JPH04112530A - 半導体ウェハーのエッチング処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体ウェハーのエツチング処理方法に関し
、特に前以て埋込み拡散等により表面に酸化膜か形成さ
れた複数枚の半導体ウェハーを、互いに平行になるよう
にキャリー上に垂直に配設した状態て、エツチング槽内
に収容して、該エツチング槽内にエツチング液を循環さ
せることにより、各半導体ウェハーの酸化膜のエツチン
グ処理を行なうようにした半導体ウェハーのエツチング
処理方法の改良に関するものである。

〔従来の技術〕

従来、半導体装置を製造する場合、例えば第３図に示す
ように、先づ半導体ウェハー、図示の場合ンリコンウェ
ハー１　（第３図（Ａ）参照）に対して、その表面の酸
化シリコン２のない領域に、アンチモン３を埋込み拡散
させる。その際、該半導体ウェハー１の表面には、酸化
アンチモン（ＳｂＯｌ）の膜４が形成されることになる
（第３図（Ｂ）参照）ので、この酸化膜４をエツチング
処理によって、除去する（第３図（Ｃ）参照）ようにし
ている。

このエツチング処理は、第４図及び第５図に示すような
エツチング槽５を使用して行なわれる。

即ち、エツチング槽５は、上方か開放した直方体の形状
に形成されていると共に、底部のほぼ中央に備えられた
エツチング液流入口５ａと、その上縁の全周に亘って配
設されたオーバーフロー部５ｂとを有している。循環ポ
ンプ６から供給されたエツチング液は、該エツチング液
流入口５ａを介して、エツチング槽５内に導入され、該
エツチング槽５の上縁から溢れたエツチング液は、オー
バーフロー部５ｂを通って再び循環ポンプ６内に戻され
るようになっており、これにより、エツチング液が循環
せしめられ得る。

このように構成されたエツチング槽５を使用して、半導
体ウェハーのエツチング処理を行なう場合、予め複数枚
の半導体ウェハー７を互いに平行になるようにキャリー
８上に垂直に載置して、該半導体ウェハー７をキャリー
８ごとエツチング槽５内に収容した後、循環ポンプ６を
運転して、該エツチング槽５内にエツチング液を循環さ
せ、各半導体ウェハー７の間にエツチング液を流すこと
により、該半導体ウェハー７の酸化膜のエツチング処理
を行なうようになっている。

〔発明か解決しようとする課題〕

しかしながら、このような構成のエツチング槽５を使用
した半導体ウェハーのエツチング処理においては、エツ
チング槽５内にて、エツチング液は、該エツチング槽５
の底部中央に位置するエツチング液流入口５ａから放射
状に広かって、該エツチング槽５の上縁の周囲に達し、
該上縁から溢れ出て、オーバーフロー部５ｂに流入する
ことから、該エツチング槽５の長手方向に対して垂直に
並へられた各半導体ウェハー７の間の領域における流れ
の効率か低下することになり、従ってエツチング処理に
よってエツチング液中に溶解した酸化膜の濃度か高くな
ってしまい、溶解した酸化膜か再結晶し、エツチング処
理によって露出した半導体ウェハー７のシリコン表面に
吸着されて、不正結晶１８として析出することがあった
。このような不正結晶１８の存在は、その後のエピタキ
ンヤル成長の際に、表面欠陥、結晶欠陥等を生しさせる
こととなり、製造すべき半導体デバイスの製品歩留まり
が低下する等の問題かあった。

本発明は、上述の点に鑑み、エツチング槽内のエツチン
グ液の流れの効率を良好にすることにより、不正結晶の
析出が発生しないようにした半導体ウェハーのエツチン
グ処理方法を提供することを目的としている。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的は、本発明によれば、前以て埋込み拡散等によ
り表面に酸化膜か形成された複数枚の半導体ウェハーを
、互いに平行になるようにキャリー上に垂直に配設した
状態で、エツチング槽内に収容して、該エツチング槽内
にエツチング液を循環させることにより、各半導体ウェ
ハーの酸化膜のエツチング処理を行なうようにした半導
体ウェハーのエツチング処理方法において、該エツチン
グ槽の底部領域にて、該半導体ウェハーの軸方向、即ち
長手方向に沿って並んだ複数個のエツチング液流入口と
、該エツチング槽の上記長手方向に沿って延びる側縁に
のみ該エツチング液が流出し得るオーバーフロー部とを
備えていることにより、該エッチング液が、該半導体ウ
ェハーの表面に沿って、効率良く流れるようにしたこと
を特徴とする半導体ウェハーのエツチング処理方法によ
り、達成される。

〔作　用〕

この発明によれば、複数個のエツチング液流入口か、該
エツチング槽の底部領域にて、該半導体ウェハーの軸方
向、即ち長手方向に沿って並んでいるとともに、オーバ
ーフロー部か該エツチング槽の上記長手方向に沿って延
びる側縁にのみ設けられていることから、該エツチング
槽内において、エツチング液は、底部の長手方向に沿っ
て並んだエツチング液流入口から、上記長手方向に対し
て横向きにほぼ平行に進んで、対向するエッチング槽の
側縁の上端に達し、該上端から溢れ出て、オーバーフロ
ー部に流入するので、該エツチング槽の長手方向に対し
て垂直に並べられた各半導体ウェハーに対して、該半導
体ウェハーの間の領域における流れの効率が向上せしめ
られることになり、従ってエツチング処理によるエツチ
ング液中に溶解した酸化膜の濃度が高くなるようなこと
がないことから、溶解した酸化膜かエツチング処理によ
って露出した半導体ウェハー７のシリコン表面に吸着さ
れて、不正結晶として析出することはなく、これにより
その後のエピタキシャル成長の際に、表面欠陥、結晶欠
陥等が発生しないのて、製造すべき半導体デバイスの製
品歩留まりが向上することになる。

〔実施例〕

以下、図面に示した一実施例に基づいて本発明をさらに
詳細に説明する。

第１図は本発明によるエツチング処理方法を実施するた
めのエツチング槽の一実施例を示しており、エツチング
槽ＩＯは、上方か開放した直方体の形状に形成されてい
ると共に、底部の長手方向のほぼ中央に沿って一列に並
んで配設された複数個のエツチング液流入口】１と、そ
の側縁のうち該長手方向に沿って延びている、互いに対
向した二つの側縁に関して、その上縁に沿って配設され
たオーバーフロー部１２とを有している（第２図参照）
。該エツチング液流入口１１には、循環ポンプ１３が接
続されている。該循環ポンプ１３には、上記オーバーフ
ロー部１２からのエツチング液が、供給されるようにな
っており、これにより、エツチング液が、該エツチング
液流入口１１を介して、エツチング槽１０内に導入され
、該エツチング槽１０の前記側縁の上端から溢れ出たエ
ツチング液は、オーバーフロー部１２を通って再び循環
ポンプ１３内に戻されるようになっており、これにより
、エツチング液が循環せしめられ得る。

本発明によるエツチング槽１０は以上のように構成され
ており、このエツチング槽ＩＯにより半導体ウェハーの
エツチング処理を行なう場合、第３図に示した従来のエ
ツチング槽５の場合と同様に、予め複数枚の半導体ウェ
ハー１４を互いに平行になるようにキャリー１５上に垂
直に載置して、該半導体ウェハー１４をキャリー１５ご
とエツチング槽１０内に収容した後、循環ポンプ１３を
運転すれば、該循環ポンプ１３の作用により、該エツチ
ング槽１０内にエツチング液が循環せしめられ、各半導
体ウェハー１４の間にエツチング液が流れることにより
、核半導体ウェハー７の酸化膜のエツチング処理が行な
われる。

この場合、複数個のエツチング液流入口１１か、該エツ
チング槽ｌＯの底部領域にて、該半導体ウェハー１４の
軸方向、即ち長平方向に沿って並んでいるとともに、オ
ーバーフロー部１２か、該エツチング槽１０の上記長手
方向に沿って延びる側縁にのみ設けられていることから
、該エツチング槽ＩＯ内において、エツチング液は、底
部の長手方向に沿って並んだエツチング液流入口１１か
ら、上記長手方向に対して横向きにほぼ平行に進んて、
対向するエツチング槽１０の側縁の上端に達し、該上端
から溢れ出て、オーバーフロー部１２に流入する。従っ
て、該エツチング槽１０の長手方向に対して垂直に並べ
られた各半導体ウェハー１４に対して、該半導体ウェハ
ー１４の間の領域における流れは、該半導体ウェハー１
４によって妨げられず、流れの効率が向上せしめられ得
る。これにより、エツチング処理によるエツチング液中
に溶解した酸化膜は、常に効率的にエツチング液により
洗い流されることになるので、該半導体ウェハー１４の
表面付近で、その溶解濃度が高くなることはなく、従っ
て溶解した酸化膜かエツチング処理によって露出した半
導体ウェハー１４のシリコン表面に吸着されて、不正結
晶として析出するようなことはない。

〔発明の効果〕

以上述へたように、本発明によれば、エツチング槽の半
導体ウェハーの表面に沿って、平行にエツチング液を流
すようにして、エツチング槽内のエツチング液の流れの
効率を良好にすることにより、不正結晶の析出か発生す
ることのない、極めて優れた半導体ウェハーのエツチン
グ処理方法か提供され得ることになる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるエツチング処理方法を実施するた
めのエツチング槽の一実施例を示す概略断面図、第２図
は第１図のエツチング槽の概略平面図、第３図は従来の
エツチング処理方法を順次示す概略図、第４図は従来の
エツチング槽の一例を示す概略断面図、第５図は第４図
のエツチング槽の概略平面図である。 ０・・・エツチング槽、 ■・・・エツチング液流入口、 ２・・・オーバーフロー部、 ３・・・循環ポンプ、 ４・・・半導体ウェハー　　１ ５・・・キャリー

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　前以て埋込み拡散等により表面に酸化膜が形成された
   複数枚の半導体ウェハーを、互いに平行になるようにキ
   ャリー上に垂直に配設した状態で、エッチング槽内に収
   容して、該エッチング槽内にエッチング液を循環させる
   ことにより、各半導体ウェハーの酸化膜のエッチング処
   理を行なうようにした半導体ウェハーのエッチング処理
   方法において、 該エッチング槽の底部領域にて、該半導体ウェハーの軸
   方向、即ち長手方向に沿って並んだ複数個のエッチング
   液流入口と、該エッチング槽の上記長手方向に沿って延
   びる側縁にのみ該エッチング液が流出し得るオーバーフ
   ロー部とを備えていることにより、該エッチング液が該
   半導体ウェハーの表面に沿って、効率良く流れるように
   したことを特徴とする半導体ウェハーのエッチング処理
   方法。