JPS6284602A - 誘電体フイルタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔目　次〕 ・概要 ・　産業上の利用分野 ・　従来の技術（第５．６図） ・　発明が解決しようとする問題点 ・　問題点を解決するための手段 ・作用 ・　実施例（第１実施例・・・第２．３図、第２実施例
・・・第４図） ・　発明の効果 〔概　要〕 帯域通過フィルタ（ＢＰＦ）に特定帯域阻止フィルタ（
ＢＲＦ）を−棒状に結合して通過帯域外に減衰極を有す
るフィルタを構成し、ＢＰＦの共振用穴（共振素子）の
個数（フィルタ段数）を必要最小限に構成することを可
能とし、通過損失の低減化及び消費電力の低減化を可能
とする。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、誘電体ブロックに所定間隔で複数の共振用穴
を形成し、この穴を共振素子として構成した多段構成の
誘電体フィルタに関し、特に通過帯域外の減衰帯域にお
ける特定帯域を部分的に所定減衰量に減衰可能とした誘
電体フィルタに関するものである。

無線装置においては、使用周波数に応じてＶＨＦ帯、Ｕ
ＨＦ帯あるいはマイクロ波帯用のフィルタが用いられて
いる。車載無線あるいは携帯無線等の移動線装置に用い
られるフィルタは、使用性及び搭載スペースの点から機
械的及び電気的に安定でかつ小形軽量であることが要求
される。このような要求に応じたフィルタとして誘電体
フィルタが開発されている。この種の誘電体フィルタは
、使用周波数の共振用穴（共振素子）の個数を増加すれ
ば、つまりフィルタの段数を増加すれば減衰帯域の減衰
量を増加すること（減衰特性曲線をシャープにすること
）ができるが、その反面通過損失が増大し、これにより
消費電力が増大化されるという特性を有している。成る
種の無線装置は、減衰帯域のうち特定の減衰帯域を部分
的に所定の減衰量に減衰させる必要があるが、その他の
減衰帯域はそれほど減衰させる必要がないものがある。

本発明は、特にこのような無線装置用として好適な誘電
体フィルタに関するものである。

［従来の技術］ 第５図は従来の誘電体フィルタを示す図である。

同図において、直方体形状の誘電体ブロック１に所定間
隔で複数（この場合は８個）の共振用穴２が貫通形成さ
れ、これら共振用穴２の間に電磁界結合調整穴３が貫通
形成される。各共振用穴２の内面に内部導体膜２ａが厚
膜焼成等の手法によりメタライズして形成される。尚、
結合調整穴３の内面はメタライズされない。ブロック１
の共振用穴２の開口を含む一表面、つまりこの場合は共
振用穴の軸線と直交するブロック上面１ａを除く地表全
体に外部導体膜（斜線にて示す）ｌｂが形成され、上面
１ａが電磁界の開放面（非メタライズ面）に形成され、
かつ下面１１ｃが短絡面として設定される。共振用穴２
の内部導体膜２ａはその上端が上面１ａで開放され、下
端がブロック下面ｌｃの外部導体膜１ｂに短絡される。

これにより共振用２が共振素子として構成される。従っ
て、この場合は、共振用穴が８個設けられているので、
共振用穴２の長さＨ（実質的に内部導体膜を有する部分
の長さ）に基づく８段構成の帯域通過フィルタ（バンド
・パス・フィルタ；ＢＰＦ）に構成される。すなわち、
例えば共振用穴の長さＨを通過帯域の中心周波数（基本
波）の１／４波長に設定することによって１／４波長誘
電体フィルタが構成される。共振用穴２のうち両端の共
振用穴は、金属棒体４が入口部分に挿入固着され、この
金属棒体４にコンデンサ５が接続され、このコンデンサ
５に接続された入・出力端子６−１．６−２を介して外
部回路に接続される。シールドカバー７は金属材から形
成されたもので、下面側が開口され、高さＨｌを有する
箱形状に形成される。このシールドカバー７はブロック
上面１ａ全体を被う形態で上面ｌａ上に配置固定される
。

この誘電体フィルタは上述のように構成されたもので、
第６図に示すような減衰特性を有する。

第６図は、縦軸に減衰量をとり、横軸に周波数ｒ（ＭＨ
，）をとって、減衰特性を示しである。同図において、
ｆｏは通過帯域の中心周波数（基本波）を示し、実線で
示す特性面ｙＡＡは８段構成フィルタ（ＢＰＦ）の減衰
特性、そして破線Ｂで示す特性曲線Ｂは５段構成フィル
タ（ＢＰＦ）の減衰特性を示している。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来の誘電体フィルタ（ＢＰＦ）にあっては、例え
ば、第６図において、基本波ｆ０の高帯域側の周波数ｆ
１とｆ２の特定帯域をそれぞれＬ＋（ｄＢ）とＬ２（ｄ
Ｂ）に減衰する必要があり、かつ低帯域側の周波数ｆ、
の特定帯域をｔ、ｚ（ｄＢ）に減衰する必要があり、そ
の他の減衰帯域はそれほど減衰する必要がなく、例えば
５段構成フィルタの減衰量（曲線Ｂ）程度でよいという
場合でも、上記り、、Ｌ２．Ｌ３の減衰量を得るために
、この場合は８段構成のフィルタを使用する必要がある
。

このように従来の誘電体フィルタは、減衰帯域のうち特
定帯域を部分的にさらに減衰させる必要がある場合には
、段数を増加させる必要があり、このため通過損失が増
大し、これに伴って無線装置の消費電力が増大化される
という問題があった。

本発明は、このような問題点にかんがみて創作されたも
ので、減衰帯域のうち特定帯域を部分的にさらに減衰さ
せる必要がある場合、この特定帯域のみを部分的に必要
減衰量に減衰させ、他の減衰帯域は必要最小限に減衰さ
せて、帯域通過フィルタ（ＢＰＦ）の段数を最小限にと
どめることが可能な誘電体フィルタを提供することを目
的としている。

〔問題点を解決するための手段〕

第１図は本発明の基本構成を示す図であって、（イ）は
斜視図、（ロ）は（イ）のＰ矢視端面断面図である。本
発明に係わる誘電体フィルタは、第１の誘電体ブロック
１１に基づいて形成される帯域通過フィルタ（バンド・
バス・フィルタ；ＢＰＦ）１０と、第２の誘電体ブロッ
ク２１に基づいて形成される特定帯域阻止フィルタ（バ
ンド・リジェクション・フィルタ；ＢＲＰ）２０とを一
体状に機械的及び電気的に結合して構成される。

第１図において、符号１１は第１の誘電体ブロック、１
１ａはブロック上面（開放面）、１１ｂは外部導体膜、
ＩＩｃはブロック側面、１２．１３．１４．１５．１６
は共振用穴、１２ａ、１３ａ、１４ａ、１５ａ、１６ａ
は内部導体膜、１７は電磁界結合調整穴をそれぞれ示し
、そして、符号２１は第２の誘電体ブロック、２１ａは
ブロック上面（開放面）、２１ｂは外部導体膜、２１Ｃ
はブロック側面、２２，２３．２４は共振用穴、２２ａ
。

２３ａ、２４ａは内部導体膜、２７は金属棒体、２８は
コンデンサ、２９は接続線、３０−１．３０−２は入出
力端子をそれぞれ示す。尚、実際上は、ブロック上面１
１ａ、２１ａは開口を有する箱形状のシールドカバー（
図示なし）によってシールドされる。

本発明では、前記従来技術の問題点を解決するだめの手
段として、第１図に示すように、第１の誘電体ブロック
１１に所定間隔で複数の共振用穴１２、１３．１４．１
５．１６を配列形成し、前記共振用穴１２〜１６の内面
に内部導体膜１２ａ、１３ａ、１４ａ、１５ａ、１６ａ
を、かつ前記共振用穴１２〜１６の開口を含む一表面を
除く前記第１のブロック１１の他表面に外部導体膜１１
ｂをそれぞれ形成し、 前記共振用穴１２〜１６の長さに基づく共振周波数の帯
域通過フィルタ（ＢＰＦ）１０を形成し、第２の誘電体
ブロック２１に少くとも１個の共振用穴２２，２３．２
４を形成し、 前記共振用穴２２〜２４の内面に内部導体膜２２　ａ　
、　２３　ａ　、　２４　ａを、かつ前記共振用穴２２
〜２４の開口を含む一表面を除く前記第２のブロック２
１の他表面に外部導体膜２１ｂをそれぞれ形成し、 前記各共振用穴２２〜２４それぞれの長さに基づいて、
前記帯域通過フィルタ１０の減衰帯域のうち少くとも一
つの特定帯域をさらに部分的に減衰可能な特定帯域阻止
フィルタ（ＢＲＦ）２０を形成し、 前記第１のブロック１１と第２のブロック２１を、これ
らの共振用穴１２〜１６．２２〜２４の軸線と平行な側
面１１ｃ、２１ｃ同士を突き合せて一体状に結合し、か
つ前記第１と第２のブロックの共振用穴１２〜１６．２
２〜２４相互間を適宜に選定して電気的に接続して構成
したことを特徴とする誘電体フィルタを提供する。

〔作　用〕

特定帯域阻止フィルタ（ＢＲＦ）２０の各共振用穴２２
〜２４の長さく実質的に内部導体膜を有する部分の長さ
）をそれぞれ、帯域通過フィルタ（ＢＰＦ）１０の減衰
帯域のうち所望の各特定帯域の波長に基づく長さにそれ
ぞれ設定することにより、上記各特定帯域を部分的にさ
らに減衰させることができる。例えば、共振用穴２２の
長さを中心周波数がｆ、の特定帯域の波長に基づく長さ
く例えば、１／４波長）に設定し、ＢＰＦ　１０の共振
用穴１２（但し、１２〜１６のいずれでもよい）にコン
デンサ２８を介して接続すると、共振用穴２２は誘導リ
アクタンスに相当することになり、この共振用穴２２と
コンデンサ２８はＢＰＦｌｏのフィルタ回路とアース回
路間に直列接続された共振回路を構成することになる。

この直列共振回路は上記特定帯域の周波数ｆ、に共振す
ると、この直列回路（２２，２８）のインピーダンスが
最小となってほとんど零（０）状態になり、周波数ｆ。

の電波をショート（短絡）させることになる。この結果
、ＢＰＦＩＯのフィルタ回路に入力された周波数ｆ１の
特定帯域の電波は減衰（阻止）されることになる。従っ
て、第１図の場合は、第２のブロック２１に３個の共振
用穴２２，２３．２４が設けられているので、周波数の
異なる３つの特定帯域をそれぞれ部分的に減衰させるこ
とができる。

〔実施例〕

第２．３．４図は本発明の詳細な説明するための図であ
る。尚、これらの図において、前出の第１図と同一部分
又は相当部分は同一符号を付して示しである。

第２図は第１実施例を示す図であって、（イ）は斜視図
、（ロ）は（イ）のＰ矢視端面断面図、（ハ）は（イ）
のＱ矢視ブロック１１の側面部分断面図である。同図に
おいて、高い比誘電率を有するセラミック材等から成る
直方体状の第１の誘電体ブロック１１に所定間隔で長手
方向に配列する複数（この場合は５個）の共振用穴１２
．１３．１４゜１５、１６が貫通形成され、これら共振
用穴１２〜１６の間に電磁界結合調整穴１７がそれぞれ
貫通形成される。ブロック１１の共振用穴１２〜１６の
軸線と直交する上面１１ａにおける共振用穴１２〜１６
の開口を含む部分が上面１１ａから所定の段差Ｈ２を有
する長溝（凹所）１８として形成される。ブロック上面
１１ａの片側に長手方向と直交状のガイド溝１９が共振
用穴１２．１４．１６それぞれに対応しかつ長溝１８の
段差Ｈ２よりも小さい段差を有して形成される。各共振
用穴１２〜１６の内面に内部導体膜１２ａ、１３ａ、１
４ａ、１５ａ、１６ａがメタライズされて形成され（結
合調整穴１７の内面はメタライズされない）、かつ共振
用穴１２〜１６の開口を少（とも含む表面、すなわちこ
の場合は長溝１８の底面１８ａを除くブロック１１の他
表面に外部導体膜（図中、斜線にて示す）１１ｂがメタ
ライズされて形成され、ブロック１１の下面側が短絡面
に設定され、これにより共振用穴１２〜１６が共振素子
として構成される。本例では、長溝１８の底面１８ａが
非メタライズ面に形成されるので、この底面が電磁界の
開放面として形成される。尚、長溝１８の側面１８ｂは
、本例の場合、非メタライズ面として形成されているが
、これをメタライズ面に形成してもよく、メタライズ面
に形成することによって電界の閉じ込め効果が若干向上
する。共振用穴１２〜１６の内部導体膜１２ａ〜１６ａ
は、（ロ）図に示すように、上端（一端）が長溝の底面
１８ａで開放され、下端（他端）がブロック１１の下面
の外部導体膜１１ｂに短絡されている。従って、共振用
穴１２〜１６は、その長さく実質的に内部導体膜を有す
る部分の長さ）、すなわち、本例の場合はブロック１１
の下面から長講１８の底面１８ａまでの長さＨを通過帯
域の波長に基づく長さく例えば、１／４波長）に設定す
ることによって、通過帯域で共振する共振素子として構
成される。本例の場合、ブロック１１に共振用穴（１２
〜１６）が５個設けられているので、ブロック１１に基
づくフィルタとして５段構成の帯域通過フィルタ（バン
ド・パス・フィルタ；ＢＰＦ）１０が形成される。尚、
ブロック１１の上面１１ａに長溝１８を設け、その底面
１８ａを開放面に形成することによって、フィルタ全体
の高さを、前述した従来例（第５図）の場合よりも低く
設定することができる。すなわち、この底面１８ａの面
積は当然のことながらブロック上面１１ａ全体の面積よ
りも小さいので、この底面１８ａからの電波放射量はブ
ロック上面１１ａ全体を開放面に形成した場合に比べて
少い。また底面１８ａの両側が両側面１８ａによって囲
まれているので、底面１８ａから放射しようとする電波
はこの両側面１８ｂによって抑制される。このため底面
（開放面）１８ａと電波シールド面との間隔を小さく設
定することが可能となり、長１１８の段差（深さ）Ｈｚ
を小さく設定することができる。この段差Ｈ２は、前述
した従来例（第５図）における箱形状のシールドカバー
（７）の高さＨ，（但し、天井板の厚さを除く）に対応
するものであり、このシールドカバー（７）の高さＨ７
よりも大幅に小さく設定することができる。

直方体状の第２の誘電体ブロック２１には、上記第１の
誘電体ブロック１１の場合と同様な要領で、外部導体膜
２１ｂ、共振用穴２２．２３．２４、内部導体膜２２ａ
、２３ａ、２４ａ、長溝（凹所）２５、ガイド溝２６が
形成される。そして、この場合、共振用穴２２，２３．
２４は第１のブロック１１の共振用穴１２゜１４、１６
にそれぞれ対応して設けられ、かつガイド溝２６は、第
１のブロック１１のガイド溝１９と整合するように設け
られる。各共振用穴２２，２３．２４の長さく実質的に
内部導体膜２２　ａ　、　２３　ａ　、　２４　ａを有
する部分の長さ）は、互に異なって設定され、かつ第１
のブロック１１の共振用穴１２〜１６の長さとも異なっ
て設定される。すなわち、本例の場合は、第１のブロッ
ク１１に基づいて形成されたＢＰＦＩＯの通過帯域の中
心周波数（基本波）を第３図に示すようにｆｏとし、減
衰帯域において部分的に減衰すべき特定帯域の周波数を
ｆｌ＋ｆ、、ｆ、とすると、共振用穴２２の長さはｆｌ
の波長に基づく長さく例えば、１．／４波長）に、共振
用穴２３の長さはｆ２の波長に基づく長さに、そして共
振用穴２４の長さはｆ、の周波数の波長に基づく長さに
それぞれ設定される。そして、第３図から明らかなよう
に、ｆｏ、ｆ、、ｆ２．ｆ。

はｆ２＞ｆ、＞ｆｏ＞ｆ３なる関係にある。従って、共
振用２２と２３の長さは第１のブロック１１の共振用穴
１２〜１６の長さよりも短く、そして共振用穴２４の長
さは前記共振用穴１２〜１６の長さよりも長く設定され
る。尚、共振用穴２２の長さは、当然のことながら、ｆ
２＞ｆ、であるので、共振用穴２３の長さよりも長（設
定される。このように各共振用穴２２，２３．２４の長
さを減衰帯域における各特定帯域の周波数（ｆ＋、ｆｚ
。

ｒ３）の波長に基づく長さく例えば、１／４波長）に設
定することにより、第２のブロック２１に基づいて特定
帯域阻止フィルタ（バンド・リジェクション・フィルタ
；ＢＲＦ）２０が構成される。

尚、本例のＢＲＦ　２０の場合は共振用穴（２２，２３
゜２４）が３個設けられているので、３ケ所の特定帯域
を部分的にさらに減衰させることができるが、この共振
用穴の個数は、勿論、必要に応じて任意に設定すること
ができる。

第１のブロック１１と第２のブロック２１は、それぞれ
の共振用穴（１２〜１６．２２〜２４）の軸線と平行な
側面１１ｃ、２１Ｃ同士が外部導体膜（１１ｂ又は２１
ｂ）を介して突き合わされ、厚膜焼成法等の手法により
一体状に互いに結合される。

第１のブロック１１の共振用穴１２．１４．１６と、第
２のブロック２１の共振用穴２２．２３．２４に金属棒
体２７が挿入固着され、この金属棒体２７にコンデンサ
２８が接続され、コンデンサ２８に接続線２９がそれぞ
れ接続される。この場合、各接続線２９はガイド溝１９
，２６に案内され、共振用穴１２と２２．１４と２３．
１６と２４相互間をそれぞれ電気的に接続している。第
１のブロック１１の共振用穴１２と１６のコンデンサ２
８に入出力端子（この場合は接続線）３０−１．３０−
２がそれぞれ接続される。第１のブロック上面１１ａと
第２のブロック上面２１ａ上に、単板状に形成された簡
易構造の金属製シールド板３１が配置固設される。尚、
符号２１ａはブロック２１の上面（この場合はメタライ
ズ面）、２５ａは長溝２５の底面（開放面）、２５ｂは
長溝の側面をそれぞれ示す。

本例は、上述の如く構成されたものであり、第３図に示
すような減衰特性を有する。第３図は、縦軸に減衰量Ｌ
　（ｄＢ）をとり、横軸に周波数ｆ（ＭＨｚ）をとって
減衰特性を示している。第３図において、前述したよう
に、ｆｏは通過帯域の中心周波数、そして、ｆ、、ｆ２
．ｆ、は減衰帯域（通過帯域外）における部分的に減衰
すべき特定帯域の周波数をそれぞれ示す。図中、実線で
示す曲線Ｃが本例の減衰特性曲線であり、曲線Ａ（二点
鎖）とＢ（破線）は前述した第６図の特性曲線ＡとＢに
相当する特性曲線を示していいる。

従って、曲線Ａは８段構成のＢＰＦ　（帯域通過フィル
タ）の特性曲線を示し、曲線Ｂは５段構成のＢＰＦの特
性曲線を示している。本例は、特性曲線Ｃが示すように
、周波数ｆ１．　　Ｚ、ｆ３の特定帯域をそれぞれＬ＋
　、Ｌｘ　、Ｌ３の減衰量に減衰する必要があり、その
他の帯域はそれほど減衰させる必要がなく、例えば、５
段構成のＢＰＦの減衰ｉｔ（曲線Ｂ）で十分であるとい
う場合、特定帯域阻止フィルタ（ＢＲＦ）２０によって
周波数ｆ、、ｆ、、ｆ、の特定帯域を部分的にそれぞれ
Ｌ＋　、Ｌｚ　、Ｌｓの減衰量に減衰させることができ
、その他の減衰帯域を５段構成のＢＰＦ　１０で必要十
分に減衰させることができる。このように、本例は、通
過帯域外（減衰帯域）に減衰極を有するように構成され
たもので、例えば、従来技術では８段構成のＢＰＦが必
要であった場合、５段構成のＢ　Ｐ　Ｆ　（１０）で十
分に役割を果すことができる、つまりＢＰＦの段数を減
少することができるという利点があり、この結果、通過
損失の低減化及び無線装置の消費電力の低減化を図るこ
とができる。

第４図は、第２実施例を示す図であって、（イ）は平面
図、（ロ）は（イ）のり、−Ｄ２線断面図である。本例
は、前出の第１実施例（第２図）における第１のブロッ
ク１１と第２のブロック２１の長溝１８，２５の代りに
各共振用穴１２〜１６゜２２〜２４の開口部に座くり穴
（凹所）１８−１゜２５−１をそれぞれ設け、かつそれ
ぞれの底面１８−１ａ、２５−１ａを開放面に形成した
点が王として第１実施例と異なり、その他に関しては第
１実施例と同様に構成される。尚、１９−１は入出力端
子３０−１．３０−２のガイド溝である。

本例は、座ぐり穴１８−１．ｊ５−１の底面（開放面）
１８−１ａ、２５−１ａの全外周が側面１８−１ｂ、２
５−１ｂによってそれぞれ取り囲まれているので開放面
からの放射電波の抑制効果を第１実施例よりも若干高め
られるという利点があるが、他の作用効果は第１実施例
と同様である。

尚、本発明は、上記各実施例に限定されるものではなく
、例えば、ＢＰＦ（１０）とＢＰＦ（２０）の共振用穴
（１２〜１６．２２〜２４）の個数は必要に応じて任意
に設定することができ、また、長溝１８．２５及び座ぐ
り穴１Ｂ−１，２５−１の縦断面形状を上記実施例に示
す形状と異なる形状（例えば、テーバ状）に形状しても
よく、さらには第１のブロック１１と第２のブロック２
１の結合側面１１ｃ、２１ｃのいずれか一方に嵌合凸部
を設け、他方に嵌合凹部を設けて両者の機械的結合強度
を高めることもでき、その他種々の変形例に適用するこ
とも可能である。

〔発明の効果〕

以上説明してきたように、本発明によれば、ＢＰＦ（１
０）にＢＲＦ（２０）を−棒状に結合して構成すること
により、Ｂ　Ｐ　Ｆ　（１０）の共振用穴（共振素子）
の個数、つまりＢＰＦ（１０）の段数を必要最小限に構
成することが可能となり、通過損失の低減化、及び無線
装置の消費電力の低減化を図ることができるという好ま
しい効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の基本構成を示す図、 第２図は本発明の第１実施例を示す図、第３図は第１実
施例の減衰特性を示す図、第４図は本発明の第２実施例
を示す図、第５図は従来例を示す図、 第６図は従来例の減衰特性を示す図である。 第１．２，３．４図において、 １０は帯域通過フィルタ（Ｂ　Ｐ　Ｆ）、２０は特定帯
域阻止フィルタ（Ｂ　ＲＦ）、１１と２１は第１と第２
の誘電体プロ・７り、１１ａと２１ａはブロック上面（
共に第１図では開放面） １１ｂと２１ｂは外部導体膜、 １１Ｃと２ＩＣはブロック側面、 １２．１３，１４，１５，１６，２２，２３．２４は共
振用穴（共振素子）、 １２ａ、　１３ａ、　１４ａ、　１６ａ、　２２ａ、　
２３ａ、　２４ａは内部導体膜、１７は結合調整穴、 １８．２５は長溝（凹所）、 １８−１．２５−１は座ぐり穴（凹所）、１８ａ、２５
ａ、１８−１ａ、２５−１ａは底面（開放面）、１９．
１９−１．２６はガイド溝、 ２７は金属棒体、 ２８はコンデンサ、 ２９は接続線、 ３０−１．３０−２は入出力端子、 ３１はシールド板、 をそれぞれ示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、第１の誘電体ブロック（１１）に所定間隔で複数の
   共振用穴（１２、１３、１４、１５、１６）を配列形成
   し、前記共振用穴（１２〜１６）の内面に内部導体膜（
   １２ａ、１３ａ、１４ａ、１５ａ、１６ａ）を、かつ前
   記共振用穴（１２〜１６）の開口を含む一表面を除く前
   記第１のブロック（１１）の他表面に外部導体膜（１１
   ｂ）をそれぞれ形成し、 前記共振用穴（１２〜１６）の長さに基づく共振周波数
   の帯域通過フィルタ（ＢＰＦ）（１０）を形成し、第２
   の誘電体ブロック（２１）に少くとも１個の共振用穴（
   ２２、２３、２４）を形成し、 前記共振用穴（２２〜２４）の内面に内部導体膜（２２
   ａ、２３ａ、２４ａ）を、かつ前記共振用穴（２２〜２
   ４）の開口を含む一表面を除く前記第２のブロック（２
   １）の他表面に外部導体膜（２１ｂ）をそれぞれ形成し
   、 前記各共振用穴（２２〜２４）それぞれの長さに基づい
   て、前記帯域通過フィルタ（１０）の減衰帯域のうち少
   くとも一つの特定帯域をさらに部分的に減衰可能な特定
   帯域阻止フィルタ（ＢＲＦ）（２０）を形成し、 前記第１のブロック（１１）と第２のブロック（２１）
   を、これらの共振用穴（１２〜１６、２２〜２４）の軸
   線と平行な側面（１１ｃ、２１ｃ）同士を突き合せて一
   体状に結合し、かつ前記第１と第２のブロックの共振用
   穴（１２〜１６、２２〜２４）相互間を適宜に選定して
   電気的に接続して構成したことを特徴とする誘電体フィ
   ルタ。