JP2660146B2 - 高周波電力増幅器のシールド構造 - Google Patents
高周波電力増幅器のシールド構造Info
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- JP2660146B2 JP2660146B2 JP5041338A JP4133893A JP2660146B2 JP 2660146 B2 JP2660146 B2 JP 2660146B2 JP 5041338 A JP5041338 A JP 5041338A JP 4133893 A JP4133893 A JP 4133893A JP 2660146 B2 JP2660146 B2 JP 2660146B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、通信装置に用いられる
高周波電力増幅器において、電力増幅用半導体素子入出
力間の電磁波結合を防止する高周波電力増幅器のシール
ド構造に関する。
高周波電力増幅器において、電力増幅用半導体素子入出
力間の電磁波結合を防止する高周波電力増幅器のシール
ド構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の高周波電力増幅器のシール
ド構造を示す図であり、同図（Ａ）はその側断面図、同
図（Ｂ）はそのＡ−Ａ線断面図である。
ド構造を示す図であり、同図（Ａ）はその側断面図、同
図（Ｂ）はそのＡ−Ａ線断面図である。
【０００３】図２において、１は高周波電力増幅器の筐
体、２は筐体１の蓋、３は高周波電力増幅用半導体素
子、４は仕切シールド板、５ａ，５ｂは半導体素子３を
その放熱兼取付用の鍔部３ａ，３ｂを介して筐体１に固
定するビス、６は高周波信号入力端子、７は高周波信号
出力端子である。
体、２は筐体１の蓋、３は高周波電力増幅用半導体素
子、４は仕切シールド板、５ａ，５ｂは半導体素子３を
その放熱兼取付用の鍔部３ａ，３ｂを介して筐体１に固
定するビス、６は高周波信号入力端子、７は高周波信号
出力端子である。
【０００４】すなわち、上記半導体素子３の高周波信号
入出力端子６，７間において高周波信号の電力増幅が成
されるもので、この半導体素子３の筐体１内上部空間に
おける入力端子６側と出力端子７側との中心線に沿っ
て、蓋２から半導体素子３の上面にまで延びる仕切シー
ルド板４を設けることにより、上記入出力端子６，７間
の電磁波結合を防いでいる。
入出力端子６，７間において高周波信号の電力増幅が成
されるもので、この半導体素子３の筐体１内上部空間に
おける入力端子６側と出力端子７側との中心線に沿っ
て、蓋２から半導体素子３の上面にまで延びる仕切シー
ルド板４を設けることにより、上記入出力端子６，７間
の電磁波結合を防いでいる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の高周波電力増幅器のシールド構造では、蓋２の下面
から半導体素子３の上面にまで延びる仕切シールド板４
で高周波信号入出力端子６，７間を空間分離させる構造
であるため、半導体素子３の本体部分より低い鍔部３
ａ，３ｂの上部には、該本体部分の厚みに相当して仕切
シールド板４の存在しない空間が残存する状態となる。
来の高周波電力増幅器のシールド構造では、蓋２の下面
から半導体素子３の上面にまで延びる仕切シールド板４
で高周波信号入出力端子６，７間を空間分離させる構造
であるため、半導体素子３の本体部分より低い鍔部３
ａ，３ｂの上部には、該本体部分の厚みに相当して仕切
シールド板４の存在しない空間が残存する状態となる。
【０００６】このため、上記半導体素子鍔部３ａ，３ｂ
上部の残存空間を介して上記入出力端子６，７間に電磁
波結合Ｍが生じ、十分なシールド効果が得られない問題
がある。
上部の残存空間を介して上記入出力端子６，７間に電磁
波結合Ｍが生じ、十分なシールド効果が得られない問題
がある。
【０００７】本発明は上記課題に鑑みなされたもので、
高周波電力増幅用半導体素子の入出力端子間を連通する
筐体内空間が残存することなく、該高周波信号入出力端
子間の電磁波結合を確実に防止することが可能になる高
周波電力増幅器のシールド構造を提供することを目的と
する。
高周波電力増幅用半導体素子の入出力端子間を連通する
筐体内空間が残存することなく、該高周波信号入出力端
子間の電磁波結合を確実に防止することが可能になる高
周波電力増幅器のシールド構造を提供することを目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明に係わ
る高周波電力増幅器のシールド構造は、高周波信号増幅
用の半導体素子が収容され、該半導体素子の入力端子側
あるいは出力端子側の側面長さに対応した長さの内部空
間を有する筐体と、上記半導体素子の上面形状に対応さ
せた下面形状を有すると共に、上記筐体内の空間高さに
対応させた高さ有し、該半導体素子に載設されて筐体内
に共に固定されるシールドブロックとを備えて構成した
ものである。
る高周波電力増幅器のシールド構造は、高周波信号増幅
用の半導体素子が収容され、該半導体素子の入力端子側
あるいは出力端子側の側面長さに対応した長さの内部空
間を有する筐体と、上記半導体素子の上面形状に対応さ
せた下面形状を有すると共に、上記筐体内の空間高さに
対応させた高さ有し、該半導体素子に載設されて筐体内
に共に固定されるシールドブロックとを備えて構成した
ものである。
【０００９】
【作用】つまり、上記半導体素子の入力端子側の筐体内
空間と上記出力端子側の筐体内空間とは完全分離される
ことになる。
空間と上記出力端子側の筐体内空間とは完全分離される
ことになる。
【００１０】
【実施例】以下図面により本発明の一実施例について説
明する。図１は高周波電力増幅器のシールド構造を示す
図であり、同図（Ａ）はその側断面図、同図（Ｂ）はそ
のＢ−Ｂ線断面図である。
明する。図１は高周波電力増幅器のシールド構造を示す
図であり、同図（Ａ）はその側断面図、同図（Ｂ）はそ
のＢ−Ｂ線断面図である。
【００１１】図１において、８は高周波電力増幅器の筐
体、９は該筐体８の蓋、１０は高周波電力増幅用半導体
素子、１０ａ，１０ｂはその放熱兼取付用の鍔部、１１
はシールドブロック、１２ａ，１２ｂは該シールドブロ
ック１１を上記半導体素子１０の各鍔部１０ａ，１０ｂ
を介して筐体８の底面に共締めするビス、１３は高周波
信号入力端子、１４は高周波信号出力端子である。
体、９は該筐体８の蓋、１０は高周波電力増幅用半導体
素子、１０ａ，１０ｂはその放熱兼取付用の鍔部、１１
はシールドブロック、１２ａ，１２ｂは該シールドブロ
ック１１を上記半導体素子１０の各鍔部１０ａ，１０ｂ
を介して筐体８の底面に共締めするビス、１３は高周波
信号入力端子、１４は高周波信号出力端子である。
【００１２】すなわち、半導体素子１０の入出力端子１
３，１４が設けられた面を、該半導体素子１０の側面と
すると、この半導体素子１０（鍔部１０ａ，１０ｂを含
む）の側面の長さに対応して、筐体８における素子収容
部の空間の長さが設定される。
３，１４が設けられた面を、該半導体素子１０の側面と
すると、この半導体素子１０（鍔部１０ａ，１０ｂを含
む）の側面の長さに対応して、筐体８における素子収容
部の空間の長さが設定される。
【００１３】また、上記シールドブロック１１は、その
長さ及び幅を、上記半導体素子１０の長さ及び幅に等し
く形成されると共に、その下面形状は、半導体素子１０
の本体部や鍔部１０ａ，１０ｂの高さに合わせた側面コ
の字形状に形成されるもので、その上面までの高さは、
該シールドブロック１１を半導体素子１０に載設して筐
体８内の空間底面にビス１２ａ，１２ｂにより共締めし
た際に、筐体８の外周の高さに一致するよう形成され
る。
長さ及び幅を、上記半導体素子１０の長さ及び幅に等し
く形成されると共に、その下面形状は、半導体素子１０
の本体部や鍔部１０ａ，１０ｂの高さに合わせた側面コ
の字形状に形成されるもので、その上面までの高さは、
該シールドブロック１１を半導体素子１０に載設して筐
体８内の空間底面にビス１２ａ，１２ｂにより共締めし
た際に、筐体８の外周の高さに一致するよう形成され
る。
【００１４】この場合、上記シールドブロック１１の上
面には、上記ビス１２ａ，１２ｂの取付位置に対応し
て、該ビス１２ａ，１２ｂの頭部を突出させないための
ビス穴凹部１１ａ，１１ｂが形成される。
面には、上記ビス１２ａ，１２ｂの取付位置に対応し
て、該ビス１２ａ，１２ｂの頭部を突出させないための
ビス穴凹部１１ａ，１１ｂが形成される。
【００１５】つまり、上記半導体素子１０に上記シール
ドブロック１１を載設し、ビス１２ａ，１２ｂにより筐
体８の底面に共締めすると共に、蓋９により筐体８内空
間を密閉すると、半導体素子１０の入力端子１３側と出
力端子１４側との各筐体８内空間は、上記シールドブロ
ック１１とこのブロック１１を載設した半導体素子１０
自体によって完全分離されるようになる。
ドブロック１１を載設し、ビス１２ａ，１２ｂにより筐
体８の底面に共締めすると共に、蓋９により筐体８内空
間を密閉すると、半導体素子１０の入力端子１３側と出
力端子１４側との各筐体８内空間は、上記シールドブロ
ック１１とこのブロック１１を載設した半導体素子１０
自体によって完全分離されるようになる。
【００１６】したがって、上記構成の高周波電力増幅器
のシールド構造によれば、筐体８内の空間中において、
半導体素子１０の高周波信号入出力端子１３，１４間
は、完全にシールドされた状態となり、その電磁波結合
による正帰還発振や周波数特性劣化等の不具合を確実に
防止することができる。
のシールド構造によれば、筐体８内の空間中において、
半導体素子１０の高周波信号入出力端子１３，１４間
は、完全にシールドされた状態となり、その電磁波結合
による正帰還発振や周波数特性劣化等の不具合を確実に
防止することができる。
【００１７】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、高周波信
号増幅用の半導体素子が収容され、該半導体素子の入力
端子側あるいは出力端子側の側面長さに対応した長さの
内部空間を有する筐体と、上記半導体素子の上面形状に
対応させた下面形状を有すると共に、上記筐体内の空間
高さに対応させた高さ有し、該半導体素子に載設されて
筐体内に共に固定されるシールドブロックとを備え、上
記入力端子側の筐体内空間と上記出力端子側の筐体内空
間とを完全分離して構成したので、高周波電力増幅用半
導体素子の入出力端子間を連通する筐体内空間が残存す
ることなく、該高周波信号入出力端子間の電磁波結合を
確実に防止することが可能になる。
号増幅用の半導体素子が収容され、該半導体素子の入力
端子側あるいは出力端子側の側面長さに対応した長さの
内部空間を有する筐体と、上記半導体素子の上面形状に
対応させた下面形状を有すると共に、上記筐体内の空間
高さに対応させた高さ有し、該半導体素子に載設されて
筐体内に共に固定されるシールドブロックとを備え、上
記入力端子側の筐体内空間と上記出力端子側の筐体内空
間とを完全分離して構成したので、高周波電力増幅用半
導体素子の入出力端子間を連通する筐体内空間が残存す
ることなく、該高周波信号入出力端子間の電磁波結合を
確実に防止することが可能になる。
【図１】本発明の一実施例に係わる高周波電力増幅器の
シールド構造を示す図。
シールド構造を示す図。
【図２】従来の高周波電力増幅器のシールド構造を示す
図。
図。
８…増幅器筐体、９…蓋、１０…半導体素子、１０ａ，
１０ｂ…鍔部、１１…シールドブロック、１１ａ，１１
ｂ…ビス穴凹部、１２ａ，１２ｂ…ビス、１３…高周波
信号入力端子、１４…高周波信号出力端子。
１０ｂ…鍔部、１１…シールドブロック、１１ａ，１１
ｂ…ビス穴凹部、１２ａ，１２ｂ…ビス、１３…高周波
信号入力端子、１４…高周波信号出力端子。
Claims (1)
- 【請求項１】 高周波信号増幅用の半導体素子が収容さ
れ、該半導体素子の入力端子側あるいは出力端子側の側
面長さに対応した長さの内部空間を有する筐体と、 上記半導体素子の上面形状に対応させた下面形状を有す
ると共に、上記筐体内の空間高さに対応させた高さ有
し、該半導体素子に載設され、該半導体素子の鍔部を介
して筐体の底面にビスにより共締め固定されるシールド
ブロックとを具備し、 上記入力端子側の筐体内空間と上記出力端子側の筐体内
空間とを完全分離したことを特徴とする高周波電力増幅
器のシールド構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5041338A JP2660146B2 (ja) | 1993-03-02 | 1993-03-02 | 高周波電力増幅器のシールド構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5041338A JP2660146B2 (ja) | 1993-03-02 | 1993-03-02 | 高周波電力増幅器のシールド構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06260844A JPH06260844A (ja) | 1994-09-16 |
| JP2660146B2 true JP2660146B2 (ja) | 1997-10-08 |
Family
ID=12605739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5041338A Expired - Fee Related JP2660146B2 (ja) | 1993-03-02 | 1993-03-02 | 高周波電力増幅器のシールド構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2660146B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5377385B2 (ja) * | 2010-03-26 | 2013-12-25 | 株式会社東芝 | 高周波増幅器 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63204914A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波高出力増幅器 |
| JPH05206764A (ja) * | 1992-01-28 | 1993-08-13 | Fukushima Nippon Denki Kk | トランジスタの取付構造 |
-
1993
- 1993-03-02 JP JP5041338A patent/JP2660146B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06260844A (ja) | 1994-09-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |