JPH10167813A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH10167813A JPH10167813A JP8320495A JP32049596A JPH10167813A JP H10167813 A JPH10167813 A JP H10167813A JP 8320495 A JP8320495 A JP 8320495A JP 32049596 A JP32049596 A JP 32049596A JP H10167813 A JPH10167813 A JP H10167813A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＥＩＡ規格のＹ５Ｖ特性を満足し、比誘電率が
１５０００以上で高温負荷寿命が長く、１３００℃未満
の低温焼成で、厚さ１０μｍ以下の平滑なシート状焼結
体が得られ、安価な内部電極材料を用いた小型・大容量
の積層型セラミックコンデンサ等、各種コンデンサに適
用できる誘電体磁器組成物を提供する。 【解決手段】モル分率ｘが０．０１≦ｘ≦０．１０、ｙ
が０．０４＜ｙ＜０．１０である複合酸化物（Ｂａ1-x
Ｃａx ）（Ｔｉ1-y Ｓｎy ）Ｏ3 が１００重量部に対
し、ＺｎＯを０．１〜０．９重量部、マンガン化合物を
ＭｎＯ2 換算で０．１〜０．５重量部、チタン化合物を
ＴｉＯ2 換算で０．１〜１．３重量部、ＳｉＯ2 に換算
したケイ素化合物を０．０５〜０．２０重量部、更に希
土類元素化合物を０．８〜１．８重量部含有する。
１５０００以上で高温負荷寿命が長く、１３００℃未満
の低温焼成で、厚さ１０μｍ以下の平滑なシート状焼結
体が得られ、安価な内部電極材料を用いた小型・大容量
の積層型セラミックコンデンサ等、各種コンデンサに適
用できる誘電体磁器組成物を提供する。 【解決手段】モル分率ｘが０．０１≦ｘ≦０．１０、ｙ
が０．０４＜ｙ＜０．１０である複合酸化物（Ｂａ1-x
Ｃａx ）（Ｔｉ1-y Ｓｎy ）Ｏ3 が１００重量部に対
し、ＺｎＯを０．１〜０．９重量部、マンガン化合物を
ＭｎＯ2 換算で０．１〜０．５重量部、チタン化合物を
ＴｉＯ2 換算で０．１〜１．３重量部、ＳｉＯ2 に換算
したケイ素化合物を０．０５〜０．２０重量部、更に希
土類元素化合物を０．８〜１．８重量部含有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低温焼成が可能な
薄板成形用の高誘電率系誘電体磁器組成物に関するもの
で、とりわけ静電容量の温度特性に優れた高誘電率系セ
ラミックコンデンサや積層型セラミックコンデンサ、更
にはアキシャルコンデンサ、ディスクコンデンサ、厚膜
コンデンサ等の誘電体材料として好適な誘電体磁器組成
物に関するものである。
薄板成形用の高誘電率系誘電体磁器組成物に関するもの
で、とりわけ静電容量の温度特性に優れた高誘電率系セ
ラミックコンデンサや積層型セラミックコンデンサ、更
にはアキシャルコンデンサ、ディスクコンデンサ、厚膜
コンデンサ等の誘電体材料として好適な誘電体磁器組成
物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、高誘電率系セラミックコンデンサ
や積層型セラミックコンデンサに用いられる誘電体材料
としては、比誘電率が６０００〜１００００程度のチタ
ン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）系の誘電体磁器組成物が
あり、なかでも前記誘電体磁器組成物を用いたものとし
て電気容量の観点から積層型セラミックコンデンサに多
く適用されてきた。
や積層型セラミックコンデンサに用いられる誘電体材料
としては、比誘電率が６０００〜１００００程度のチタ
ン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）系の誘電体磁器組成物が
あり、なかでも前記誘電体磁器組成物を用いたものとし
て電気容量の観点から積層型セラミックコンデンサに多
く適用されてきた。
【０００３】前記積層型セラミックコンデンサは、一般
に誘電体磁器組成物から成るグリーンシート上に電極を
形成し、該グリーンシートを所定の電気容量となるよう
に複数枚積層して前記電極を同時に焼成一体化して内部
電極が構成されている。
に誘電体磁器組成物から成るグリーンシート上に電極を
形成し、該グリーンシートを所定の電気容量となるよう
に複数枚積層して前記電極を同時に焼成一体化して内部
電極が構成されている。
【０００４】しかしながら、前記チタン酸バリウム（Ｂ
ａＴｉＯ3 ）系の誘電体磁器組成物は、焼成温度が１３
００〜１４００℃程度と高く、しかも積層型セラミック
コンデンサの誘電体材料として使用するためには、同時
焼成する内部電極材料として高融点、高温還元性の貴金
属であるパラジウム（Ｐｄ）や白金（Ｐｔ）等を使用し
なければならず、安価で小型・大容量の積層型セラミッ
クコンデンサを製造することが困難であるという欠点が
あった。
ａＴｉＯ3 ）系の誘電体磁器組成物は、焼成温度が１３
００〜１４００℃程度と高く、しかも積層型セラミック
コンデンサの誘電体材料として使用するためには、同時
焼成する内部電極材料として高融点、高温還元性の貴金
属であるパラジウム（Ｐｄ）や白金（Ｐｔ）等を使用し
なければならず、安価で小型・大容量の積層型セラミッ
クコンデンサを製造することが困難であるという欠点が
あった。
【０００５】そこで、係る欠点を解消せんとして、従
来、比誘電率が１００００以上と高い誘電体材料を用
い、内部電極間の誘電体磁器組成物のシート厚さを約３
０μｍ程度まで薄くし、その上、対向面積も極小化して
積層型セラミックコンデンサの小型化を図るとともに、
低温焼成も可能となるようにして内部電極材料を高価な
前記貴金属から安価なＡｇ−Ｐｄ等に代替することが行
われていた。
来、比誘電率が１００００以上と高い誘電体材料を用
い、内部電極間の誘電体磁器組成物のシート厚さを約３
０μｍ程度まで薄くし、その上、対向面積も極小化して
積層型セラミックコンデンサの小型化を図るとともに、
低温焼成も可能となるようにして内部電極材料を高価な
前記貴金属から安価なＡｇ−Ｐｄ等に代替することが行
われていた。
【０００６】係る誘電体材料としては、チタン酸バリウ
ム（ＢａＴｉＯ3 ）に所定量のスズ酸バリウム（ＢａＳ
ｎＯ3 ）や、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ3 ）、酸
化コバルト（ＣｏＯ）、酸化マンガン（ＭｎＯ2 ）等を
添加した誘電体磁器組成物、あるいはチタン酸バリウム
（ＢａＴｉＯ3 ）やジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ
3 ）に、所定量のチタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ3 ）や、ゲル
マン酸鉛（Ｐｂ5 Ｇｅ3 Ｏ11）、チタン酸ビスマス（Ｂ
ｉＴｉ2 Ｏ7 ）等を添加した誘電体磁器組成物が知られ
ていた（特公昭６０−５７１６４号公報、特公昭６１−
１６１３２号公報参照）。
ム（ＢａＴｉＯ3 ）に所定量のスズ酸バリウム（ＢａＳ
ｎＯ3 ）や、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ3 ）、酸
化コバルト（ＣｏＯ）、酸化マンガン（ＭｎＯ2 ）等を
添加した誘電体磁器組成物、あるいはチタン酸バリウム
（ＢａＴｉＯ3 ）やジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ
3 ）に、所定量のチタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ3 ）や、ゲル
マン酸鉛（Ｐｂ5 Ｇｅ3 Ｏ11）、チタン酸ビスマス（Ｂ
ｉＴｉ2 Ｏ7 ）等を添加した誘電体磁器組成物が知られ
ていた（特公昭６０−５７１６４号公報、特公昭６１−
１６１３２号公報参照）。
【０００７】このような誘電体磁器組成物では、常温で
の比誘電率が１００００〜２００００程度と高く、１２
００℃以下の低温焼成も実現できる。
の比誘電率が１００００〜２００００程度と高く、１２
００℃以下の低温焼成も実現できる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ダウンサイジングの進
む電子部品にあっては、より小型化、高容量化を図るた
めに誘電体磁器組成物から成るシート状焼結体の薄板化
が要求されるようになり、現在その要求厚さは１０μｍ
以下となってきている。
む電子部品にあっては、より小型化、高容量化を図るた
めに誘電体磁器組成物から成るシート状焼結体の薄板化
が要求されるようになり、現在その要求厚さは１０μｍ
以下となってきている。
【０００９】しかしながら、誘電体層を薄くすると一対
の電極間の絶縁耐圧が低下するという問題があった。
の電極間の絶縁耐圧が低下するという問題があった。
【００１０】また、静電容量の増大を図るための別の方
法として、比誘電率が高い磁器を使用する方法がある
が、上記従来のＢａＴｉＯ3 系の誘電体磁器では比誘電
率に限界があり、高容量化に限界があった。
法として、比誘電率が高い磁器を使用する方法がある
が、上記従来のＢａＴｉＯ3 系の誘電体磁器では比誘電
率に限界があり、高容量化に限界があった。
【００１１】さらに、前記誘電体材料を用いて、一層当
たりの厚みが１０μｍ以下の薄層から成る積層型コンデ
ンサを作製した場合、８５℃で電界強度が１．２×１０
4 Ｖ／ｍｍの直流電圧を印加した高温負荷寿命が４０時
間未満と短く、また−３０℃〜＋８５℃の温度範囲にお
ける静電容量の変化率が−９０％〜＋９５％と極めて大
となってしまい、前記温度範囲における静電容量の変化
率を−８２％〜＋２２％以内とするＥＩＡ規格のＹ５Ｖ
特性を満足することができず、小型・大容量の積層型セ
ラミックコンデンサをはじめ、そのような各種コンデン
サを得ることができないという課題があった。
たりの厚みが１０μｍ以下の薄層から成る積層型コンデ
ンサを作製した場合、８５℃で電界強度が１．２×１０
4 Ｖ／ｍｍの直流電圧を印加した高温負荷寿命が４０時
間未満と短く、また−３０℃〜＋８５℃の温度範囲にお
ける静電容量の変化率が−９０％〜＋９５％と極めて大
となってしまい、前記温度範囲における静電容量の変化
率を−８２％〜＋２２％以内とするＥＩＡ規格のＹ５Ｖ
特性を満足することができず、小型・大容量の積層型セ
ラミックコンデンサをはじめ、そのような各種コンデン
サを得ることができないという課題があった。
【００１２】本発明は、室温での比誘電率が１５０００
以上と高く、１３００℃未満の低温焼成で一層当たりの
厚さが１０μｍ以下の表面平滑な薄板状焼結体を得るこ
とができ、安価な内部電極材料を用いることができるの
は勿論、高温負荷寿命が４０時間以上と長く、−３０℃
〜＋８５℃の温度範囲における静電容量の変化率を−８
２％〜＋２２％以内とするＹ５Ｖ特性を満足する小型・
大容量の積層型セラミックコンデンサをはじめ、各種コ
ンデンサに適用し得る誘電体磁器組成物を提供すること
を目的とする。
以上と高く、１３００℃未満の低温焼成で一層当たりの
厚さが１０μｍ以下の表面平滑な薄板状焼結体を得るこ
とができ、安価な内部電極材料を用いることができるの
は勿論、高温負荷寿命が４０時間以上と長く、−３０℃
〜＋８５℃の温度範囲における静電容量の変化率を−８
２％〜＋２２％以内とするＹ５Ｖ特性を満足する小型・
大容量の積層型セラミックコンデンサをはじめ、各種コ
ンデンサに適用し得る誘電体磁器組成物を提供すること
を目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の誘電体磁器組成
物は、金属元素として少なくともＢａ、Ｃａ、Ｔｉおよ
びＳｎを含有し、これらの金属元素酸化物のモル比によ
る組成式を（Ｂａ1-xＣａx ）（Ｔｉ1-y Ｓｎy ）Ｏ3
と表した時、前記ｘ、ｙがそれぞれ０．０１≦ｘ≦０．
１０、０．０４＜ｙ＜０．１０を満足する主成分と、該
主成分１００重量部に対して、亜鉛化合物をＺｎＯ換算
で０．１〜０．９重量部、マンガン化合物をＭｎＯ2 換
算で０．１〜０．５重量部、チタン化合物をＴｉＯ2 換
算で０．１〜１．３重量部、ケイ素化合物をＳｉＯ2 換
算で０．０５〜０．２０重量部、希土類元素化合物をＮ
ｄ2 Ｏ3 、Ｓｍ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｐｒ
6Ｏ11、ＣｅＯ2 、Ｔｂ4 Ｏ7 およびＥｕ2 Ｏ3 のうち
少なくとも一種に換算して０．８〜１．８重量部含有し
てなるものである。
物は、金属元素として少なくともＢａ、Ｃａ、Ｔｉおよ
びＳｎを含有し、これらの金属元素酸化物のモル比によ
る組成式を（Ｂａ1-xＣａx ）（Ｔｉ1-y Ｓｎy ）Ｏ3
と表した時、前記ｘ、ｙがそれぞれ０．０１≦ｘ≦０．
１０、０．０４＜ｙ＜０．１０を満足する主成分と、該
主成分１００重量部に対して、亜鉛化合物をＺｎＯ換算
で０．１〜０．９重量部、マンガン化合物をＭｎＯ2 換
算で０．１〜０．５重量部、チタン化合物をＴｉＯ2 換
算で０．１〜１．３重量部、ケイ素化合物をＳｉＯ2 換
算で０．０５〜０．２０重量部、希土類元素化合物をＮ
ｄ2 Ｏ3 、Ｓｍ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｐｒ
6Ｏ11、ＣｅＯ2 、Ｔｂ4 Ｏ7 およびＥｕ2 Ｏ3 のうち
少なくとも一種に換算して０．８〜１．８重量部含有し
てなるものである。
【００１４】
【作用】本発明の誘電体磁器組成物によれば、組成式
（Ｂａ1-x Ｃａx ）（Ｔｉ1-y Ｓｎy ）Ｏ3 で現れされ
るチタンスズ酸バリウムカルシウム複合酸化物に対し
て、所定量の亜鉛化合物、マンガン化合物、チタン化合
物、ケイ素化合物、希土類元素化合物を含有したので、
比誘電率を１５０００以上に維持し、かつ１３００℃未
満の低温焼成を可能としながら、厚さ１０μｍ以下の薄
層から成る積層型コンデンサであっても、前記Ｙ５Ｖ特
性を満足することができるようになる。特に、チタン化
合物を過剰に含有させることにより、上記特性を向上で
きる。
（Ｂａ1-x Ｃａx ）（Ｔｉ1-y Ｓｎy ）Ｏ3 で現れされ
るチタンスズ酸バリウムカルシウム複合酸化物に対し
て、所定量の亜鉛化合物、マンガン化合物、チタン化合
物、ケイ素化合物、希土類元素化合物を含有したので、
比誘電率を１５０００以上に維持し、かつ１３００℃未
満の低温焼成を可能としながら、厚さ１０μｍ以下の薄
層から成る積層型コンデンサであっても、前記Ｙ５Ｖ特
性を満足することができるようになる。特に、チタン化
合物を過剰に含有させることにより、上記特性を向上で
きる。
【００１５】その結果、誘電体磁器組成物として基本的
な特性である誘電損失ｔａｎδが１．０％以下、絶縁抵
抗ＩＲが１．０×１０5 ＭΩ以上を満足し、８５℃で電
界強度が１．２×１０4 Ｖ／ｍｍの直流電圧を印加した
高温負荷試験で４０時間以上不良が発生せず、さらに焼
成温度が１３００℃未満と工業的にも製造し易くなり、
各種セラミックコンデンサに適用可能な誘電体磁器組成
物が得られる。特に、本願発明では、ＳｉＯ2 を０．０
５〜０．２重量部含有することにより、８５℃で電界強
度が１．２×１０4 Ｖ／ｍｍの直流電圧を印加した高温
負荷試験で４０時間以上不良が発生しにくくなる。
な特性である誘電損失ｔａｎδが１．０％以下、絶縁抵
抗ＩＲが１．０×１０5 ＭΩ以上を満足し、８５℃で電
界強度が１．２×１０4 Ｖ／ｍｍの直流電圧を印加した
高温負荷試験で４０時間以上不良が発生せず、さらに焼
成温度が１３００℃未満と工業的にも製造し易くなり、
各種セラミックコンデンサに適用可能な誘電体磁器組成
物が得られる。特に、本願発明では、ＳｉＯ2 を０．０
５〜０．２重量部含有することにより、８５℃で電界強
度が１．２×１０4 Ｖ／ｍｍの直流電圧を印加した高温
負荷試験で４０時間以上不良が発生しにくくなる。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の誘電体磁器組成物では、
組成式を（Ｂａ1-x Ｃａx ）（Ｔｉ1-y Ｓｎy ）Ｏ3 と
表した時、ｘ、ｙがそれぞれ０．０１≦ｘ≦０．１０、
０．０４＜ｙ＜０．１０を満足する主成分を含有するも
のである。
組成式を（Ｂａ1-x Ｃａx ）（Ｔｉ1-y Ｓｎy ）Ｏ3 と
表した時、ｘ、ｙがそれぞれ０．０１≦ｘ≦０．１０、
０．０４＜ｙ＜０．１０を満足する主成分を含有するも
のである。
【００１７】ここで、（Ｂａ1-x Ｃａx ）（Ｔｉ1-y Ｓ
ｎy ）Ｏ3 で表されるチタンスズ酸バリウムカルシウム
から成る複合酸化物は、９９．０％以上の高純度である
ことが望ましい。ｘ、ｙを上記のように限定したのは、
モル分率ｘが０．０１未満の場合には静電容量の温度特
性が前記Ｙ５Ｖ特性を満足せず、モル分率ｘが０．１０
を越える場合、あるいはモル分率ｙが０．０４以下や、
０．１０以上の場合には、室温における比誘電率εｒが
１５０００未満と小さくなるからである。
ｎy ）Ｏ3 で表されるチタンスズ酸バリウムカルシウム
から成る複合酸化物は、９９．０％以上の高純度である
ことが望ましい。ｘ、ｙを上記のように限定したのは、
モル分率ｘが０．０１未満の場合には静電容量の温度特
性が前記Ｙ５Ｖ特性を満足せず、モル分率ｘが０．１０
を越える場合、あるいはモル分率ｙが０．０４以下や、
０．１０以上の場合には、室温における比誘電率εｒが
１５０００未満と小さくなるからである。
【００１８】従って、Ｙ５Ｖ特性を満足し、１５０００
以上の高い比誘電率を維持し、かつ小型・大容量の積層
コンデンサをはじめとする各種コンデンサを得るために
は、ｘの値は０．０１〜０．１０、ｙの値は０．０４を
越え０．１０未満に特定され、とりわけｘの値は０．０
３〜０．０７、ｙの値は０．０６〜０．０８の範囲が望
ましいものである。
以上の高い比誘電率を維持し、かつ小型・大容量の積層
コンデンサをはじめとする各種コンデンサを得るために
は、ｘの値は０．０１〜０．１０、ｙの値は０．０４を
越え０．１０未満に特定され、とりわけｘの値は０．０
３〜０．０７、ｙの値は０．０６〜０．０８の範囲が望
ましいものである。
【００１９】また、亜鉛化合物は、誘電体磁器組成物の
焼成温度と比誘電率を調整するものであり、その含有量
が前記主成分１００重量部に対して、０．１重量部未満
では焼成温度が１３００℃以上となり、室温における比
誘電率εｒが１５０００未満と小さくなり、焼成後のシ
ート状焼結体の密度も５．７ｇ／ｃｍ3 以下と低くなっ
てしまい実用範囲外となる。また０．９重量部を越える
と室温における比誘電率εが１５０００未満と小さくな
り、絶縁抵抗ＩＲが大きく低下してしまい、焼成後のシ
ート状焼結体の密度も５．７ｇ／ｃｍ3 以下と低くなっ
てしまい実用範囲外となるため、０．１〜０．９重量部
に特定され、より望ましくは０．３〜０．５重量部とな
る。
焼成温度と比誘電率を調整するものであり、その含有量
が前記主成分１００重量部に対して、０．１重量部未満
では焼成温度が１３００℃以上となり、室温における比
誘電率εｒが１５０００未満と小さくなり、焼成後のシ
ート状焼結体の密度も５．７ｇ／ｃｍ3 以下と低くなっ
てしまい実用範囲外となる。また０．９重量部を越える
と室温における比誘電率εが１５０００未満と小さくな
り、絶縁抵抗ＩＲが大きく低下してしまい、焼成後のシ
ート状焼結体の密度も５．７ｇ／ｃｍ3 以下と低くなっ
てしまい実用範囲外となるため、０．１〜０．９重量部
に特定され、より望ましくは０．３〜０．５重量部とな
る。
【００２０】更に、マンガン化合物は、例えば誘電体磁
器組成物の誘電損失ｔａｎδを改善するものであり、そ
の含有量が前記主成分１００重量部に対して、酸化マン
ガン（ＭｎＯ2 ）に換算して０．１重量部未満では誘電
損失ｔａｎδが１％以上と大となり、また０．５重量部
を越えると、絶縁抵抗ＩＲが大きく低下してしまう。
器組成物の誘電損失ｔａｎδを改善するものであり、そ
の含有量が前記主成分１００重量部に対して、酸化マン
ガン（ＭｎＯ2 ）に換算して０．１重量部未満では誘電
損失ｔａｎδが１％以上と大となり、また０．５重量部
を越えると、絶縁抵抗ＩＲが大きく低下してしまう。
【００２１】従って、マンガン化合物の含有量は、前記
主成分１００重量部に対して、酸化マンガン（Ｍｎ
Ｏ2 ）に換算して０．１〜０．５重量部に限定され、特
に０．２〜０．３重量部が望ましい。
主成分１００重量部に対して、酸化マンガン（Ｍｎ
Ｏ2 ）に換算して０．１〜０．５重量部に限定され、特
に０．２〜０．３重量部が望ましい。
【００２２】一方、チタン化合物は、例えば誘電体磁器
組成物の焼結性を向上させるために含有させるものであ
り、その添加量は主成分１００重量部に対して、酸化チ
タン（ＴｉＯ2 ）に換算して０．１重量部未満では焼成
温度が１３００℃以上となり、焼成後のシート状焼結体
の密度が５．７ｇ／ｃｍ3 以下と低くなり、さらに誘電
損失ｔａｎδが１％以上と大となってしまい実用範囲外
となり、また、１．３重量部を越えると、誘電損失ｔａ
ｎδが１．０％を越えてしまうことから、含有量は０．
１〜１．３重量部に特定され、より望ましくは０．２〜
１．２重量部の範囲となる。
組成物の焼結性を向上させるために含有させるものであ
り、その添加量は主成分１００重量部に対して、酸化チ
タン（ＴｉＯ2 ）に換算して０．１重量部未満では焼成
温度が１３００℃以上となり、焼成後のシート状焼結体
の密度が５．７ｇ／ｃｍ3 以下と低くなり、さらに誘電
損失ｔａｎδが１％以上と大となってしまい実用範囲外
となり、また、１．３重量部を越えると、誘電損失ｔａ
ｎδが１．０％を越えてしまうことから、含有量は０．
１〜１．３重量部に特定され、より望ましくは０．２〜
１．２重量部の範囲となる。
【００２３】また、ケイ素化合物は、誘電体磁器組成物
の結晶粒径を調整するものであり、その含有量が主成分
１００重量部に対して、ＳｉＯ2 換算で０．０５重量部
未満では、８５℃で電界強度が１．２×１０4 Ｖ／ｍｍ
の直流電圧を印加した高温負荷試験で４０時間以内で不
良が発生し易く、さらに焼成温度が１３００℃以上とな
ってしまい実用範囲外となり、また、０．２０重量部を
越えると、比誘電率が１５０００未満と低下してしま
い、実用範囲外となってしまうことから、その含有量は
０．０５〜０．２０重量部に特定され、より望ましくは
０．１０〜０．１５重量部となる。
の結晶粒径を調整するものであり、その含有量が主成分
１００重量部に対して、ＳｉＯ2 換算で０．０５重量部
未満では、８５℃で電界強度が１．２×１０4 Ｖ／ｍｍ
の直流電圧を印加した高温負荷試験で４０時間以内で不
良が発生し易く、さらに焼成温度が１３００℃以上とな
ってしまい実用範囲外となり、また、０．２０重量部を
越えると、比誘電率が１５０００未満と低下してしま
い、実用範囲外となってしまうことから、その含有量は
０．０５〜０．２０重量部に特定され、より望ましくは
０．１０〜０．１５重量部となる。
【００２４】また、希土類元素化合物は誘電体磁器組成
物の焼結性を向上し、比誘電率を高くするために含有さ
せるもので、その含有量が、前記主成分１００重量部に
対して、酸化物（Ｎｄ2 Ｏ3 ，Ｓｍ2 Ｏ3 ，Ｇｄ
2 Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，Ｐｒ6 Ｏ11，ＣｅＯ2 ，Ｔｂ4 Ｏ
7 ，Ｅｕ2 Ｏ3 ）に換算して０．８重量部未満では比誘
電率が１５０００未満と低下してしまい、１．８重量部
を越えるとシート状焼結体の密度及び絶縁抵抗ＩＲが低
くなって、実用範囲外となってしまうことから、その含
有量は０．８〜１．８重量部に特定され、より望ましく
は１．０〜１．６重量部となる。希土類元素としては、
焼結性と比誘電率の向上という観点から、Ｎｄ2 Ｏ3 が
望ましい。
物の焼結性を向上し、比誘電率を高くするために含有さ
せるもので、その含有量が、前記主成分１００重量部に
対して、酸化物（Ｎｄ2 Ｏ3 ，Ｓｍ2 Ｏ3 ，Ｇｄ
2 Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，Ｐｒ6 Ｏ11，ＣｅＯ2 ，Ｔｂ4 Ｏ
7 ，Ｅｕ2 Ｏ3 ）に換算して０．８重量部未満では比誘
電率が１５０００未満と低下してしまい、１．８重量部
を越えるとシート状焼結体の密度及び絶縁抵抗ＩＲが低
くなって、実用範囲外となってしまうことから、その含
有量は０．８〜１．８重量部に特定され、より望ましく
は１．０〜１．６重量部となる。希土類元素としては、
焼結性と比誘電率の向上という観点から、Ｎｄ2 Ｏ3 が
望ましい。
【００２５】マンガン化合物としては、ＭｎＯ2 、Ｍｎ
ＣＯ3 で表されるものがあり、希土類元素化合物として
は、Ｒｅ2 Ｏ3 、Ｒｅ6 Ｏ11、ＲｅＯ2 、Ｒｅ4 Ｏ7 で
表されるものがある。
ＣＯ3 で表されるものがあり、希土類元素化合物として
は、Ｒｅ2 Ｏ3 、Ｒｅ6 Ｏ11、ＲｅＯ2 、Ｒｅ4 Ｏ7 で
表されるものがある。
【００２６】本発明の誘電体磁器組成物では、（Ｂａ
1-x Ｃａx ）（Ｔｉ1-y Ｓｎy ）Ｏ3を主結晶とするも
のであり、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｓｉ、希土類元素は主に
前記主結晶の粒界にガラスとして存在する。Ｚｎ、Ｍ
ｎ、Ｔｉ、Ｓｉ、希土類元素は主結晶中に固溶する場合
もある。また、主結晶の平均結晶粒径は、高比誘電率と
高温負荷寿命の向上という観点から４．０〜７．５μｍ
であることが望ましい。
1-x Ｃａx ）（Ｔｉ1-y Ｓｎy ）Ｏ3を主結晶とするも
のであり、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｓｉ、希土類元素は主に
前記主結晶の粒界にガラスとして存在する。Ｚｎ、Ｍ
ｎ、Ｔｉ、Ｓｉ、希土類元素は主結晶中に固溶する場合
もある。また、主結晶の平均結晶粒径は、高比誘電率と
高温負荷寿命の向上という観点から４．０〜７．５μｍ
であることが望ましい。
【００２７】また、本発明の誘電体磁器組成物は、不可
避不純物としてＳｒＯ、Ｎａ2 Ｏ、Ｆｅ2 Ｏ3 等が混入
する場合があり、また、粉砕ボールからＡｌ2 Ｏ3 、Ｚ
ｒＯ2 等が混入する場合もある。
避不純物としてＳｒＯ、Ｎａ2 Ｏ、Ｆｅ2 Ｏ3 等が混入
する場合があり、また、粉砕ボールからＡｌ2 Ｏ3 、Ｚ
ｒＯ2 等が混入する場合もある。
【００２８】本発明の誘電体磁器組成物は、例えば、出
発原料として、チタン酸バリウム、酸化ズズ、酸化カル
シウムから成る複合酸化物、（Ｂａ1-x Ｃａx ）（Ｔｉ
1-yＳｎy ）Ｏ3 粉末を主成分とし、この主成分１００
重量部に対して、亜鉛（ＺｎＯ等の亜鉛化合物粉末、Ｍ
ｎＯ2 等のマンガン化合物粉末、ＴｉＯ2 等のチタン化
合物粉末、ＳｉＯ2 等のケイ素化合物粉末及びＮｄ2 Ｏ
3 等の希土類元素化合物粉末の各粉末を、所定量秤量
し、ボールミルにて混合粉砕する。
発原料として、チタン酸バリウム、酸化ズズ、酸化カル
シウムから成る複合酸化物、（Ｂａ1-x Ｃａx ）（Ｔｉ
1-yＳｎy ）Ｏ3 粉末を主成分とし、この主成分１００
重量部に対して、亜鉛（ＺｎＯ等の亜鉛化合物粉末、Ｍ
ｎＯ2 等のマンガン化合物粉末、ＴｉＯ2 等のチタン化
合物粉末、ＳｉＯ2 等のケイ素化合物粉末及びＮｄ2 Ｏ
3 等の希土類元素化合物粉末の各粉末を、所定量秤量
し、ボールミルにて混合粉砕する。
【００２９】次に、混合粉砕物に有機系粘結剤と媒体か
ら成るバインダーを添加して攪拌してセラミック泥漿を
調製した後、例えば、得られたセラミック泥漿を脱泡
し、該泥漿を用いてドクターブレード法によりグリーン
シートを成形する。
ら成るバインダーを添加して攪拌してセラミック泥漿を
調製した後、例えば、得られたセラミック泥漿を脱泡
し、該泥漿を用いてドクターブレード法によりグリーン
シートを成形する。
【００３０】得られたグリーンシートを所定形状に裁断
し、このシートを所定枚数積層し、大気中等の酸化性雰
囲気において、１２００〜１３００℃の温度で０．５〜
５時間焼成することにより得られる。
し、このシートを所定枚数積層し、大気中等の酸化性雰
囲気において、１２００〜１３００℃の温度で０．５〜
５時間焼成することにより得られる。
【００３１】
【実施例】出発原料として、モル分率ｘが０．０１〜
０．１０、モル分率ｙが０．０４〜０．１０で平均粒径
が１μｍ以下である（Ｂａ1-x Ｃａx ）（Ｔｉ1-y Ｓｎ
y ）Ｏ3 を主成分とするチタンスズ酸バリウムカルシウ
ムと、この主成分１００重量部に対して、酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ）、マンガン化合物、チタン化合物、二酸化ケイ素
（ＳｉＯ2 ）及び希土類元素酸化物の各粉末を、マンガ
ン化合物は酸化マンガン（ＭｎＯ2 ）に、チタン化合物
は酸化チタン（ＴｉＯ2 ）に、希土類元素酸化物は酸化
物（Ｎｄ2 Ｏ3 ，Ｓｍ2 Ｏ3 ，Ｇｄ2 Ｏ3 ，Ｌａ
2 Ｏ3 ，Ｐｒ6 Ｏ11，ＣｅＯ2 ，Ｔｂ4 Ｏ7 ，Ｅｕ2 Ｏ
3 ）に換算して表１，２に示す重量部となるように秤量
し、それらの粉末をＺｒＯ2 ボールを用いたボールミル
にて２０時間湿式混合粉砕した。
０．１０、モル分率ｙが０．０４〜０．１０で平均粒径
が１μｍ以下である（Ｂａ1-x Ｃａx ）（Ｔｉ1-y Ｓｎ
y ）Ｏ3 を主成分とするチタンスズ酸バリウムカルシウ
ムと、この主成分１００重量部に対して、酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ）、マンガン化合物、チタン化合物、二酸化ケイ素
（ＳｉＯ2 ）及び希土類元素酸化物の各粉末を、マンガ
ン化合物は酸化マンガン（ＭｎＯ2 ）に、チタン化合物
は酸化チタン（ＴｉＯ2 ）に、希土類元素酸化物は酸化
物（Ｎｄ2 Ｏ3 ，Ｓｍ2 Ｏ3 ，Ｇｄ2 Ｏ3 ，Ｌａ
2 Ｏ3 ，Ｐｒ6 Ｏ11，ＣｅＯ2 ，Ｔｂ4 Ｏ7 ，Ｅｕ2 Ｏ
3 ）に換算して表１，２に示す重量部となるように秤量
し、それらの粉末をＺｒＯ2 ボールを用いたボールミル
にて２０時間湿式混合粉砕した。
【００３２】
【表１】
【００３３】
【表２】
【００３４】次いで、前記混合粉砕物に有機系粘結剤と
媒体から成るバインダーを添加して攪拌してセラミック
泥漿を調製した後、得られたセラミック泥漿を脱泡し、
該泥漿を用いてドクターブレード法によりフィルムキャ
リア上に厚さ約４０μｍのグリーンシートを成形した。
媒体から成るバインダーを添加して攪拌してセラミック
泥漿を調製した後、得られたセラミック泥漿を脱泡し、
該泥漿を用いてドクターブレード法によりフィルムキャ
リア上に厚さ約４０μｍのグリーンシートを成形した。
【００３５】得られたグリーンシートを縦１３０ｍｍ、
横１００ｍｍの矩形状に裁断し、該矩形状シートを４０
枚重ねた後、８０℃の温度でホットプレスして厚さ約１
ｍｍの積層体を作製し、該積層体を直径２０ｍｍの円板
状に打ち抜き、大気中、１２１０〜１３４０℃の範囲の
各温度で２時間焼成した。
横１００ｍｍの矩形状に裁断し、該矩形状シートを４０
枚重ねた後、８０℃の温度でホットプレスして厚さ約１
ｍｍの積層体を作製し、該積層体を直径２０ｍｍの円板
状に打ち抜き、大気中、１２１０〜１３４０℃の範囲の
各温度で２時間焼成した。
【００３６】その後、円板状焼結体の両端面に銀ペース
トを用いて電極を焼付け、評価用試料とした。
トを用いて電極を焼付け、評価用試料とした。
【００３７】かくして得られた評価用試料を用い、先
ず、基準温度２５℃、周波数１．０ｋＨｚ、測定電圧
１．０Ｖｒｍｓの測定条件で、前記評価用試料の比誘電
率εｒ及び誘電損失ｔａｎδを測定し、更に、直流電圧
５０Ｖを１分間印加した時の絶縁抵抗ＩＲを測定した。
ず、基準温度２５℃、周波数１．０ｋＨｚ、測定電圧
１．０Ｖｒｍｓの測定条件で、前記評価用試料の比誘電
率εｒ及び誘電損失ｔａｎδを測定し、更に、直流電圧
５０Ｖを１分間印加した時の絶縁抵抗ＩＲを測定した。
【００３８】測定結果から、比誘電率εｒが１５０００
未満では、例えば積層型セラミックコンデンサでは小型
化ができないため、１５０００以上を良とし、更に、誘
電損失ｔａｎδは、１．０％以上になると、例えばコン
デンサのチップ化が困難となる等のため、１．０％未満
を良と評価した。一方、絶縁抵抗ＩＲは、１．０×１０
5 ＭΩ未満では、積層型セラミックコンデンサとして絶
縁抵抗の規格を満足せず、絶縁不良となるため、１．０
×１０5 ＭΩ以上を良と評価した。
未満では、例えば積層型セラミックコンデンサでは小型
化ができないため、１５０００以上を良とし、更に、誘
電損失ｔａｎδは、１．０％以上になると、例えばコン
デンサのチップ化が困難となる等のため、１．０％未満
を良と評価した。一方、絶縁抵抗ＩＲは、１．０×１０
5 ＭΩ未満では、積層型セラミックコンデンサとして絶
縁抵抗の規格を満足せず、絶縁不良となるため、１．０
×１０5 ＭΩ以上を良と評価した。
【００３９】更に、アルキメデス法で密度を測定し、該
密度が５．７ｇ／ｃｍ3 以下ではこれら高誘電率系の誘
電体磁器組成物は焼成不十分であることを示しており、
１３００℃未満の低温焼成で実用的な焼結体が得られな
いことから、密度は５．７ｇ／ｃｍ3 以上を良と評価し
た。以上の結果を、表３、４に示す。
密度が５．７ｇ／ｃｍ3 以下ではこれら高誘電率系の誘
電体磁器組成物は焼成不十分であることを示しており、
１３００℃未満の低温焼成で実用的な焼結体が得られな
いことから、密度は５．７ｇ／ｃｍ3 以上を良と評価し
た。以上の結果を、表３、４に示す。
【００４０】
【表３】
【００４１】
【表４】
【００４２】表３、４から明らかなように、試料番号
８、９、１５、１６、２２、２９、４４、４５では、積
層セラミックコンデンサ等の小型・大容量化に大きく寄
与する比誘電率が１４０００以下と低くなっており、試
料番号８、１６、２９、３９、４５、５２は、いずれも
焼成温度が１３１０℃以上となっている。
８、９、１５、１６、２２、２９、４４、４５では、積
層セラミックコンデンサ等の小型・大容量化に大きく寄
与する比誘電率が１４０００以下と低くなっており、試
料番号８、１６、２９、３９、４５、５２は、いずれも
焼成温度が１３１０℃以上となっている。
【００４３】また、試料番号９、２３、２８、２９、３
８は、誘電損失が１．１５％以上と大きく、試料番号１
６、２９、４５、５２では、焼成温度を１３１０〜１３
２０℃とかなり高い温度で焼成しても密度が５．７０ｇ
／ｃｍ3 未満と低く焼結不足となっている。
８は、誘電損失が１．１５％以上と大きく、試料番号１
６、２９、４５、５２では、焼成温度を１３１０〜１３
２０℃とかなり高い温度で焼成しても密度が５．７０ｇ
／ｃｍ3 未満と低く焼結不足となっている。
【００４４】更に、試料番号２２、２８、５２は、いず
れも絶縁抵抗が１．０×１０5 未満と低くなっている。
れも絶縁抵抗が１．０×１０5 未満と低くなっている。
【００４５】それに対して、本願発明の試料番号のもの
は、いずれも比誘電率も１５２００以上と高く、焼成温
度は１２９０℃以下と低く、誘電損失も０．９３％以
下、密度は５．７２ｇ／ｃｍ3 以上、更に絶縁抵抗も
２．４×１０5 ＭΩ以上といずれの要求特性をも満足す
るものになっている。
は、いずれも比誘電率も１５２００以上と高く、焼成温
度は１２９０℃以下と低く、誘電損失も０．９３％以
下、密度は５．７２ｇ／ｃｍ3 以上、更に絶縁抵抗も
２．４×１０5 ＭΩ以上といずれの要求特性をも満足す
るものになっている。
【００４６】次に、表１，２に示す組成で上記と同様に
して調製したセラミック泥漿を用いて成形した厚さ１０
μｍの各グリーンシート上に、銀−パラジウム（Ａｇ−
Ｐｄ）粉末から成る内部電極用ペーストを用いて電極を
所定形状にスクリーン印刷した後、該電極を印刷したグ
リーンシートをそれぞれ２０枚積層してホットプレスし
て一体化し、所定寸法に切断してグリーンチップを作製
した。
して調製したセラミック泥漿を用いて成形した厚さ１０
μｍの各グリーンシート上に、銀−パラジウム（Ａｇ−
Ｐｄ）粉末から成る内部電極用ペーストを用いて電極を
所定形状にスクリーン印刷した後、該電極を印刷したグ
リーンシートをそれぞれ２０枚積層してホットプレスし
て一体化し、所定寸法に切断してグリーンチップを作製
した。
【００４７】得られたグリーンチップを大気中、４００
℃の温度で２時間保持してバインダーを完全に分解して
脱バインダーした後、それぞれ各組成に対応した表３，
４に示す焼成温度で、２時間保持して焼成した。
℃の温度で２時間保持してバインダーを完全に分解して
脱バインダーした後、それぞれ各組成に対応した表３，
４に示す焼成温度で、２時間保持して焼成した。
【００４８】その後、焼結したチップに銀−パラジウム
（Ａｇ−Ｐｄ）から成る外部取り出し電極を焼き付け、
評価用のチップコンデンサを作製した。
（Ａｇ−Ｐｄ）から成る外部取り出し電極を焼き付け、
評価用のチップコンデンサを作製した。
【００４９】尚、前記評価用チップコンデンサの誘電体
層一層の厚さは、いずれも平均８μｍであり、有効電極
面積は１．２ｍｍ2 であった。
層一層の厚さは、いずれも平均８μｍであり、有効電極
面積は１．２ｍｍ2 であった。
【００５０】かくして得られた評価用チップコンデンサ
を用い、先ず、基準温度２５℃、周波数１．０ｋＨｚ、
測定電圧１．０Ｖｒｍｓの測定条件で、前記評価用チッ
プコンデンサの静電容量及び誘電損失を測定するととも
に、基準温度２５℃の静電容量に対する−３０℃から＋
８５℃までの温度における静電容量の温度変化率を測定
した。さらに、８５℃で電界強度が１．２×１０4 Ｖ／
ｍｍの直流電圧の印加状態を保つ高温負荷試験を行っ
た。この高温負荷試験は、３００個の評価用チップコン
デンサについて行い、最初にショートとしたチップコン
デンサの、印加開始からショートに至るまでの時間を測
定することにより行った。
を用い、先ず、基準温度２５℃、周波数１．０ｋＨｚ、
測定電圧１．０Ｖｒｍｓの測定条件で、前記評価用チッ
プコンデンサの静電容量及び誘電損失を測定するととも
に、基準温度２５℃の静電容量に対する−３０℃から＋
８５℃までの温度における静電容量の温度変化率を測定
した。さらに、８５℃で電界強度が１．２×１０4 Ｖ／
ｍｍの直流電圧の印加状態を保つ高温負荷試験を行っ
た。この高温負荷試験は、３００個の評価用チップコン
デンサについて行い、最初にショートとしたチップコン
デンサの、印加開始からショートに至るまでの時間を測
定することにより行った。
【００５１】また、表３，４に示した比誘電率と、焼結
後の評価用チップコンデンサの内部電極面積、内部電極
の間隔及び積層数等から算出した設計容量に対する、前
記評価用チップコンデンサの測定容量の比を容量比率と
した。
後の評価用チップコンデンサの内部電極面積、内部電極
の間隔及び積層数等から算出した設計容量に対する、前
記評価用チップコンデンサの測定容量の比を容量比率と
した。
【００５２】更に、前記評価用チップコンデンサの磁器
表面を無作為に５箇所選び、これらを走査型電子顕微鏡
で８００倍に拡大して撮影し、これらの写真から２００
個の結晶粒子をランダムに選んで切片法により大きさを
測定し、平均値を求めて平均粒径とした。さらに異常粒
成長が発生しているか、否かも確認した。この異常粒成
長の判定は、平均粒径の５倍以上の粒子が存在していれ
ば、異常粒成長していると判定した。
表面を無作為に５箇所選び、これらを走査型電子顕微鏡
で８００倍に拡大して撮影し、これらの写真から２００
個の結晶粒子をランダムに選んで切片法により大きさを
測定し、平均値を求めて平均粒径とした。さらに異常粒
成長が発生しているか、否かも確認した。この異常粒成
長の判定は、平均粒径の５倍以上の粒子が存在していれ
ば、異常粒成長していると判定した。
【００５３】以上の測定結果から、静電容量の値は、２
００ｎＦ未満では積層型セラミックコンデンサとして小
型化が困難なことから、２００ｎＦ以上を良と評価し
た。
００ｎＦ未満では積層型セラミックコンデンサとして小
型化が困難なことから、２００ｎＦ以上を良と評価し
た。
【００５４】また、誘電損失が５．０％以上になると積
層型セラミックコンデンサとして実用的でないため、そ
の値は５．０％未満を良とした。
層型セラミックコンデンサとして実用的でないため、そ
の値は５．０％未満を良とした。
【００５５】更に、容量比率が７０％未満になると、積
層型セラミックコンデンサとして充分な容量が得られ
ず、小型化が困難なことから、７０％以上を良とした。
層型セラミックコンデンサとして充分な容量が得られ
ず、小型化が困難なことから、７０％以上を良とした。
【００５６】高温負荷試験は、４０時間未満に不良が発
生した場合、積層型セラミックコンデンサの規格を満足
しなくなることから、４０時間以上不良が発生しないこ
とを良とした。
生した場合、積層型セラミックコンデンサの規格を満足
しなくなることから、４０時間以上不良が発生しないこ
とを良とした。
【００５７】平均粒径が８．０μｍ以上になると、誘電
体層一層厚みが１０μｍ以下の積層セラミックコンデン
サの高温負荷寿命が規格を満足しなくなることから、
８．０μｍ以下を良とした。これらの結果を表５、６に
記載する。
体層一層厚みが１０μｍ以下の積層セラミックコンデン
サの高温負荷寿命が規格を満足しなくなることから、
８．０μｍ以下を良とした。これらの結果を表５、６に
記載する。
【００５８】
【表５】
【００５９】
【表６】
【００６０】表５，６から明らかなように、試料番号１
では温度特性が規格外となり、規格に適合しても例え
ば、試料番号８、９、１５、１６、２９、４４、４５
は、いずれも静電容量が２００ｎＦ未満と小さく、積層
型セラミックコンデンサの小型化が実現できない。
では温度特性が規格外となり、規格に適合しても例え
ば、試料番号８、９、１５、１６、２９、４４、４５
は、いずれも静電容量が２００ｎＦ未満と小さく、積層
型セラミックコンデンサの小型化が実現できない。
【００６１】また、試料番号９、２３、２８、２９、３
８は、誘電損失が５．２％以上となって実用範囲外とな
っている。
８は、誘電損失が５．２％以上となって実用範囲外とな
っている。
【００６２】また、試料番号２９は、異常粒成長が認め
られ、容量比率も７０％未満と小さく誘電体層一層の厚
さが１０μｍ以下という薄板化は困難である。
られ、容量比率も７０％未満と小さく誘電体層一層の厚
さが１０μｍ以下という薄板化は困難である。
【００６３】試料番号２９、３９は、平均粒径が８．０
μｍ以上となっており、誘電体層一層厚みが１０μｍ以
下の積層セラミックコンデンサの高温負荷試験が規格を
満足しなくなる。
μｍ以上となっており、誘電体層一層厚みが１０μｍ以
下の積層セラミックコンデンサの高温負荷試験が規格を
満足しなくなる。
【００６４】それに対して、本願発明の試料番号のチッ
プコンデンサは、いずれも静電容量が２１１ｎＦ以上と
高く、焼成温度も１２９０℃以下と低く、かつ誘電損失
も４．３％以下と小さく、容量比率は８４％以上を有
し、異常粒成長が全く認められないものであることが分
かる。
プコンデンサは、いずれも静電容量が２１１ｎＦ以上と
高く、焼成温度も１２９０℃以下と低く、かつ誘電損失
も４．３％以下と小さく、容量比率は８４％以上を有
し、異常粒成長が全く認められないものであることが分
かる。
【００６５】
【発明の効果】叙上の如く、本発明の誘電体磁器組成物
は、チタンスズ酸バリウムカルシウムから成る複合酸化
物を主成分とし、該主成分に希土類元素化合物及び亜鉛
化合物、マンガン化合物、チタン化合物、さらに珪素化
合物を含有させたことから、ＥＩＡ規格のＹ５Ｖ特性を
満足するとともに、比誘電率が１５０００以上、高温負
荷寿命が長く、１３００℃未満の低温焼成が可能で、厚
さ１０μｍ以下の薄板表面が平滑で緻密なシート状焼結
体を得ることができることから、安価な内部電極材料を
用いた小型・大容量の積層型セラミックコンデンサをは
じめ、各種コンデンサに適用できる誘電体磁器組成物を
得ることができる。
は、チタンスズ酸バリウムカルシウムから成る複合酸化
物を主成分とし、該主成分に希土類元素化合物及び亜鉛
化合物、マンガン化合物、チタン化合物、さらに珪素化
合物を含有させたことから、ＥＩＡ規格のＹ５Ｖ特性を
満足するとともに、比誘電率が１５０００以上、高温負
荷寿命が長く、１３００℃未満の低温焼成が可能で、厚
さ１０μｍ以下の薄板表面が平滑で緻密なシート状焼結
体を得ることができることから、安価な内部電極材料を
用いた小型・大容量の積層型セラミックコンデンサをは
じめ、各種コンデンサに適用できる誘電体磁器組成物を
得ることができる。
Claims (1)
- 【請求項１】金属元素として少なくともＢａ、Ｃａ、Ｔ
ｉおよびＳｎを含有し、これらの金属元素酸化物のモル
比による組成式を （Ｂａ1-x Ｃａx ）（Ｔｉ1-y Ｓｎy ）Ｏ3 と表した時、前記ｘ、ｙがそれぞれ ０．０１≦ｘ≦０．１０ ０．０４＜ｙ＜０．１０ を満足する主成分と、該主成分１００重量部に対して、
亜鉛化合物をＺｎＯ換算で０．１〜０．９重量部、マン
ガン化合物をＭｎＯ2 換算で０．１〜０．５重量部、チ
タン化合物をＴｉＯ2 換算で０．１〜１．３重量部、ケ
イ素化合物をＳｉＯ2 換算で０．０５〜０．２０重量
部、希土類元素化合物をＮｄ2 Ｏ3 、Ｓｍ2Ｏ3 、Ｇｄ
2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｐｒ6 Ｏ11、ＣｅＯ2 、Ｔｂ4 Ｏ
7 およびＥｕ2 Ｏ3 のうち少なくとも一種に換算して
０．８〜１．８重量部含有してなることを特徴とする誘
電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32049596A JP3600701B2 (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32049596A JP3600701B2 (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10167813A true JPH10167813A (ja) | 1998-06-23 |
| JP3600701B2 JP3600701B2 (ja) | 2004-12-15 |
Family
ID=18122096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32049596A Expired - Fee Related JP3600701B2 (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3600701B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100586961B1 (ko) * | 2004-04-14 | 2006-06-08 | 삼성전기주식회사 | 내환원성 유전체 자기조성물과 초박층 적층세라믹 콘덴서 |
| CN117263683A (zh) * | 2023-09-19 | 2023-12-22 | 江苏飞特尔通信有限公司 | 一种微波陶瓷材料及其制备方法和在与铜共烧制备5g ltcc滤波器中的应用 |
-
1996
- 1996-11-29 JP JP32049596A patent/JP3600701B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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