JPH04334807A - 積層セラミックコンデンサ用誘電体磁器 - Google Patents
積層セラミックコンデンサ用誘電体磁器Info
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- JPH04334807A JPH04334807A JP3138458A JP13845891A JPH04334807A JP H04334807 A JPH04334807 A JP H04334807A JP 3138458 A JP3138458 A JP 3138458A JP 13845891 A JP13845891 A JP 13845891A JP H04334807 A JPH04334807 A JP H04334807A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は誘電体磁器組成物に関
し、特に積層コンデンサなどの材料として用いられる誘
電体磁器組成物に関する。
し、特に積層コンデンサなどの材料として用いられる誘
電体磁器組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、高誘電率で、誘電率温度変化
の小さい誘電体磁器組成物としては、たとえば、BaT
iO3 を主成分とし、これにBi2 O3 −TiO
2 ,Bi2 O3 −SnO2 ,Bi2 O3 −
ZrO2 などのビスマス化合物と希土類元素とを副成
分として添加したものがある。また、BaTiO3 を
主成分とし、これにビスマス化合物とMgO,SiO2
などを副成分として添加したものも広く採用されてい
る。
の小さい誘電体磁器組成物としては、たとえば、BaT
iO3 を主成分とし、これにBi2 O3 −TiO
2 ,Bi2 O3 −SnO2 ,Bi2 O3 −
ZrO2 などのビスマス化合物と希土類元素とを副成
分として添加したものがある。また、BaTiO3 を
主成分とし、これにビスマス化合物とMgO,SiO2
などを副成分として添加したものも広く採用されてい
る。
【0003】一方、上記の組成の誘電体磁器組成物とは
別に、BaTiO3を主成分とし、これにNb2 O5
,Nd2 O3 およびMn,Cr,Fe,Ni,C
oの酸化物を副成分として添加したものもある(特開昭
51−143899号,特開昭57−92575号)。 こうした組成の誘電体磁器組成物においても、平坦な誘
電率温度特性が得られると報告されている。
別に、BaTiO3を主成分とし、これにNb2 O5
,Nd2 O3 およびMn,Cr,Fe,Ni,C
oの酸化物を副成分として添加したものもある(特開昭
51−143899号,特開昭57−92575号)。 こうした組成の誘電体磁器組成物においても、平坦な誘
電率温度特性が得られると報告されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、BaT
iO3 を主成分とし、ビスマス化合物を添加した誘電
体磁器組成物は、高周波に対する誘電損失tanδが大
きく、誘電率が1000〜2000と低かった。また、
誘電率を高くすると、静電容量の温度変化率が大きくな
り、逆に、静電容量の温度変化率を小さくすると、誘電
率が低下するという相反する傾向を示していた。そのた
め、この誘電体磁器組成物をコンデンサの材料として用
いた場合、コンデンサの小型大容量化には限界があった
。
iO3 を主成分とし、ビスマス化合物を添加した誘電
体磁器組成物は、高周波に対する誘電損失tanδが大
きく、誘電率が1000〜2000と低かった。また、
誘電率を高くすると、静電容量の温度変化率が大きくな
り、逆に、静電容量の温度変化率を小さくすると、誘電
率が低下するという相反する傾向を示していた。そのた
め、この誘電体磁器組成物をコンデンサの材料として用
いた場合、コンデンサの小型大容量化には限界があった
。
【0005】また、副成分としてビスマス化合物を含む
誘電体磁器組成物では、焼成時にBi2 O3 が蒸発
して、磁器に歪が生じたり、組成割合が変化して、必要
な電気的特性にばらつきを生じたりするという問題点が
あった。さらに、こうした組成物を積層コンデンサの材
料に用いた場合には、内部電極としてPdあるいはAg
−Pd合金が用いられると、このPdとBi2 O3
が反応して、電極の特性が損なわれてしまう。そのため
、Bi2 O3 と反応しない高価なPtを、内部電極
として使用せざるを得なかった。
誘電体磁器組成物では、焼成時にBi2 O3 が蒸発
して、磁器に歪が生じたり、組成割合が変化して、必要
な電気的特性にばらつきを生じたりするという問題点が
あった。さらに、こうした組成物を積層コンデンサの材
料に用いた場合には、内部電極としてPdあるいはAg
−Pd合金が用いられると、このPdとBi2 O3
が反応して、電極の特性が損なわれてしまう。そのため
、Bi2 O3 と反応しない高価なPtを、内部電極
として使用せざるを得なかった。
【0006】特開昭51−143899号に開示されて
いる組成の誘電体磁器組成物は、−25℃〜+85℃の
狭い温度範囲においてさえ、−27%以上の誘電率温度
変化率を示していた。そのため、−55℃〜+125℃
の広い温度範囲においては、±15%以内の平坦な誘電
率温度特性を得ることができなかった。
いる組成の誘電体磁器組成物は、−25℃〜+85℃の
狭い温度範囲においてさえ、−27%以上の誘電率温度
変化率を示していた。そのため、−55℃〜+125℃
の広い温度範囲においては、±15%以内の平坦な誘電
率温度特性を得ることができなかった。
【0007】また、特開昭57−92575号に開示さ
れている組成の誘電体磁器組成物は、−55℃〜+12
5℃の温度範囲において、誘電率温度変化率は15%以
下の値を示しているが、誘電率2800以上、誘電損失
2.5%以下、焼成温度1250℃以下という条件を満
足するまでには至っていない。
れている組成の誘電体磁器組成物は、−55℃〜+12
5℃の温度範囲において、誘電率温度変化率は15%以
下の値を示しているが、誘電率2800以上、誘電損失
2.5%以下、焼成温度1250℃以下という条件を満
足するまでには至っていない。
【0008】一方、3000〜5000の誘電率を有し
、平坦な誘電率温度特性を有する組成物が開示されてい
る(特開昭64−45772号)。しかし、これら大き
な誘電率を有する組成物は、焼成温度が1280℃以上
と高い。また、最近の磁器コンデンサは小型化の傾向が
あり、特に積層コンデンサにおいては、小型化かつ大容
量化のために、磁器誘電体層の厚みが5μm〜15μm
と薄膜化される傾向がある。そのため、誘電体磁器組成
物は、高誘電率であるだけでなく、磁器のグレインサイ
ズが小さいこと、さらに、電圧依存性が小さいことも望
まれている。ところが、これらの大きな誘電率を有する
誘電体磁器組成物は電圧依存性が大きいため、最近の薄
膜化に対応できず、小型大容量の積層コンデンサを作製
することができなかった。
、平坦な誘電率温度特性を有する組成物が開示されてい
る(特開昭64−45772号)。しかし、これら大き
な誘電率を有する組成物は、焼成温度が1280℃以上
と高い。また、最近の磁器コンデンサは小型化の傾向が
あり、特に積層コンデンサにおいては、小型化かつ大容
量化のために、磁器誘電体層の厚みが5μm〜15μm
と薄膜化される傾向がある。そのため、誘電体磁器組成
物は、高誘電率であるだけでなく、磁器のグレインサイ
ズが小さいこと、さらに、電圧依存性が小さいことも望
まれている。ところが、これらの大きな誘電率を有する
誘電体磁器組成物は電圧依存性が大きいため、最近の薄
膜化に対応できず、小型大容量の積層コンデンサを作製
することができなかった。
【0009】それゆえに、この発明の主たる目的は、誘
電率が3500以上で、+25℃における静電容量を基
準とした時、−55℃〜+125℃の広い温度範囲にわ
たって静電容量の温度変化率が±15%以内と平坦で、
かつ誘電損失が1.0%以下と小さく、グレインサイズ
が1μm以下と小さく、1280℃以下という比較的低
い温度で焼結することが可能な、誘電体磁器組成物を提
供することである。
電率が3500以上で、+25℃における静電容量を基
準とした時、−55℃〜+125℃の広い温度範囲にわ
たって静電容量の温度変化率が±15%以内と平坦で、
かつ誘電損失が1.0%以下と小さく、グレインサイズ
が1μm以下と小さく、1280℃以下という比較的低
い温度で焼結することが可能な、誘電体磁器組成物を提
供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】この発明は、不純物とし
てのアルカリ金属酸化物の含有量が0.03重量%以下
のBaTiO3 100重量部に対し、Nb2 O5
を0.6〜2.0重量部と、Co2 O3 を0.1〜
0.8重量部と、MnO2 を0.05〜0.3重量部
と、Nd2 O3 を0.02〜0.4重量部とを含有
する、誘電体磁器組成物である。
てのアルカリ金属酸化物の含有量が0.03重量%以下
のBaTiO3 100重量部に対し、Nb2 O5
を0.6〜2.0重量部と、Co2 O3 を0.1〜
0.8重量部と、MnO2 を0.05〜0.3重量部
と、Nd2 O3 を0.02〜0.4重量部とを含有
する、誘電体磁器組成物である。
【0011】
【発明の効果】この発明によれば、+25℃における静
電容量を基準とした時、−55℃〜+125℃の広い温
度範囲にわたって静電容量の温度変化率が±15%以内
と平坦で、かつ誘電損失が1.0%以下と小さい、誘電
体磁器組成物が得られる。また、この組成物は、このよ
うな平坦な温度特性であるにもかかわらず、その誘電率
が3500以上と高い値を示している他、グレインサイ
ズが1μm以下と小さく、1280℃以下という比較的
低い温度で焼結することが可能である。
電容量を基準とした時、−55℃〜+125℃の広い温
度範囲にわたって静電容量の温度変化率が±15%以内
と平坦で、かつ誘電損失が1.0%以下と小さい、誘電
体磁器組成物が得られる。また、この組成物は、このよ
うな平坦な温度特性であるにもかかわらず、その誘電率
が3500以上と高い値を示している他、グレインサイ
ズが1μm以下と小さく、1280℃以下という比較的
低い温度で焼結することが可能である。
【0012】したがって、磁器誘電体層の厚みを薄くす
ることができる。そして、内部電極として30Ag−7
0Pd(数字は重量%)の使用が可能であり、安価かつ
小型大容量で温度特性の良好な積層セラミックコンデン
サを得ることができる。
ることができる。そして、内部電極として30Ag−7
0Pd(数字は重量%)の使用が可能であり、安価かつ
小型大容量で温度特性の良好な積層セラミックコンデン
サを得ることができる。
【0013】この発明の上述の目的,その他の目的,特
徴および利点は、以下の実施例の詳細な説明から一層明
らかとなろう。
徴および利点は、以下の実施例の詳細な説明から一層明
らかとなろう。
【0014】
(実施例1)まず、出発原料として、種々の純度のTi
Cl4 とBa(NO3 )2 とを準備し、これらの
原料をBaイオンとTiイオンとのモル比が1.000
となるように秤量して秤量物を得た。この秤量物を蓚酸
によって、BaTiO(C2 O4 )・4H2Oとし
て沈殿させ沈殿物を得た。この沈殿物を700℃以上の
温度で加熱分解して、BaTiO3 を合成した。この
合成物を、平均粒子径が1μm以下になるまで、乾式粉
砕機によって粉砕した。このようにして、表1に示すA
〜Eの純度の異なった5種類のBaTiO3 を得た。
Cl4 とBa(NO3 )2 とを準備し、これらの
原料をBaイオンとTiイオンとのモル比が1.000
となるように秤量して秤量物を得た。この秤量物を蓚酸
によって、BaTiO(C2 O4 )・4H2Oとし
て沈殿させ沈殿物を得た。この沈殿物を700℃以上の
温度で加熱分解して、BaTiO3 を合成した。この
合成物を、平均粒子径が1μm以下になるまで、乾式粉
砕機によって粉砕した。このようにして、表1に示すA
〜Eの純度の異なった5種類のBaTiO3 を得た。
【0015】
【表1】
【0016】次いで、原料としてNb2 O5 ,Co
2 O3 ,MnCO3 およびNd2 O3を用い、
表2に示した割合の組成物が得られるように秤量し、酢
酸ビニル系バインダを加えて、16時間湿式混合を行っ
て混合物を得た。
2 O3 ,MnCO3 およびNd2 O3を用い、
表2に示した割合の組成物が得られるように秤量し、酢
酸ビニル系バインダを加えて、16時間湿式混合を行っ
て混合物を得た。
【0017】
【表2】
【0018】さらに、得られた混合物を乾燥し、造粒し
た後、2000kg/cm2 の圧力で直径10mm、
厚さ0.5mmの円板状にプレス成形して成形体を得た
。 その後、この成形体を、表3に示す焼成温度で2時間焼
成し、円板状の磁器を得た。
た後、2000kg/cm2 の圧力で直径10mm、
厚さ0.5mmの円板状にプレス成形して成形体を得た
。 その後、この成形体を、表3に示す焼成温度で2時間焼
成し、円板状の磁器を得た。
【0019】得られた磁器表面を走査型電子顕微鏡にて
、倍率1500倍で観察し、グレインサイズを測定した
。
、倍率1500倍で観察し、グレインサイズを測定した
。
【0020】そして、得られた磁器の主表面に銀電極を
焼き付けして測定試料(コンデンサ)とし、その室温で
の誘電率(ε),誘電損失(tanδ)および温度変化
に対する静電容量の変化率を測定した。
焼き付けして測定試料(コンデンサ)とし、その室温で
の誘電率(ε),誘電損失(tanδ)および温度変化
に対する静電容量の変化率を測定した。
【0021】この場合、誘電率(ε)および誘電損失(
tanδ)は、温度25℃,1kHz,1Vrmsの条
件で測定した。また、温度変化に対する静電容量の変化
率については、25℃での静電容量(C25)を基準と
して、−55℃と+125℃での温度変化率(ΔC/C
25)と、−55℃〜+125℃の間における温度変化
率が最大である値の絶対値、いわゆる最大変化率(|Δ
C/C25|max )とを示した。さらに、周波数1
kHzで200V/mmの電圧を印加した時の誘電損失
(tanδ)を測定した。
tanδ)は、温度25℃,1kHz,1Vrmsの条
件で測定した。また、温度変化に対する静電容量の変化
率については、25℃での静電容量(C25)を基準と
して、−55℃と+125℃での温度変化率(ΔC/C
25)と、−55℃〜+125℃の間における温度変化
率が最大である値の絶対値、いわゆる最大変化率(|Δ
C/C25|max )とを示した。さらに、周波数1
kHzで200V/mmの電圧を印加した時の誘電損失
(tanδ)を測定した。
【0022】以上の各試験の結果を、表3に合わせて示
す。
す。
【0023】
【表3】
【0024】次に、添加物である酸化物の添加量の範囲
を限定した理由を説明する。
を限定した理由を説明する。
【0025】すなわち、Nb2 O5 について、その
範囲を0.6〜2.0重量部としたのは、試料番号1の
ように、0.6重量部未満では焼結温度が高く、誘電損
失が大きくなる。また、静電容量の温度変化率が、−5
5℃〜+125℃の温度範囲で±15%よりも大きな値
となる。また、試料番号4のように、2.0重量部を超
えると誘電率が低下する。
範囲を0.6〜2.0重量部としたのは、試料番号1の
ように、0.6重量部未満では焼結温度が高く、誘電損
失が大きくなる。また、静電容量の温度変化率が、−5
5℃〜+125℃の温度範囲で±15%よりも大きな値
となる。また、試料番号4のように、2.0重量部を超
えると誘電率が低下する。
【0026】Co2 O3 について、その範囲を0.
1〜0.8重量部としたのは、試料番号7のように、0
.1重量部未満では、静電容量の温度変化率が、−55
℃〜+125℃の温度範囲で±15%よりも大きな値と
なる。また、試料番号8のように、0.8重量部を超え
ると、誘電損失が著しく大きくなり、静電容量の温度変
化率も大きくなる。
1〜0.8重量部としたのは、試料番号7のように、0
.1重量部未満では、静電容量の温度変化率が、−55
℃〜+125℃の温度範囲で±15%よりも大きな値と
なる。また、試料番号8のように、0.8重量部を超え
ると、誘電損失が著しく大きくなり、静電容量の温度変
化率も大きくなる。
【0027】MnO2 について、その範囲を0.05
〜0.3重量部としたのは、試料番号15のように、0
.05重量部未満では、焼結性を向上させる効果が乏し
く、静電容量の温度変化率が大きくなる。また、試料番
号16のように、0.3重量部を超えると、誘電率が3
500を超えず、誘電損失が大きくなる。
〜0.3重量部としたのは、試料番号15のように、0
.05重量部未満では、焼結性を向上させる効果が乏し
く、静電容量の温度変化率が大きくなる。また、試料番
号16のように、0.3重量部を超えると、誘電率が3
500を超えず、誘電損失が大きくなる。
【0028】Nd2 O3 について、その範囲を0.
02〜0.4重量部としたのは、この組成範囲内では焼
結性が改善され、電圧依存性が小さくなるが、試料番号
19のように、0.02重量部未満では焼結性が悪くな
り、交流電圧依存性が大きくなる。また、試料番号17
のように、Nd2 O3 が0.4重量部を超え、Co
2 O3 の添加量が多いと、誘電率が3500より低
くなる。さらに、試料番号18のように、Nd2 O3
が0.4重量部を超え、Co2 O3 の添加量が少
ない場合は、静電容量の温度変化率が、−55℃〜+1
25℃の温度範囲で±15%よりも大きな値となる。
02〜0.4重量部としたのは、この組成範囲内では焼
結性が改善され、電圧依存性が小さくなるが、試料番号
19のように、0.02重量部未満では焼結性が悪くな
り、交流電圧依存性が大きくなる。また、試料番号17
のように、Nd2 O3 が0.4重量部を超え、Co
2 O3 の添加量が多いと、誘電率が3500より低
くなる。さらに、試料番号18のように、Nd2 O3
が0.4重量部を超え、Co2 O3 の添加量が少
ない場合は、静電容量の温度変化率が、−55℃〜+1
25℃の温度範囲で±15%よりも大きな値となる。
【0029】さらに、アルカリ金属の含有量を0.03
重量%以下としたのは、試料番号20のように、0.0
3重量%を超えると誘電率が3500を超えない。
重量%以下としたのは、試料番号20のように、0.0
3重量%を超えると誘電率が3500を超えない。
【0030】このように、BaTiO3 ,Nb2 O
5,Co2 O3 系の高誘電率組成物においては、主
成分であるBaTiO3 中に不純物として存在するS
rO,CaOなどのアルカリ土類金属酸化物、Na2
O,K2 Oなどのアルカリ金属酸化物、その他Al2
O3 ,SiO2 などの酸化物のうち、Na2 O
,K2 Oなどのアルカリ金属酸化物の含有量が、組成
物の電気的特性に大きく影響することを、本発明者らは
見いだした。
5,Co2 O3 系の高誘電率組成物においては、主
成分であるBaTiO3 中に不純物として存在するS
rO,CaOなどのアルカリ土類金属酸化物、Na2
O,K2 Oなどのアルカリ金属酸化物、その他Al2
O3 ,SiO2 などの酸化物のうち、Na2 O
,K2 Oなどのアルカリ金属酸化物の含有量が、組成
物の電気的特性に大きく影響することを、本発明者らは
見いだした。
【0031】(実施例2)実施例1の試料番号5および
19の誘電体セラミック原料粉末を用意した。この誘電
体セラミック原料粉末に、ポリビニルブチラール系バイ
ンダおよびエタノールなどの有機溶剤を加え、ボールミ
ルによって湿式混合して、セラミック・スラリーを調整
した。その後、このセラミック・スラリーを、ドクター
ブレード法によってシート成形し、厚み12μmの矩形
のグリーンシートを得た。
19の誘電体セラミック原料粉末を用意した。この誘電
体セラミック原料粉末に、ポリビニルブチラール系バイ
ンダおよびエタノールなどの有機溶剤を加え、ボールミ
ルによって湿式混合して、セラミック・スラリーを調整
した。その後、このセラミック・スラリーを、ドクター
ブレード法によってシート成形し、厚み12μmの矩形
のグリーンシートを得た。
【0032】次に、このセラミック・グリーンシート上
に、Pdを主体とする導電ペーストを印刷し、内部電極
を構成するための導電ペースト層を形成した。そして、
導電ペースト層が形成されたセラミック・グリーンシー
トを、導電ペースト層の引き出されている側が互い違い
となるように複数枚積層し、積層体を得た。
に、Pdを主体とする導電ペーストを印刷し、内部電極
を構成するための導電ペースト層を形成した。そして、
導電ペースト層が形成されたセラミック・グリーンシー
トを、導電ペースト層の引き出されている側が互い違い
となるように複数枚積層し、積層体を得た。
【0033】得られた積層体を空気中において、表4に
示す温度で2時間焼成した。焼成後、得られたセラミッ
ク焼結体の両端面に銀ペーストを塗布し、大気中におい
て750℃の温度で焼き付け、内部電極と電気的に接続
された外部電極を形成した。
示す温度で2時間焼成した。焼成後、得られたセラミッ
ク焼結体の両端面に銀ペーストを塗布し、大気中におい
て750℃の温度で焼き付け、内部電極と電気的に接続
された外部電極を形成した。
【0034】上述のようにして得られた積層コンデンサ
の外形寸法は、幅3.2mm,長さ1.6mm,厚さ1
.2mmであり、内部電極間に介在する誘電体セラミッ
ク層の厚みは8μmである。また、有効誘電体セラミッ
ク層の総数は19であり、一層当たりの対向電極の面積
は2.1mm2 である。
の外形寸法は、幅3.2mm,長さ1.6mm,厚さ1
.2mmであり、内部電極間に介在する誘電体セラミッ
ク層の厚みは8μmである。また、有効誘電体セラミッ
ク層の総数は19であり、一層当たりの対向電極の面積
は2.1mm2 である。
【0035】静電容量(C)および誘電損失(tanδ
)を測定するために、自動ブリッジ式測定器を用いて、
各試料の積層コンデンサに1kHz,1Vrmsの電圧
を印加した。次に、25℃,125℃の絶縁抵抗(R)
を測定するために、絶縁抵抗計を用いて、16Vでの電
圧を2分間印加した。そして、静電容量(C)と絶縁抵
抗(R)との積、すなわちCR積を求めた。
)を測定するために、自動ブリッジ式測定器を用いて、
各試料の積層コンデンサに1kHz,1Vrmsの電圧
を印加した。次に、25℃,125℃の絶縁抵抗(R)
を測定するために、絶縁抵抗計を用いて、16Vでの電
圧を2分間印加した。そして、静電容量(C)と絶縁抵
抗(R)との積、すなわちCR積を求めた。
【0036】また、温度変化に対する静電容量の変化率
を測定した。さらに、1kHz,1Vrmsの電圧を印
加した上に、直流電圧を16V重畳した時の静電容量の
変化率を測定した。なお、温度変化に対する静電容量の
変化率については、25℃での静電容量(C25)を基
準として、−55℃と+125℃での温度変化率(ΔC
/C25)と、−55℃〜+125℃の間における温度
変化率が最大である値の絶対値、いわゆる最大変化率(
|ΔC/C25|max )とを示した。
を測定した。さらに、1kHz,1Vrmsの電圧を印
加した上に、直流電圧を16V重畳した時の静電容量の
変化率を測定した。なお、温度変化に対する静電容量の
変化率については、25℃での静電容量(C25)を基
準として、−55℃と+125℃での温度変化率(ΔC
/C25)と、−55℃〜+125℃の間における温度
変化率が最大である値の絶対値、いわゆる最大変化率(
|ΔC/C25|max )とを示した。
【0037】以上の各試験の結果を、表4に合わせて示
す。
す。
【0038】
【表4】
【0039】表4から明らかなように、本発明の範囲内
にある試料番号5の積層セラミックコンデンサは、大き
な誘電率が得られるにもかかわらず、静電容量の変化率
が小さく平坦な温度特性を示し、誘電損失も小さい。ま
た、この積層セラミックコンデンサは、絶縁抵抗にも優
れ、直流電圧を重畳した時の容量変化率も小さい。
にある試料番号5の積層セラミックコンデンサは、大き
な誘電率が得られるにもかかわらず、静電容量の変化率
が小さく平坦な温度特性を示し、誘電損失も小さい。ま
た、この積層セラミックコンデンサは、絶縁抵抗にも優
れ、直流電圧を重畳した時の容量変化率も小さい。
【0040】このように、本発明の組成による積層セラ
ミックコンデンサは、誘電体セラミック層が8μmと薄
くなっても、十分に対応でき、小型大容量の積層セラミ
ックコンデンサとして期待できる。さらに、焼成温度が
1280℃以下と低いため、内部電極として30Ag−
70Pd(数字は重量%)の使用が可能である。
ミックコンデンサは、誘電体セラミック層が8μmと薄
くなっても、十分に対応でき、小型大容量の積層セラミ
ックコンデンサとして期待できる。さらに、焼成温度が
1280℃以下と低いため、内部電極として30Ag−
70Pd(数字は重量%)の使用が可能である。
【0041】これに対して、本発明の範囲外の試料番号
19の積層セラミックコンデンサは、誘電体セラミック
層が8μmと薄くなると、大きな誘電率が得られるもの
の、静電容量の温度変化率が大きく、EIA規格に規定
するX7R特性を満足しない。また、この積層セラミッ
クコンデンサは、誘電損失も大きく、直流電圧を重畳し
た時の容量変化率も大きい。さらに、このコンデンサは
、高温(125℃)での絶縁抵抗が低く、焼成温度も高
い。
19の積層セラミックコンデンサは、誘電体セラミック
層が8μmと薄くなると、大きな誘電率が得られるもの
の、静電容量の温度変化率が大きく、EIA規格に規定
するX7R特性を満足しない。また、この積層セラミッ
クコンデンサは、誘電損失も大きく、直流電圧を重畳し
た時の容量変化率も大きい。さらに、このコンデンサは
、高温(125℃)での絶縁抵抗が低く、焼成温度も高
い。
【0042】なお、上記実施例では、BaTiO3 と
して蓚酸法によって作製したものを用いたが、これに限
定されるものではなく、アルコキシド法や共沈法によっ
て作製されたBaTiO3 や、たとえば、BaCO3
とTiO2 の粉末を用いて作製したBaTiO3
でも同様の効果が得られる。また、Nb2 O5 ,C
o2 O3 ,MnCO3 ,Nd2 O3などの添加
物を、酸化物粉末または炭酸物粉末として添加したが、
Nb,Co,Mn,Ndを、酸化物換算で本発明の請求
範囲になるように配合すれば、溶液による添加でも同様
の効果が得られる。
して蓚酸法によって作製したものを用いたが、これに限
定されるものではなく、アルコキシド法や共沈法によっ
て作製されたBaTiO3 や、たとえば、BaCO3
とTiO2 の粉末を用いて作製したBaTiO3
でも同様の効果が得られる。また、Nb2 O5 ,C
o2 O3 ,MnCO3 ,Nd2 O3などの添加
物を、酸化物粉末または炭酸物粉末として添加したが、
Nb,Co,Mn,Ndを、酸化物換算で本発明の請求
範囲になるように配合すれば、溶液による添加でも同様
の効果が得られる。
Claims (1)
- 【請求項1】 不純物としてのアルカリ金属酸化物の
含有量が0.03重量%以下のBaTiO3 100重
量部に対し、Nb2 O5 を0.6〜2.0重量部、
Co2 O3 を0.1〜0.8重量部、MnO2 を
0.05〜0.3重量部、およびNd2 O3 を0.
02〜0.4重量部含有する、誘電体磁器組成物。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3138458A JPH04334807A (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | 積層セラミックコンデンサ用誘電体磁器 |
DE19924215638 DE4215638C2 (de) | 1991-05-13 | 1992-05-12 | Dielektrische, keramische Zusammensetzung |
FR9205816A FR2678605A1 (fr) | 1991-05-13 | 1992-05-13 | Composition de ceramique dielectrique. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3138458A JPH04334807A (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | 積層セラミックコンデンサ用誘電体磁器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04334807A true JPH04334807A (ja) | 1992-11-20 |
Family
ID=15222495
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3138458A Pending JPH04334807A (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | 積層セラミックコンデンサ用誘電体磁器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04334807A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08161935A (ja) * | 1994-12-01 | 1996-06-21 | Sunstar Eng Inc | 有機分散型エレクトロルミネッセンス素子および該素子に用いる反射絶縁層用組成物 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61110904A (ja) * | 1984-11-06 | 1986-05-29 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
JPS61193419A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-27 | 株式会社村田製作所 | 還元再酸化型半導体コンデンサ磁器組成物 |
JPS61291457A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-22 | タム・セラミックス・インコーポレイテッド | 誘電体組成物 |
JPS6348826A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-01 | Toshiba Corp | ドライエツチング装置 |
JPH02183905A (ja) * | 1989-01-06 | 1990-07-18 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
JPH02279561A (ja) * | 1989-04-18 | 1990-11-15 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
-
1991
- 1991-05-13 JP JP3138458A patent/JPH04334807A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61110904A (ja) * | 1984-11-06 | 1986-05-29 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
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JPH02183905A (ja) * | 1989-01-06 | 1990-07-18 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
JPH02279561A (ja) * | 1989-04-18 | 1990-11-15 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08161935A (ja) * | 1994-12-01 | 1996-06-21 | Sunstar Eng Inc | 有機分散型エレクトロルミネッセンス素子および該素子に用いる反射絶縁層用組成物 |
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