JPH03159298A

JPH03159298A - 多層基板のビア形成方法

Info

Publication number: JPH03159298A
Application number: JP29993489A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Kishi; 均岸; Akira Fujioka; 藤岡　昭
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1989-11-17
Filing date: 1989-11-17
Publication date: 1991-07-09

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は表面と裏面にそれぞれ表面配線層と裏面配線層
が形成され、かつこれら配線層間を電気的に接続する基
板ビアを有してなる基板に配線層を積層形成する際に適
用されるビア形成方法に関する。

３、発明の詳細な説明〔概　要〕表面と裏面にそれぞれ表面配線層と裏面配線層が形成さ
れ、かつこれら配線層を電気的に接続する基板ビアを有
してなる多層基板のとア形成方法〔従来の技術〕第２図（ａ）と山）と（Ｃ）と（ｄ）は従来のビア形成
方法を示す模式的要部側面図である。

以下第２図（ａ）〜（ｄ）を用いて従来のすア形成方法
について説明する。

（１）　　第１工程〔第２図（ａ）参照〕絶縁体部１５
の表面と裏面にそれぞれ表面配線層１と裏面配線Ｆｉｌ
ｌが形成され、かつこれらを電気的に接続する基板ビア
１０が前記絶縁体部１５を貫通する形で設けられてなる
基板２０の一方の面（この場合は表面）に、ポリイミド
等の有機絶縁材料を塗布してそこに上層絶縁層３を形成
する。

（２）第２工程（第２回申）参照〕この上層絶縁層３上の眉間接続を必要とする個所にビア
形成用孔５を形成する。

（３）第３工程〔第２図（Ｃ）参照〕このビア形成用孔５を含める形で銅、銀等の導電材料を
上層絶縁層３上にメツキしてそこに上層配線層２とビア
４を形成する。

（４）第４工程〔第２図＋ｄｌ参照〕この上層配線層２とビア４の上に有機絶縁材料を塗布し
てそこに第二絶縁層３八を形成し、さらにその上に導電
材料より成る第二配線層２Ａと第二ビア４Ａを形成する
。そして、その上に再度有機絶縁材料を塗布して第三絶
縁層３Ｂを形成し、その上に第三配線層２Ｂと第三ビア
４Ｂを形成する。以下、配線層をさらに積層形成する場
合はこの工程を繰り返す。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述の如くこのビア４．４Ａ、　４Ｂは、ビア形成用孔
５という所謂段差内にメツキによって形成されることか
ら、その壁面部分のメツキ厚さｔは、各配線層２．２Ａ
、　２Ｂのメツキ厚さＴに比して薄く、従ってその部分
が脆弱化してそこに第２図（Ｃ）に示すようなりランク
Δを生じ易い。この壁面部分の厚さが減少するという現
象は絶縁層についても同様で、これら絶縁層３Ａ等の厚
さが不足すると、当然その絶縁度が低下して層間短絡事
故の原因となる。このように従来の基板は、ビア４形成
部分の段差が障害となって、ビア４を成る部分に積層状
。

態で形成する必要が有る場合は、配線層を多層化するこ
とができなかった。

本発明はこの問題点を解決するためになされたものであ
る。

（課題を解決するための手段〕本発明によるビア形成方法は、第１図に示すように、基
板２０の何れか一方の面に先ず絶縁層３を形成し、次に
この絶縁Ｎ３を貫通する形でビア形成用孔５を設け、最
後にこのとア形成用孔５に導電材を充填してそこ′にビ
ア部８を形成する構成になっている。

〔作　用〕

この方法によって形成されたビア部８は、ビア形成用孔
に導電体が充填された構造になっていることから、とア
部自体が強度的に安定し、従ってとア部の内部にクラッ
クΔを生じるようなことが無いので、多層基板の信頼性
が著しく向上する。

〔実　施　例〕

以下実施例図に基づいて本発明の詳細な説明する。

第１図（ａ）と偽）とＩＯ）と＋ｄｌと（ｅ）と（ｆ）
と（ｇ）及び（目は本発明の一実施例を示す要部側断面
図であるが、前記第２図と同一部分には同一符号を付し
ている。

本発明によるビア形成方法は、第１図（ａ）〜（ｈ）に
示すような工程を経てとア部８或いは８Ａの形成を行う
もので、基板２０の面に先ず絶縁層３を形成し、次にこ
の絶縁層３を貫通する形でビア形成用孔５を設け、最後
にこのビア形成用孔５の中に、例えば銅、銀等の導電材
料を充填してそこにビア部を形成する。以下このビア形
成方法を工程順序に従って説明する。

（１）ビア形成用孔の形成〔第１図（ａ）〕表面配線層
ｌの上にポリイミド等の有機絶縁材料を塗布して上層絶
縁層３を形成したる後、この上層絶縁層３の上にレジス
ト６を塗布し、このレジスト６の一部を取り除いてそこ
にとア形成用孔５を形成する。

（２）　　ビア部の形成〔第１図（ｂ）参照〕この基板
２０にメツキを施してビア形成用孔５を銅、銀等の導電
体で埋めてそこにとア部８を形成する。この導電体メツ
キはビア部８９面が上層絶縁層３の面と等しくなるまで
実施する。

（３）　　レジストの除去〔第１図（Ｃ）参照〕レジス
ト６を除去する。レジスト６除去後のビア部８の面と上
層絶縁層３の面は図示の如く同一平面になっている。

（４）上層配線層の形成〔第１図＋ｄｌ参照〕上層絶縁
層３とビア部８の上に上層配線層２を形成する。これに
よって表面配ｖＡ層１と上層配線層２はビア部８を介し
て電気的に接続される。

（５）第二絶縁層の形成〔第１図（ｃｌｌ参照上の上に
ポリイミド等の有機絶縁材料を塗布して第二絶縁層３八
を形成する。

（６）第二配線層の形成〔第１図（ｆ）参照〕第二絶縁
層３への上に第二配線層録を形成する。

（７）　　第三絶縁層の形成〔第１図（ｇｌ参照〕第二
配線層２Ａの上に第三絶縁Ｊｉ３Ｂを形成する。

（８）第二ビアと第三配線層の形成〔第１図（ｈ）参照
〕上記手段と同等の手段によって第三絶縁層３Ｂの上に
第二ビア部８Ａと第三配線層２Ｂを形成する。

（９）　　この上にさらに配ｖＡ層を積層形成する時は
、以上の手段を繰り返す。

この方法によって形成されたビア部８，８Ａは、ビア形
成用孔５の中に導電体を充填した形になっていることか
ら、これらビア部８．８Ａにクランクが発生する等の恐
れが無い。また、これらビア部８．８Ａには段差が無い
ため、同一個所にビア部８．８Ａ等が互いに積層状態で
形成された場合でも、上層部分に形成されているビア部
と下層部分に形成されているビア部とが干渉し合うこと
が無いので多Ｎ基板の信頼性が著しく向上する。

上記実施例は、基板２０の一方の面（上面）に配線層を
積層形成する場合について述べたが、このビア形成方法
は他方（下面）の面に配線層を積層形成する時も同等に
行われる。

〔発明の効果〕

以上の説明から明らかなように本発明によれば、段差の
無いビア部が形成されることから、多層基板の信頼性が
著しく向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、　（ｂ）、　（ｃｌ、　（ｄ）、　（ｅ
）、　（ｆ）、　（ｇ）、　（ｔ＋）は本発明の一実施
例を示す要部側断面図、第２図（ａｌ、　（ｂ）、　（ｃｌ、　（ｄｉは従来の
ビア形成方法を示す要部側断面図である。図において、１は表面配線層、２は上層配線層、２Ａは第二配線層、２Ｂは第三配線層、３は上層絶縁層、３Ａは第二絶縁層、３Ｂは第三絶縁層、４は従来のビア、５はビア形成用孔、６はレジスト、８は本発明によるビア部、８Ａは第二ビア部、ｌＯは基板ビア、１１は裏面配線層、１５は絶縁体部、２０は基板、Ｔは配線層のメツキ厚さ、ｔはビアの側壁部分のメツキ厚さ、 Δはクランク・をそれぞれ示す。（ＣＩ）（ｂ）第１図（イの１）（９）（ｈ）

Claims

【特許請求の範囲】　表面と裏面にそれぞれ表面配線層（１）と裏面配線層
（１１）が形成され，かつこれら配線層（１）と（１１
）を電気的に接続する基板ビア（１０）を有してなる多
層基板のビア形成方法であって、前記基板（２０）面に先ず絶縁層（３）を形成し、次に
この絶縁層（３）を貫通する形でビア形成用孔（５）を
設け、最後にこのビア形成用孔（５）に導電材を充填し
てそこにビア部（８）を形成するようにしたことを特徴
とする多層基板のビア形成方法。