JPH0410632A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0410632A JPH0410632A JP11466890A JP11466890A JPH0410632A JP H0410632 A JPH0410632 A JP H0410632A JP 11466890 A JP11466890 A JP 11466890A JP 11466890 A JP11466890 A JP 11466890A JP H0410632 A JPH0410632 A JP H0410632A
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Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は半導体装置の製造方法に関する。
［従来の技術］
樹脂封止して組立が行われる半導体装置の基本的製造方
法を第１図を用いて説明する。
法を第１図を用いて説明する。
工０チップ１をリードフレームの工０チップ搭載部であ
るタブ２にエポキシ系等の接着剤を用いて貼りつげ、し
かる後に金等の金属細線６によりパッド電極４とリード
端子５を結線する。
るタブ２にエポキシ系等の接着剤を用いて貼りつげ、し
かる後に金等の金属細線６によりパッド電極４とリード
端子５を結線する。
その後エポキシ系の樹脂６で封止してリード端子５に半
田メツキを施し、リード端子５を切断して任意の形状に
曲げ加工して完成品とする。
田メツキを施し、リード端子５を切断して任意の形状に
曲げ加工して完成品とする。
［発明が解決しようとする課題］
最近、電子機器の小型化に伴ない、リード端子を第１図
の５の如（曲げ、この先端部を半田付けしてプリント回
路基板に搭載する表面実装型の半導体装置が急激に増加
している。
の５の如（曲げ、この先端部を半田付けしてプリント回
路基板に搭載する表面実装型の半導体装置が急激に増加
している。
しかし従来の技術では、プリント回路基板に赤外線リフ
ロー等の方法により半田づけする場合、２００℃を越え
る熱が半導体装置に加わるため、この高温下において、
半導体装置を構成する各部材の熱膨張係数の差に起因す
る熱応力が生じ、−部の部材にダメージを与える事が問
題となっている。
ロー等の方法により半田づけする場合、２００℃を越え
る熱が半導体装置に加わるため、この高温下において、
半導体装置を構成する各部材の熱膨張係数の差に起因す
る熱応力が生じ、−部の部材にダメージを与える事が問
題となっている。
特に、封止樹脂から金属細線の一方の端部であるボール
ボンド７とパッド電極４の界面へこれらを剪断するよう
に働（熱応力は著しく、この界面に剥離を生じさせ、電
気的にオープンしてしまう問題が深刻であった。
ボンド７とパッド電極４の界面へこれらを剪断するよう
に働（熱応力は著しく、この界面に剥離を生じさせ、電
気的にオープンしてしまう問題が深刻であった。
そこで本発明はこの様な問題点を解決するもので、その
目的とする所は、熱応力に対する耐性の高いボールボン
ドとパッド電極の接合を有する半導体装置を提供すると
ころにある。
目的とする所は、熱応力に対する耐性の高いボールボン
ドとパッド電極の接合を有する半導体装置を提供すると
ころにある。
［課題を解決するための手段］
本発明の半導体装置の製造方法は、ＩＣチップの電極と
リード端子との結線後、樹脂封止の前に前記ＩＣチップ
を高温保持する事を特徴とする。
リード端子との結線後、樹脂封止の前に前記ＩＣチップ
を高温保持する事を特徴とする。
［実施例］
本発明は結線された後のＩＣチップを高温保持するもの
であるから、特に図によってその事を示さないが、原理
について、従来の技術を示す第１図を用いて詳細に説明
する。
であるから、特に図によってその事を示さないが、原理
について、従来の技術を示す第１図を用いて詳細に説明
する。
一般にパッド電極４はアルミニウム（Ａｔ）を主とする
組成であり、金属細線６は金（Ａｕ）を主とした組成で
ある。これら２つの部材は、ワイヤボンダと呼ばれる専
用の装置により結線されるワイヤボンダからは熱と超音
波によるエネルギを同時に与えられ、パッド電極４のＡ
７と金属細線６の一方の端部であるボールボンド７のＡ
ｕは相互に拡散し金属間化合物を形成して接合が行なわ
れる。
組成であり、金属細線６は金（Ａｕ）を主とした組成で
ある。これら２つの部材は、ワイヤボンダと呼ばれる専
用の装置により結線されるワイヤボンダからは熱と超音
波によるエネルギを同時に与えられ、パッド電極４のＡ
７と金属細線６の一方の端部であるボールボンド７のＡ
ｕは相互に拡散し金属間化合物を形成して接合が行なわ
れる。
ところで、ＡｔとＡｕの金属間化合物には５種類のタイ
プが存在する事が知られており、その金属学的性質もそ
れぞれ異なっている。
プが存在する事が知られており、その金属学的性質もそ
れぞれ異なっている。
一般にＡｔとＡｕの界面に生ずる金属間化合物の種類と
割合は熱履歴と伴に変化する。我々の実験によれば完成
品となった場合、白色の合金が約８０％以上の割合でＡ
ｔ−Ａｔの界面に存在していれば、半導体装置をプリン
ト回路基板に搭載する時、赤外線等の熱応力に対して格
別に高い耐性が得られ極めて高い信頼性が保証できる。
割合は熱履歴と伴に変化する。我々の実験によれば完成
品となった場合、白色の合金が約８０％以上の割合でＡ
ｔ−Ａｔの界面に存在していれば、半導体装置をプリン
ト回路基板に搭載する時、赤外線等の熱応力に対して格
別に高い耐性が得られ極めて高い信頼性が保証できる。
ところが、パッド電極４とボールボンド７の接合後、Ｉ
Ｃチップに加わる熱は、樹脂封止特約１６５℃−微分、
樹脂封止後の高温保持約１７５℃−約５時間および製品
名印刷後の高温保持約１７５℃−約１時間であり、これ
らの熱履歴のみでは、白色の合金を約８０％の割合で形
成する事はむずかしい。
Ｃチップに加わる熱は、樹脂封止特約１６５℃−微分、
樹脂封止後の高温保持約１７５℃−約５時間および製品
名印刷後の高温保持約１７５℃−約１時間であり、これ
らの熱履歴のみでは、白色の合金を約８０％の割合で形
成する事はむずかしい。
そこで補助的手段として、結線後、約２００℃−約２時
間ＩＣチップを高温保持してやる事により、完成品とし
て約８０％以上の合金を形成してやる事が可能である。
間ＩＣチップを高温保持してやる事により、完成品とし
て約８０％以上の合金を形成してやる事が可能である。
ここで重要なのは、Ａｔ−Ａｕ間の金属間化合物も極端
に（例えば２００℃で２００時間）加熱すると、逆に脆
化するので条件の最適化をする事である。
に（例えば２００℃で２００時間）加熱すると、逆に脆
化するので条件の最適化をする事である。
ルポンドとパッド電極の接合が得られるという効果を有
する。
する。
更に最近は、ＵＶ印刷が適用されはじめ、約１７５℃−
約１時間という高温保持も適用されな（なり、加えてポ
ストキーアレス樹脂と称するものは封止後の高温保持も
必要無（なる方向にあるので、Ａｔ−Ａｕの金属間化合
物を白色のものに調整する事がますます困難になって来
ている。この様な状況の中で、結線後の高温保持は極め
て有効な技術として注目すべきものである。
約１時間という高温保持も適用されな（なり、加えてポ
ストキーアレス樹脂と称するものは封止後の高温保持も
必要無（なる方向にあるので、Ａｔ−Ａｕの金属間化合
物を白色のものに調整する事がますます困難になって来
ている。この様な状況の中で、結線後の高温保持は極め
て有効な技術として注目すべきものである。
第１図は従来の半導体装置を示す断面図である［発明の
効果コ 以上述べたように、本発明によれば、工０チップの電極
とリード端子との結線後、樹脂封止の前に前記ＩＣチッ
プを高温保持する事により、半導体装置をプリント回路
基板に搭載する時、赤外線等の熱応力に対して格別に高
い耐性を有するボー・・・・・・・・・ＩＣチップ ・・・・・・・・・タ ブ ・・・・・・・・・金属細線 ・・・・・・・・・パッド電極 ・・・・・・・・・リード端子 ・・・・・・・・・樹 脂 ７・・・・・・・・・ボールボン ド 以 上
効果コ 以上述べたように、本発明によれば、工０チップの電極
とリード端子との結線後、樹脂封止の前に前記ＩＣチッ
プを高温保持する事により、半導体装置をプリント回路
基板に搭載する時、赤外線等の熱応力に対して格別に高
い耐性を有するボー・・・・・・・・・ＩＣチップ ・・・・・・・・・タ ブ ・・・・・・・・・金属細線 ・・・・・・・・・パッド電極 ・・・・・・・・・リード端子 ・・・・・・・・・樹 脂 ７・・・・・・・・・ボールボン ド 以 上
Claims (1)
- ＩＣチップを樹脂封止して組立てを行なう半導体装置
において、ＩＣチップの電極とリード端子との結線後、
樹脂封止の前に前記ＩＣチップを高温保持する事を特徴
とする半導体装置の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11466890A JPH0410632A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11466890A JPH0410632A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0410632A true JPH0410632A (ja) | 1992-01-14 |
Family
ID=14643609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11466890A Pending JPH0410632A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0410632A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6784545B2 (en) | 2002-04-12 | 2004-08-31 | Nec Compound Semiconductor Devices, Ltd. | Semiconductor device having pad electrode connected to wire |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP11466890A patent/JPH0410632A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6784545B2 (en) | 2002-04-12 | 2004-08-31 | Nec Compound Semiconductor Devices, Ltd. | Semiconductor device having pad electrode connected to wire |
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