JPS6358996A

JPS6358996A - ハイブリツドｉｃの導体パタ−ン形成方法

Info

Publication number: JPS6358996A
Application number: JP20459486A
Authority: JP
Inventors: 渡辺　元一
Original assignee: Shimadzu Corp
Current assignee: Shimadzu Corp
Priority date: 1986-08-29
Filing date: 1986-08-29
Publication date: 1988-03-14

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（イ）産業上の利用分野この発明は、ハイブリッドＩＣの導体パターンの印刷形
成方法に関する。

（ロ）従来の技術第３図は、従来の印刷形成方法により形成されたハイブ
リッドＩＣ回路における２層パターンの斜視図であり、
第４図は、その断面図である。

従来の印刷形成方法は、アルミナ基板８上に直交状の下
層導体７１．７２を印刷し、交叉部を分断（セパレート
）シた一方のセパレート下層導体７１の分断空隙、つま
り下層導体７１と下層導体７２との空隙及び下層導体７
２の上面に絶縁剤であるガラスペースト（絶縁ガラス）
７３を所謂アーチ状に印刷する。そして、この絶縁ガラ
ス７３上面にセパレート下層導体７１．７１間を結ぶ上
層導体７４を印刷し、焼成時、上層導体７４の両端部を
それぞれ一方のセパレート下Ｉｓ体７１．７１に融合さ
せ電気的に接続する方式である。

（ハ）発明が解決しようとする問題点上記従来の方式では、絶縁ガラスを、直交する下層導体
の他方の下層導体の上面及びセパレート下層導体の空隙
に対し、一連にアーチ状に印刷被覆する方法である。こ
のため、第４図の断面図で示すように、絶縁ガラスの上
部が一方のセパレート下層導体上面より上方へ大きく膨
出する。従って、この絶縁ガラス上面に跨がって印刷さ
れる上層導体の両端部、つまり一方のセパレート下層導
体との接続部に大きく落ち込む段差部（第４図で示す符
号ｒ７６Ｊ　）が生じる。この段差部により上層導体と
下層導体間に、絶縁ガラス膨出に起因する空隙（第４図
で示す符号ｒ７５」）が発生し、導体が経時的に不安定
（例えば腐蝕の虞れ）となる不利がある許かりてな（、
上層導体の膜厚が不均一となり電気抵抗が大きくなる欠
点がある。

更に、第５図で示すように、上層導体の両側接続部分、
つまり絶縁ガラス両端部付近の段差部で導体ペーストが
所謂だれ現象を起こし、導体幅の広がり（第５図で示す
符号ｒ７７Ｊ　）が生じる。

このため、仮に、下層導体に対し多数の上層導体を掛は
渡す場合には、パターン間にショートが発生する虞れが
あり、高密度パターンの実装に不利となる等の欠点があ
った。

この発明は、従来のものが持つ、以上のような問題点を
解消させ、上層ｍ体に段差部が生じず、且つ高密度パタ
ーンの形成が可能なハイブリッドＩＣの導体パターン形
成方法を提供することを目的とする。

（ニ）問題点を解決するための手段及び作用この目的を
達成させるために、この発明のハイプリントＩＣの導体
パターンの形成方法は、次のような方式としている。

ハイブリッドＩＣの導体パターン形成方法は、絶縁基板
上に、他方の下層導体に対し一方の下層導体をセパレー
トした状態で交叉させた下層温体作成工程と、両下層導
体の交叉部に位置するセパレート空隙に第１の絶縁ガラ
スを印刷する工程と、この第１の絶縁ガラス及び前記他
方の下層導体上面に第２の絶縁ガラスを印刷する工程と
、前記−方のセパレート下層導体の上面にそれぞれ上記
第２の絶縁ガラスと厚さの等しい中間４体を印刷する工
程と、前記第２の絶縁ガラス上面に両側の中間導体を結
ぶ上層導体を印刷し、この上層導体と中間導体及び前記
一方のセパレート下層導体を電気的に接続する工程とか
ら成る。

このような方式の導体パターン形成方法では、第１の絶
縁ガラスが、下層導体交叉部のセパレート下層導体空隙
に対し、埋め込み状に下層導体厚みに揃えて印刷される
。ここで、第１の絶縁ガラスと下層導体の上面が面一に
揃えられる。そして、他方の下層導体を挟む第１の絶縁
ガラスの上面に第２の絶縁ガラスが印刷された後、前記
セパレート下層感体の上面にそれぞれ第２の絶縁ガラス
と厚みの等しい中間導体が印刷される。ここにおいて、
中間導体と第２の絶縁ガラスの上面は面一に揃い、基板
に対し平行した水平面となっている。

この後、この第２の絶縁ガラス上面に、両側の中間導体
を結ぶ上層導体を印刷する。ここで、上層導体は中間導
体に対し平行状で完全に接面している。そして、上層導
体と中間４体及び下層導体が物理的に溶着して、電気的
に接続される。かくして、上Ｎ導体は水平状の中間導体
上面に形成され、段差部は全く生じない。しかも、下層
導体及び中間導体は、それぞれ第１の絶縁ガラス及び第
２の絶縁ガラスと上面が面一で、且つ端面が緊密に接着
している。従って、絶縁ガラスに対し上層導体と中間導
体及び下層導体のいずれの接続部にも、空隙発生の虞れ
がない。また、上層導体は水平状の第２の絶縁ガラス及
び中間導体上面に形成されるから、膜厚みが均一となり
、電気的抵抗が安定する。

（ホ）実施例第１図は、この発明に係る印刷形成方法にて形成された
ハイブリッドＩＣの導体パターンの拡大斜視図である。

実施例の印刷形成方法は、例えばアルミナ基板８上にス
クリーン作成された写真製版を用い、導体用（厚）模）
ペーストにて直交状の下ＴｍＮ１体１．２を印刷する。

一方の下層導体２は他方の下ｐ　Ｂ体１と直交する部分
を切欠き分断したセパレート状の下層導体２ａ、２ｂと
し、このセパレート下層導体２ａ、２ｂと他方の下層導
体１との交叉空隙に第１の絶縁ガラス３．３を埋め込み
状に印刷する。この第１の絶縁ガラス３は、他方の下層
導体１と厚さを揃えて形成される。

次に、第１の絶縁ガラス３と他方の下層導体１との面一
な上面に、第２の絶縁ガラス４を印刷する。更に、この
第２の絶縁ガラス４の両側、つまりセパレート下層導体
２ａ、２ｂの上面に、導体用ペーストにて第２の絶縁ガ
ラス４の厚さと等しい厚さを存する中間導体５．５を印
刷形成する。

ついで、この第２の絶縁ガラス４上面に、導体用ペース
トにて両側の中間導体５．５を結ぶ上層導体６を印刷す
る。そして、焼成炉で加熱焼成することで上層３体６の
両端部と、この両端部に接面する中間導体５．５及びこ
の中間導体５．５とそれぞれ接面する下Ｍ導体２ａ、２
ｂとを物理的に溶着して電気的に接続する。

このような形成方法にて形成されたハイブリッドＩＣパ
ターンは、第２図の断面図で示すように、他方の下層導
体１、一方のセパレート下層導体２ａ、２ｂ及びその間
に介在する第１の絶縁ガラス３．３の上面が面一となり
、各下層導体の端面が第１の絶縁ガラス３と緊密に接面
している。更に、この第１の絶縁ガラス３を含む下層導
体ｌ上面に形成される第２の絶縁ガラス４は、下層導体
２ａ、２ｂ上面の中間導体５．５と高さが揃い、基板８
に対し水平状となっている。しかも、第２の絶縁ガラス
４と中間４体５の端面ば緊密に接面している。この水平
状の第２の絶縁ガラス４を含む中間導体５．５上面に水
平状の上層導体６が形成されることで、段差郡部の生じ
ない導体パターンを形成し得る。かくして、形成される
上層導体６の膜厚は全く均一であり、電気抵抗が安定す
る。また、各導体６．５．２と第２及び第１の絶縁ガラ
ス３．４との端面間は密着しており、空隙が生じず導体
の化学的安定が保持され、経時的な導体腐蝕の虞れが解
消される。

更に、上層４体６と下層導体２ａ、２ｂとの間に中間導
体５を介在させたから、上層導体６の接続部に落込み状
の段差部が生じず、上層導体６両端部の導体幅がペース
トのだれ現象により広がる等の不利が解消され、高密度
パターン実装が実現できる。

（へ）発明の効果この発明では、以上のように、下層導体交叉部のセパレ
ート下層導体の空隙に第１の絶縁ガラスを埋め込み状に
印刷し、この第１の絶縁ガラスを含む他方の下層温体上
面に第２の絶縁ガラスを印刷した後、一方のセパレート
下層導体の上面にそれぞれ第２の絶縁ガラスと厚さが等
しい中間導体を印刷し、更にこの第２の絶縁ガラスを含
む中間導体の上面に上層導体を印刷して、上層導体、中
間導体及び一方のセパレート下層導体を電気的に接続す
ることとした。

この発明によれば、上層導体と下層導体との接続間に落
込み状の段差部が生じず、且つ導体と絶縁ガラスとの接
合間に空隙も生じない。従って、従来のように、導体腐
蝕の虞れが解消されるばかりでなく、上層導体のだれ現
象による広がりが防止でき、高密度パターンが実現でき
る。しかも、導体接続部に段差部が生じないから、電気
抵抗の安定した均一な膜厚の上Ｎ導体が得られる結果、
信顛性の高いハイブリッドＩＣを提供し得る等、発明目
的を達成した優れた効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、実施例形成方法により形成されたハイブリッ
ドＩＣパターンの拡大斜視図、第２図は、第１図の断面
図、第３図は、従来の形成方法により形成されたハイブ
リッドＩＣパターンを示す斜視図、第４図は、第３図の
断面図、第５図は、従来の形成方法による上層導体のだ
れ現象を示す平面図である。１：下層導体、　　　　２：下層導体、３：第１の絶縁
ガラス、４：第２の絶縁ガラス、５：中間導体、　　　
　　６：上層導体。特許出願人　　　　　　　株式会社島津製作所代理人　
　　　弁理士　　中　村　茂　信第　２図２：Ｔ１“導イ杢第　４　図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）絶縁基板上に、他方の下層導体に対し一方の下層
導体をセパレートした状態で交叉させた下層導体作成工
程と、両下層導体の交叉部に位置するセパレート空隙に
第１の絶縁ガラスを印刷する工程と、この第１の絶縁ガ
ラス及び前記他方の下層導体上面に第２の絶縁ガラスを
印刷する工程と、前記一方のセパレート下層導体の上面
にそれぞれ上記第２の絶縁ガラスと厚さの等しい中間導
体を印刷する工程と、前記第２の絶縁ガラス上面に両側
の中間導体を結ぶ上層導体を印刷し、この上層導体と中
間導体及び前記一方のセパレート下層導体を電気的に接
続する工程とから成るハイブリッドＩＣの導体パターン
形成方法。