JPH04114963A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH04114963A JPH04114963A JP2230804A JP23080490A JPH04114963A JP H04114963 A JPH04114963 A JP H04114963A JP 2230804 A JP2230804 A JP 2230804A JP 23080490 A JP23080490 A JP 23080490A JP H04114963 A JPH04114963 A JP H04114963A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、平坦な温度特性を有し、比誘電率が高く、焼
成温度が低い誘電体磁器組成物に関するものである。
成温度が低い誘電体磁器組成物に関するものである。
従来、チタン酸バリウムを主成分とし、温度特性が比較
的平坦で、比誘電率か高く、焼成温度か低い誘電体磁器
組成物として、五酸化ニオブ、チタン酸カルシウム、希
土類元素、酸化マンガンか添加されたものが知られてい
る。(特開昭59−18162号、特開昭59−943
02号)。
的平坦で、比誘電率か高く、焼成温度か低い誘電体磁器
組成物として、五酸化ニオブ、チタン酸カルシウム、希
土類元素、酸化マンガンか添加されたものが知られてい
る。(特開昭59−18162号、特開昭59−943
02号)。
しかし、かかる誘電体磁器組成物は、比誘電率εが20
00〜3000と比較的高い値が得られるものの、誘電
損失tanδが非常に高い誘電体材料となってしまう。
00〜3000と比較的高い値が得られるものの、誘電
損失tanδが非常に高い誘電体材料となってしまう。
誘電体磁器単体の誘電損失tanδが高いと、積層コン
デンサにその磁器を用いた時、そのコンデンサの誘電損
失janδ不良となる。この積層コンデンサの誘電損失
janδ不良を改善するには、誘電体材料のシート層を
厚くすればよいものの、小型、低背型の積層コンデンサ
が強く求められている現在においては、嵩高い積層コン
デンサになってしまう。
デンサにその磁器を用いた時、そのコンデンサの誘電損
失janδ不良となる。この積層コンデンサの誘電損失
janδ不良を改善するには、誘電体材料のシート層を
厚くすればよいものの、小型、低背型の積層コンデンサ
が強く求められている現在においては、嵩高い積層コン
デンサになってしまう。
本発明者らは上記問題点に鑑みて、鋭意研究を重ねた結
果、チタン酸バリウムに、五酸化ニオブ(Nb20s
)、酸化亜鉛(ZnO)、プラセオジウム化合物(Pr
a○1.)を添加することにより、温度特性が比較的平
坦で、比誘電率が高く、焼成温度が低く、さらに誘電損
失tanδか極めて小さい誘電体磁器組成物か得られる
ことを知見した。
果、チタン酸バリウムに、五酸化ニオブ(Nb20s
)、酸化亜鉛(ZnO)、プラセオジウム化合物(Pr
a○1.)を添加することにより、温度特性が比較的平
坦で、比誘電率が高く、焼成温度が低く、さらに誘電損
失tanδか極めて小さい誘電体磁器組成物か得られる
ことを知見した。
〔問題点を解決するための具体的な手段〕本発明が要旨
とするところは、チタン酸バリウムBaTiCL 1
00重量部に対して、五酸化ニオブ(Nb205’)が
0.5〜2.0重量%、酸化亜鉛(ZnO)か0.1〜
0.8重量%、プラセオジウム化合物(P r s O
z)か0.3〜08重量%添加されて成る誘電体磁器組
成物である。
とするところは、チタン酸バリウムBaTiCL 1
00重量部に対して、五酸化ニオブ(Nb205’)が
0.5〜2.0重量%、酸化亜鉛(ZnO)か0.1〜
0.8重量%、プラセオジウム化合物(P r s O
z)か0.3〜08重量%添加されて成る誘電体磁器組
成物である。
五酸化ニオブ(Nb205)は磁器密度、温度特性に大
きく関与する。五酸化ニオブ(Nb205)が0.5重
量%未満ては焼結が不可能となり、2.0重量%を越え
ると、磁器密度か低くなり、結果として比誘電率ε、温
度特性などが劣化してしまう。
きく関与する。五酸化ニオブ(Nb205)が0.5重
量%未満ては焼結が不可能となり、2.0重量%を越え
ると、磁器密度か低くなり、結果として比誘電率ε、温
度特性などが劣化してしまう。
酸化亜鉛(Zn○)は焼結性、比誘電率ε、磁器密度に
大きく関与する。酸化亜鉛(ZnO)を含まないと焼結
不可能となり、また0、8重量%を越えると、磁器密度
が低くなり、結果として比誘電率ε、温度特性などが劣
化する。
大きく関与する。酸化亜鉛(ZnO)を含まないと焼結
不可能となり、また0、8重量%を越えると、磁器密度
が低くなり、結果として比誘電率ε、温度特性などが劣
化する。
プラセオジウム化合物(Pre○1.)は焼結性、温度
特性、磁器密度に大きく関与する。プラセオジウム化合
物(Prs○4.)が083重量%未満ては焼結不可能
となり、0.8重量%を越えると磁器密度及び温度特性
などが劣化する。
特性、磁器密度に大きく関与する。プラセオジウム化合
物(Prs○4.)が083重量%未満ては焼結不可能
となり、0.8重量%を越えると磁器密度及び温度特性
などが劣化する。
誘電体磁器組成物を前記範囲内に設定することにより、
誘電率を3000以上、温度変化率か一55〜125°
Cにわたって±15%以内、誘電損失tanδを0.7
未満の誘電体磁器組成物か得られ、コンデンサを作製す
るための誘電体磁器シートの厚みを薄くできるので、積
層数の少ない小型、低背型の積層コンデンサが提供でき
る。また、焼成温度が1300°C以下となり、積層コ
ンデンサの内部電極材料に比較的安価なΔg−Pd (
Ag/Pd=60/40〜70/30)が使用でき、安
価な積層コンデンサが提供できる。
誘電率を3000以上、温度変化率か一55〜125°
Cにわたって±15%以内、誘電損失tanδを0.7
未満の誘電体磁器組成物か得られ、コンデンサを作製す
るための誘電体磁器シートの厚みを薄くできるので、積
層数の少ない小型、低背型の積層コンデンサが提供でき
る。また、焼成温度が1300°C以下となり、積層コ
ンデンサの内部電極材料に比較的安価なΔg−Pd (
Ag/Pd=60/40〜70/30)が使用でき、安
価な積層コンデンサが提供できる。
以下、本発明を具体的に説明する。
出発材料として、水熱合成法により生成されたチタン酸
バリウム100重量部に対してNb、○5、ZnO及び
PraOzを表1に示す配合比になるように秤量し、ボ
ールミルにて20時時間式粉砕した後、有機系粘結剤を
添加する。しかる後攪拌、ドクターブレード法で厚さ5
0μmのテープに成型した。このテープを30枚積層し
て、熱圧着(110°C)シた。このようにして作成さ
れた積層体を直径20mmの円板状に打ち抜き、酸素雰
囲気にて1250〜1300°Cで2時間焼成した。さ
らに両端面に銀ペーストによる電極を焼きつけ試料とし
た。
バリウム100重量部に対してNb、○5、ZnO及び
PraOzを表1に示す配合比になるように秤量し、ボ
ールミルにて20時時間式粉砕した後、有機系粘結剤を
添加する。しかる後攪拌、ドクターブレード法で厚さ5
0μmのテープに成型した。このテープを30枚積層し
て、熱圧着(110°C)シた。このようにして作成さ
れた積層体を直径20mmの円板状に打ち抜き、酸素雰
囲気にて1250〜1300°Cで2時間焼成した。さ
らに両端面に銀ペーストによる電極を焼きつけ試料とし
た。
このように形成された試料について、比誘電率ε及び誘
電損失tanδを基準温度25°C1周波数1.0kH
z、測定電圧1.OVrmsて測定した。また磁器厚み
、直径、重量を測定し、磁器密度を求めた。容量の温度
変化率(温度特性)は55°C〜+125°C内て求め
た。
電損失tanδを基準温度25°C1周波数1.0kH
z、測定電圧1.OVrmsて測定した。また磁器厚み
、直径、重量を測定し、磁器密度を求めた。容量の温度
変化率(温度特性)は55°C〜+125°C内て求め
た。
その結果を表1に示す。試料番号に*印を付したものは
本発明の範囲外である。
本発明の範囲外である。
そして本発明の範囲の評価として、比誘電率εは300
0以上を良品とした。即ち、比誘電率εが3000未満
では、充分な比誘電率εが得れず、これにより積層コン
デンサの小型化が困難となってしまう。
0以上を良品とした。即ち、比誘電率εが3000未満
では、充分な比誘電率εが得れず、これにより積層コン
デンサの小型化が困難となってしまう。
また、誘電損失tanδは0. 7%未満を良品とした
。即ち、誘電損失tanδが0.7%以上では、積層コ
ンデンサの誘電損失tanδ不良(2,5%以上)とな
り、容量の応答性が劣化してしまう。
。即ち、誘電損失tanδが0.7%以上では、積層コ
ンデンサの誘電損失tanδ不良(2,5%以上)とな
り、容量の応答性が劣化してしまう。
誘電体磁器の誘電損失tanδは07%であっても、誘
電体磁器シートの一枚を30μm以上にすれば、積層コ
ンデンサの誘電損失tanδ不良は解消されるものの、
嵩高い積層セラミックコンデンサとなってしまう。
電体磁器シートの一枚を30μm以上にすれば、積層コ
ンデンサの誘電損失tanδ不良は解消されるものの、
嵩高い積層セラミックコンデンサとなってしまう。
また、温度特性は±15%以内を良品とした。
即ち、温度特性は±15%以外になると、X7R(EI
A規格)を満足しなくなる。
A規格)を満足しなくなる。
また、磁器密度は5.70〜5.85g/cm3を良品
とした。磁器密度が5.70g/cm3未満では焼成か
充分に起こらず、比誘電率ε、温度特性を劣化させてし
まう。また磁器密度が585g/cm3を越えると、誘
電体磁器が過焼結状態となり、クラックや異常粒成長が
起こり、耐圧特性や抗折強度特性が劣化してしまう。
とした。磁器密度が5.70g/cm3未満では焼成か
充分に起こらず、比誘電率ε、温度特性を劣化させてし
まう。また磁器密度が585g/cm3を越えると、誘
電体磁器が過焼結状態となり、クラックや異常粒成長が
起こり、耐圧特性や抗折強度特性が劣化してしまう。
また、焼成温度は1300°C以下が望ましい。
焼成温度は1300°Cを越えると、内部電極にPdの
含有率が高い高価な材料を使用しなくては成らなくなる
。
含有率が高い高価な材料を使用しなくては成らなくなる
。
(以下、余白)
表1
*印は本発明の範囲外である。
試料番号1〜7は誘電体材料の主成分となるBaTio
3100重量部に添加するPr6O11の添加量を検討
するため、Pr5Ozを0.2〜0゜9重量%まで変化
させた。この時、Nb2O5を0.9〜1.2重量%、
ZnOを0.2〜0.5重量%に設定した。
3100重量部に添加するPr6O11の添加量を検討
するため、Pr5Ozを0.2〜0゜9重量%まで変化
させた。この時、Nb2O5を0.9〜1.2重量%、
ZnOを0.2〜0.5重量%に設定した。
試料番号1 (Prs Oll: 0.2重量%)で
は焼結不可能となる。
は焼結不可能となる。
試料番号2〜6 (Pre 01.:0. 3〜0.
7重量%)では比誘電率εが3740以上、誘電損失t
anδが0.65%以下、温度特性が−9,9〜+15
%、焼成温度が1300°C以下となり、EIA規格の
X7R特性を満足する小型・低背型積層コンデンサ用の
誘電体磁器組成物か達成できる。
7重量%)では比誘電率εが3740以上、誘電損失t
anδが0.65%以下、温度特性が−9,9〜+15
%、焼成温度が1300°C以下となり、EIA規格の
X7R特性を満足する小型・低背型積層コンデンサ用の
誘電体磁器組成物か達成できる。
試料番号7 (Pre O,: 0.9重量%)では比
誘電率ε、誘電損失tanδ、磁器密度及び焼成温度が
良好な結果が得られるものの、温度特性か±15%を越
えて一20%(−55°C)となってしまう。
誘電率ε、誘電損失tanδ、磁器密度及び焼成温度が
良好な結果が得られるものの、温度特性か±15%を越
えて一20%(−55°C)となってしまう。
従って、本発明の13 a T i O2に添加するP
r6O11を減少すると焼結不可能となり、逆にNb2
O5を増加すると温度特性が極端に劣化する傾向かある
。
r6O11を減少すると焼結不可能となり、逆にNb2
O5を増加すると温度特性が極端に劣化する傾向かある
。
結局、Pr6O11の添加量は、0.3〜0.8重量%
の範囲とした。
の範囲とした。
試料番号8〜17は誘電体材料の主成分となるBaTi
0.100重量部に添加するNb2O5の添加量を検討
するため、Nb2O5を0.4〜2.1重量%まで変化
させた。この時、ZnOを0.2〜0.5重量%、Pr
6O11を0.4〜0゜6重量%に設定した。
0.100重量部に添加するNb2O5の添加量を検討
するため、Nb2O5を0.4〜2.1重量%まで変化
させた。この時、ZnOを0.2〜0.5重量%、Pr
6O11を0.4〜0゜6重量%に設定した。
試料番号8 (Nb20s : 0.4重量%)では
、焼結不可能となってしまう。
、焼結不可能となってしまう。
また、試料番号9〜16(Nb205 :05〜20重
量%)では、比誘電率εが3600以上、誘電損失ta
nδが0.65%以下、温度変化率か−9,5〜14.
5%、磁器密度が5.73〜576g/cm3、焼成温
度1300°C以下となり、ETA規格のX7R特性を
満足する小型・低背型の積層コンデンザ用の誘電体磁器
組成物か達成できる。
量%)では、比誘電率εが3600以上、誘電損失ta
nδが0.65%以下、温度変化率か−9,5〜14.
5%、磁器密度が5.73〜576g/cm3、焼成温
度1300°C以下となり、ETA規格のX7R特性を
満足する小型・低背型の積層コンデンザ用の誘電体磁器
組成物か達成できる。
試料番号17 (Nb20s : 2.1重量%)で
は磁器密度が5.75g/cm3未満の5.68g/c
m’ となり、比誘電率εが2860、温度特性か±1
5%を越えて17.3%(125°C)となってしまう
。
は磁器密度が5.75g/cm3未満の5.68g/c
m’ となり、比誘電率εが2860、温度特性か±1
5%を越えて17.3%(125°C)となってしまう
。
従って、本発明のF3 a T i 02に添加するN
b2O□を0.5〜2.0重量%とした。
b2O□を0.5〜2.0重量%とした。
試料番号18〜25は誘電体磁器成物の主成分となるB
aTi0.100重量部に添加するZn○の添加量を検
討するため、Zn○を0〜0゜9重量%まで変化させた
。この時、Nb2O5の添加量を0.9〜13重量%に
、Pr603.の添加量を04〜0.6重量%に設定し
た。
aTi0.100重量部に添加するZn○の添加量を検
討するため、Zn○を0〜0゜9重量%まで変化させた
。この時、Nb2O5の添加量を0.9〜13重量%に
、Pr603.の添加量を04〜0.6重量%に設定し
た。
試料番号18 (ZnO: 0)では、焼結不可能とな
ってしまう。
ってしまう。
試料番号19〜24 (ZnO:0.1〜0.8重量%
)では比誘電率εが3500以上、誘電損失tanδが
0.65%以下、温度特性が−10゜0〜+14.2%
、磁器密度か5.74〜580g/crr+3、焼成温
度が1300°C以下となり、EIA規格のX7R特性
を満足する小型で低背型の積層コンデンサ用の誘電体磁
器組成物が達成できる。
)では比誘電率εが3500以上、誘電損失tanδが
0.65%以下、温度特性が−10゜0〜+14.2%
、磁器密度か5.74〜580g/crr+3、焼成温
度が1300°C以下となり、EIA規格のX7R特性
を満足する小型で低背型の積層コンデンサ用の誘電体磁
器組成物が達成できる。
試料番号25(Zn0・0.9重量%)では磁器密度が
5.75g/cm’未満の5.63g/ c m″′と
なり、比誘電率εが2820、温度特性が±15%を大
きく越えて一40〜26%となってしまう。
5.75g/cm’未満の5.63g/ c m″′と
なり、比誘電率εが2820、温度特性が±15%を大
きく越えて一40〜26%となってしまう。
従ってZnOの添加量は、0.1〜0.8重量%の範囲
とした。
とした。
以上のように、チタン酸バリウムBaTiO3100重
量部に対して、Nb2O5が0.5〜2.0重量%、Z
nOが0. 1〜0. 8重量%、Pre○3.が0.
3〜0.8重量%添加されて成る誘電体磁器組成物で
は、比誘電率εが3000以上、誘電損失ta、nδが
07%以下、温度特性が±15%(−55〜+125°
C)、磁器密度が5、 7〜5. 85g/cm″、焼
成温度が1300°C以下の誘電体磁器組成物が達成で
きる。
量部に対して、Nb2O5が0.5〜2.0重量%、Z
nOが0. 1〜0. 8重量%、Pre○3.が0.
3〜0.8重量%添加されて成る誘電体磁器組成物で
は、比誘電率εが3000以上、誘電損失ta、nδが
07%以下、温度特性が±15%(−55〜+125°
C)、磁器密度が5、 7〜5. 85g/cm″、焼
成温度が1300°C以下の誘電体磁器組成物が達成で
きる。
この誘電体磁器組成物を用いて、積層コンデンサを作成
すると、高い比誘電率で温度特性X7R(E rA規格
)を満足し、誘電損失tanδが大変に小さいため、磁
器シートの厚みを30μm以下としても、容量の応答性
の優れた積層コンデンサが可能となり、コンデンサの低
背化が達成できる。
すると、高い比誘電率で温度特性X7R(E rA規格
)を満足し、誘電損失tanδが大変に小さいため、磁
器シートの厚みを30μm以下としても、容量の応答性
の優れた積層コンデンサが可能となり、コンデンサの低
背化が達成できる。
さらには焼成温度カ月300°C以下であるため、内部
電極材料にAg−Pd (Ag/60/40〜70/3
0)の安価な材料が使用でき、安価な積層コンデンサが
達成される。
電極材料にAg−Pd (Ag/60/40〜70/3
0)の安価な材料が使用でき、安価な積層コンデンサが
達成される。
次に、チタン酸バリウムの生成方法について検討する。
一般にチタン酸バリウムの生成方法には、上述の実施例
で採用される水熱合成方法の他に固相法、蓚酸法が知ら
れている。上述の実施例で採用した水熱合成法で生成し
たチタン酸バリウムは粒径が小さく、粒形状が一定化す
る。このため、焼結温度が他の生成方法で作製したもの
よりも約100’cも小さくでき、粒子の異常成長がな
く、より緻密な磁器が達成できる。しかし、その他の固
相法や蓚酸法で生成したチタン酸バリウムでは粒径や形
状が不揃いとなり、安定した特性が得られないことがあ
る。
で採用される水熱合成方法の他に固相法、蓚酸法が知ら
れている。上述の実施例で採用した水熱合成法で生成し
たチタン酸バリウムは粒径が小さく、粒形状が一定化す
る。このため、焼結温度が他の生成方法で作製したもの
よりも約100’cも小さくでき、粒子の異常成長がな
く、より緻密な磁器が達成できる。しかし、その他の固
相法や蓚酸法で生成したチタン酸バリウムでは粒径や形
状が不揃いとなり、安定した特性が得られないことがあ
る。
例えば、固相法で生成したチタン酸バリウム100重量
部に対して、Nb2O5を1.0重量%、Zn○を0.
2重量%、Pr5Oxを0.5重量%添加して、その特
性を測定すると、試料の中には、誘電損失tanδが1
3.7%、温度特性が15〜+27%、磁器密度が5.
06g/cm2及び焼成温度が1320°Cとなり良品
の範囲を越えてしまうものがある。
部に対して、Nb2O5を1.0重量%、Zn○を0.
2重量%、Pr5Oxを0.5重量%添加して、その特
性を測定すると、試料の中には、誘電損失tanδが1
3.7%、温度特性が15〜+27%、磁器密度が5.
06g/cm2及び焼成温度が1320°Cとなり良品
の範囲を越えてしまうものがある。
また、蓚酸法で生成したチタン酸バリウム100重量部
に対して、Nb、05を1.0重量%、ZnOを0,2
重量%、PrgOzを0.5重量%添加して、その特性
を測定すると、試料の中には、誘電損失tanδが22
.6%、温度特性か24〜+8.6%、磁器密度が5.
34g/cm″となり良品の範囲を越えてしまうものが
ある。
に対して、Nb、05を1.0重量%、ZnOを0,2
重量%、PrgOzを0.5重量%添加して、その特性
を測定すると、試料の中には、誘電損失tanδが22
.6%、温度特性か24〜+8.6%、磁器密度が5.
34g/cm″となり良品の範囲を越えてしまうものが
ある。
したがって、水熱合成法てチタン酸バリウムを生成する
方法か望ましい。これにより、粒径が小さく、粒形状が
一定化したチタン酸バリウムか容易に得られ、焼結温度
が他の生成方法で作製したものよりも約100°Cも小
さくでき、粒子の異常成長がなく、より緻密な磁器が達
成できる。したがって、抗折強度に優れ、耐圧特性が向
上した磁器となる。
方法か望ましい。これにより、粒径が小さく、粒形状が
一定化したチタン酸バリウムか容易に得られ、焼結温度
が他の生成方法で作製したものよりも約100°Cも小
さくでき、粒子の異常成長がなく、より緻密な磁器が達
成できる。したがって、抗折強度に優れ、耐圧特性が向
上した磁器となる。
以上のように、本発明によれば、誘電損失tanδが極
めて小さく且つ高比誘電率εで、温度特性に優れた誘電
体磁器組成物となる。
めて小さく且つ高比誘電率εで、温度特性に優れた誘電
体磁器組成物となる。
また、誘電損失tanδか極めて小さいため、層の磁器
シートの薄い、低背型の積層コンデンサを可能とする誘
電体磁器組成物となる。
シートの薄い、低背型の積層コンデンサを可能とする誘
電体磁器組成物となる。
さらに焼成温度か低いため、内部電極に安価なAg−P
d材料を用いた積層コンデンサに使用できる誘電体磁器
組成物となり、安価で且っ抗折強度に優れた積層コンデ
ンサを可能とする誘電体磁器組成物となる。
d材料を用いた積層コンデンサに使用できる誘電体磁器
組成物となり、安価で且っ抗折強度に優れた積層コンデ
ンサを可能とする誘電体磁器組成物となる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 チタン酸バリウムBaTiO_3100重量部に対して
、 Nb_2O_5が0.5〜2.0重量%、 ZnOが0.1〜0.8重量%、 Pr_6O_1_1が0.3〜0.8重量%添加されて
成る誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2230804A JP3071453B2 (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2230804A JP3071453B2 (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04114963A true JPH04114963A (ja) | 1992-04-15 |
JP3071453B2 JP3071453B2 (ja) | 2000-07-31 |
Family
ID=16913537
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2230804A Expired - Fee Related JP3071453B2 (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3071453B2 (ja) |
-
1990
- 1990-08-31 JP JP2230804A patent/JP3071453B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3071453B2 (ja) | 2000-07-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |