JPH04108785A - ビチオフェン誘導体及びその製造方法 - Google Patents
ビチオフェン誘導体及びその製造方法Info
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- JPH04108785A JPH04108785A JP22404590A JP22404590A JPH04108785A JP H04108785 A JPH04108785 A JP H04108785A JP 22404590 A JP22404590 A JP 22404590A JP 22404590 A JP22404590 A JP 22404590A JP H04108785 A JPH04108785 A JP H04108785A
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Landscapes
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(r業上の利用分野)
本発明は、新規なビチオフェン銹導体、詳しくは、それ
を重合体とすることにより有R電子材料として広く利用
しうる新規なビチオフェン銹導体及びその製造方法に関
するものである。
を重合体とすることにより有R電子材料として広く利用
しうる新規なビチオフェン銹導体及びその製造方法に関
するものである。
(従来の技術)
チオフェン等の複素環化合物を電解重合または化学酸化
重合して得られる有機導電性組成物としては、ポリチオ
フェン、ポリ(3−アルキルチオフェノ)、ポリ(3−
メトキノチオフェン)、ポリベンゾチオフェン、ポリ(
3−フェニルチオフェン)、ポリピロール等が知られて
いる。これら組成物は、成彩性、可どう性及び溶解性に
優れており、高分子導電体として広く利用しうるもので
ある。また、電解重合膜を形成、または塗膜を形成する
などの方法で導電基板上に簿膜を作製することにより修
飾電極として利用することができる。 しかし、これら
ポリチオフェン銹導体では化学J44が極めて限定され
ているために、電気化学的特性、溶解性、分光特性が限
定されているので、ポリチオフェン銹導体の利用分野が
制限されるのを免れなかった。
重合して得られる有機導電性組成物としては、ポリチオ
フェン、ポリ(3−アルキルチオフェノ)、ポリ(3−
メトキノチオフェン)、ポリベンゾチオフェン、ポリ(
3−フェニルチオフェン)、ポリピロール等が知られて
いる。これら組成物は、成彩性、可どう性及び溶解性に
優れており、高分子導電体として広く利用しうるもので
ある。また、電解重合膜を形成、または塗膜を形成する
などの方法で導電基板上に簿膜を作製することにより修
飾電極として利用することができる。 しかし、これら
ポリチオフェン銹導体では化学J44が極めて限定され
ているために、電気化学的特性、溶解性、分光特性が限
定されているので、ポリチオフェン銹導体の利用分野が
制限されるのを免れなかった。
(発明が解決しようとする課題)
3−アルキルチオフェノを重合して得られるポリ(3−
アルキルチオフェン)は高い電’J度を示すが、有機溶
媒に十分には溶解せずにかなり多くの部分が有機溶媒に
不溶なものとして残るなど溶解性に大きな問題がある。
アルキルチオフェン)は高い電’J度を示すが、有機溶
媒に十分には溶解せずにかなり多くの部分が有機溶媒に
不溶なものとして残るなど溶解性に大きな問題がある。
そこで、有機溶媒に可溶な重合体を生成するモノ7−を
開発することが強く望まれている。本発明は、多様な特
性を有するポリチオフェノ系導電性組成物を開発するた
めに鋭意検討を行った結果、3−アルキルチオフェノの
酸化電位が高いために、所期のm合反応たけでなく副反
応により架橋反応が起きるので不溶化する上いう知見に
達した。この知見に五づいて3−アルキルチオフェンの
酸化電位を低下させ、なおかつポリ(3−アルキルチオ
フェン)の優れた電気的特性、分光学的特性を損じるこ
とのない化合物を広く探索した結果、長鎖の3−アルキ
ル−2,2−ビチオフェンがこの目的に適合することを
見出し、4発明を完成するに至ったもので、本発明の目
的は、従来知られていなかったm合性を有する新規な3
−γルキルピチオフェン及びその製造方法をI’J I
I’することにある。
開発することが強く望まれている。本発明は、多様な特
性を有するポリチオフェノ系導電性組成物を開発するた
めに鋭意検討を行った結果、3−アルキルチオフェノの
酸化電位が高いために、所期のm合反応たけでなく副反
応により架橋反応が起きるので不溶化する上いう知見に
達した。この知見に五づいて3−アルキルチオフェンの
酸化電位を低下させ、なおかつポリ(3−アルキルチオ
フェン)の優れた電気的特性、分光学的特性を損じるこ
とのない化合物を広く探索した結果、長鎖の3−アルキ
ル−2,2−ビチオフェンがこの目的に適合することを
見出し、4発明を完成するに至ったもので、本発明の目
的は、従来知られていなかったm合性を有する新規な3
−γルキルピチオフェン及びその製造方法をI’J I
I’することにある。
(f!l!iを解決するための手段)
本発明は、重合することにより有機電子材料となる長鎖
3−フル牛ルー2.2゛−ビチオフェンとその製造方法
を提供するものである。3−フルキルチオフェノは広く
知られた化合物であるが、3−アルキル鋭意探索した結
果、 本発明を完成するに至った。
3−フル牛ルー2.2゛−ビチオフェンとその製造方法
を提供するものである。3−フルキルチオフェノは広く
知られた化合物であるが、3−アルキル鋭意探索した結
果、 本発明を完成するに至った。
本発明は、
一般式
で示されるビチオフェン誘導体であり、−数式
%式%
(式中のRは炭素数6以上のアルキルu、xはハロゲン
元素) で示されるグリニヤール試薬と 一般式 (式中のXはハロゲン元素である) で示される化合物との反応によって得られる。
元素) で示されるグリニヤール試薬と 一般式 (式中のXはハロゲン元素である) で示される化合物との反応によって得られる。
具体的に本発明の化合物の門を列挙すると、3ヘキノル
−2,2°−ビチオフエン、3−へブチル−2,2’
−ビチオフェン、3−オクチル−2,2−ピチオフェン
、3−ノニル−2,2−ビチオフエン、3−デフルー2
,2°−ビチAフエン、3−ウンデ/ルー2.2−ビチ
オフェノ、3−トチ゛/ル−22−ビチオフェン、3−
へ牛すテ゛ンル22゛−ビチオフェン、3−オフタデ/
ルー22°−ビチオフエ7などであり、いずれも文献未
載の新規物111である。
−2,2°−ビチオフエン、3−へブチル−2,2’
−ビチオフェン、3−オクチル−2,2−ピチオフェン
、3−ノニル−2,2−ビチオフエン、3−デフルー2
,2°−ビチAフエン、3−ウンデ/ルー2.2−ビチ
オフェノ、3−トチ゛/ル−22−ビチオフェン、3−
へ牛すテ゛ンル22゛−ビチオフェン、3−オフタデ/
ルー22°−ビチオフエ7などであり、いずれも文献未
載の新規物111である。
次の実施例により、本発明を更に詳細に説明する。
実施例1゜
21の反応容器にマグネシウム30g(1,24sol
)、乾燥エーテル100曽1を仕込み、I−ドデンルブ
ロマイド306g(1,23sol)の乾燥エーテル7
50m1溶液を緩やかにiIl流するように保ちながら
滴下した。滴下後、2時間加熱還流させてグリ二十〜ル
tXlを合成した。21の反応容器に3−ブロモ−2,
2゛−ビチオフェン30.0g (1,22X 10−
’soり、乾燥エーテル200m1、を室温にて70分
間で滴下した。滴下後、同温にて4時間攪拌した。冷却
下、反応混合物に2N塩酸を除々に滴下して未反応のグ
リニヤール試薬と0貯した後、エーテル層を水洗、無水
&llマグネンウムにて乾燥した。溶媒留去後、残虐を
冷却し析出した結晶を細道した。波液を減圧蒸留して1
7.1gの3−ドブ/ルー2.2−ビチオフエンを得た
。
)、乾燥エーテル100曽1を仕込み、I−ドデンルブ
ロマイド306g(1,23sol)の乾燥エーテル7
50m1溶液を緩やかにiIl流するように保ちながら
滴下した。滴下後、2時間加熱還流させてグリ二十〜ル
tXlを合成した。21の反応容器に3−ブロモ−2,
2゛−ビチオフェン30.0g (1,22X 10−
’soり、乾燥エーテル200m1、を室温にて70分
間で滴下した。滴下後、同温にて4時間攪拌した。冷却
下、反応混合物に2N塩酸を除々に滴下して未反応のグ
リニヤール試薬と0貯した後、エーテル層を水洗、無水
&llマグネンウムにて乾燥した。溶媒留去後、残虐を
冷却し析出した結晶を細道した。波液を減圧蒸留して1
7.1gの3−ドブ/ルー2.2−ビチオフエンを得た
。
(bp、 179℃/ 0.25mm11g 収率4
20%)’It NMR(CDC13): o、5aN
ll、t)、 1.2s(lIlll、m)、 1.6
1(211,ml、2.73(211,m)、6.90
(IIl、cl>、7.02(IIl、m)。
20%)’It NMR(CDC13): o、5aN
ll、t)、 1.2s(lIlll、m)、 1.6
1(211,ml、2.73(211,m)、6.90
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7.09(Ill、■)、 7.11(lH,d)、7
.24(III、d)”CNMR(CDCIり: 14
.13.2270.29.N、29.36゜29.46
.29.53.29.60.29.67、3(1,72
,31,94123,63125,18,125,9o
、 127.23. 129.83゜130.51.
H6,24,139,59゜実施例2゜ 200m lの反応容器に、マグネノウムロ(136x
10−’mol)、乾燥エーテルlomlを仕込み、f
i−ヘキ/ルブロマイド20.2g (+、22X I
G−’5ol)の乾燥エーテル70−1溶液を緩やかに
還流するように保ちながら滴下した。滴下後、20g間
加熱還流させた。
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H6,24,139,59゜実施例2゜ 200m lの反応容器に、マグネノウムロ(136x
10−’mol)、乾燥エーテルlomlを仕込み、f
i−ヘキ/ルブロマイド20.2g (+、22X I
G−’5ol)の乾燥エーテル70−1溶液を緩やかに
還流するように保ちながら滴下した。滴下後、20g間
加熱還流させた。
200飄1の反応容器に3−ブロモ−2,2−ビチオフ
ェン3、Og (1,22X 10〜2mol)、乾燥
エーテル2011、二。
ェン3、Og (1,22X 10〜2mol)、乾燥
エーテル2011、二。
ケル触媒0.03gを仕込み、上記で合成したグリニヤ
ール試薬を室温にて709間かζプて画工した。滴下後
、同温にて4時間攪拌した。冷却下、反応混合物に2N
塩酸を徐々に滴下して分解した後、エーテル層を水洗、
無水硫酸マグネ/ラムにてtmした。溶媒を留去して3
.3gc)粗生成物を得た。これをノリ力ゲルカラムで
精製して27gの3−ヘキシル−22°−ビチオフェン
をilた。収率87 、9%。
ール試薬を室温にて709間かζプて画工した。滴下後
、同温にて4時間攪拌した。冷却下、反応混合物に2N
塩酸を徐々に滴下して分解した後、エーテル層を水洗、
無水硫酸マグネ/ラムにてtmした。溶媒を留去して3
.3gc)粗生成物を得た。これをノリ力ゲルカラムで
精製して27gの3−ヘキシル−22°−ビチオフェン
をilた。収率87 、9%。
’II NMR(CDCIs): 0.+17(3H,
I)、 IjO(611,■)、 1.61(211
、s)、 C73(2H1−)、 6.90(l1
1.d)、 7.02 +111.m)7.09(1+
1.1) 7.12(III dl、 7.25
(III、d)13CNMR(CDCI3): 14.
09.22.63.29.口、 29.20゜30.7
0.31.66、 +23.N、 +25.22.
+25.95.127.28.129.86 130
.51. H6,Z4. H9,64溶解した溶液に
、25℃窒素下で、実施例1で得た3−ドブ/ルー2.
2−ビチオフエン3.34gをアセトニトリル50mI
にmMしたm液を浦下し、 6時間反応させた。生成し
た粉末をガラスフィルター上に集め、アセトニトリルで
洗a■シ、真空乾燥した。この粉末はピリジン、トメチ
ルビロリノノンなどに可溶であり、メタノール抽出を行
って脱ドープするとジクロロメタンなどに可溶となる。
I)、 IjO(611,■)、 1.61(211
、s)、 C73(2H1−)、 6.90(l1
1.d)、 7.02 +111.m)7.09(1+
1.1) 7.12(III dl、 7.25
(III、d)13CNMR(CDCI3): 14.
09.22.63.29.口、 29.20゜30.7
0.31.66、 +23.N、 +25.22.
+25.95.127.28.129.86 130
.51. H6,Z4. H9,64溶解した溶液に
、25℃窒素下で、実施例1で得た3−ドブ/ルー2.
2−ビチオフエン3.34gをアセトニトリル50mI
にmMしたm液を浦下し、 6時間反応させた。生成し
た粉末をガラスフィルター上に集め、アセトニトリルで
洗a■シ、真空乾燥した。この粉末はピリジン、トメチ
ルビロリノノンなどに可溶であり、メタノール抽出を行
って脱ドープするとジクロロメタンなどに可溶となる。
また、この粉末を圧縮成形したベレットは16S/c−
の導電率を示した。
の導電率を示した。
参考例2゜
3−ドブ/ルー2.2−ビチオフエンlogとテトラブ
チルアンモニウム四フブ化ホウ酸塩0.20gをアセト
ニトリル30−1に溶解して成る溶液に電極板を挿入し
、アルゴン雰囲気下において、電極表面1 cm2当り
2−Aで3時tV+電流を流すと、陽極上に厚さ100
μ−の膜を生成する。 この鮫は1.3S/e−の導電
率を示した。
チルアンモニウム四フブ化ホウ酸塩0.20gをアセト
ニトリル30−1に溶解して成る溶液に電極板を挿入し
、アルゴン雰囲気下において、電極表面1 cm2当り
2−Aで3時tV+電流を流すと、陽極上に厚さ100
μ−の膜を生成する。 この鮫は1.3S/e−の導電
率を示した。
参考例3゜
3−へ牛シル−2,2“−ビチオフェンo、 Sgとテ
トラブチルアンモニウム四ツ・1化ホウ酸#X0013
6gをアセトニトリル201に溶解して成る溶液に電極
板を挿入し、アルゴン雰囲気下において、電極表面1
cm”当り2−^の電流を40分間流すと、陽極上に厚
さ12μ■の躾を生成する。この膜は1.35/c−の
導電率を示した。
トラブチルアンモニウム四ツ・1化ホウ酸#X0013
6gをアセトニトリル201に溶解して成る溶液に電極
板を挿入し、アルゴン雰囲気下において、電極表面1
cm”当り2−^の電流を40分間流すと、陽極上に厚
さ12μ■の躾を生成する。この膜は1.35/c−の
導電率を示した。
(発明の効果)
本発明の化合物を化学回合、又は電解重合して得た重合
体は、自゛a溶媒に可溶であり、加」、性のある*aJ
g電材料色材料好適である。
体は、自゛a溶媒に可溶であり、加」、性のある*aJ
g電材料色材料好適である。
Claims (2)
- (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中のRは炭素数6以上のアルキル基) で示されるピチオフェン誘導体。
- (2)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中のXはハロゲン元素) で示される3−ハロゲノピチオフェンと 一般式 RMgX (式中のRは炭素数6以上のアルキル基、Xはハロゲン
元素) で示されるグリニャール試薬を反応させることを特徴と
する。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中のRは炭素数6以上のアルキル基) で示されるピチオフェン誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22404590A JPH04108785A (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | ビチオフェン誘導体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22404590A JPH04108785A (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | ビチオフェン誘導体及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04108785A true JPH04108785A (ja) | 1992-04-09 |
Family
ID=16807735
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22404590A Pending JPH04108785A (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | ビチオフェン誘導体及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04108785A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63162687A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-06 | Agency Of Ind Science & Technol | チオフエン系化合物及びその製造方法 |
JPS6454603A (en) * | 1987-07-31 | 1989-03-02 | Thomson Csf | Electrically conductive composite polymer film and manufacture of the same |
-
1990
- 1990-08-24 JP JP22404590A patent/JPH04108785A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63162687A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-06 | Agency Of Ind Science & Technol | チオフエン系化合物及びその製造方法 |
JPS6454603A (en) * | 1987-07-31 | 1989-03-02 | Thomson Csf | Electrically conductive composite polymer film and manufacture of the same |
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