JPH0216790A - 配線層形成法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

本発明は、基板上に、所要のパターンを有する配線層を
形成する配線層形成法に関する。

【従来の技術】

従来、第９図〜第１５図を伴って次に述べる配線層形成
法が提案されている。 すなわち、非焼成のセラミックでなり且つ平らな主面１
ａを有する非焼成セラミック基板１を予め用意する（第
９図）。 次に、その非焼成セラミック基板１に、その主面１ａ側
において、所要のパターンを有する溝２を、型押（ブレ
ス）処理によって形成する（第１０図）。 この場合、簡単のため、溝２が、非焼成セラミック基板
１上の左側における１状パターンを有する溝２ａと、非
焼成セラミック基板１上の＠２ａの右側における、垂直
部が溝２ａの垂直部とほぼ平行に延長している「状パタ
ーンを有する溝２ｂと、非焼成セラミック基板１上の上
側における、垂直部の遊端が溝２ｂの水平部の近傍まで
延長している１状パターンを有する溝２Ｃと、非焼成セ
ラミック基板１上の右下側における、遊端が溝２ｂの水
平部の近傍まで、満２Ｃ側とは反対側において延長して
いるＩ状バターンを有する溝２ｄとからなるものとする
。 次に、非焼成セラミック基板１上に、主面１ａ側におい
て、例えばスクリーン印刷法による導体ペーストの供給
処理によって、溝２を充填している導体ペースト層３を
形成する（第１１図）。 この場合、導体ペーストの供給処理をスクリーン印刷法
による処理としており、一方、溝２が溝２ａ〜２ｄから
なることから、導体ペーストＦｒＪ３が、溝２ａ〜２ｄ
にそれぞれ対応している導体ペースト層３ａ〜３ｄから
なるものとする。 次に、非焼成セラミック基板１に対する焼成処理と、導
体ペースト層３に対する焼付処理とを同時に行うことに
よって、非焼成セラミック基板１から、焼成され且つセ
ラミックでなる焼成セラミック絶縁基板５を形成すると
ともに、導体ペースト層３から、ｐｉ２内にそのパター
ンで延長している配線層４を形成する（第１２図）この
場合、導体ペースト層３が導体ペースト層３ａ〜３ｄか
らなるので、これに応じて、配線層４も、導体ペースト
層３ａ〜３ｄにそれぞれ対応している配線層４８〜４ｄ
からなる。 次に、焼成上ラミック絶縁基板５上に、導体ペースト層
３中の導体ペースト層３ｂの水平部の、導体ペースト層
３Ｃ及び３ｄの遊端部が近接している部と、導体ペース
ト１３ｃ及び３ｄの導体ペースト層３ｂの水平部に近接
している部とを、ともに覆って延長している絶縁層６を
、例えばスクリーン印刷・焼付処理によって形成する（
第１３図）。 次に、配線層４Ｃ及び第４ｄの絶縁層６側の゛遊端部上
と、絶縁層６上とに、ストライブ状に延長している導体
ペースト層７を形成する（第１４図）。 次に、導体ペースト層７に対する焼付処理によって、導
体ペースト層７から、配線１４ｂの水平部上を絶縁層５
を介して横切り且つ配線層４Ｃ及び４ｄに連結して延長
している配線層８を形成する（第１５図）。 以上が、従来提案されている配線層形成法である。 このような配線層形成法によって形成される配線層４及
び８を有する焼成セラミック絶縁基板５は、第１６図に
示すように、両端に電極９゜ａ及び９ｂを有する電子部
品９を、その電極９ａ及び９ｂを半田１０ａ及び１０ｂ
を用いて連結して装架させたりする配線基板として用い
られる。 第９図〜第１５図を伴って上述した従来の配線層形成法
によれば、非焼成セラミック基板１に溝２を形成し、そ
の溝２を形成している非焼成セラミック基板１上に、溝
２を充填している導体ペースト層３を形成するようにし
ているので、導体ペースト層３を、溝２の位置において
、厚い厚さに比較的容易に形成することができる。 このため、配線層４を、厚い厚さに容易に形成すること
ができ、従って、配線層４を、幅狭であっても、低い抵
抗しか有しないものとして容易に形成することができる
。 また、配線層４を上述したように厚い厚さに形成しても
、その配線層４が溝２内に延長しているので、配線層４
Ｃ及び４ｄの上面と絶縁層５の上面との間の段差が小さ
い。このため、配線層４ｂ上を絶縁層６を介して横切り
且つ配線層４Ｃ及び４ｄに連結して延長している配線層
８を、絶縁層６の縁上の部が他部に比し極めて薄い厚さ
を有するものとして形成したり、断線しているものとし
て形成したりするおそれなしに、容易に形成することが
できる。

【発明が解決しようとする課題】

しかしながら、上述した従来の配線層形成法の場合、配
線層４を形成するための導体ペースト層３に対する焼付
処理と同時に、焼成セラミック絶縁基板５を形成するた
めの非焼成セラミック基板１に対する焼成処理を行って
いる。そして、このとき、配ｒＡ層４は、導体ペースト
層３に対しである収縮率をもって収縮して形成され、ま
た、焼成セラミック絶縁基板５も、非焼成セラミック基
板１に対して、ある収縮率をもって収縮して形成される
が、両者の収縮率間に、大きな差を有する。 このため、非焼成セラミック基板１が反りを有するもの
として形成されたり、配線層４が所期の寸法とパターン
とから大きくずれたものとして形成されなかったりする
、という欠点を有していた。 また、導体ペースト層３から配線層４を形成し且つこれ
と同時に非焼成セラミック基板１から焼成セラミック絶
縁基板５を形成するとぎに、導体ペースト層３の材料が
非焼成セラミック基板１の材料と反応すれば、配線層４
を所期の高い精度で形成し得なくなることから、導体ペ
ースト層３の材料に制約を受（プ、従って、配ｌｉｉ層
４を、十分低い抵抗を有するものとして形成するのに一
定の制限を有していた。 さらに、溝２を、型押（プレス）処理によって機械的に
形成しているので、溝２を、高精度に、微細に形成する
のに一定の限度を有し、このため、焼成セラミック絶縁
基板５上に、高精度、微細な配線層４を、高密度に形成
することに一定の限度を有していた。 よって、本発明は、上述した欠点のない、新規な配線層
形成法を提案せんとするものである。

【課題を解決するための手段】

本発明による配線層形成法によれば、焼成され且つセラ
ミックでなる焼成セラミック絶縁基板に、その主面側に
おいて、エツチング処理によって、所要のパターンを有
する溝を形成する工程と、上記焼成セラミック絶縁基板
上に、その主面側において、導体ペーストの供給処理に
よって、上記溝を充填している導体ペースト層を形成す
る工程と、上記導体ペースト層から、少なくとも焼付処
理をＩＭすことによって、上記溝内にそのパターンで延
長している配線層を形成する工程とを有する。

【作用・効果】

本発明による配線層形成法によれば、第９図〜第１５図
を伴って上述した従来の配線層形成法の場合に準じて、
焼成セラミック絶縁基板に溝を形成し、その溝を形成し
ている焼成セラミック絶縁基板上に、溝を充填している
導体ペースト層を形成するようにしているので、導体ペ
ースト層を、第９図〜第１５図の場合と同様に、溝の位
置において、厚い厚さに比較的容易に形成することがで
きる。このため、配線層を、第９図〜第１５図の場合と
同様に、厚い厚さに容易に形成することができ、従って
、配線層を、幅狭であっても、低い抵抗しか有しないも
のとして容易に形成することができる。 また、配線層を上述したように厚い厚さに形成しても、
その配線層が、第９図〜第１５図の場合と同様に、溝内
に延長しているので、焼成セラミック絶縁基板の主面と
配線層の上面との間の段差を実質的にないかあるとして
もごく僅かしかないものすることができる。 このため、第９図〜第１５図の場合と同様に、配線層上
を絶縁層を介して横切って延長している他の配線層を形
成する場合でも、第９図〜第１５図の場合と同様に、そ
の後者の層を絶縁層の縁上の部が他部に比し極めて薄い
厚さを有するものとして形成したり、断線しているもの
どとして形成したりするおそれなしに、容易に形成する
ことができる。 しかしながら、本発明による配線層形成法の場合、配線
層を形成するための導体ペースト居に対する焼付処理を
施すとき、焼成セラミック絶縁基板がすでに焼成されて
いるため、その焼成セラミック絶縁基板に対して焼成処
理を施す必要がないばかりか、配線層が、導体ペースト
層に対しである収縮率をもって収縮して形成されるとし
ても、焼成セラミック絶縁基板は、はとんど収縮しない
。 このため、焼成セラミック絶縁基板に反りが生じたり、
配ｌ１１ｍが所期の寸法とパターンとから大きくずれた
ものとして形成されたりしない。 また、導体ペースト層から配線層を形成するときに、焼
成セラミック絶縁基板がすでに焼成されている基板であ
るため、導体ペースト層の材料が焼成セラミック絶縁基
板の材料と実質的に反応せず、このため、導体ペースト
層の材料にほとんど制約を受けず、従って、配線層を、
十分低い抵抗を有するものとして形成することができる
。 さらに、溝を、エツチング処理によって形成するので、
溝を、高精度に、微細に、且つ所望の深さに容易に形成
することができ、このため、焼成セラミック絶縁基板上
に、高精度、微細な、■つ低い抵抗を有する配ＩＩ層を
、高密度に形成することができる。

【実施例】

次に、第１図〜第７図を伴って、本発明による配線層形
成法の実施例を述べよう。 第１図〜第７図において、第９図〜第１５図との対応部
分には同一符号を付して示す。 第１図〜第７図に示す本発明による配線層形成法は、次
に述べる順次の工程をとって、配線層を形成する。 すなわち、焼成され且つセラミックでなり、且つ平らな
主面５ａを右する焼成上ラミック絶縁Ｕ板５を予め用意
する〈第１図）。 次に、その焼成セラミック絶縁基板５に、その主面５ａ
側において、所要のパターンを有する溝２を、エツチン
グ処理によって形成する（第２図）。 この場合、簡単のため、第９図〜第１５図で上述した従
来の配線層形成法の場合に準じて、溝２が、焼成セラミ
ック絶縁基板５上の左側における］状パターンを有する
溝２ａと、焼成セラミック絶縁基板５上の溝２ａの右側
に４３ける、垂直部が溝２８の垂直部とほぼ平行に延長
している［状パターンを有づ−る溝２ｂと、焼成セラミ
ック絶縁基板５上の上側における、垂直部の遊端が溝２
ｂの水平部の近傍まで延長している］状パターンを有す
る溝２０と、焼成セラミック絶縁基板５上の右下側にお
ける、遊端が溝２ｂの水平部の近傍まで、溝２Ｃ側とは
反対側において延長しているＩ状パターンを右する溝２
ｄとからなるものとする。 次に、焼成セラミック絶縁基板５上に、第９図〜第１５
図で上述した従来の配線層形成法の場合に準じて、主面
５ａ側において、例えばスクリーン印刷法による導体ペ
ーストの供給処理によって、溝２を充填している導体ペ
ースト層３を形成する（第３図）。 この場合、導体ペーストの供給処理をスクリーン印刷法
による処理としており、一方、溝２が溝２ａ〜２ｄから
なることから、導体ペースト層３が、第９図〜第１５図
の場合と同様に、溝２ａ〜２ｄにそれぞれ対応している
導体ペースト層３８〜３ｄからなるものとする。 次に、導体ペースト層３に対する焼付処理を行うことに
よって、導体ペースト層３から、溝２内にそのパターン
で延長している配線層４を形成する（第１２図）。 この場合、導体ペースト層３が導体ペースト層３ａ〜３
ｄからなるので、これに応じて、配線層４も、第９図〜
第１５図の場合と同様に、導体ペースト層３８〜３ｄに
それぞれ対応している配線層４ａ〜４ｄからなる。 以下、第９図〜第１５図の場合と同様であるので詳細説
明は省略するが、第９図〜第１５図の場合と同様に、焼
成セラミック絶縁基板５上に、導体ペースト層３中の導
体ペースト１ｉ１３ｂの水平部の、導体ペースト層３Ｃ
及び３ｄの遊端部が近接している部と、導体ペースト層
３Ｃ及び３ｄの導体ペースト層３ｂの水平部に近接して
いる部とをともに覆って延長している絶縁層６を形成し
く第５図）、次に、配線ｆｆ４ｃ及び第４ｄの絶縁層６
側の遊端部上ど、絶縁層６上とに、ストライプ状に延長
している導体ペースト層７を形成しく第６図）、次に、
導体ペースト層７に対する焼付処理によって、導体ペー
スト層７から、配線層４ｂの水平部上を絶縁層５を介し
て横切り且つ配線層４Ｃ及び４ｄに連結して延長してい
る配線層８を形成する（第７図）。 以上が、本発明による配線層形成法の実施例である。 このような本発明による配線層形成法によって形成され
る配線層４及び８を有する焼成セラミック絶縁基板５は
、第８図に示すように、第１６図で上述したと同様に、
示すように、両端に電極９ａ及び９ｂを有する電子部品
９を、その電極９ａ及び９ｂを半田１０ａ及び１０ｂを
用いて連結して装架させたりする配線基板として用いら
れる。 第１図〜第７図を伴って上述した本発明による配線層形
成法によれば、第９図〜第１５図で上述した従来の配置
層形成法の場合に準じて、焼成セラミック絶縁基板５に
溝２を形成し、その満２を形成している焼成セラミック
絶縁基板５上に、溝２を充填している導体ペースト層３
を形成するようにしているので、第９図〜第１５図の場
合と同様に、導体ペースト層３を、溝２の位置において
、厚い厚さに比較的容易に形成することができる。 このため、第９図〜第１５図の場合と同様に、配線層４
を、厚い厚さに容易に形成することができ、従って、配
線層４を、幅狭であっても、低い抵抗しか有しないもの
として容易に形成することができる。 また、配線層４を上述したように厚い厚さに形成しても
、第９図〜第１５図の場合と同様に、配線層４が溝２に
延長しているので、焼成セラミック絶縁基板５の主面５
ａと配線層４と上面との間の段差を実質的にないかある
としてもごく僅かしかないものとすることができ、よっ
て配線層４Ｃ及び４ｄの上面と絶縁層５の上面との間の
段差が小さい。 このため、第９図〜第１５図の場合と同様に、配線層４
ｂ上を絶縁層６を介して横切り且つ配線層４Ｃ及び４ｄ
に連結して延長している配線層８を、絶縁層６の縁上の
部が他部に比し極めて薄い厚さを有するものとして形成
したり、断線しているものとして形成したりするおイれ
ＺＺしに、容易に形成することができる。 しかしながら、第１図〜第７図に示す本発明による配線
層形成法の場合、配線層４を形成するだめの導体ペース
ト層３に対する焼付処理を施すとき、焼成セラミック絶
縁基板５がすでに焼成されているため、その焼成セラミ
ック絶縁基板５を施す必要がないばかりが、配線層４が
、導体ペースト層３に対しである収縮率をもって収縮し
て形成されるとしても、焼成セラミック絶縁基板５は、
はとんど収縮しない。 このため、焼成セラミック絶縁基板５に反りが生じたり
、配線層４が所期の寸法とパターンとから大きくずれた
ものとして形成されたりしない。 また、導体ペースト層３から配線層４を形成するときに
、焼成セラミック絶縁基板５がすでに焼成されている基
板であるため、導体ペースト層３の材料が焼成セラミッ
ク絶縁基板５の材料と実質的に反応せず、このため、導
体ペースト層３の材料にほとんど制約を受けず、従って
、配線層４を、十分低い抵抗を有するものとして形成す
ることができる。 さらに、満２を、エツチング処理によって形成するので
、溝２を、高精度に、微細に、且つ所望の深さに容易に
形成することができ、このため、焼成セラミック絶縁基
板５上に、高精度、微細な、且つ低い抵抗を有する配線
層４を、高密度に形成することができる。 なお、上述においては、焼成セラミック絶縁基板５上へ
のスクリーン印刷法による導体ペーストの供給処理によ
って、溝２を充填している導体ペースト層３を、溝２内
から焼成セラミック絶縁基板５の主面５ａ上に実質的に
延長していないものとして形成する場合につき述べたが
、スクリーン印刷法によらないそれ自体は公知の種々の
注入法による導体ペーストの供給処理によって、同様に
導体ペースト層３を、溝２内から焼成セラミック絶縁基
板５の主面５ａ上に実質的に延長していないものとして
形成することもできる。 また、上述においては、導体ペースト層３を、溝２内か
ら焼成セラミック絶縁基板５の主面５ａ上に実質的に延
長していないものとして形成し、次に、その導体ペース
ト層３に対し、焼成処理を施すだけで、導体ペースト層
３から配線Ｉ！４を形成する場合につき述べた。しかし
ながら、焼成セラミック絶縁基板５への塗布による導体
ペーストの供給処理によって、満２を充填している導体
ペースト層３を、溝２内から焼成セラミック絶縁基板５
の主面５ａ上にその一部または全域に亘って延長してい
るものとして形成し、次に、その導体ペースト層３から
、焼成処理によって導体層を形成し、次に、その導体層
から、溝２内の部は残すが、焼成セラミック絶縁基板５
の主面５ａ上に延長している部は削除する研磨処理によ
って、溝２内にそのパターンで延長している配線層４を
形成することもできる。 その他、本発明の精神を脱することなしに、種々の変型
、変更をなし得るであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ及びＢ〜第第７八ＡびＢは、本発明による配線
層形成法の実施例を示す順次の工程における路線的平面
図及びそのＢ−Ｂ線上の断面図である。 第８図は、第１図〜第７図に示す本発明による配線層形
成法を用いて製造された配線基板としての焼成セラミッ
ク絶縁基板上に、電子部品を装架している状態を示して
いる路線的平面図及びそのＢ−８線上の断面図である。 第９図Ａ及びＢ〜第第１固 の配線層形成法示す順次の工程における路線的平面図及
びその８−８線上の断面図である。 第１６図は、第９図〜第１５図に示す従来の配線層形成
法を用いて製造された配線基板としての焼成セラミック
絶縁基板上に、電子部品を装架している状態を示してい
る路線的平面図及びそのＢ−８線上の断面図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・・・・非焼成セラミ
ック基板１ａ・・・・・・・・・・・・・・・主面２・
・・・・・・・・・・・・・・・・・溝３、３ａ〜３ｄ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・導体ペースト層
４、４ａ〜４ｄ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・配線層５・・・
・・・・・・・・・・・・・・・焼成セラミック絶縁基
板５ａ・・・・・・・・・・・・・・・主面６・・・・
・・・・・・・・・・・・・・絶縁層７・・・・・・・
・・・・・・・・・・・導体ペースト層８・・・・・・
・・・・・・・・・・・・配線層９・・・・・・・・・
−・・・・・・・・電子部品１０ａ，１０ｂ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・半田第１図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 焼成され且つセラミックでなる焼成セラミック絶縁基板
   に、その主面側において、エッチング処理によつて、所
   要のパターンを有する溝を形成する工程と、 上記焼成セラミック絶縁基板上に、その主面側において
   、導体ペーストの供給処理によって、上記溝を充填して
   いる導体ペースト層を形成する工程と、 上記導体ペースト層から、少なくとも焼付処理を施すこ
   とによつて、上記溝内にそのパターンで延長している配
   線層を形成する工程とを有することを特徴とする配線層
   形成法。