JPH04108785A - ビチオフェン誘導体及びその製造方法 - Google Patents

ビチオフェン誘導体及びその製造方法

Info

Publication number
JPH04108785A
JPH04108785A JP22404590A JP22404590A JPH04108785A JP H04108785 A JPH04108785 A JP H04108785A JP 22404590 A JP22404590 A JP 22404590A JP 22404590 A JP22404590 A JP 22404590A JP H04108785 A JPH04108785 A JP H04108785A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bithiophene
formula
general formula
formulas
production
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP22404590A
Other languages
English (en)
Inventor
Kyoji Kaeriyama
帰山 享二
Hideyuki Masuda
英之 益田
Takeshi Kitashoji
健 北庄司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
Agency of Industrial Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Agency of Industrial Science and Technology filed Critical Agency of Industrial Science and Technology
Priority to JP22404590A priority Critical patent/JPH04108785A/ja
Publication of JPH04108785A publication Critical patent/JPH04108785A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (r業上の利用分野) 本発明は、新規なビチオフェン銹導体、詳しくは、それ
を重合体とすることにより有R電子材料として広く利用
しうる新規なビチオフェン銹導体及びその製造方法に関
するものである。
(従来の技術) チオフェン等の複素環化合物を電解重合または化学酸化
重合して得られる有機導電性組成物としては、ポリチオ
フェン、ポリ(3−アルキルチオフェノ)、ポリ(3−
メトキノチオフェン)、ポリベンゾチオフェン、ポリ(
3−フェニルチオフェン)、ポリピロール等が知られて
いる。これら組成物は、成彩性、可どう性及び溶解性に
優れており、高分子導電体として広く利用しうるもので
ある。また、電解重合膜を形成、または塗膜を形成する
などの方法で導電基板上に簿膜を作製することにより修
飾電極として利用することができる。 しかし、これら
ポリチオフェン銹導体では化学J44が極めて限定され
ているために、電気化学的特性、溶解性、分光特性が限
定されているので、ポリチオフェン銹導体の利用分野が
制限されるのを免れなかった。
(発明が解決しようとする課題) 3−アルキルチオフェノを重合して得られるポリ(3−
アルキルチオフェン)は高い電’J度を示すが、有機溶
媒に十分には溶解せずにかなり多くの部分が有機溶媒に
不溶なものとして残るなど溶解性に大きな問題がある。
そこで、有機溶媒に可溶な重合体を生成するモノ7−を
開発することが強く望まれている。本発明は、多様な特
性を有するポリチオフェノ系導電性組成物を開発するた
めに鋭意検討を行った結果、3−アルキルチオフェノの
酸化電位が高いために、所期のm合反応たけでなく副反
応により架橋反応が起きるので不溶化する上いう知見に
達した。この知見に五づいて3−アルキルチオフェンの
酸化電位を低下させ、なおかつポリ(3−アルキルチオ
フェン)の優れた電気的特性、分光学的特性を損じるこ
とのない化合物を広く探索した結果、長鎖の3−アルキ
ル−2,2−ビチオフェンがこの目的に適合することを
見出し、4発明を完成するに至ったもので、本発明の目
的は、従来知られていなかったm合性を有する新規な3
−γルキルピチオフェン及びその製造方法をI’J I
I’することにある。
(f!l!iを解決するための手段) 本発明は、重合することにより有機電子材料となる長鎖
3−フル牛ルー2.2゛−ビチオフェンとその製造方法
を提供するものである。3−フルキルチオフェノは広く
知られた化合物であるが、3−アルキル鋭意探索した結
果、 本発明を完成するに至った。
本発明は、 一般式 で示されるビチオフェン誘導体であり、−数式 %式% (式中のRは炭素数6以上のアルキルu、xはハロゲン
元素) で示されるグリニヤール試薬と 一般式 (式中のXはハロゲン元素である) で示される化合物との反応によって得られる。
具体的に本発明の化合物の門を列挙すると、3ヘキノル
−2,2°−ビチオフエン、3−へブチル−2,2’ 
−ビチオフェン、3−オクチル−2,2−ピチオフェン
、3−ノニル−2,2−ビチオフエン、3−デフルー2
,2°−ビチAフエン、3−ウンデ/ルー2.2−ビチ
オフェノ、3−トチ゛/ル−22−ビチオフェン、3−
へ牛すテ゛ンル22゛−ビチオフェン、3−オフタデ/
ルー22°−ビチオフエ7などであり、いずれも文献未
載の新規物111である。
次の実施例により、本発明を更に詳細に説明する。
実施例1゜ 21の反応容器にマグネシウム30g(1,24sol
)、乾燥エーテル100曽1を仕込み、I−ドデンルブ
ロマイド306g(1,23sol)の乾燥エーテル7
50m1溶液を緩やかにiIl流するように保ちながら
滴下した。滴下後、2時間加熱還流させてグリ二十〜ル
tXlを合成した。21の反応容器に3−ブロモ−2,
2゛−ビチオフェン30.0g (1,22X 10−
’soり、乾燥エーテル200m1、を室温にて70分
間で滴下した。滴下後、同温にて4時間攪拌した。冷却
下、反応混合物に2N塩酸を除々に滴下して未反応のグ
リニヤール試薬と0貯した後、エーテル層を水洗、無水
&llマグネンウムにて乾燥した。溶媒留去後、残虐を
冷却し析出した結晶を細道した。波液を減圧蒸留して1
7.1gの3−ドブ/ルー2.2−ビチオフエンを得た
(bp、 179℃/ 0.25mm11g  収率4
20%)’It NMR(CDC13): o、5aN
ll、t)、 1.2s(lIlll、m)、 1.6
1(211,ml、2.73(211,m)、6.90
(IIl、cl>、7.02(IIl、m)。
7.09(Ill、■)、 7.11(lH,d)、7
.24(III、d)”CNMR(CDCIり: 14
.13.2270.29.N、29.36゜29.46
.29.53.29.60.29.67、3(1,72
,31,94123,63125,18,125,9o
、 127.23. 129.83゜130.51. 
H6,24,139,59゜実施例2゜ 200m lの反応容器に、マグネノウムロ(136x
10−’mol)、乾燥エーテルlomlを仕込み、f
i−ヘキ/ルブロマイド20.2g (+、22X I
G−’5ol)の乾燥エーテル70−1溶液を緩やかに
還流するように保ちながら滴下した。滴下後、20g間
加熱還流させた。
200飄1の反応容器に3−ブロモ−2,2−ビチオフ
ェン3、Og (1,22X 10〜2mol)、乾燥
エーテル2011、二。
ケル触媒0.03gを仕込み、上記で合成したグリニヤ
ール試薬を室温にて709間かζプて画工した。滴下後
、同温にて4時間攪拌した。冷却下、反応混合物に2N
塩酸を徐々に滴下して分解した後、エーテル層を水洗、
無水硫酸マグネ/ラムにてtmした。溶媒を留去して3
.3gc)粗生成物を得た。これをノリ力ゲルカラムで
精製して27gの3−ヘキシル−22°−ビチオフェン
をilた。収率87 、9%。
’II NMR(CDCIs): 0.+17(3H,
I)、 IjO(611,■)、  1.61(211
、s)、  C73(2H1−)、  6.90(l1
1.d)、 7.02 +111.m)7.09(1+
1.1)  7.12(III  dl、  7.25
(III、d)13CNMR(CDCI3): 14.
09.22.63.29.口、 29.20゜30.7
0.31.66、  +23.N、 +25.22. 
 +25.95.127.28.129.86 130
.51. H6,Z4.  H9,64溶解した溶液に
、25℃窒素下で、実施例1で得た3−ドブ/ルー2.
2−ビチオフエン3.34gをアセトニトリル50mI
にmMしたm液を浦下し、 6時間反応させた。生成し
た粉末をガラスフィルター上に集め、アセトニトリルで
洗a■シ、真空乾燥した。この粉末はピリジン、トメチ
ルビロリノノンなどに可溶であり、メタノール抽出を行
って脱ドープするとジクロロメタンなどに可溶となる。
また、この粉末を圧縮成形したベレットは16S/c−
の導電率を示した。
参考例2゜ 3−ドブ/ルー2.2−ビチオフエンlogとテトラブ
チルアンモニウム四フブ化ホウ酸塩0.20gをアセト
ニトリル30−1に溶解して成る溶液に電極板を挿入し
、アルゴン雰囲気下において、電極表面1 cm2当り
2−Aで3時tV+電流を流すと、陽極上に厚さ100
μ−の膜を生成する。 この鮫は1.3S/e−の導電
率を示した。
参考例3゜ 3−へ牛シル−2,2“−ビチオフェンo、 Sgとテ
トラブチルアンモニウム四ツ・1化ホウ酸#X0013
6gをアセトニトリル201に溶解して成る溶液に電極
板を挿入し、アルゴン雰囲気下において、電極表面1 
cm”当り2−^の電流を40分間流すと、陽極上に厚
さ12μ■の躾を生成する。この膜は1.35/c−の
導電率を示した。
(発明の効果) 本発明の化合物を化学回合、又は電解重合して得た重合
体は、自゛a溶媒に可溶であり、加」、性のある*aJ
g電材料色材料好適である。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中のRは炭素数6以上のアルキル基) で示されるピチオフェン誘導体。
  2. (2)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中のXはハロゲン元素) で示される3−ハロゲノピチオフェンと 一般式 RMgX (式中のRは炭素数6以上のアルキル基、Xはハロゲン
    元素) で示されるグリニャール試薬を反応させることを特徴と
    する。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中のRは炭素数6以上のアルキル基) で示されるピチオフェン誘導体の製造方法。
JP22404590A 1990-08-24 1990-08-24 ビチオフェン誘導体及びその製造方法 Pending JPH04108785A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22404590A JPH04108785A (ja) 1990-08-24 1990-08-24 ビチオフェン誘導体及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22404590A JPH04108785A (ja) 1990-08-24 1990-08-24 ビチオフェン誘導体及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04108785A true JPH04108785A (ja) 1992-04-09

Family

ID=16807735

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22404590A Pending JPH04108785A (ja) 1990-08-24 1990-08-24 ビチオフェン誘導体及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04108785A (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63162687A (ja) * 1986-12-25 1988-07-06 Agency Of Ind Science & Technol チオフエン系化合物及びその製造方法
JPS6454603A (en) * 1987-07-31 1989-03-02 Thomson Csf Electrically conductive composite polymer film and manufacture of the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63162687A (ja) * 1986-12-25 1988-07-06 Agency Of Ind Science & Technol チオフエン系化合物及びその製造方法
JPS6454603A (en) * 1987-07-31 1989-03-02 Thomson Csf Electrically conductive composite polymer film and manufacture of the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Faid et al. Design of novel electroactive polybithiophene derivatives
WO2016111277A1 (ja) ヘテロ環含有化合物、その化合物を用いた重合体、およびその用途
JPS61148231A (ja) 新規導電性ポリマ−
JP5618175B2 (ja) 新規複素環式芳香族ポリマー
JP2004115695A (ja) ポリ(3−置換チオフェン)の製造方法
JP2009269905A (ja) 導電性高分子単体の合成方法
JPH04108785A (ja) ビチオフェン誘導体及びその製造方法
US20030216540A1 (en) Alkylenedioxythiophenes and poly(alkylenedioxythiophene)s having urethane-containing side groups
EP1275649B1 (de) Benzodioxinothiophene, deren Herstellung und Verwendung
JPH02291602A (ja) 電気触媒のための導体としての金属ポルフィリンのポリマーフィルム
JPH08245636A (ja) セレノロセレノフェンオリゴマおよびその製造方法
KR0131435B1 (ko) 가공성이 있는 에스터기가 치환된 폴리 3-알킬티오펜 유도체 및 그의 제조방법
JP2730757B2 (ja) 導電性複素環式重合体およびその製造方法
JPH04108784A (ja) ポリエチレンのチオフェン誘導体およびエチレンのチオフェン誘導体
JP3164671B2 (ja) アリーレンビニレン重合体およびその製造方法
JP2730444B2 (ja) 導電性重合体
JP3196186B2 (ja) ピロール誘導体及びその重合体
JPH036232A (ja) 新規な重合体およびその用途
JP3440294B2 (ja) 2,5−ジチエニルピロール誘導体および被膜形成材料
FR2852320A1 (fr) Nouveaux polymeres a base de nouveaux monomeres de types bithiophene, leur procede de preparation, et leurs applications
JPH03181477A (ja) 導電性高分子単量体及びその製法
JPS62207249A (ja) 長鎖炭化水素基を有する電子受容体及びその電荷移動錯体化合物
JPH026766B2 (ja)
JPS63234033A (ja) 高分子金属
JPH0426686A (ja) チオフェン系化合物の製造方法