある添加量を越えると
極度に誘電正接tanδが悪化する。
量が所定範囲外となると絶縁抵抗、温度特性が悪化し、
さらにZnOの添加量が増加すれば、誘電正接tanδ
か小さくなる傾向かあるものの、ある添加量を越えると
極度に誘電正接tanδが悪化する。
結局、ZnOの添加量は、0.3〜1.5重量%の範囲
とした。
とした。
試料番号17〜25は誘電体光磁組成物の主成分となる
B aT 103 100重量部に添加するNb2O5
の添加量を検討した。即ち、N b 20 sを1.3
〜29重量%まで変化させた。この時、Nd2O3、Z
nOの添加量を夫々06重量96.0.3〜1.1重量
%に設定した。
B aT 103 100重量部に添加するNb2O5
の添加量を検討した。即ち、N b 20 sを1.3
〜29重量%まで変化させた。この時、Nd2O3、Z
nOの添加量を夫々06重量96.0.3〜1.1重量
%に設定した。
試料番号17(Nb、05 :13重量%)では比誘電
率ε、誘電正接tanδ、温度特性及び絶縁抵抗が比較
的良好な結果となるものの、焼成温度がI250°Cを
越えてしまう。
率ε、誘電正接tanδ、温度特性及び絶縁抵抗が比較
的良好な結果となるものの、焼成温度がI250°Cを
越えてしまう。
試料番号18〜24(Nb205 ・14〜28重量%
)では比誘電率εが2100以上、誘電正接ta、nδ
か0.60%以下、温度特性が一13〜+10%、絶縁
抵抗が5X]0’MΩ、焼成温度1200°C以下とな
り、EIA規格のX7R特性を満足する小型の積層コン
デンサ用の誘電体磁器組成物か達成できる。
)では比誘電率εが2100以上、誘電正接ta、nδ
か0.60%以下、温度特性が一13〜+10%、絶縁
抵抗が5X]0’MΩ、焼成温度1200°C以下とな
り、EIA規格のX7R特性を満足する小型の積層コン
デンサ用の誘電体磁器組成物か達成できる。
試料番号25 (Nb205 : 2.9重量%)でで
は誘電正接tanδ、絶縁抵抗、焼成温度が良好な結果
か得られるものの、比誘電率εが1900、温度変化率
が±15%を越えて一16%(−55°C)となってし
まう。
は誘電正接tanδ、絶縁抵抗、焼成温度が良好な結果
か得られるものの、比誘電率εが1900、温度変化率
が±15%を越えて一16%(−55°C)となってし
まう。
従って、本発明のB a T 102に添加するNb2
O5を減少すると焼成温度か悪化する傾向かある。逆に
N b 20 sを増加すると比誘電率εか低下する傾
向がある。
O5を減少すると焼成温度か悪化する傾向かある。逆に
N b 20 sを増加すると比誘電率εか低下する傾
向がある。
結局、Nb2O5の添加量は、1.4〜2.8重量%の
範囲とした。
範囲とした。
以上のように、BaTiO.100重量部に対して、N
d2O,が0.2〜1.2重量%、ZnOか03〜1.
5重量%、Nb2O5力刈、4〜28重量%添加されて
成る誘電体磁器組成物では、比誘電率εか2000以上
、誘電正接tanδが1. 0%以下、温度特性か±1
5%(−55〜+125°C)、絶縁抵抗がlXl05
MΩ以上、焼成温度か1200°C以下の誘電体磁器組
成物が達成できる。
d2O,が0.2〜1.2重量%、ZnOか03〜1.
5重量%、Nb2O5力刈、4〜28重量%添加されて
成る誘電体磁器組成物では、比誘電率εか2000以上
、誘電正接tanδが1. 0%以下、温度特性か±1
5%(−55〜+125°C)、絶縁抵抗がlXl05
MΩ以上、焼成温度か1200°C以下の誘電体磁器組
成物が達成できる。
この誘電体磁器組成物を用いて、積層コンデンサを作成
すると、高い比誘電率で温度特性X7R(E TA規格
)を満足し、小型のコンデンサが達成てきる。また、ビ
スマス(Bi)を含有していないため、内部電極材料に
含まれるPdとの反応が発生しない安定かつ抗折強度の
高いコンデンサか達成できる。さらには焼成温度が12
00’C以下であるため、内部電極材料にAg−Pd
(Ag/60/40〜70/30)の安価な材料が使用
でき、安価な積層コンデンサか達成される。
すると、高い比誘電率で温度特性X7R(E TA規格
)を満足し、小型のコンデンサが達成てきる。また、ビ
スマス(Bi)を含有していないため、内部電極材料に
含まれるPdとの反応が発生しない安定かつ抗折強度の
高いコンデンサか達成できる。さらには焼成温度が12
00’C以下であるため、内部電極材料にAg−Pd
(Ag/60/40〜70/30)の安価な材料が使用
でき、安価な積層コンデンサか達成される。
尚、表1の試料番号26.27はNd2O3、ZnO,
Nb2O5か全て範囲外のものである。
Nb2O5か全て範囲外のものである。
試料番号26はすへての添加量か範囲を満たないもの(
Nd20.lが02重量%、ZnOか0゜2重量%、N
b2O5が1.3重量%)である。
Nd20.lが02重量%、ZnOか0゜2重量%、N
b2O5が1.3重量%)である。
測定の結果、比誘電率ε、誘電正接tanδ、絶縁抵抗
に関して良好な結果が得られるものの、温度特性が一1
8〜12%、焼成温度が1280°Cとなってしまう。
に関して良好な結果が得られるものの、温度特性が一1
8〜12%、焼成温度が1280°Cとなってしまう。
また、試料番号27はすへての添加量が範囲を越えたも
の(Nd203が13重量%、Zn○が1.6重量%、
Nb2O5が2.9重量%)である。測定の結果、比誘
電率ε、誘電正接tanδ、絶縁抵抗及び焼成温度に関
して良好な結果か得られるものの、温度特性が一22〜
0%となってしまう。
の(Nd203が13重量%、Zn○が1.6重量%、
Nb2O5が2.9重量%)である。測定の結果、比誘
電率ε、誘電正接tanδ、絶縁抵抗及び焼成温度に関
して良好な結果か得られるものの、温度特性が一22〜
0%となってしまう。
次に、チタン酸バリウムの生成方法について検討する。
一般にチタン酸バリウムの生成方法には、上述の実施例
で採用される水熱合成方法の他に固相法、蓚酸法が知ら
れている。上述の実施例で採用した水熱合成法で生成し
たチタン酸バリウムは粒径が小さく、粒形状か一定化す
る。このため、焼結温度が他の生成方法で作製したもの
よりも約100°Cも小さくでき、粒子の異常成長がな
く、より緻密な磁器が達成できる。しかし、その他の固
相法や蓚酸法で生成したチタン酸バリウムでは粒径や形
状が不揃いとなり、安定した特性が得られないことがあ
る。
で採用される水熱合成方法の他に固相法、蓚酸法が知ら
れている。上述の実施例で採用した水熱合成法で生成し
たチタン酸バリウムは粒径が小さく、粒形状か一定化す
る。このため、焼結温度が他の生成方法で作製したもの
よりも約100°Cも小さくでき、粒子の異常成長がな
く、より緻密な磁器が達成できる。しかし、その他の固
相法や蓚酸法で生成したチタン酸バリウムでは粒径や形
状が不揃いとなり、安定した特性が得られないことがあ
る。
例えば、固相法で生成したチタン酸バリウム100重量
部に対して、Nd2O3を0.5重量%、ZnOを0.
6重量%、Nb2O5を2,0重量%添加して、その特
性を測定すると、試料の中には、誘電損失tanδか0
,75%、温度特性か15〜+27%、及び焼成温度が
1320°Cと!4 なり良品の範囲を越えてしまうものかある。
部に対して、Nd2O3を0.5重量%、ZnOを0.
6重量%、Nb2O5を2,0重量%添加して、その特
性を測定すると、試料の中には、誘電損失tanδか0
,75%、温度特性か15〜+27%、及び焼成温度が
1320°Cと!4 なり良品の範囲を越えてしまうものかある。
また、蓚酸法で生成したチタン酸バリウム100重量部
に対して、Nd2O,を0.5重量%、ZnOを0.6
重量96、Nb2O5を20重量%添加して、その特性
を測定すると、試料の中には、誘電損失tanδか0.
65%と良品の範囲を越えて、絶縁抵抗かlX105M
Ωになるものかある。
に対して、Nd2O,を0.5重量%、ZnOを0.6
重量96、Nb2O5を20重量%添加して、その特性
を測定すると、試料の中には、誘電損失tanδか0.
65%と良品の範囲を越えて、絶縁抵抗かlX105M
Ωになるものかある。
したがって、水熱合成法でチタン酸バリウムを生成する
方法が望ましい。これにより、粒径が小さく、粒形状が
一定化したチタン酸バリウムが容易に得られ、焼結温度
か他の生成方法で作製したものよりも約100°Cも小
さくてき、粒子の異常成長かなく、より緻密な磁器が達
成できる。したかって、抗折強度に優れ、耐圧特性が向
上した磁器となる。
方法が望ましい。これにより、粒径が小さく、粒形状が
一定化したチタン酸バリウムが容易に得られ、焼結温度
か他の生成方法で作製したものよりも約100°Cも小
さくてき、粒子の異常成長かなく、より緻密な磁器が達
成できる。したかって、抗折強度に優れ、耐圧特性が向
上した磁器となる。
以上のように、本発明によれば、比誘電率ε、誘電正接
tanδ、絶縁抵抗に優れ、さらに温度特性がX7Rに
対応した誘電体磁器組成物となる。
tanδ、絶縁抵抗に優れ、さらに温度特性がX7Rに
対応した誘電体磁器組成物となる。
また、低温焼成が可能で、且つ内部電極と反応か起こら
ないため、積層コンデンサの内部電極に安価なAg−P
d材料を用いることができ、安価で且つ抗折強度に優れ
た誘電体磁器組成物となる。
ないため、積層コンデンサの内部電極に安価なAg−P
d材料を用いることができ、安価で且つ抗折強度に優れ
た誘電体磁器組成物となる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 チタン酸バリウムBaTiO_3100重量部に対して
、 Nd_2O_3が0.2〜1.2重量%、 ZnOが0.3〜1.5重量%、 Nb_2O_5が1.4〜2.8重量%、 添加されて成る誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2230803A JP3071452B2 (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2230803A JP3071452B2 (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04114962A true JPH04114962A (ja) | 1992-04-15 |
JP3071452B2 JP3071452B2 (ja) | 2000-07-31 |
Family
ID=16913520
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2230803A Expired - Lifetime JP3071452B2 (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3071452B2 (ja) |
-
1990
- 1990-08-31 JP JP2230803A patent/JP3071452B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3071452B2 (ja) | 2000-07-31 |
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