JPH04113705A - マイクロ波多段増幅器 - Google Patents
マイクロ波多段増幅器Info
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- JPH04113705A JPH04113705A JP2233501A JP23350190A JPH04113705A JP H04113705 A JPH04113705 A JP H04113705A JP 2233501 A JP2233501 A JP 2233501A JP 23350190 A JP23350190 A JP 23350190A JP H04113705 A JPH04113705 A JP H04113705A
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- microwave
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 10
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- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/08—Microstrips; Strip lines
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
- H05K9/0007—Casings
- H05K9/002—Casings with localised screening
- H05K9/0022—Casings with localised screening of components mounted on printed circuit boards [PCB]
- H05K9/0037—Housings with compartments containing a PCB, e.g. partitioning walls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/16—Auxiliary devices for mode selection, e.g. mode suppression or mode promotion; for mode conversion
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、マイクロ波通信機器等に用いられるマイクロ
波多段増幅器に関するものである。
波多段増幅器に関するものである。
従来の技術
近年、マイクロ波通信機器に使用されるマイクロ波着輻
器は、環境条件や接続する他の機器に関係なく、異常発
振等を起こさない、極めて安定度の高いものが要求され
る。ところが、最近のマイクロ波帯で使われるＨＥＭＴ
やＭＥＳ−ＦＥＴなどの固体素子は、電力利得が大きく
、これらを用いてマイクロ波多段増幅器を構成した場合
、入出力端子間での空間的アイソレーションが不十分で
あると、異常発振を起こすことがある。
器は、環境条件や接続する他の機器に関係なく、異常発
振等を起こさない、極めて安定度の高いものが要求され
る。ところが、最近のマイクロ波帯で使われるＨＥＭＴ
やＭＥＳ−ＦＥＴなどの固体素子は、電力利得が大きく
、これらを用いてマイクロ波多段増幅器を構成した場合
、入出力端子間での空間的アイソレーションが不十分で
あると、異常発振を起こすことがある。
以下、図面を参照しながら、上述した従来のマイクロ波
多段増幅器について説明を行う。第５図は従来のマイク
ロ波多段増幅器を示し、第６図はその断面図を示すもの
である。第５図及び第６図において、１及び２及び３は
マイクロストリ、プラインであり、４はマイクロ波回路
を形成する誘電体基板である。まず、入力端子９より入
力されたマイクロ波信号は、マイクロ波増幅器５で増幅
され、さらにマイクロ波増１ｇＨ６により増幅され、出
力端子１０より出力される。特に、マイクロ波増幅器６
により増幅されたマイクロ波信号は、入力端子９より入
力したマイクロ波信号のレヘルよりも大きく、誘電体基
板４の誘電率及び厚み等によっては、表面波モードとし
て又は、空間へ大きく輻射されて入力側のマイクロスト
リンブライン１などと結合し、異常発振等を引き起こし
ていた。
多段増幅器について説明を行う。第５図は従来のマイク
ロ波多段増幅器を示し、第６図はその断面図を示すもの
である。第５図及び第６図において、１及び２及び３は
マイクロストリ、プラインであり、４はマイクロ波回路
を形成する誘電体基板である。まず、入力端子９より入
力されたマイクロ波信号は、マイクロ波増幅器５で増幅
され、さらにマイクロ波増１ｇＨ６により増幅され、出
力端子１０より出力される。特に、マイクロ波増幅器６
により増幅されたマイクロ波信号は、入力端子９より入
力したマイクロ波信号のレヘルよりも大きく、誘電体基
板４の誘電率及び厚み等によっては、表面波モードとし
て又は、空間へ大きく輻射されて入力側のマイクロスト
リンブライン１などと結合し、異常発振等を引き起こし
ていた。
そこで、入力側と出力側との空間的なアイソレーション
をとるために、誘電体基板４上のスルーホール１５を設
けたアースパターン１６の上に仕切板７をネジ止め又は
半田付けなどで固定して、上蓋１１でシールドケース８
の開口を７ノ１２．１３固定していた。
をとるために、誘電体基板４上のスルーホール１５を設
けたアースパターン１６の上に仕切板７をネジ止め又は
半田付けなどで固定して、上蓋１１でシールドケース８
の開口を７ノ１２．１３固定していた。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記のような構成では、誘電体基ヰ反４の
歪みによりアースパターン１６のクラックが生しるため
、上蓋１１と仕切板７をネジ止めできず、上蓋１１と仕
切板７に隙間を生じ、各筐体間の空間的なアイソレーシ
ョンが劣化する。
歪みによりアースパターン１６のクラックが生しるため
、上蓋１１と仕切板７をネジ止めできず、上蓋１１と仕
切板７に隙間を生じ、各筐体間の空間的なアイソレーシ
ョンが劣化する。
さらに、第６図で仕切板７によって仕切られる２つの筐
体間において、一方の筐体中の誘電体基板４の内部をＴ
ＥＭモード以外の表面波モードとして伝搬し、他方の筐
体のマイクロストリップラインライン１などと結合して
、アイソレーションを劣化させるという問題点を有して
いた。
体間において、一方の筐体中の誘電体基板４の内部をＴ
ＥＭモード以外の表面波モードとして伝搬し、他方の筐
体のマイクロストリップラインライン１などと結合して
、アイソレーションを劣化させるという問題点を有して
いた。
本発明は上記問題点を解決するために、各筐体間で空間
を分離し、かつ誘電体基板中を伝播する表面波モードの
発生によるアイソレーション劣化を生しない安定したマ
イクロ波多段増幅器を提供するものである。
を分離し、かつ誘電体基板中を伝播する表面波モードの
発生によるアイソレーション劣化を生しない安定したマ
イクロ波多段増幅器を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記問題点を解決するために、本発明のマイクロ波多段
増幅器は、一体成形した仕切板をもつシールドケースに
、マイクロ波増幅器を上記仕切板を隔てて配置し、さら
に仕切板に２ジ止めが可能な上蓋を設けたものである。
増幅器は、一体成形した仕切板をもつシールドケースに
、マイクロ波増幅器を上記仕切板を隔てて配置し、さら
に仕切板に２ジ止めが可能な上蓋を設けたものである。
作用
本発明は上記に構成によって、シールドケースに一体成
形された仕切板により、各筐体間での空間を分離し、さ
らに誘電体基板中を伝搬する表面波モードの発生を抑圧
し、各増幅器間でのアイソレーションを確保できること
となる。
形された仕切板により、各筐体間での空間を分離し、さ
らに誘電体基板中を伝搬する表面波モードの発生を抑圧
し、各増幅器間でのアイソレーションを確保できること
となる。
実施例
以下本発明の一実施例のマイクロ波多段増幅器について
図面を参照しながら説明する。
図面を参照しながら説明する。
第１図はマイクロ波多段増幅器を示し、第２図はその断
面図を示すものである。
面図を示すものである。
第１図及び第２図において、１及び２及び３はマイクロ
ストリップラインであり、４はマイクロ波回路を形成す
る誘電体基板である。入力端子９より人力されたマイク
ロ波信号は、マイクロ波増幅器５で増幅され、さらにマ
イクロ波増幅器６Ｌこよって増幅され、出力端子１０よ
り出力される。シールドケース８と一体成形された仕切
板７により、誘電体基板４は分離されているため、誘電
体基板４中を伝搬する表面波モードは伝搬されず、マイ
クロストリップライン１と３の間での結合は、生しなく
なる。さらに、仕切板７はビス１２．１３．１４により
上Ｉｌｌを直接ネジ止めされるため、第２図における２
つの空間は、シールドケース８及び上蓋１１及び仕切板
７の導体により完全に分離される。
ストリップラインであり、４はマイクロ波回路を形成す
る誘電体基板である。入力端子９より人力されたマイク
ロ波信号は、マイクロ波増幅器５で増幅され、さらにマ
イクロ波増幅器６Ｌこよって増幅され、出力端子１０よ
り出力される。シールドケース８と一体成形された仕切
板７により、誘電体基板４は分離されているため、誘電
体基板４中を伝搬する表面波モードは伝搬されず、マイ
クロストリップライン１と３の間での結合は、生しなく
なる。さらに、仕切板７はビス１２．１３．１４により
上Ｉｌｌを直接ネジ止めされるため、第２図における２
つの空間は、シールドケース８及び上蓋１１及び仕切板
７の導体により完全に分離される。
以上のように本実施例によれば、仕切板７をシールドケ
ース８と一体成形し、上蓋１１をネジ止めするこ−とに
より、各筐体間を空間的に分離でき、さらに誘電体基板
４中を伝搬する表面波モードを抑圧し、良好なアイソレ
ーションを提供することができ、安定したマイクロ波多
段増幅器を実現できる。
ース８と一体成形し、上蓋１１をネジ止めするこ−とに
より、各筐体間を空間的に分離でき、さらに誘電体基板
４中を伝搬する表面波モードを抑圧し、良好なアイソレ
ーションを提供することができ、安定したマイクロ波多
段増幅器を実現できる。
以下、本発明の他の実施例について、図面を参照にしな
がら説明する。
がら説明する。
第３図は、本発明の他の実施例におけるマイクロ波周波
数８次てい倍器を示すものである。第４図は、その断面
図を示すものである。
数８次てい倍器を示すものである。第４図は、その断面
図を示すものである。
第３図及び第４図において、ｌ、２．３．１９は誘電体
基板４上に設けられたマイクロストリンプラインである
。まず入力端子９より入力された周波数ｆ０のマイクロ
波信号を、マイクロ波周波数８次てい倍器１７を非線型
動作させて高調波を発生させてｎ次高調波ｎｆｏのみを
、半波長結合型バンドパスフィルタ１８で分離し、ｎｆ
ｏのレヘルを上げるためマイクロ波増幅器５により増幅
を行ない出力端子１０より周波数をｎｆｏとして出力す
る。
基板４上に設けられたマイクロストリンプラインである
。まず入力端子９より入力された周波数ｆ０のマイクロ
波信号を、マイクロ波周波数８次てい倍器１７を非線型
動作させて高調波を発生させてｎ次高調波ｎｆｏのみを
、半波長結合型バンドパスフィルタ１８で分離し、ｎｆ
ｏのレヘルを上げるためマイクロ波増幅器５により増幅
を行ない出力端子１０より周波数をｎｆｏとして出力す
る。
特に周波数てい倍器においては、ｆｏの整数倍の多くの
高調波が発生するため、ｎｆｏ以外の不要高調波を十分
に除去することが要求される。以上のように本実施例に
よれば、仕切板７をシールドケース８と一体成形し、か
つビス１２．１３．１４にて上Ｎｉｌをネジ止めするこ
とにより、各筐体間を空間的に分離することが可能で、
各筐体間でのアイソレージジンは十分に確保することが
可能である。
高調波が発生するため、ｎｆｏ以外の不要高調波を十分
に除去することが要求される。以上のように本実施例に
よれば、仕切板７をシールドケース８と一体成形し、か
つビス１２．１３．１４にて上Ｎｉｌをネジ止めするこ
とにより、各筐体間を空間的に分離することが可能で、
各筐体間でのアイソレージジンは十分に確保することが
可能である。
なお、半波長結合型バンドパスフィルタ１８部において
、仕切板７とシールドケース８との間隔及び上蓋１１と
シールドケース８底面の高さを最適に選び、矩形導波管
のカットオフモードを利用することにより、半波長結合
型バンドパスフィルタ１日の帯域内通過損失減少及び帯
域外除去能力向上を実現することが可能となる。
、仕切板７とシールドケース８との間隔及び上蓋１１と
シールドケース８底面の高さを最適に選び、矩形導波管
のカットオフモードを利用することにより、半波長結合
型バンドパスフィルタ１日の帯域内通過損失減少及び帯
域外除去能力向上を実現することが可能となる。
発明の効果
以上の様に、本発明のマイクロ波多段増幅器は、一体形
成した仕切板を有するシールドケースに、仕切板を隔て
てマイクロ波増幅器を配置し、かつ上蓋を仕切板にネジ
止めすることにより、各筐体間を空間的に分離でき、さ
らに誘電体基板中を伝搬する表面波モードを抑圧し、良
好なアイソレーションを捉供する実用上非常に有効なも
のである。
成した仕切板を有するシールドケースに、仕切板を隔て
てマイクロ波増幅器を配置し、かつ上蓋を仕切板にネジ
止めすることにより、各筐体間を空間的に分離でき、さ
らに誘電体基板中を伝搬する表面波モードを抑圧し、良
好なアイソレーションを捉供する実用上非常に有効なも
のである。
第１図は本発明の一実施例におけるマイクロ波多段増幅
器の平面図、第２図は第１図の要部断面図、第３図は他
の実施例におけるマイクロ波ｎ次周波数てい倍器の平面
図、第４図はその要部断面図、第５図は従来のマイクロ
波多段増幅器の平面図、第６図はその要部断面図である
。 １ ２ ３．１９・・・・・・マイクロストリップライ
ン、４・・・・・・誘電体基板、５．６・・・・・・マ
イクロ波増幅器、７・・・・・・仕切板、訃・・・・・
シールドケース、９・・・・・・入力端子、ｌＯ・・・
・・・出力端子、１１・・・・・・上蓋、１２．１３１
４・・・・・ネジ、１５・・・・・・スルーホール、１
６・・・・・・アースパターン、１７・・・・・・マイ
クロ波周波数０次てい倍器、１８・・・・・・半波長結
合型バントパスフィルタ。
器の平面図、第２図は第１図の要部断面図、第３図は他
の実施例におけるマイクロ波ｎ次周波数てい倍器の平面
図、第４図はその要部断面図、第５図は従来のマイクロ
波多段増幅器の平面図、第６図はその要部断面図である
。 １ ２ ３．１９・・・・・・マイクロストリップライ
ン、４・・・・・・誘電体基板、５．６・・・・・・マ
イクロ波増幅器、７・・・・・・仕切板、訃・・・・・
シールドケース、９・・・・・・入力端子、ｌＯ・・・
・・・出力端子、１１・・・・・・上蓋、１２．１３１
４・・・・・ネジ、１５・・・・・・スルーホール、１
６・・・・・・アースパターン、１７・・・・・・マイ
クロ波周波数０次てい倍器、１８・・・・・・半波長結
合型バントパスフィルタ。
Claims (1)
- シールドケースに多段のマイクロ波増幅器を縦列に折
り返して誘電体基板上に構成し、上記シールドケースと
一体成型した仕切部を上記マイクロ波増幅器の折り返し
部に有し、上記シールドケースの開口を覆いかつ上記仕
切板にネジ止めが可能な上蓋を設けたマイクロ波多段増
幅器。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2233501A JPH04113705A (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | マイクロ波多段増幅器 |
| PCT/JP1991/001172 WO1992004743A1 (fr) | 1990-09-03 | 1991-09-02 | Amplificateur hyperfrequence a plusieurs etages |
| EP91915270A EP0498893B1 (en) | 1990-09-03 | 1991-09-02 | Microwave multi-stage amplifier |
| US07/847,087 US5274340A (en) | 1990-09-03 | 1991-09-02 | Microwave multistage amplifier |
| KR1019920701031A KR950003104B1 (ko) | 1990-09-03 | 1991-09-02 | 마이크로파 다단증폭기 |
| DE69124594T DE69124594T2 (de) | 1990-09-03 | 1991-09-02 | Mehrstufiger mikrowellenverstärker |
| CA002070407A CA2070407C (en) | 1990-09-03 | 1991-09-02 | Microwave multistage amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2233501A JPH04113705A (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | マイクロ波多段増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04113705A true JPH04113705A (ja) | 1992-04-15 |
Family
ID=16956016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2233501A Pending JPH04113705A (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | マイクロ波多段増幅器 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5274340A (ja) |
| EP (1) | EP0498893B1 (ja) |
| JP (1) | JPH04113705A (ja) |
| KR (1) | KR950003104B1 (ja) |
| CA (1) | CA2070407C (ja) |
| DE (1) | DE69124594T2 (ja) |
| WO (1) | WO1992004743A1 (ja) |
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| FR2840112A1 (fr) | 2002-05-23 | 2003-11-28 | Cit Alcatel | Equipement electronique hyperfrequence comportant un boitier metallique pour l'attenuation des resonances parasites |
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-
1990
- 1990-09-03 JP JP2233501A patent/JPH04113705A/ja active Pending
-
1991
- 1991-09-02 WO PCT/JP1991/001172 patent/WO1992004743A1/ja active IP Right Grant
- 1991-09-02 DE DE69124594T patent/DE69124594T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-09-02 EP EP91915270A patent/EP0498893B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-09-02 KR KR1019920701031A patent/KR950003104B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-09-02 US US07/847,087 patent/US5274340A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-09-02 CA CA002070407A patent/CA2070407C/en not_active Expired - Fee Related
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