JPH04105393A - セラミック多層基板のヴィアホール構造 - Google Patents

セラミック多層基板のヴィアホール構造

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JPH04105393A
JPH04105393A JP22137590A JP22137590A JPH04105393A JP H04105393 A JPH04105393 A JP H04105393A JP 22137590 A JP22137590 A JP 22137590A JP 22137590 A JP22137590 A JP 22137590A JP H04105393 A JPH04105393 A JP H04105393A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
hole
dielectric layer
ceramic
diameter
layer
Prior art date
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Application number
JP22137590A
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English (en)
Inventor
Hitoshi Shibuya
仁 渋谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH04105393A publication Critical patent/JPH04105393A/ja
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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4038Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
    • H05K3/4053Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques
    • H05K3/4061Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques for via connections in inorganic insulating substrates

Landscapes

  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、電子機器等に用いるセラミック多層基板のヴ
ィアホール(Via Ho1e)の構造に関するもので
ある。
(従来の技術) 従来、このような分野の技術としては、例えば以下に示
すようなものがあった。
第3図はかかる従来のヴィアホール構造を存するセラミ
ック多層基板の断面図である。
この図に示すように、セラミック誘電体層l及び2に形
成された導体3及び4の導通を得るため、セラミック誘
電体層1,2に垂直の貫通孔5が設けられ、ヴイア導体
6が形成されている。
第4図はこのようなセラミック多層基板のヴイアの製造
工程断面図である。
まず、第4図(a)に示すように、セラミック誘電体層
1を用意し、第4図(b)に示すように、パンチング等
によりセラミック誘電体層1と垂直の貫通孔5を設け、
第4図(c)に示すように、これにヴイア導体6を印刷
等で形成する。セラミック多層基板は、このように形成
したヴイアを持つ数十層の誘電体層に導体を形成し、こ
れらを圧着後焼成したものである。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、上記したセラミック多層基板のヴィアホ
ール構造では、第5図(a)に示すように、厚さLのセ
ラミック誘電体層7に、φ、<1なるW通孔8と、t〈
φ2く4Lなる貫通孔9を同時に設けた場合、ヴイア印
刷工程で貫通孔9を充填できるヴイア導体10bと同様
の粘度のヴイア導体10aは貫通孔8を十分に充填する
ことが難しくなる。これは貫通孔9を充填できる粘度で
は、貫通孔8の充填には高すぎるため、貫通孔8に十分
に入り込まないからである。
逆に、第5図(b)に示すように、貫通孔8を充填でき
るヴイア導体11aと同様の粘度のヴイア導体11bは
貫通孔9を十分に充填することが難しくなる。これは貫
通孔8を充填できる粘度では、貫通孔9の充填には低す
ぎるため、貫通孔9を抜けてしまうからである。
従って、これらのヴイア充填不良により、電気的導通が
得られなくなり問題である。
また、以上のように貫通孔8.9を同様の導体で形成で
きないことになり、製造上満足の得られるものではなか
った。
本考案は、上記問題点を除去し、ヴイア粘度管理が簡単
であり、また製造工程も簡素化されるセラミック多i基
板のヴィアホール構造を提供することを目的とする。
(課題を解決するための手段) 本発明は、上記目的を達成するために、セラミック多層
基板の各セラミック誘電体層に形成された導体を各層毎
に導通させるセラミック多層基板のヴィアホール構造に
おいて、前記誘電体層の上面の穴径が太き(下面の穴径
が小さい台形の断面形状の貫通孔を形成するようにした
ものである。
(作用) 本発明によれば、上記のように、前記誘電体層の上面の
穴径が大きく下面の穴径が小さい台形の断面形状の貫通
孔を形成し、その貫通孔にヴイア導体を充填するように
したので、誘電体層下面に誘電体厚みより小さな径をも
つヴイアの形成が、従来のヴイアと同時に形成すること
ができる。また、それによりヴイア粘度管理が簡単にな
り、また製造工程も簡素化することができる。
(実施例) 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
第1図は本発明の実施例を示すヴィアホール構造を有す
るセラミック多層基板の断面図、第2図は本発明の実施
例を示すセラミック多層基板のヴイア製造工程断面図で
ある。
第1図に示すように、セラミック誘電体層21及び22
に形成された導体23及び24の導通を得るため、セラ
ミック誘電体層21及び22に台形の断面を持つ貫通孔
26を設け、その貫通孔26にヴイア導体27を形成す
るようにしたものである。
本発明のヴイア製造方法を第2図を参照しながら説明す
る。
まず、第2図(a)に示すように、セラミック誘電体層
21を用意し、第2図(b)に示すように、パンチング
等により、φ、≧t1かつ、φ、<1なる穴径を持つ貫
通孔26を設ける。なお、この他にt〈φ2〈4tなる
穴径の従来の貫通孔25も設けられている。このセラミ
ック誘電体層21に、第2図(c)に示すように、貫通
孔25が充填できる程度の粘度を持つヴイア導体27を
印刷等により、貫通孔26の穴径φ3の側から充填し、
ヴイアを形成する。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
(発明の効果) 以上、詳細に説明したように、本発明によれば、セラミ
ック多層基板の各セラミック誘電体層に形成された導体
を各層毎に導通させるヴィアホール構造において、前記
誘電体層の上面の穴径が大きく下面の穴径が小さい台形
の断面形状の貫通孔を形成し、その貫通孔にヴイア導体
を充填するようにしたので、誘電体層下面に誘電体厚み
より小さな径をもつヴイアの形成が、従来のヴイアと同
時に形成することが可能になる。これによりヴイア粘度
管理が簡単になり、また製造工程も簡素化することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例を示すヴィアホール構造を有す
るセラミック多層基板の断面図、第2図は本発明の実施
例を示すセラミック多層基板のヴイア製造工程断面図、
第3図は従来のヴィアホール構造を有するセラミ”/り
多層基板の断面図、第4図は従来のセラミック多層基板
のヴイアの製造工程断面図、第5図は従来技術の問題点
説明図である。 21、22・・・セラミック誘電体層、23.24・・
・導体、26・・・貫通孔、27・・・ヴイア導体。 特許出願人 沖電気工業株式会社 代理人 弁理士  清 水  守(外2名)18ラウd
水ルを有するとフミックク1基1(0折ふケ図第3図 従来rηアM遣工利τ噸耐図 第4図 紛明Qつ1ア製造り祥断計図 第2図 第 5図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  セラミック多層基板の各セラミック誘電体層に形成さ
    れた導体を各層毎に導通させるセラミック多層基板のヴ
    ィアホール構造において、 前記誘電体層の上面の穴径が大きく下面の穴径が小さい
    台形の断面形状の貫通孔を形成することを特徴とするセ
    ラミック多層基板のヴィアホール構造。
JP22137590A 1990-08-24 1990-08-24 セラミック多層基板のヴィアホール構造 Pending JPH04105393A (ja)

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JP22137590A JPH04105393A (ja) 1990-08-24 1990-08-24 セラミック多層基板のヴィアホール構造

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JP (1) JPH04105393A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04154187A (ja) * 1990-10-18 1992-05-27 Mitsubishi Materials Corp スルーホール配線板の構造及びその製造方法
WO2011007610A1 (ja) * 2009-07-14 2011-01-20 日本ゼオライト株式会社 石鹸セット及び製造方法
US8922304B2 (en) 2010-10-29 2014-12-30 Tdk Corporation Laminated electronic devices with conical vias

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2011007610A1 (ja) * 2009-07-14 2011-01-20 日本ゼオライト株式会社 石鹸セット及び製造方法
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