JPH04107754A - メモリ制御方式 - Google Patents

メモリ制御方式

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JPH04107754A
JPH04107754A JP22525290A JP22525290A JPH04107754A JP H04107754 A JPH04107754 A JP H04107754A JP 22525290 A JP22525290 A JP 22525290A JP 22525290 A JP22525290 A JP 22525290A JP H04107754 A JPH04107754 A JP H04107754A
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area
access
circuit
unit area
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JP22525290A
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Inventor
Hitoshi Kamata
均 鎌田
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、所定ビット数のデータのアクセス、及びこの
所定ビット数の2倍のビット数のデータのアクセスが共
に可能なメモリ制御方式に関する。
[従来の技術] 従来のメモリ制御方式としては、第2図ないし第4図に
示すようなものが知られている。
まず、第2図に基づいて記せ手段としてのメモリ1の構
成を説明する。このメモリ1は、8ヒツトを小アクセス
単位とする多数のバイト領域(小アクセス単位領域)2
,2.・・・に区切られ、各バイト領域には連続した番
地(バイトアドレス)が付されている。さらに、メモリ
1は、偶数のバイトアドレスの領域(以下、「偶数バイ
ト領域2aJという)と奇数のバイトアドレスの領域(
以下、「奇数バイト領域2bJという)のうち、連続す
る2つの番地のバイト領域をアクセス単位領域(大アク
セス単位領域)とすることが可能となされており、この
領域(ワード領域)3にも連続した番地(ワードアドレ
ス)が付されている。このワード領域3は、通常、偶数
バイト領域2aから奇数バイト領域2bヘアドレスが連
続する2つのバイト領域2によって構成され、図中の上
側から連続したワードアドレスが付されている。
次に、メモリ制御方式を第3図に基づいて説明する。
図中の10はメモリ1の偶数バイト領域2aを構成する
32にバイトの第lRAM、11はメモリ1の奇数バイ
ト領域2bを構成する32にバイトの第2RAMをそれ
ぞれ示す。
第lRAMl0及び第2RAM11の各アドレス端子に
は、アドレスの上位15ビツトA15〜A1が入力され
、任意のワード領域3を指定する。
各ライトイネーブル端子には、ライトイネーブル信号W
百が入力し、各RAMl0,11の書き込み、読出し動
作を指定する。
さらに、第lRAMl0のチップセレクト端子には、ア
ドレスの最下位ピッ)AOが直接入力され、AO=00
ときに第lRAMl0を有効状態とし、AO=1のとき
に無効状態とする。即ち、AO:0のときにはアドレス
の上位15ビツトA15〜AOと共に偶数バイト領域2
aを指定していることになる。
一方、第2RAM11のチップセレクト端子には、アド
レスの最下位ビットAO及びアクセスモード規定信号B
/Wがエクスクル−シブオア回路6及び反転回路7を介
して入力する。ここで、アクセスモード規定信号B/W
は、アドレスの最下位ピッ)AOとの組合せにより、各
バイト領域2ヘアクセスするモードか、ワード領域3ヘ
アクセスするモードかを規定する信号で、具体的には、
B/WとAOとが0,1又は1,0のときにエクスクル
−シブオア回路6て1となり、反転回路7でOとなって
第2RAM11を有効状態とする。
また、B/W及びAOが1,1又は0,0のときには、
エクスクル−シブオア回路6て0となり、反転回路7で
1となって第2RAM11を無効状態とする。
また、!lRAMl0及び第2RAM11の各データ端
子には、それぞれ第1及び第2メモリバッファ13.1
4が接続され、第1メモリバツフア13には第lRAM
l0との間で情報の授受を行なうデータバスD7〜Do
(符号D7〜DOは場合によってはデータ自体を指示す
る)が接続されている。第2メモリバツフア14には第
2RAMllとの間で情報の授受を行なうデータバスD
15〜D8(符号D15〜D8は場合によってはデータ
自体を指示する)が接続されている。さらに、各メモリ
バッファ13.14には、常に0のバッファイネーブル
信号、及びライト信号WRが入力され、このライト信号
WRによって各メモリバッファ13.14に、CPU 
(図示せず)からのデータバスD7〜DO及びD15〜
D8又は各RAMl0,11からのデータを一時的にバ
ッファリングする。
次に、以上の構成のメモリ制御方式の動作を説明する。
なお、ここでは、書き込み動作についてのみ説明し、読
出し動作については、説明を省略する。
アドレスの上位15ビツトA15〜A1によって任意の
ワード領域3が指定される。そして、アドレスの最下位
ビットAO=0、アクセスモード規制信号B/W=O(
バイト単位のアクセスを指示)のとき、第lRAMl0
が有効状態、第2RAM11は無効状態となる(第4図
参照)。これにより、特定されたワード領域3の構成要
素である特定の偶数バイト領域2aが指定される。メモ
リバッファ13には、ライト信号WRに基づいてCPU
からのデータバスD7〜DOかバッファリングされ、R
AMl0へのライトイネーブル信号WEに基づいて第l
RAMl0側である指定偶数バイト領域2aに、第1メ
モリバツフア13のデータが書き込まれる。
また、アドレスの最下位ビットAO=1、アクセスモー
ド規制信号B/W=Oのときは、第lRAMl0は無効
状態となり、第2RAM11が有効状態となる(第4図
参pji)。これにより、特定したワード領域3の奇数
バイト領域2bが指定される。そして、前述したと同様
な動作により、第2RAM11側である指定奇数バイト
領域2bに第2メモリバツフア14にバッファリングさ
れたデータが書き込まれる。
さらに、アドレスの最下位ビットAO=0、アクセスモ
ード規制信号B/W=1(ワード単位のアクセスを指示
)のときは、第lRAMl0及び第2RAM11の両方
が有効状態となる(第4図参照)。これにより、特定ワ
ード領域3の全領域(偶数バイト領域2aから奇数バイ
ト領域2bへの2つのバイト領域2)が指定され、この
ワード領域3にデータが書き込まれる。
また、AO=1、B/W=1のときは、各RAMIO,
11はともに無効状態となり(第4図参照)、情報の書
き込みは行なわれない。
[発明が解決しようとする課題] ところで、前述した従来のメモリ制御方式においては、
ワード単位のアクセスをしようとした場合、例えば、第
2図中のバイト領域20バイトアドレスが0と1のよう
に、必ず、小さいアドレスの偶数バイト領域2aとそれ
より1大きいアドレスの奇数バイト領域2bでなるワー
ド領域3しか指定できない。
このため、例えば、バイトアドレスが5及び6のように
、小さい奇数バイトアドレスとそれより1大きい偶数バ
イトアドレスとて規定されるようなワード領域をアクセ
スすることができない。そのため、このような2つのバ
イト領域をアクセスしようとした場合、1回のアクセス
では不可能であり、1つのバイト領域2を指定して行な
うアクセス動作を、それぞれ5番地と6番地とを別々に
指定して実行しなければならず、アクセス時間が長くな
る。このため、アクセス効率が悪いという問題点がある
また、このようなアクセスを認めていないことは、アク
セスの融通性が悪いということができる。
本発明は、前記問題点に鑑みてなされたもので、アクセ
ス効率を向上させ、アクセスの融通性が高いメモリ制御
方式を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 前記目的を達成するために、第1の本発明は、連続した
アドレスが付与された所定ビット数の小アクセス単位領
域からなり、偶数アドレス及びこれに連続する奇数アド
レスの2つの小アクセス単位領域からなる第1の大アク
セス単位領域に対し・て1回の動作でアクセス可能な記
憶手段を有するものであって、アクセスモード信号が小
アクセスモードを指示するときにはアドレス信号が指示
するアドレスの小アクセス単位領域をアクセスし、アク
セスモード信号が大アクセスモードを指示するときには
、入力されたアドレス信号が指示する偶数アドレス及び
このアドレスと最下位ビットのみが異なる奇数アドレス
の2つの小アクセス単位領域でなる第1の大アクセス単
位領域をアクセスするメモリ制御方式に適用される。
このようなメモリ制御方式において、アクセスモード信
号が大アクセスモードを指示すると共に、アドレス信号
が奇数アドレスを指示する場合に、この奇数アドレスと
、この奇数アドレスと最下位ビットのみが異なる次の偶
数アドレスの小アクセス単位領域とでなる第2の大アド
レス単位領域、又は、アドレス信号が指示する奇数アド
レスの前の奇数アドレスと、アドレス信号が指示する奇
数アドレスと最下位ビットのみが異なる偶数アドレスの
小アクセス単位領域とでなる第2の大アクセス単位領域
をアクセスする大アクセス実行手段を設けたものである
また、第2の発明においては、第1の大アクセス単位領
域のアクセス時、及び、第2の大アクセス単位領域のア
クセス時に、小さいアドレスの小アドレス単位領域を第
1のデータバスに接続させると共に、大きいアドレスの
小アクセス単位領域を第2のデータバスに接続させるバ
ス切替手段を設けたものである。
[作用コ 第1の発明によれば、大アクセスモードで特定の大アク
セス単位領域を指定し、大アクセス実行手段で、奇数ア
ドレスを1つの大アクセス単位領域分だけずらして奇数
アドレスから偶数アドレスへ第2の大アクセス単位領域
を指定できる。
第2の発明においては、第1又は第2の大アクセス単位
領域のアクセスに応じてバス切替手段が前記偶数アドレ
ス及び奇数アドレスへのデータアクセスルートを入れ替
え、データの授受を行なう。
[実施例] 以下、本発明の一実施例を第1図及び第5図に基づいて
説明する。
第1図中、21は本実施例の第lRAM、22は第2R
AMをそれぞれ示し、各RAM21.22は前記従来技
術の各RAMl0,11と同様の構成を有している。す
なわち、第lRAM21には第2図中、メモリ1の偶数
バイト領域2aか、第2RAM22には奇数バイト領域
2bがそれぞれ構成され、さらに、これらの組合せによ
ってワード領域3が構成されている。
第lRAM21のアドレス端子には、後述する加算回路
26を介してアドレスの上位15ビツトA15〜A1が
入力され、特定ワード領域3を構成する偶数バイト領域
2aを指定する。第2RAM22のアドレス端子には、
前記ビットA15〜A1が直接人力され、特定ワード領
域3を構成する奇数バイト領域2bを指定する。さらに
、各RAM21.22のライトイネーブル端子には、従
来技術と同様に、書き込み、読出しを指定するライトイ
ネーブル信号WEが入力され、各RAM21.22をデ
ータの書き込み、読出しが可能な有効状態にする。
第lRAM21のチップセレクト端子には、反転回路2
3及びノア回路24を介してアドレスの最下位ピッ)A
Oが入力されると共に前記ノア回路24を介してアクセ
スモード規定信号B/Wが入力される。さらに、第2R
AM22のチップセレクト端子には、ノア回路25を介
してAO及びB/Wが入力される。
26はアドレスの上位15ビツトA15〜A1により特
定されるワード領域3のワードアドレスに1を加える加
算回路で、この加算回路26によって入力ワードアドレ
スに1が加算されると、偶数バイト領域2a側のワード
領域3のアドレスが1だけ増加して、次番地のワード領
域3を指定する。さらに、加算回路26には、アドレス
の最下位ピッ)AO及びアクセスモード規定信号B/W
がアンド回路27を介して入力され、AO=1、B/W
=1のときに加算回路26を上述した加算可能な有効状
態にする。そして、前記加算回路26とアンド回路27
とで大アクセス実行手段が構成されている。
また、第lRAM21及び第2RAM22の各データ端
子には、4つのメモリバッファ31,32.33.34
が接続されている。そして、この4つのメモリバッファ
31,32,33.34は、データを一時的にバッファ
リングして、各RAM21.22又はCPUとの間でデ
ータの授受を行なう機能を有すると共に、指示されたア
クセスモードに応じて、第lRAM21及び第2RAM
22を所定のデータバスD7〜DO又はD15〜D8に
接続させる、即ち、データアクセスルートを切り換える
バス切替手段を構成している。具体的には、第1メモリ
バツフア31は第1 RAM21のデータ端子に接続さ
れ、この第lRAM21と第1のデータバスD7〜DO
との接続制御を行なう。さらに、第1メモリバツフア3
1のバッファイネーブル端子には前記アンド回路27を
介してAO及びB/Wが入力される。
第2メモリバツフア32は第lRAM21のデータ端子
に接続され、この第lRAM21と第2のデータバスD
15〜D8との接続制御を行なう。
さらに、第2メモリバツフア32のバッファイネーブル
端子にはアンド回路27及び反転回路35を介してAO
及びB/Wが人力される。
第3メモリバツフア33は第2RAM22のデータ端子
に接続され、この第2RAM22とデータバスD15〜
D8との接続制御を行なう。さらに、第3メモリバツフ
ア33のバッファイネーブル端子には前記アンド回路2
7を介してAO及びB/Wが入力される。
ざらに、第4メモリバツフア34は第2RAM22のデ
ータ端子に接続され、この第2RAM22とデータバス
D15〜D8との接続制御を行なう。さらに、第4メモ
リバツフア34のバッファイネーブル端子には前記反転
回路35及び前記アンド回路27を介してAO及びB/
Wが入力される。
そして、前記アンド回路27、反転回路35を介して入
力されるAO及びB/Wによって、第1及び第3バッフ
ァメモリ31.33又は第2及び第4バツフアメモリ3
2+ 34が選択的に動作可能な有効状態になる。
さらに、各メモリバッファ31,32,33゜34には
、データバスD7〜DO及びD15〜D8を介してCP
Uからのデータ又は各RAM21゜22からのデータを
バッファリングするためのライト信号WRが入力される
次に、前記構成のメモリ制御方式の動作を説明する。な
お、本実施例においても領域指定に特徴があるため、書
き込み動作についてのみ説明し、読出し動作については
、その説明を省略する。
まず、アドレスの最下位ヒツトAO=O、アクセスモー
ド規制信号B/W=0のときは、アンド回路27の出力
はOとなり、加算回路26は無効状態となる。そして、
アドレスの上位15ビツトA15〜A1は、第2RAM
22に入力されると共に、加算されないまま第lRAM
21に入力され、特定のワード領域3である第lRAM
21の偶数バイト領域2a及び第2RAM22の奇数バ
イト領域2bを指定する。これにより、偶数ハイド領域
2aから奇数バイト領域2bへバイトアドレスが連続す
る第1の大アクセス単位領域としてのワード領域3、例
えば、バイトアドレス00バイト領域2とバイトアドレ
ス1のバイト領域2とからなるワードアドレス0のワー
ド領域3が指定される。
さらに、最下位ピッ)AOの0出力は、反転回路23て
1となってノア回路24に入力されると共に、アクセス
モード規制信号B/Wの0はそのままノア回路24に入
力され、このノア回路24の出力は0となって第1 R
AM21のチップセレクト端子に入力され、第lRAM
21か有効状態となる。
また、第2RAM22においては、AO及びB/WのO
出力がそのままノア回路25に入力し、このノア回路2
5が1を出力し、第2RAM22は無効状態となる。
これにより、第lRAM21の特定の偶数バイト領域2
aだけが指定されたことになる(第5図参照)。
一方、バス切替手段においては、AO及びB/Wが0で
あるため、アンド回路27から0出力のまま第1及び第
3メモリバッファ31.33のバッファイネーブル端子
に入力され、これらのメモリバッファ31.33をバッ
ファリング可能な有効状態とすると共に、アンド回路2
7の0出力が反転回路35て反転されて第2及び第4メ
モリバッファ32.34に入力され、これらのメモリバ
ッファ32.34を無効状態とする。そして、ライト信
号WRに基づいて各メモリバッファ31゜33がバッフ
ァリングしようとするが、CPUからはデータバスD7
〜DOにのみデータが出力されているため、第1メモリ
バツフア31のみがバッファリングし、ライトイネーブ
ル信号WEに基づいて前記偶数バイト領域2a、即ち、
第lRAM21側へ第1メモリバツフア31のデータバ
スD7〜DOが書き込まれる。
また、アドレスの最下位ビットAO=1、アクセスモー
ド規制信号B/W=00ときは、アント回路27で0出
力となり、加算回路26は無効状態のままとなる。そし
て、アドレスの上位15ビツトA15〜A1は、第2R
AM22に入力すると共に、加算されないまま第lRA
M21に入力し、特定のワード領域3である第lRAM
21の偶数バイト領域2a及び第2RAM22の奇数バ
イト領域2bを指定する。さらに、最下位ビットAOは
、反転回路23てO出力となってノア回路24に入力す
ると共にアクセスモード規制信号B/WがO出力のまま
入力し、このノア回H24が1を出力し、第lRAM2
1が無効状態となる。
一方、第2RAM22においては、AOの1比力及びB
/Wの0出力はそのままノア回路25に入力し、このノ
ア回路25でO出力となり、第2RAM22は有効状態
となる(第5図参照)。これにより、特定の奇数バイト
領域2bが指定される。
また、バス切替回路においては、AO及びB/Wは、ア
ンド回路27てO出力となって第1及び第3メモリバッ
ファ31.33のバッファイネーブル端子に入力し、こ
れらのメモリバッファ31゜33をバッファリング可能
な有効状態とすると共に、反転回路35て1出力となっ
て第2及び第4メモリバッファ32.34に入力し、こ
れらのメモリバッファ32.34を無効状態とする。そ
して、ライト信号WR及びCPUの制御に基ついて第3
メモリバツフア33にCPUからのデータバスD15〜
D8がバッファリングされ、ライトイネーブル信号WE
に基づいて前記奇数バイト領域2b、即ち、第2RAM
22側へ第3メモリバツフア33のデータバスDI5〜
D8が書き込まれる。
また、アドレスの最下位ビットAO=O、アクセスモー
ド規制信号B/W=1のときは、アント回路27てOが
出力して加算回路26は無効状態のままとなる。そして
、アドレスの上位15ビツトA15〜AIは、第2RA
M22に入力すると共に、加算されないまま第lRAM
21に入力し、特定のワード領域3である偶数バイト領
域2a及び奇数バイト領域2bを指定する。さらに、最
下位ビットAOは、反転回路23で1出力となってノア
回路24に入力すると共にアクセスモード規制信号B/
Wが1出力のまま入力してこのノア回路24が0出力を
出力し、第lRAM21は有効状態となる。一方、第2
RAM22においては、AOのO出力及びB/Wの1出
力はそのままノア回路25に入力し、このノア回路25
てO出力となって第2RAM22も有効状態となる(第
5図参照)。
これにより、例えば、第2図中ワードアドレス0のワー
ド領域3におけるバイトアドレス00バイト領域2とバ
イトアドレス1のバイト領域2のように、特定ワード領
域3の偶数バイト領域2aと奇数バイト領域2bが指定
される。
一方、バス切替回路においては、AO及びB/Wは、ア
ンド回路27でO出力となって第1及び第3メモリバッ
ファ31.33のバッファイネーブル端子に入力し、こ
れらのメモリバッファ31゜33をバッファリング可能
な有効状態とすると共に、反転回路35で1出力となっ
て第2及び第4メモリバッファ32.34に入力し、こ
れらのメモリバッファ32.34を無効状態とする。そ
して、ライト信号WR及びCPUに基づいて各メモリバ
ッファ31.33にデータバスD7〜DO及びDI5〜
D8がバッファリングされ、ライトイネーブル信号WE
に基づいて前記偶数バイト領域2a及び奇数バイト領域
2b、即ち、第1及び第2RAM21.22側へ第1及
び第3メモリバッファ31,330データバスD7〜D
O1D15〜D8が書き込まれる。
さらに、アドレスの最下位ビットAO=1、アクセスモ
ード規制信号B/W=1のときは、アンド回路27て1
出力となり、加算回路26は加算可能な状態となる。そ
して、アドレスの上位15ビツトA15〜A1は、第2
RAM22にはそのまま入力すると共に、第lRAM2
1には加算回路26で1が加算されて入力する。これに
より、第2RAM22では特定ワード領域3を指定し、
第lRAM21では特定ワード領域30次のワードアド
レスを指定する。
換言すれば、第2図において、ピッ)A15〜A1がワ
ード領域3のワードアドレス2を指定する場合、第lR
AM21においては、加算回路26で1が加算されてワ
ードアドレス3となり、バイト領域2のバイトアドレス
6を指定する。第2RAM22においては、そのまま、
ワード領域3のワードアドレス2となり、バイト領域2
のバイトアドレス5を指定する。これにより、ワード領
域3は、奇数バイト領域2bから偶数バイト領域2aへ
、即ち、第2の大アクセス単位領域としてのバイト領域
20バイトアドレス5からバイトアドレス6への指定と
なる。
さらに、最下位ピッ)AOは、反転回路23て0出力と
なってノア回路24に入力すると共にアクセスモード規
制信号B/Wは1出力のまま入力し、このノア回路24
で0出力となって第lRAM31が有効状態となる。ま
た、第2RAM22においては、AOの1出力及びB/
Wの1出力はそのままノア回路25に入力し、このノア
回路25で0出力となって第2RAM22も有効状態と
なる(第5図参照)。
一方、バス切替回路においては、AO及びB/Wは、ア
ンド回路27て1出力となって第1及び第3メモリバッ
ファ31.33のバッファイネーブル端子に人力し、こ
れらのメモリバッファ31゜33を無効状態とすると共
に、反転回路35てO出力となって第2及び第4メモリ
バツフア32゜34に入力し、これらのメモリバッファ
32.34を有効状態とする。そして、ライト信号WR
及びCPUに基づいて、第2メモリバツフア32にデー
タバスD15〜D8がバッファリングされ、第4メモリ
バツフア34にデータバスD7〜DOがバッファリング
される。
そして、各RAM21.22へのライトイネーブル信号
WEに基づいて第2RAM22側である前記奇数バイト
領域2b(バイトアドレス5)へ第4メモリバツフア3
4のデータバスD7〜DOが書き込まれ、第lRAM2
1側である偶数バイト領域2a(バイトアドレス6)へ
第2メモリバツフア32のデータバスD15〜D8が書
き込まれる。
なお、読出し動作の場合も、前述した書き込み動作と同
様にして、特定アドレスが指定され、さらに、データア
クセスルートが選択されて読出しが行なわれる。
以上のように、ワード領域3の指定においては、従来、
使用していなかった信号の組合せ(AO=1、B/W=
1)を使用してワード領域3の指定を変更できるように
したので、偶数バイト領域2aから奇数バイト領域2b
側への領域指定でも奇数バイト領域2bから偶数バイト
領域2a側への領域指定でも、1度のアクセスによって
処理することができるようになり、アクセス時間を短く
することができる。
また、アドレスのことを気にせずにワードアクセスを行
なうことが可能になり、プログラムの作成が容易になっ
て作業性が向上する。
なお、本実施例では、小アクセス単位を8ビツトのバイ
ト領域2として構成し、第アクセス単位領域を16ビツ
トのワード領域3として構成したが、これら小アクセス
単位領域及び第アクセス単位領域としては、他のビット
数の領域の場合でもよい。
また、記憶手段としてRAMを用いたが、ROM等の他
の記憶手段の場合でも、前記同様の作用、効果を奏する
ことができる。
さらに、本実施例では、大アクセス実行手段を、加算回
路26及びアンド回路27から構成し、偶数バイト領域
2aにおいて、アドレスの上位15ビツトA15〜A1
に1を加算するようにしたが、奇数バイト領域2bにお
いて、アドレスの上位15ビツトA15〜A1から1を
減算する構成としてもよい。
また、本実施例では、データバスD7〜DO1D15〜
D8を切り換える手段としてバス切換手段を用いたが、
CPU内部でバス切換制御機能を有する場合は、バス切
換手段を用いなくてもよい。
[発明の効果] 以上詳述したように、本発明のメモリ制御方式によれば
、以下のような効果を奏する。
大アクセス実行手段を設け、奇数アドレスから偶数アド
レスへ第2の大アクセス単位領域を指定できるようにし
たので、奇数アドレスから偶数アドレスへの領域指定の
場合でも、1度のアクセスで容易に処理することができ
るようになり、アクセス時間を短くすることができる。
また、第2の大アクセス単位領域指定を気にせずにアク
セスを行なうことが可能になってアクセスの融通性が向
上し、ブコグラムの作成が容易になって作業性が向上す
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のメモリ制御方式を示す回路構成図、第
2図は本発明及び従来に共通のメモリを示す図、第3図
は従来のメモリ制御方式を示す回路構成図、第4図は第
3図のメモリ制御方式におけるアドレスの最下位ビット
AO及びアクセスモード規制信号B/Wの信号と第1及
び第2RAMの有効状態との関係を示す図、第5図は第
1図のメモリ制御方式におけるアドレスの最下位ビット
AO及びアクセスモード規制信号B/Wの信号と第1及
び第2RAMの有効状態との関係を示す図である。 1・・・メモリ、2・・・バイト領域、2a・・・偶数
バイト領域、2b・・・奇数バイト領域、3・・・ワー
ド領域、21・・・第lRAM、22・・・第2RAM
、23・・・反転回路、24.25・・・ノア回路、2
6・・・加算回路、27・・・アンド回路、31,32
,33.34・・・メモリバッファ。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)連続したアドレスが付与された所定ビット数の小
    アクセス単位領域からなり、偶数アドレス及びこれに連
    続する奇数アドレスの2つの小アクセス単位領域からな
    る第1の大アクセス単位領域に対して1回の動作でアク
    セス可能な記憶手段を有するものであって、アクセスモ
    ード信号が小アクセスモードを指示するときにはアドレ
    ス信号が指示するアドレスの小アクセス単位領域をアク
    セスし、アクセスモード信号が大アクセスモードを指示
    するときには、入力されたアドレス信号が指示する偶数
    アドレス及びこのアドレスと最下位ビットのみが異なる
    奇数アドレスの2つの小アクセス単位領域でなる第1の
    大アクセス単位領域をアクセスするメモリ制御方式にお
    いて、 アクセスモード信号が大アクセスモードを指示すると共
    に、アドレス信号が奇数アドレスを指示する場合に、こ
    の奇数アドレスと、この奇数アドレスと最下位ビットの
    みが異なる次の偶数アドレスの小アクセス単位領域とで
    なる第2の大アドレス単位領域、又は、アドレス信号が
    指示する奇数アドレスの前の奇数アドレスと、アドレス
    信号が指示する奇数アドレスと最下位ビットのみが異な
    る偶数アドレスの小アクセス単位領域とでなる第2の大
    アクセス単位領域をアクセスする大アクセス実行手段を
    設けたことを特徴とするメモリ制御方式。
  2. (2)第1の大アクセス単位領域のアクセス時、及び、
    第2の大アクセス単位領域のアクセス時に、小さいアド
    レスの小アドレス単位領域を第1のデータバスに接続さ
    せると共に、大きいアドレスの小アクセス単位領域を第
    2のデータバスに接続させるバス切替手段を設けたこと
    を特徴とする請求項(1)に記載のメモリ制御方式。
JP22525290A 1990-08-29 1990-08-29 メモリ制御方式 Pending JPH04107754A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016066402A (ja) * 2015-12-25 2016-04-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置

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JP2016066402A (ja) * 2015-12-25 2016-04-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置

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