JPS58148498A - セラミツク厚膜印刷回路基板の歩留り向上パタ−ン - Google Patents
セラミツク厚膜印刷回路基板の歩留り向上パタ−ンInfo
- Publication number
- JPS58148498A JPS58148498A JP3147082A JP3147082A JPS58148498A JP S58148498 A JPS58148498 A JP S58148498A JP 3147082 A JP3147082 A JP 3147082A JP 3147082 A JP3147082 A JP 3147082A JP S58148498 A JPS58148498 A JP S58148498A
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- JP
- Japan
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- conductor
- insulating layer
- printed
- pattern
- conductors
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、セラミック厚膜印刷基板の歩留り向上パタ
ーンに関する。
ーンに関する。
ハイブリッドＩＣは、セラミック゛厚膜印刷基板の上に
導体パターン、抵抗パターン、絶縁ガラスパターン等を
繰返し厚膜印刷して、基本的な回路を構成する。この後
、単導体ＩＣチップ、コンデンサチップ等を必要であれ
ば、適当な電極パターン上へハンダ接合する。さらに、
基板の周辺部、１列又は２列に設けた電極パターンから
リードを突出させて仕上げる。
導体パターン、抵抗パターン、絶縁ガラスパターン等を
繰返し厚膜印刷して、基本的な回路を構成する。この後
、単導体ＩＣチップ、コンデンサチップ等を必要であれ
ば、適当な電極パターン上へハンダ接合する。さらに、
基板の周辺部、１列又は２列に設けた電極パターンから
リードを突出させて仕上げる。
配線は、基板に導体ペーストを印刷した導体パターンに
よって実現する。複雑な配線が必要な場合、導体パター
ンは、上下に交差させることが多い。すなわち、基板上
に下部導体をまず印刷する。
よって実現する。複雑な配線が必要な場合、導体パター
ンは、上下に交差させることが多い。すなわち、基板上
に下部導体をまず印刷する。
次に、交差点を含む適当な領域に、絶縁ガラスを印刷す
る。最後に、下部導体と直角になる方向へ、絶縁ガラス
の上へ上部導体を印刷する。こうして、互いに絶縁され
た、導体パターンを交差させて形成する事ができる。
る。最後に、下部導体と直角になる方向へ、絶縁ガラス
の上へ上部導体を印刷する。こうして、互いに絶縁され
た、導体パターンを交差させて形成する事ができる。
上部導体が１本であれば問題はない。
集積度が上がって、配線が複雑になると、上部導体を平
行な２本或は３本以上のパターンとしなければならない
場合が多い。また、導体パターンの線幅も狭くしなけれ
ばならず、平行な導体パターンの間隔も十分に広く採る
ことができない。
行な２本或は３本以上のパターンとしなければならない
場合が多い。また、導体パターンの線幅も狭くしなけれ
ばならず、平行な導体パターンの間隔も十分に広く採る
ことができない。
導体パターンが狭い間隔で並ぶと、両者の間で絶縁不良
が起りやすい。
が起りやすい。
また、絶縁ガラスの上に細い導体ｔ４ターンを印刷する
と、傾斜部での厚みが減少し、パターンが断線しやすい
。こういう難点があった。
と、傾斜部での厚みが減少し、パターンが断線しやすい
。こういう難点があった。
第５図は従来例に係る導体パターン交着部分の平面図で
ある。第６図は縦ＣＶＩ−＃）断面図である。
ある。第６図は縦ＣＶＩ−＃）断面図である。
セラミック厚膜印刷基板４０の上に、平行な２本の下部
導体４１ 、４２と、これらに直角な１本の下部導体４
３が印刷しである。
導体４１ 、４２と、これらに直角な１本の下部導体４
３が印刷しである。
下部導体４３の上に、ガラスよりなる絶縁層材が印刷し
である。平行下部導体４１ 、４２は交差領域Ｓに於て
、中断するよう印刷しである。そして、絶縁層材の上へ
、さらに、上部導体４５ 、４６を印刷し、下部導体４
１．４２を夫々連続させる。
である。平行下部導体４１ 、４２は交差領域Ｓに於て
、中断するよう印刷しである。そして、絶縁層材の上へ
、さらに、上部導体４５ 、４６を印刷し、下部導体４
１．４２を夫々連続させる。
ここで、「印刷」というのは、まず適当なパターンのス
クリーンを基板上に当てて、ペース）４塗布する（狭義
の印刷）事と、これを乾燥する事と、さらに焼成して固
化する事の３段階を含む。
クリーンを基板上に当てて、ペース）４塗布する（狭義
の印刷）事と、これを乾燥する事と、さらに焼成して固
化する事の３段階を含む。
以後、印刷という言葉は、こういう意味に使う。
上部導体４５ 、４６と下部導体４１ 、４２との接合
部Ｊで、導体ペーストは拡り、２本の導体間の間隔が狭
くなる。すると、導体パターンを構成する銀がイオン化
して導体間をドリフトしてくる。銀マイグレーションと
呼ぶが、これは、水分の存在や、導体パターンの間に加
わる電圧によって異なるが、間隔が１００μｍ 程度で
、導体パターン間に５０Ｖの電圧を掛けると、数秒で銀
マイグレーションの発生を認める事ができる。
部Ｊで、導体ペーストは拡り、２本の導体間の間隔が狭
くなる。すると、導体パターンを構成する銀がイオン化
して導体間をドリフトしてくる。銀マイグレーションと
呼ぶが、これは、水分の存在や、導体パターンの間に加
わる電圧によって異なるが、間隔が１００μｍ 程度で
、導体パターン間に５０Ｖの電圧を掛けると、数秒で銀
マイグレーションの発生を認める事ができる。
樹枝状の銀マイグレーシヨン反応路が導体／、ｅターン
間にできると、両パターンは短絡状態に近くなる。少な
くとも完全に絶縁されない。
間にできると、両パターンは短絡状態に近くなる。少な
くとも完全に絶縁されない。
また、第６図に於て、下部導体４１ 、４２を接続する
ための、上部導体４５ 、４６は傾斜部４７に於て薄く
なる。このため、断線の慣れがあった。
ための、上部導体４５ 、４６は傾斜部４７に於て薄く
なる。このため、断線の慣れがあった。
下部導体の厚みは１０〜１５μｍ程度で、絶縁層ａの厚
みは約３０〜４０μｍ程度である。上部導体は、平坦で
はなく、両端と真中とで、４０μｍ以上の高低差ができ
る。それで、傾斜部の印刷厚みが減り、上部導体はここ
で断線する可能性があった。
みは約３０〜４０μｍ程度である。上部導体は、平坦で
はなく、両端と真中とで、４０μｍ以上の高低差ができ
る。それで、傾斜部の印刷厚みが減り、上部導体はここ
で断線する可能性があった。
これらの欠点は、もちろん、頻繁に現われるわけではな
い。しかしながら、１個のハイブリッドＩＣの中には、
導体パターンが交差する部分は、多数存在する。たとえ
、導体パターンの絶縁不良、断線の可能性が僅少であっ
ても、ハイブリッドＩＣの歩留りを低下させる重大な要
因となる。
い。しかしながら、１個のハイブリッドＩＣの中には、
導体パターンが交差する部分は、多数存在する。たとえ
、導体パターンの絶縁不良、断線の可能性が僅少であっ
ても、ハイブリッドＩＣの歩留りを低下させる重大な要
因となる。
本発明は、このような難点を解決する事を目的とする。
本発明のパターンは、絶縁（ガラス）層に工夫を凝し、
上部導体の印刷されるべき方向には、二段階の絶縁層と
して、傾斜を緩和し、かつ平行な導体パターンの接合部
の間には隔壁を設けて、銀マイグレーションの発生を防
止するようにしている。
上部導体の印刷されるべき方向には、二段階の絶縁層と
して、傾斜を緩和し、かつ平行な導体パターンの接合部
の間には隔壁を設けて、銀マイグレーションの発生を防
止するようにしている。
以下、実施例を示す図面によって、本発明の構成、作用
及び効果を説明する。
及び効果を説明する。
＠１図は、本発明の実施例にかかるセラミック厚膜印刷
回路基板の歩留り向上パターンの斜視図である。第２図
〜第４図は、このパターンを構成する為の工程を表す傾
斜図を示す。
回路基板の歩留り向上パターンの斜視図である。第２図
〜第４図は、このパターンを構成する為の工程を表す傾
斜図を示す。
まず、第２図に示すように、セラミック基板１の上へ、
連続する横下部導体２と、これと直角であるが、途中で
切断されている縦下部導体３，４゜５．６とを印刷する
。つまり、導体ペーストをスクリーン上から塗布して、
導体パターンを作り、乾燥、焼成する。
連続する横下部導体２と、これと直角であるが、途中で
切断されている縦下部導体３，４゜５．６とを印刷する
。つまり、導体ペーストをスクリーン上から塗布して、
導体パターンを作り、乾燥、焼成する。
下部導体の厚みは、１０〜１５μｍで、導体材料は銀パ
ラジウム系のペーストを用いる。
ラジウム系のペーストを用いる。
次に、絶縁ガラスペーストを印刷して、丁香絶縁層部７
を形成する。これは横下部導体２の一部を覆うが、縦下
部導体３，４，５．６は覆わない。
を形成する。これは横下部導体２の一部を覆うが、縦下
部導体３，４，５．６は覆わない。
下前絶縁層部７を乾燥、焼成した後、第４図に示すよう
に、再び絶縁ガラスペーストを印刷する。
に、再び絶縁ガラスペーストを印刷する。
上絶縁層部８は単純な矩形ではなく、十字型のパターン
を成している。
を成している。
縦下部導体３，４，５．６と平行に、かつ、これらを分
離するように高い隔壁９が生ずる。これと直角方向の上
絶縁層部８は、上絶縁層部７と平坦になるようにしであ
る。
離するように高い隔壁９が生ずる。これと直角方向の上
絶縁層部８は、上絶縁層部７と平坦になるようにしであ
る。
しかし、隔壁９の両側の上絶縁層部８は、下絶縁層部７
より、縦方向に関し、より狭くなっている。上絶縁層部
７の長さをＵ、上絶縁層部８の隔壁部端面１０間の距離
を■、上絶縁層幅（隔壁両側の上絶縁層部の縦方向長さ
）をＷとすると、Ｗ（Ｕ （Ｖ である。
より、縦方向に関し、より狭くなっている。上絶縁層部
７の長さをＵ、上絶縁層部８の隔壁部端面１０間の距離
を■、上絶縁層幅（隔壁両側の上絶縁層部の縦方向長さ
）をＷとすると、Ｗ（Ｕ （Ｖ である。
このように絶縁層１１は、上絶縁層部７と上絶縁層部８
とを重ねて一体としたものになっている。
とを重ねて一体としたものになっている。
これを、横下部導体２から見れば、単に導体２の上へ印
刷された厚さの一様な絶縁層にすぎない。
刷された厚さの一様な絶縁層にすぎない。
しかしながら、縦下部導体３，４，５．６にとっては、
２段構造の絶縁層になり、しかも、縦下部導体３，４，
５．６の端部は、隔壁９，９によって仕切られている。
２段構造の絶縁層になり、しかも、縦下部導体３，４，
５．６の端部は、隔壁９，９によって仕切られている。
第４図の状態から、さらに、上部導体１２ 、１３を縦
平行に印刷し、接合部１４ 、１５ 、１６ 、１７に
於て、縦下部導体３．４，５．６に重ね合わせた状態が
第１図に示されたものである。
平行に印刷し、接合部１４ 、１５ 、１６ 、１７に
於て、縦下部導体３．４，５．６に重ね合わせた状態が
第１図に示されたものである。
上部導体１２ 、１３は、セラミック基板１と、絶縁層
１１の中間段部１８、頂部１９とにわたって段階状に印
刷される。これに応じ、上部導体１２ 、１３は、基板
１から頂部１９に至るまでに、第１立上り部２０と第２
立上り部２１とに分割して上ってゆくパターンとなる。
１１の中間段部１８、頂部１９とにわたって段階状に印
刷される。これに応じ、上部導体１２ 、１３は、基板
１から頂部１９に至るまでに、第１立上り部２０と第２
立上り部２１とに分割して上ってゆくパターンとなる。
り部２１での立上り分は、従来のパターンの立上り部の
約半分づつとなるわけである。
約半分づつとなるわけである。
効果を述べる。
本発明の導体パターンは、上部導体によってつながれる
平行な２本以上の下部導体の接合部が隔壁によって隔て
られた構造になっている。従って、平行な導体パターン
の間隔が狭く、接合部が接近しても、この間で強い電場
が生じない。従来のように、銀マイグレーションが起っ
て、絶縁不良となる惧れがない。
平行な２本以上の下部導体の接合部が隔壁によって隔て
られた構造になっている。従って、平行な導体パターン
の間隔が狭く、接合部が接近しても、この間で強い電場
が生じない。従来のように、銀マイグレーションが起っ
て、絶縁不良となる惧れがない。
また、上部導体は、１段で立上るのではなく、２段にな
って半分ずつ立上るから、傾斜部で厚みが減少する、と
いう事はない。
って半分ずつ立上るから、傾斜部で厚みが減少する、と
いう事はない。
第１図は水平方向の長さを小さく、上下（高さ）方向を
より大きく拡大して描いであるが、実際には、第１立上
り部２０Ｊ第２立主り部２１は極めて短く、低いのであ
る。
より大きく拡大して描いであるが、実際には、第１立上
り部２０Ｊ第２立主り部２１は極めて短く、低いのであ
る。
従来、傾斜（段）部で導体パターンが薄くなったのは、
厚膜印刷する際、スクリーンを当てて、上方から導体ペ
ーストを塗布するから、傾斜部では斜面長さに比してペ
ースト塗布量が不足する事による。当然傾斜（段）部が
低くなると、こういう現象を防ぐことができる。本発明
は、従って、上部導体が、局所的に薄くなり、断線する
、という確率を大幅に減する事ができる。
厚膜印刷する際、スクリーンを当てて、上方から導体ペ
ーストを塗布するから、傾斜部では斜面長さに比してペ
ースト塗布量が不足する事による。当然傾斜（段）部が
低くなると、こういう現象を防ぐことができる。本発明
は、従って、上部導体が、局所的に薄くなり、断線する
、という確率を大幅に減する事ができる。
このように、本発明は、平行導体間の絶縁不良、断線な
どの可能性を極めて少なくできるから、ハイブリッドＩ
Ｃを量産する際、小止りを向上させる事ができる。
どの可能性を極めて少なくできるから、ハイブリッドＩ
Ｃを量産する際、小止りを向上させる事ができる。
この実施例では、上部導体が２本の場合を説明したが、
これに限らない。上部導体がｎ本であれば、隔壁の数を
（ｎ−１）にする。
これに限らない。上部導体がｎ本であれば、隔壁の数を
（ｎ−１）にする。
また、絶縁層は２段になっているが、これに限らず、３
段以上の多段にしても差支えない。
段以上の多段にしても差支えない。
第１図は本発明の実施例に係るセラミック厚膜印刷回路
基板の歩留り向上パターンの斜視図。水平方向は小さく
、上下方向の寸法を拡大して描いである。 第２図はセラミック厚膜印刷回路基板へ下部導体パター
ンを印刷した状態の斜視図。 第３図は第２図の状態へさらに上絶縁層部を印刷した状
態の斜視図。 第４図は第３図の状態へさ゛らに上絶縁層部を印刷した
状態の斜視図。 第５図は従来例に係る導体パターン交差部分の平面図。 第６図は第５図のＷ−■断面図。 １・・・・・セラミック基板 ２・・・・・・横下部導体 ３．４，５．６・・・・・・縦下部導体７・・・・・上
絶縁層部 ８ ・・・・・上絶縁層部 ９・・・・・・隔 壁 １０・・・・隔壁端面 １１・・・・・絶縁層 １２ 、１３・・・・上部導体 １４ 、１５ 、１６ 、１７・・・・・・接 合 部
１８・・・・中間段部 １９・・ 頂 部 ２０・・・・・第一立上り部 ２１・・・・第二立上り部 Ｕ・・・・・上絶縁層部の縦方向長さ ■・・・・上絶縁要部隔壁端面間距離 Ｗ・・・上絶縁層部の（隔壁を除く）縦方向長さ 発 明 者 武 内 省 二
第３図 第５図 ｉ■ 第６図 二五
基板の歩留り向上パターンの斜視図。水平方向は小さく
、上下方向の寸法を拡大して描いである。 第２図はセラミック厚膜印刷回路基板へ下部導体パター
ンを印刷した状態の斜視図。 第３図は第２図の状態へさらに上絶縁層部を印刷した状
態の斜視図。 第４図は第３図の状態へさ゛らに上絶縁層部を印刷した
状態の斜視図。 第５図は従来例に係る導体パターン交差部分の平面図。 第６図は第５図のＷ−■断面図。 １・・・・・セラミック基板 ２・・・・・・横下部導体 ３．４，５．６・・・・・・縦下部導体７・・・・・上
絶縁層部 ８ ・・・・・上絶縁層部 ９・・・・・・隔 壁 １０・・・・隔壁端面 １１・・・・・絶縁層 １２ 、１３・・・・上部導体 １４ 、１５ 、１６ 、１７・・・・・・接 合 部
１８・・・・中間段部 １９・・ 頂 部 ２０・・・・・第一立上り部 ２１・・・・第二立上り部 Ｕ・・・・・上絶縁層部の縦方向長さ ■・・・・上絶縁要部隔壁端面間距離 Ｗ・・・上絶縁層部の（隔壁を除く）縦方向長さ 発 明 者 武 内 省 二
第３図 第５図 ｉ■ 第６図 二五
Claims (1)
- 連続する横下部導体と、これに交差する部分で中断して
いる平行な２本以上の縦下部導体と、横下部導体の上に
印刷した絶縁層と、対応する縦下部導体間を連続させる
ための絶縁層の上へ印刷された上部導体とよりなり、絶
縁層は縦方向に階段板の歩留り向上パターン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3147082A JPS58148498A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | セラミツク厚膜印刷回路基板の歩留り向上パタ−ン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3147082A JPS58148498A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | セラミツク厚膜印刷回路基板の歩留り向上パタ−ン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58148498A true JPS58148498A (ja) | 1983-09-03 |
Family
ID=12332145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3147082A Pending JPS58148498A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | セラミツク厚膜印刷回路基板の歩留り向上パタ−ン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58148498A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61199071U (ja) * | 1985-05-30 | 1986-12-12 | ||
| JPS62154678U (ja) * | 1986-03-20 | 1987-10-01 | ||
| JPH0354890A (ja) * | 1989-07-24 | 1991-03-08 | Taiyo Yuden Co Ltd | 厚膜回路基板及びその製造方法 |
-
1982
- 1982-02-26 JP JP3147082A patent/JPS58148498A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61199071U (ja) * | 1985-05-30 | 1986-12-12 | ||
| JPS62154678U (ja) * | 1986-03-20 | 1987-10-01 | ||
| JPH0354890A (ja) * | 1989-07-24 | 1991-03-08 | Taiyo Yuden Co Ltd | 厚膜回路基板及びその製造方法 |
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