JPH04104162A - 電子写真像形成部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

［０００１］

【産業上の利用分野】

本発明は一般的に電子写真、そして更に詳しくは新規な
光導電性デバイス及びデバイスの使用法に関する。 ［０００２］

【従来の技術】

ゼログラフィー技術では、光導電性絶縁層を含むゼログ
ラフィー板を始めにその表面を静電的に均一に帯電させ
ることによって画像形成する。ついでゼログラフィー板
をその活性電磁線パターンに露光する。電磁線は、導電
性絶縁層の露光部位の電荷を選択的に除去し、一方弁露
光部位に静電潜像を残す。次にこの得られた静電潜像を
現像し、光導電性絶縁層の表面に微小検電マーキング粒
子をばらまいて可視像を形成する。 ［０００３］ ゼログラフィーに使用される光導電層はガラス質セレン
などの単一材料の均一層であってもよいが、または光導
電体及び他の材料を含有する複合層であることもできる
。ゼログラフィーに使用される複合光導電層の１つのタ
イプは、電気的に作動する少なくとも２層を有する感光
体部材を開示している米国特許第４．２６５゜９９０号
に例示されている。１層は正孔を光発生し、光発生正孔
を隣接電荷輸送層に注入することができる光導電層から
成る。一般に電気的に作動する２層は隣接電荷輸送層と
支持導電層の間にはさまれた光導電層を有する導電層上
に設けられており、電荷輸送層の外側表面は通常負に均
一に帯電しており、支持電極は陽極として利用できる。 明らかに、電荷輸送層が、陽極と電子を光発生し、光発
生電子を電荷輸送層に注入することができる光導電層に
挟まれている場合、支持電極は陽極としても機能する。 この具体例において電荷輸送層は、勿論光発生電子の光
導電層から電荷輸送層への注入をサポートし、該電子の
電荷輸送層内の移動を可能にするものでなければならな
い。 ［０００４］ 電荷発生層（ＣＧＬ）及び電荷輸送層（ＣＴＬ）用の種
々の材料が研究されている。例えば、米国特許第４．２
６５．９９０号に開示されている感光体部材は、ポリカ
ーボネート樹脂と１以上の特定のジアミン化合物を有す
る電荷輸送層と隣接している電荷発生層に利用すること
ができる。正孔を光発生し、正孔を電荷輸送層に注入す
ることができる光導電層を有する種々の発生層も研究さ
れている。典型的な発生層に利用される光導電性材料は
、アモルファスセレン、三方晶セレン、及びセレン合金
（セレン−テルル、セレンーテルルーヒ素、セレンーヒ
素、及びそれらの混合物など）を含む。電荷発生層はバ
インダー巾約−な光導電性材料または粒子状光導電性材
料を含んでもよい。均一なバインダー電荷発生層の他の
例は、例えば、米国特許第４．２６５．９９０号に開示
されている。ポリ（ヒドロキシエーテル）樹脂などのバ
インダー材料の他の例は米国特許第４．４３９．５０７
号に開示されている。前記の米国特許第４．２６５．９
９０号と米国特許第４．４３９．５０７号は引用により
それらの全てが本明細書中に導入される。電気的に作動
する少なくとも２層を有する感光性部材は、均一に負に
静電的に帯電し、露光されそしてその後で微小な検電マ
ーキング粒子で現像゛されるとき、上記のように非常に
優れた像を提供する。 しかし、支持導電性基体が電荷注入金属または非金属を
含む場合、暗所での放電のためにそれらの感光性部材は
困難にでくわす。さらに詳しくはこれらの感光性部材は
、帯電及びそれに続く像露光及び現像ステップの間十分
な電荷を保たない。大部分の金属接地板は電荷注入を阻
止する自然酸化層を有する。このタイプの代表的な金属
はアルミニウム、ジルコニウム、チタンなどである。貴
金属（例えば金、プラチナ）など酸化されない金属及び
電荷注入を促進する金属は例外である。ヨウ化鋼又はカ
ーボンブラックなどの他の材料を含む接地板も電荷発生
層へ電荷を注入するので、帯電像露光及び／または現像
ステップの量感光体が十分に電荷を保持しない例えば米
国特許第４．０８２．５５１号に開示されているように
ヨウ化銅接地板はサイクリング中の分解といった問題に
でくわす。電荷ブロッキング層は電荷注入を阻止するの
に金属化または他の種類の接地板にしばしば使用される
。ある種の電荷ブロッキング層はさらに電荷発生層と導
電接地板の間に追加の接着層を必要とする。ブロッキン
グ層として樹脂を用いる試みをすると、感光体は通常サ
イクリングで残留電位の増加を示す。画像露光及び現像
ステップの間の十分な電荷維持の失敗またはサイクリン
グでの残留電荷の増加は精密な複写機、デュプリケイタ
ー　及び印刷機には通常許容できるものではない。 ［０００５］ メチルビニルエーテル及び無水マレイン酸のコポリマー
（例えばＧＡＦ社からのガントレフッＡＮ樹脂）はブロ
ッキング層に用いられてきた。残念ながら、メチルビニ
ルエーテル及び無水マレイン酸のコポリマーは水に敏感
でありすぐに加水分解し、腐食性で電気サイクル中に感
光体の金属接地板を攻撃する酸性生成物を生じる。電気
サイクル中の腐食による接地板損失はやがては電子写真
像形成部材を放電させなくする。これは電気サイクルの
最終像でのバックグラウンドのトナー付着の増加で明ら
かである。加えてメチルビニルエーテル及び無水マレイ
ン酸のコポリマーの機械的特性は高湿度で影響を受はフ
レキシブル電子写真像形成部材の離層原因となる。低湿
度条件下ではメチルビニルエーテル及び無水マレイン酸
のコポリマーを含むブロッキング層は電気表面電位サイ
クル低下の原因となりがちである。サイクル低下は露光
部と非露光部の電気的コントラストの低下の原因となり
最終コピーに影響を与える。更に、メチルビニルエーテ
ル及び無水マレイン酸のコポリマーは後から設けられる
層に使用されるある種の溶媒に感受性があり、再溶解し
たりブロッキング層としての結合性を失う。メチルビニ
ルエーテル及び無水マレイン酸のコポリマーの加水分解
は酸を無水物に変える。保存中に形成された酸は金属導
電層を攻撃し感光体をもはや放電させなくする。さらに
サイクル中に薄い接地板の腐食は促進され、これも感光
体をもはや放電させなくする。酸が形成されると金属に
よるコーティングは一般に水と低分子アルコールによる
コーティングを制限する。 ［０００６］ ポリ（ビニルアルコール）（ＰＶＯＨ）はブロッキング
層としての使用を評価されている。しかし、この材料は
非常に粘稠であり、コーティングとして適用するのが困
難である。例えば、所望のレベルの乾燥厚のブロッキン
グ層を作り上げるには希釈されてもまだ粘稠なポリ（ビ
ニルアルコール）水溶液を何回も吹付塗することが必要
である。さらにポリ（ビニルアルコール）に用いられ得
る溶媒は高品質コーティングを形成すると導電性ではな
い。さらに、ポリ（ビニルアルコール）は多くの導電層
ポリマーとの接着性が乏しい。 ［０００７］ １９７６年１月１３日付けのＥ、　Ａ、　ヘレフッ（Ｐ
ｅｒｅｚ）の米国特許第３．９３２．１７９号には導電
層、光導電層、及び高分子中間層を有し、導電層と光導
電層間の表面抵抗が１０１２Ω／□より大きい多層電子
写真要素が開示されている。中間層は少なくとも２種の
全く別な高分子相： （ａ）水またはアルカリ性水溶液に溶解性のフィルム形
成ポリマー　及び（ｂ）電気的に絶縁性のフィルム形成
疎水性ポリマー　のブレンドを有する。例えば導電層は
、ポリメチルメタクリレートとポリメタクリル酸の共重
合性バインダー中に吸収されたクーポラスな（Ｃｕｐｒ
ｏｕｓ）ヨウ化物を含み得る。複雑な２相性のはっきり
しない層、ポリ（メチルアクリレート−ビニリデンクロ
ライド−イタコン酸）の複雑なターポリマー（６５ｗｔ
％）及びポリ（メチルビニルエーテル無水マレイン酸）
（３５ｗｔ％）から成る、を有機溶媒バリアー及び接着
を助けるために正孔ブロッキング層として採用した。水
またはアルカリ性水溶液に溶解性のフィルム形成ポリマ
ーは酸基、水酸基、アルコキシ基及びエステル基などの
官能基から成る側鎖を含み得る。 ［０００８］ １９７８年４月４日付けのステクレンスキー（Ｓｔｅｋ
ｌ　ｅｎｓｋｉ　）らの米国特許第４゜０８２、５５１
号には、導電層、その上に光導電層、及び導電層と光導
電層の間に挿入された多層中間層組成物を有する単一光
導電性要素を開示している。多層中間層組成物は酸性ポ
リマー材料を含有する層、塩基性ポリマー材料を含有す
る層、及び酸性ポリマー含有層と塩基性ポリマー含有層
の界面で形成される酸−塩基反応生成物ゾーンから成る
。塩基性ポリマー材料はアミン基の存在のための塩基性
を示す。種々の塩基性アミノメタクリレート及びアクリ
レートモノマー及びポリマーが開示されている。このよ
うに、例えば、Ｃｕｌ導電層に隣接する複雑なバリア−
２相は、酸性ポリマー及び塩基性ポリマーの界面で塩中
間層を形成するようなアクリル酸またはメタクリル酸コ
ポリマー及びポリ２−ビニリデン−ポリメチルメタクリ
レートコポリマーから成る最上層から成る。多層中間層
組成物は、得られる単一要素の導電層及び光導電層の間
に良好な接着性を付与し、また下に設けられた導電層か
ら光導電層に注入され得る電気的バリアーブロッキング
陽電荷キャリアーとして機能し得る。 ［０００９］ １９８６年４月２２日付けのリン（Ｌｉｎ）らの米国特
許第４．５８４．２５３号には、電荷発生層、隣接電荷
輸送層及び電荷発生層と同じ側の電荷輸送層上に位置す
るセルロース正孔トラッピング材料を有する電子写真像
形成部材が開示されている。 １例においては、セルロース正孔トラッピング材料は電
荷輸送層と導電層の間に挟まれている。 ［００１０１ １９６３年１２月３日付けのＰ、カシーアス（Ｃａｓｓ
ｉｅｒｓ）らの米国特許第３，１１３、０２２号には、
導電性潜像形成用の電子写真像形成部材が開示されてい
る。部材の導電層は金及び様々な他の材料（ヒドロスコ
ピック及び／または帯電防止化合物並びに親水性試薬を
含む親水性材料）を含み得る。適当なヒドロスコピック
及び／または帯電防止化合物は例えばグリセリン、グリ
コール、ポリエチレングリコール、ヒドロキシプロピル
、シュクロースモノラウレートなどを含む。適当な親水
性試薬はゼラチン、ポリビニルアルコール、メチルセル
ロース、カルボキシメチルセルロース、セルローススル
フェート、セルロースハイドロジエンフタレート、セル
ロース−アセテートスルフェート、ヒドロキシエチルセ
ルロースなどを含み、親水層と疎水層の良好な接着が得
られる。高分子物質のコーティングは有機高分子光導電
性物質及び電磁線感受性物質をペーパーシートの透過か
ら保護するためにペーパーシートの上にも使用し得る。 高分子物質コーティングは電磁線照射の間露光像領域か
らの電子の移動を妨げてはならない。コーティングは、
セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、
セルロースアセトブチレート、エチルセルロース、エチ
ルセルロースステアレートまたは他のセルロース誘導体
、重合体（例えば、ポリアクリル酸エステル、ポリメタ
アクリル酸エステル）　重縮合物（例えば、ポリエチレ
ングリコールエステル、ジエチレングリコールポリエス
テルなど）を含む。電磁線感受性物質を伴う有機高分子
光導電性物質は有機溶媒中に溶解または分散され、適当
な支持体の表面にコーティングされる。 ［００１１］ １９６６年４月１２日付けのり、）レボイ（Ｔｒｅｖｏ
ｙ）らの米国特許第３．２４５．８３３号には、写真フ
ィルムの帯電防止コーティングとして有用な導電性コー
ティングが、ニトリル溶媒中クーポラスなヨウ化物及び
有機ポリマーがら製造される（例えば実施例６）事が開
示されている。スピンコーティングし乾燥した後の表面
抵抗率は７−９Ｘ１０　　Ω／□であった。厚さは開示
されていない。コーティング応用は電子写真については
みられないし、高分子絶縁性バインダーがいつもクーポ
ラスなヨウ化物と共に用いられている。ここで半導電性
金属コーティング化合物（Ｃｕｌ）は１５−９０容量％
の範囲である。 ［００１２］ 米国特許第３．２４５．８３３号（上記参照）に開示さ
れている導電性コーティングの電磁線記録要素用導電性
支持体への使用（例えば、直接電子記録が行われる電子
顕微鏡）がり、）レボイ（Ｔｒｅｖｏｙ）らの米国特許
第３．４２８．４５１号に開示されている。コーティン
グ応用は電子写真には行われていない。 ［００１３］ 米国特許第３．２４５．８３３号（上記参照）に開示さ
れている導電性コーティング（例えばＣｕｌと高分子バ
インダー）の電子写真への応用が米国特許第３．５５４
．７４２号に開示されている。バインダーは導電層とし
てクーポラスなヨウ化物と一緒に使用されている。導電
層と（Ｃｕｌと高分子バインダー）と光導電層（例えば
チアピリリウム）の間に位置するブロックコポリカーボ
ネートのバリアー層はそれぞれの帯電レベルで接着性を
改善する。 ［００１４］ Ｗ、Ｄ、ハンフリー（Ｈｕｍｐｈｒｉｅｓ）らの米国特
許第３．６４０．７８０号には、Ｃｕｌと高分子バイン
ダーを電子写真デバイス用導電層として使用することが
開示されてぃる。セルロースニトレート並びにメチルア
クリレート、アクリロニトリル、アクリル酸及びビニリ
デンクロリドのテトラポリマーの厚す０．３〜０．５μ
ｍ高分子ブレンドのバリヤー層は（文献（３）に記載さ
れているように位置する）暗減衰を減少させそして接着
性を改良することが見い出いだされた。 ［００１５］ Ｗ、Ｅ、　ヨールガー（Ｙｏｅｒｇｅｒ）らの米国特許
第３．７４５．００５号には、高分子バインダー中（ポ
リビニルホルマール）クーポラスなヨウ化物の混合物を
導電層として使用したことが開示されている。バリアー
層は（０，３〜７μｍ）ビニルアセテート及びビニルピ
ロリドンまたはビニルアセテートのコポリマーから成り
、そしてαβ−不飽和モノアルケン酸は１５−８０％の
ＲＨ範囲で６００−７００Ｖの範囲で帯電レベルを与え
る。特許請求の範囲３及び７はバインダー中に分散され
たカーボンの導電層に関するが、この特許の他の部分で
はこの種の導電層については論じられていない。電気サ
イクルのデータも示されていない。 ［００１６］ Ｍ、スコツタフ７−バ（Ｓｃｏｚｚａｆａｖａ）らの米
国特許第４．４８５．１６１号には、高分子バインダー
中クーポラスなヨウ化物を含む導電層を開示している。 バリアー層は、少なくとも１個のアクリレート基または
メタアクリレート基を含みかつ芳香核または脂環成核を
有する重合可能な架橋可能なモノマーで溶液塗布または
バルクコーティングされる。バリアー層コーティングは
、手際良くモノマーコーティングのＵＶ照射による硬化
を促進するために少量の感光剤及びアミンアクチベータ
ーも含む。２−８μｍ厚の感想バリアー層コーティング
が得られた。これらのデバイスはコロナ帯電下１．３〜
１．６　Ｘ　１０６Ｖ／ｃｍの電界をサポートする。８
１７度は様々な光源を用いたところ６．７−１４．９ｅ
ｒｇ　７ｃｍの範囲（実施例２．４．５及び６）であっ
た。反復ゼログラフィーサイクルでのバリアー層の■　
及びＶＲの試験はなされていない。上記のデータは１回
だけのものである。これらの架橋バリアー層は画像形成
フィルムに形成されるたくさんの白点を減少させた。バ
リアー層は、正孔注入バリアーとして機能するほかトル
エン及びメチレンクロリドに対する溶媒バリアーどして
も機能する。 ［００１７］ Ｋ、カワムラ（Ｋａｗａｍｕｒａ）らの米国特許第４．
４６５．７５１号には、クーポラスなヨウ化物の導電層
が開示されている。この特許ではクーポラスなヨウ化物
は高分子物質に吸収されているか、クーポラスなヨウ化
物−アセトニトリル溶液が同じ溶液中にバインダーなし
で被覆されている場合には高分子物質上で接着層の代わ
りをする。このように、クーポラスなヨウ化物用のバイ
ンダーは適当な溶媒膨潤及び／または加熱によってＣｕ
ｌの下に発生し、そしてその結果がＣｕ１−バインダー
導電層である。さらにはセルロースアセテートブチレー
トが高分子バインダーとして使用されているＣｕ１−ポ
リマー導電層が直接コートされる。Ｃｕｌは吸収されて
おり、はっきりしたＣｕ１層は残っていない。 ［００１８］ １９８３年１０月１８日付けのレレンタール（Ｌｅｌｅ
ｎｔａｌ）らの米国特許第４，４１０、６１４号には、
高分子電気活性導電層から成る電気的に活性化し得る記
録要素が開示されている。高分子電気活性導電層から成
る電気的に活性化し得る記録要素が開示されている。高
分子電気活性導電層用に有用なコポリマーのリストには
、ポリメタクリレート（６欄、３２−３６行）が含まれ
る。電気的に活性化し得る記録要素の層中ビヒクル及び
結合試薬としては合成ポリマーが好適である。ポリ（ビ
ニルピロリドン）、ポリスチレン及びポリ（ビニルアル
コール）などのポリマーの使用が１１欄、１４−５８行
に開示されている。 ［００１９］ １９８１年４月１４日付けのバーワッサ−（Ｂｕｒｗａ
ｓｓｅｒ）の米国特許第４．２６２．０５３号には、静
電記録用誘電フィルムのブロッキング試薬が開示されて
いる。誘電画像形成要素は、誘電フィルム、フィルム支
持及び導電層から成る。導電層は脂肪族エステルとビニ
ルピリジンの四元共重合体、メタクリル酸とポリアクリ
ル酸との塩のポリマーで被覆されたポリエステルフィル
ム、などを含む、導電層はスチレン化アクリル樹脂を含
む様々な誘電性樹脂で被覆され得る。 ［００２０１ コーリ　アベ（Ｋｏｊｉ　Ａｂｅ）　、ミキココイデ（
Ｍｉｋｉｋｏ　Ｋｏｉｄｅ）及びアインシャム　チュチ
ダ（Ｅｉｓｈｕｍ　Ｔｃｕｃｈｉｄａ）は、４−ビニル
ピリジン（塩基性ポリマー）とポリメチルアクリル酸（
酸性ポリマー）から相当量のヨウ化塩構造（第王ＩＩ図
）と差がない高分子複合体を製造した（Ｍａｃｒｏｍｏ
ｌｅｃｕｌｅｓｌＯ（６）　　　１２５９−６４　（１
９７７））。 ［００２１］ ＭｏＭ、コーレマン（Ｃｏｌｅｍａｎ）及びり、Ｊ、ス
フロバネック（Ｓｋｒｏｖａｎｅｋ）はポリ−２−ビニ
ルピリジンがアモルファス中性ナイロンポリマー中で普
通の水素結合を阻止することを示した（第４４回　ＡＮ
ＴＥＣ会報、３２１−２　（１９８６））。中性ポリマ
ーは水素結合部位としてアミド水素を提供する。 ［００２２］ １９７６年１月３日付けのＳ、Ｊ、ショーエンフェルト
（Ｓｃｈｏｅｎｆｅｌｄ）の米国特許第３．２９５．９
６７号には、高電気抵抗の非金属塩基、導電性を増加さ
せるための塩基上のコーティング、ゼラチン状の水和ケ
イ酸及びハイドロスコピック水和無機塩から成るコーテ
ィング、並びにコーティングで覆われている光導電性層
を含む電子写真記録部材が開示されている。 ［００２３］ １９８４年８月７日付けのり、Ａ、）イショ−（Ｔｅｕ
ｓｃｈｅｒ）の米国特許第４，４６４、４５０号には、
金属導電性陽極の金属オキシド層で被覆されたシロキサ
ンフィルムの上にある電気的に作動する層を有し、シロ
キサンはシリコン原子に結合した反応性ＯＨとアンモニ
ウム基を有する静電像形成部材が開示されている。 ［００２４］ １９８２年４月２３日公開のタグジュフクダ（Ｔａｄａ
ｊｕ　Ｆｕｋｕｄａ）の英国特許出願ＧＢ　２００９６
００には、支持層、マトリックスとしてシリコン原子か
ら成るアモルファス材料で構成される光導電層及び支持
層と光導電層の間のバリアー層がら成り、バリアー層は
マトリックスとしてシリコン原子から成るアモルファス
材料で構成され、そして導電性を制御する不純物を含む
第１のサブ層及び第１の層を構成するアモルファス材料
とは異なる電気的に絶縁性の材料から成る第２のサブ層
から成る、光導電性部材が開示されている。 ［００２５］ このように、導電性電荷注入表面、ブロッキング層及び
少なくとも１層の先導電層を有する感光性部材の特性は
電子写真像形成部材として欠点がある。 ［００２６］

【発明の解決しようとする課題】

本発明の目的は、上記の欠点を解決する電子写真像形成
部材を提供することにある。 ［００２７］ 本発明の他の目的は、寿命の長い電子写真像形成部材を
提供することにある。 ［００２８］ 本発明の他の目的は、ゼログラフィーに有用な電圧で帯
電する電子写真像形成部材を提供することにある。 ［００２９］ 本発明の他の目的は、より暗安定な電子写真像形成部材
を提供することにある［００３０］ 本発明の他の目的は、多くの周囲相対湿度下でサイクル
の聞伝残留電圧で光放電される電子写真像形成部材を提
供することにある。 ［００３１］ 本発明の他の目的は、成型加工がより簡単な電子写真像
形成部材を提供することにある。 ［００３２］ 本発明の他の目的は、障害に抵抗するブロッキング層を
有し、又は後から設けられた層の成分で溶解される電子
写真像形成部材を提供することにある。 ［００３３］

【課題を解決するための手段】

本発明のこれら及び他の目的は、導電性表面を有する支
持基体、ビニルヒドロキシエステルまたはビニルヒドロ
キシアミドポリマーを含む電荷ブロッキング層及び少な
くとも１層の光導電性層を有し、該電荷ブロッキング層
は１０１０Ω／□より大きい表面抵抗を有する、電子写
真像形成部材を提供することによって達成される。この
像形成部材は電子写真像形成プロセスで使用することが
できる。 ［００３４］ 導電性表面を有する支持基体はいかなる適当な硬性又は
可撓性の部材（例えばフレキシブルウェブまたはシート
）も含み得る。導電性表面を有する支持基体層は不透明
であるか実質的に透明であり、要求される機械的特性を
有する非常に多くの好適な材料を含み得る。例えば、支
持体層は、薄いフレキシブルな導電性層を有するその下
に設けられた絶縁性支持層、または光導電層をサポート
するのに十分な内部強度を有する導電性層のみを有し得
る。このように、導電層は完全な支持基体層を有するか
、または単に支持基体層の成分（例えば下に設けられた
フレキシブルな支持部材上の薄いフレキシブルなコーテ
ィング）として存在し得る［００３５］ 導電層はいかなる適当な導電性の有機または無機材料を
含んでよい。代表的な導電層は、例えば、アルミニウム
、チタン、ニッケル、クロム、黄銅、金、ステンレス鋼
、カーボンブラック、グラファイト、メタロイド、クー
ポラスヨウ化物インジウムスズオキシド合金、ルイス酸
ドープポリピロールなどを含む。導電層は均一または不
均一（例えばフィルム形成バインダー中に分散された導
電性粒子）でありうる。正孔注入材料（例えば、カーボ
ンブラック、ヨウ化銅、金及び他の貴金属、プラチナ、
ポリピロール、多環式芳香族導電性ポリマー（Ｐｏ　１
ｙａｒｏｍａｔｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　Ｐｏｌｙ
ｍｅｒｓ）　　ポリチオフェン、アンチモンスズオキシ
ド、インジウムスズオキシドなどの導電性金属オキシド
）を導電層中に使用することかでき、適当なブロッキン
グ層を含まない感光体は、そのために電子写真像形成に
は不適当な感光体になるのだが、しばしば暗所で放電す
る。接地板は連続でありそして少なくとも単分子厚であ
る。連続導電層は導電層部材の所望の用途に応じて実質
的には広い範囲の様々な厚さで有り得る。従って、導電
層は一般的な範囲の厚さ、例えば材料により約５０オン
グストロームから数ｃｍまで有り得る。例えば、カーボ
ンブラックなどを含む接地板は最小厚的０．５μｍが好
適である。高フレキシブル光感光性像形成デバイスが望
ましいとき、導電層の厚みは約１００オングストローム
から２．０００オングストロームである。反復サイクル
中の十分な感光体放電には接地板は約１０　より小さく
より好ましくは１０６Ω／□より小さい抵抗率であるべ
きである。もし、下にフレキシブル支持層が設けられる
ならば金属、プラスチックなどを含む慣用の材料が採用
される。代表的なフレキシブル支持層は導電性粒子を含
有する（例えば、金属、カーボンブラックなど）この目
的のために既知の様々な樹脂（例えば、ポリエステル、
ポリカーボネート、ポリアミド、ポリウレタンなど）ま
たはその混合物を含む絶縁性または非導電性材料を含む
。導電性表面を有する被覆または非被覆支持基体層は硬
性または可撓性であり、例えばシート、円筒状、スクロ
ール、エンドレスフレキシブルベルトなど多くの異なる
形状でありうる。導電性表面を有するフレキシブル支持
基体は商業的に入手可能な薄いフレキシブル金属コーテ
ィングで被覆されたポリエチレンテレフタレートポリエ
ステルのエンドレスフレキシブルベルトを有することが
好ましい。一般に、接地板用に選択される材料は、後で
設けられるブロッキング層への使用が最終的に選択され
る溶媒に攻撃されるものは不適当である。もし、ブロッ
キング層溶媒が接地板を攻撃すると、接地板からブロッ
キング層に正孔注入成分を濾過及び／または物理的に移
動しうる。後のコーティングの実施においてこれらはブ
ロッキング層中の既に移動した正孔注入成分はさらに電
荷発生層または電荷輸送層に移動し、それによって暗放
電及び低電荷受容が起こり得る。電荷発生層または電荷
輸送層への正孔注入はゼログラフィーサイクルで累積す
るので、■　もサイクルで減少する（Ｖｏサイクルダウ
ン）。 ［００３６］ 電荷ブロッキング層は導電性表面と像形成層の間に挿入
される。像形成層は少なくとも１層の光導電層から成る
。このブロッキング層材料は正電荷を捕捉する。本発明
の電荷ブロッキング層は、ビニルヒドロキシエステルま
たはビニルヒドロキシアミドポリマーを含む均一、連続
、密着ブロッキング層を有スル。 ［００３７］ 本発明のブロッキング層はビニルヒドロキシエステルま
たはビニルヒドロキシアミドポリマーは少なくとも下記
構造式を有するビニルヒドロキシエステルまたはビニル
ヒドロキシアミドモノマーを含有する重合反応生成物で
あることが好ましい： ［００３８］

【化３】 ［００３９］ 式中、Ｘは、 ［００４０］

【化４】 −０−Ｒ−（Ｏ）ｌル ーＮ）ｆ−Ｒ−（ＯＨ）。 ［００４１］ から成る群から選ばれ； Ｒは脂肪族基、芳香族基、複素環式脂肪族基、複素環式
芳香族基、縮合芳香族環基及び炭素原子１０個までの複
素環式芳香族環基から成る群から選ばれる二価の基であ
り； ２は１〜１０個の水酸基の数であり；そしてＲ’　　Ｒ
”及びＲ″　はそれぞれ独立に、水素、脂肪族基、芳香
族基、複素環式脂肪族基、複素環式芳香族基、縮合芳香
族環基及び炭素原子１０個までの複素環式芳香族環基か
ら成る群から選ばれる１価の基である。 ［００４２］ 代表的な二価のＲ脂肪族基は、メチレン、エチリデン、
プロピリデン、イソプロピリデン、ブチレン、イソブチ
レン、デカメチレン、フェニレン、ビフェニレン、ピペ
ラジニレン、テトラヒドロフラニルン、ピラニレン、ピ
ペラジニレン、ピリダジン、ピピリジレン、ピリダジニ
レン、ピリミジニレン、ナフチリデン、キノリニデン、
シクロヘキシレン、シクロブチレン、シクロブチレン、
シクロへブチレンなどを含む。 ［００４３］ 代表的な一価のＲ’　　　Ｒ″及びＲ″　基は、水素、
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イ
ソブチル、デシル、フェニル、ビフェニル、ピペラジニ
ル、テトラヒドロフラニル、ピラニル、ピペラジニル、
ピリジル、ビピリジル、ピリダジニル、ナフチル、キノ
リニル、シクロヘキシル、シクロペンチル、シクロブチ
ル、シクロヘプチルなどを含む。 ［００４４］ 代表的な脂肪族基、芳香族基、複素環式脂肪族基、複素
環式芳香族基、縮合芳香族環及び炭素原子１０個までの
複素環式芳香族環基は線状、単環及び多環、縮合及び非
縮合基（例えば、ナフタレン、チオフェン、キノリン、
ピリジン、フラン、ピロール、イソキノリン、ベンゼン
、ピラジン、ピリミジン、ビピリジン、ピリダジンなど
）を含む。 ［００４５］ 上記の構造を有するビニルヒドロキシエステルまたはビ
ニルヒドロキシアミドモノマーの重合反応生成物は、ホ
モポリマーまたはコポリマーでありうる。コポリマーは
２以上の異なるモノポリマーまたはポリマーブロックの
コポリマーでありうる。 ［００４６］ 上記構造式を有するモノマーの好適な具体例には以下の
構造式を有するものが含まれる： ［００４７］

【化５】 ［００４８］ 式中： Ｒは炭素原子１〜５個を含む低級脂肪族基であり、Ｒ″
　はＣＨ３または水素であり、そして２は１〜５である
。 ［００４９］ 最適な結果は下記構造式のものを含む上記構造式を有す
るモノマーで達成される： ［００５０］

【化６】 ［００５１］ 式中： Ｒは炭素原子２〜３個を含む低級脂肪族基であり、Ｒ″
　はＣＨ３または水素であり、そして２は１または２で
ある。 ［００５２］ これらのモノマーを調製して電気的に悪影響のある触媒
及び／またはモノマー不合で高純度を有し、非常に大き
い平均分子量（２１，０００，０００）の組成物を製造
することができる。更に、これらのポリマーは炭素原子
１〜４個を有する低級アルコール中に可溶性であり、ア
ルコールコーティング溶媒で導電層を流し去ることなく
、有機または無機（通常アルコール不溶性）導電層の最
上部上にこれらの材料のコーティングができる。更に、
これらのポリマーはアルコール溶解性であり、そして（
トルエン、テトラヒドロフラン、及び塩化アルカンなど
）有機コーティング溶媒に最小の溶解性を有し、次にブ
ロッキング層をオーバーコートするのに使用される有機
コーティング組成物はブロッキング層を腐食してはなら
ない。 腐食がおこれば、薄くなったまたは浅くなったブロッキ
ング層部分は高い暗減衰と低電荷受容の原因となるであ
ろう。 ［００５３］ ビニルヒドロキシエステルまたはビニルヒドロキシアミ
ドポリマーはホモポリマー、コポリマー　ターポリマー
などでありうる。好適なホモポリマーは以下の式で表わ
される： ［００５４］

【化７】 ［００５５］ 式中： 又は分子量的２０．０００と約２．０００．０００の間
の十分な繰り返し単位を表わし、Ｘは以下の基によって
表わされる基から成る群から選ばれ：［００５６］

【化８】 −０−Ｒ−（ＯＨ）。 −ＮＨ−Ｒ−（ＯＨ）２ ［００５７］ Ｒは脂肪族基、芳香族基、複素環式脂肪族基、複素環式
芳香族基、縮合芳香族環基及び炭素原子１０個までの複
素環式芳香族環基から成る群から選ばれ、２は１〜１０
の水酸基の数であり；そしてＲ’　　Ｒ”及びＲ″　は
それぞれ独立に、水素、脂肪族基、芳香族基、複素環式
脂肪族基、複素環式芳香族基、縮合芳香族環基及び炭素
原子１０個までの複素環式芳香族環基から成る群から選
ばれる。 ［００５８］ 代表的なビニルヒドロキシエステルポリマー及びビニル
ヒドロキシアミドポリマーは、 ポリ（４−ヒドロキシブチル）メタクリレート、ポリ（
４−ヒドロキシブチル）アクリレート、ポリ（３−ヒド
ロキシプロピル）メタクリレート、ポリ（３−ヒドロキ
シプロピル）アクリレート、ポリ（２，３−ジヒドロキ
シプロピル）メタクリレート、ポリ（２，３−ジヒドロ
キシプロピル）アクリレート、オリ（２，３，４−）リ
ヒドロキシブチル）メタクリレート、十り（２，３，４
−）リヒドロキシブチル）アクリレート、十り（Ｎ−２
，３−ジヒドロキシプロピル）メタクリルアミド、オリ
　（Ｎ−２，３−ジヒドロキシプロピル）アクリルアミ
ド、ポリ ポリ ポリ ポリ ポリ ポリ ポリ ポリ ポリ ポリ ポリ 中り 十り 才り ポリ ポリ ポリ ポリ ポリ 十９ 士υ ポリ ポリ ポリ ポリ ポリ む。 （Ｎ−ヒドロキシメチル）メタクリルアミド、（Ｎ−ヒ
ドロキシメチル）アクリルアミド、（Ｎ−２−ヒドロキ
シエチル）メタクリルアミド、（Ｎ−２−ヒドロキシエ
チル）アクリルアミド、（４−ヒドロキシフェニル）メ
タクリレート、（４−ヒドロキシフェニル）アクリレー
ト、（３−ヒドロキシフェニル）メタクリレート、（３
−ヒドロキシフェニル）アクリレート、（Ｎ−３または
４−ヒドロキシフェニル）メタクリルアミド、（Ｎ−３
または４−ヒドロキシフェニル）アクリルアミド、［４
−（２−ヒドロキシピリジル）〕メタクリレート、（４
−（２−ヒドロキシピリジル）〕アクリレート、［４−
（３−ヒドロキシピペリジニル）〕メタクリレート、（
４−（３−ヒドロキシピペリジニル）〕アクリレート、
（Ｎ−４−（２−ヒドロキシピリジル）〕メタクリルア
ミド、（Ｎ−４−（２−ヒドロキシピリジル）〕アクリ
ルアミド、ＣＮ−４−（３−ヒドロキシピペリジニル）
〕メタクリルアミド、（Ｎ−４−（３−ヒドロキシピペ
リジニル）〕アクリルアミド、（１−（５−ヒドロキシ
ナフチル）〕メタクリレート、（１−（５−ヒドロキシ
ナフチル）〕アクリレート、（Ｎ−１−（５−ヒドロキ
シエチルナフチル）〕メタクリルアミド、（Ｎ−１−（
５−ヒドロキシエチルナフチル）〕アクリルアミド、Ｃ
１−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）〕メタクリレー
ト、［’１−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）〕アク
リレート、（Ｎ−１−（３−ヒドロキシシクロヘキシル
）〕メタクリルアミド、ＣＮ−１−（３−ヒドロキシシ
クロヘキシル）〕アクリルアミドなどヲ含［００５９］ ポリ（２−ヒドロキシエチルメタクリレート）［Ｐ　（
ＨＥＭＡ）、］及びポリ（２−ヒドロキシエチルアクリ
レート）ＣＰ　（ＨＥＡ））は特に後で採用される有機
コーティング用溶媒に不溶である。Ｐ　（ＨＥＭＡ）及
びＰ　（ＨＥＡ）は、予め決められた時間（−晩）室温
でテトラヒドロフラン中で撹拌すると、該溶媒に幾分溶
解性を示す。感光体製造に通常採用されるようなコーテ
ィングプロセスにおけるように、溶媒蒸発が早くおこる
と、その場合はブロッキング層ポリマーのテトラヒドロ
フラン溶解性は問題にはなりそうもない。更にこれらの
ポリマー　特にＰ　（ＨＥＭＡ）　、は約１重量％の水
を引きつけ、低ＲＨにおいてさえ、緻密な水素結合網に
沢山の水を捕捉し続ける。捕捉された水はブロッキング
層を経て導電層への光放電電荷の輸送を助け、電子捕捉
と■２サイクルアップを阻止するのを助ける。ヒドロキ
シエステルまたはヒドロキシアミドブロッキング層ポリ
マーの分子量が大きい程、分子間Ｈ−結合密度、水の捕
捉及びこれらのポリマーの溶媒バリアー特性（ブロッキ
ング層の溶媒による洗い出しを防止する）が大きい。 ［００６０１ 各ポリマー繰り返し単位中の水酸基と、エステル基また
はアミド基の存在は、０Ｈ−ＯＨＨ−結合及び（エステ
ルまたはアミドの）カルボニル−○Ｈ−結合の形成によ
って分子間Ｈ−結合を最大限にするばかりでなく、多分
配座的に好ましくない鎖状故に分子間Ｈ−結合が平均以
下のブロッキング層部分内に全体のＨ−結合密度を維持
するために分子内（５，６及び７員環）Ｈ−結合を許容
する。 このように水と分子内Ｈ−結合は、電子移動を助は光放
電（低ｖＲ）を完成する高Ｈ−結合密度を維持しうる。 これらの特性は感光体の電気性能を強化するのに寄与す
る。 ［００６１］ ビニルヒドロキシエステルまたはビニルヒドロキシアミ
ドポリマーは、架橋および未架橋でありうる。架橋され
る場合、架橋は約１３５℃より低い温度（基体はポリエ
チレンテレフタレートである）で水酸基と反応し得る適
当な２官能価（または高多官能価）化合物（通常小分子
）によって影響を受け、これらの化合物が水酸基により
ヒドロキシエステルまたはヒドロキシアミドポリマーを
架橋するために採用される。もし、基体が反応温度で柔
らかくならないならば、もっと高い温度が使われるだろ
う。代表的な多官能価化合物は、ジイソシアネート（ト
ルエンジイソシアネート、メチレンジイソシアネート、
インホロンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシ
アネートなど）　ブロックしたジイソシアネート、ＸＡ
ＭＡ−２などの多官能価アジリジンなど、及び多官能価
エポキシド（１，３−ブタジエンジエポキシド）　　１
，４−ブタンジオールジグリシジルエーテル、エチレン
グリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコ
ールジグリシジルエーテル、ビスフェノールＡジグリシ
ジルエーテル、１，４−ジビニルベンゼンジエポキシド
、２官能価アルデヒドなどを含む。２官能価アルデヒド
は以下のような構造を有する： ［００６２］

【化９】 ［００６３］ 式中、ＲＦ／″は２価の炭化水素または複素芳香族単位
または共有結合である。 代表的なＲ／／　ＩＩ基は、メチレン、エチレン、プロ
ピレン、フェニレン、ビフェニレン、ピリダジンなどを
含む。代表的な２官能価アルデヒドは、例えば、グルタ
ルアルデヒド、グリオキサール、２，６−ピリジンジカ
ルボキシアルデヒド、テレフタアルデヒドなどを含む。 ［００６４］ ２個の水酸基（答録から１個）の２官能価アルデヒドの
両端との化学反応から生じる初反応生成物は下記のよう
に例示される：［００６５］

【化１０】 鎖 ＃１ ＋ 鎖 ＃２ ［００６６］ 下記に示すように２本の鎖の間にヘミアセタール結合を
形成する：［００６７］

【化１１】 ［００６８］ ヘミアセクール結合中の２個のＯＨ基はポリマー繰り返
し単位中（またはそのまま残って、すでに架橋している
）のさらに２個のＯＨ基と結合し、下記に示すように脱
水してアセタール架橋をする：［００６９］

【化１２】 ［００７０１ ジアルデヒド架橋ヒドロキシエステルポリマーブロッキ
ング層中のへミアセタールとアセタール架橋の相対的度
合は未知である。ブロッキング層の乾燥（溶媒の除去）
中のオーブン温度（最高温度的１３５℃まで）が高いほ
どまたその温度が高温で維持される時間が長いほど（実
際の最高限度は約１時間まで）　アセタール架橋がヘミ
−アセタール架橋と他のポリマー繰り返し単位からより
多く形成され、架橋密度がより高くなる。１官能価アル
デヒド（アセタール架橋のみを通して）も、ヒドロキシ
エステルとヒドロキシアミドポリマーを架橋するのに使
用し得るが、他のすべての因子が等しくても２官能価ア
ルデヒドに比し１官能価アルデヒドは１モル当たり少な
い架橋しかされないので架橋効率は２官能価アルデヒド
より劣る。アセタール架橋が形成されるたびに、ヒドロ
キシエステルまたはヒドロキシアミドポリマー内の２個
の水酸基が消費される。このように、高架橋密度は次々
にＨ−結合密度とブロッキング層の電子輸送力を非常に
減少するたくさんの水酸基を消費し、以上のように少量
の１官能価アルデヒド（アセタール架橋のみ）は許容し
得るが、あまり多いと■８サイクルーアップ（電子捕捉
）を導く。ヘミアセタールによる架橋は、水酸基の数を
変化させず従って好ましい。しかし、水酸基を介しての
ヒドロキシエステル及びヒドロキシアミドポリマーの架
橋に他の適当な方法も使用できる。一般的には、触媒が
多官能価化合物とともに使用される場合は、触媒を洗い
流し、最終的なブロッキング層の触媒が残らないように
注意が払われる。触媒の残留は電気特性に悪影響がある
からである。同様にブロッキング層の最終的に所望され
る電気特性に悪影響がある永久的な非揮発性残留物は避
けるべきである。これはまた望ましくない残留物をブロ
ッキング層から排除するか、ブロッキング層内で電子捕
獲として機能し得ることを確実にする。 ［００７１３ 満足のいく結果は、平均分子最少なくとも１０．０００
を有し、工程に必要な粘度によって上限が限定されるビ
ニルヒドロキシエステルまたはビニルヒドロキシアミド
ポリマーによって達成される。好適な平均分子量は約２
０．０００と約２．０００．０００の間である。最適な
ブロッキング層性能は、平均分子量が約１００．０００
と２．０００．０００の間で得られる。Ｔ　またはガラ
ス転移温度が本発明の正孔ブロッキング層の能力に対し
て効果的に機能するという影響は知られていない。 ［００７２］ 最適な結果は、ビニルヒドロキシエステルポリマー、以
下の式で表されるポリ（２−ヒドロキシエチルメタクリ
レート）ＣＰ　（ＨＥＭＡ））で達成される。 ［００７３］

【化１３】 ［００７４］ 式中、 Ｘは分子量的２０．０００と約２．０００．０００の間
の十分な繰り返し単位を表わす［００７５］ 他の好適なビニルヒドロキシエステルポリマーは、以下
の式で表されるポリ ２−ヒドロキシプロピルメタクリレート）〔Ｐ （ＨＰＭＡ） 〕である： ［００７６］

【化１４】 ［００７７］ 式中、 Ｘは分子量約２０．０００と約２．０００．０００の間
の十分な繰り返し単位を表わす［００７８］ 更に他の好適なビニルヒドロキシエステルポリマーは、
以下の式で表されるポ リ （２−ヒドロキシエチルアクリレート）〔Ｐ （ＨＥＡ）、ｌである： ［００７９］

【化１５】 ［００８０］ 式中、 Ｘは分子量約２０．０００と約２．０００．０００の間
の十分な繰り一返し単位を表わす［００８１］ 更に他の好適なビニルヒドロキシエステルポリマーは、
以下の式で表されるポ リ （２−ヒドロキシプロピルアクリレート）〔Ｐ （ＨＰＡ）、ｌである： ［００８２］

【化１６】 Ｈ２ Ｈ−ＯＨ Ｈ３ ［００８３］ 式中、Ｘは分子量的２０．０００と約２．０００．００
０の間の十分な繰り返し単位を表わす［００８４］ 本発明の化合物は１以上の共重合性ビニルまたは他の適
当なモノマーと上記化合物のフィルム形成コポリマーも
含む。代表的な共重合性ビニルモノマーは、アクリロニ
トリル、メタクリレートリル、メチルビニルエーテル、
並びに他のアルキル及びアリールビニルエーテル、スチ
レン及び置換スチレン、エチレン、プロピレン、イソブ
チレン、ビニルアセテート、Ｎ、Ｎ−ジメチルアクリル
アミド、Ｎ−ビニルピロリドン、２，３．及び４−ビニ
ルピリジン、様々なメタクリレート及びアクリレートエ
ステル及びビニルクロリドなどを含む。ビニルモノマー
ではないが、ビニルのような重合をするある種のモノマ
ーも、ヒドロキシエステルまたはヒドロキシアミドビニ
ルモノマーと共重合する。これらは、例えば、ブタジェ
ン、イソプレン、クロロプレン、他の共役ジエンモノマ
ーなどを含む。一般的には、満足できる結果はコポリマ
ー中の少なくとも約２５モル％ビニルヒドロキシエステ
ルまたはビニルヒドロキシアミド繰り返し単位で達成さ
れる。代表的な特別なコポリマーの例は２−ヒドロキシ
エチルメタクリレート及びアクリロニトリルから誘導さ
れるコポリマー；２−ヒドロキシエチルメタクリレート
とＮ　−ビニルピロリドン、２−ヒドロキシプロピルメ
タクリレートとＮ−ビニルピロリドン、２−ヒドロキシ
エチルメタクリレートと２−ヒドロキシプロピルメタク
リレートなどを含む。 ［００８５］ 本発明のポリマーは他の適合したポリマーとブレンドす
ることもできる。適合したポリマーは本発明のビニルと
ドロキシエステルまたはビニルヒドロキシアミドポリマ
ーと混和しうる。代表的な混和性ポリマーは、ポリエチ
ルオキサゾリン（ダウケミカル社から入手可能）及び水
酸基と十分な強さ（水素結合によって相分離を阻止し得
る）のＨ−結合複合体を形成し得る他の十分な塩基性有
機ポリマーを含む。これらの塩基性有機ポリマーは、ポ
リ（エチレン及びプロピレン）イミン及びポリ（ビニル
ピリジン）ではない他の有機窒素含有塩基性ポリマーを
含むと信じられる。ポリエチルオキサゾリンは以下の構
造式で表される：［００８６］

【化１７】 Ｈ２ 凰 Ｈ３ ［００８７］ 式中、Ｘは３００から２０．０００までの数である。一
般的には、満足できる結果はビニルヒドロキシエステル
ポリマーの繰り返し単位を含まないポリマーとのブレン
ド中のビニルヒドロキシエステルまたはビニルヒドロキ
シアミドポリマー少なくとも約２５重量％で達成される
。好適なブレンド濃度は、ブレンド中の他のポリマーが
ビニルヒドロキシエステルポリマーの繰り返し単位を含
まない場合、ビニルヒドロキシエステルまたはビニルヒ
ドロキシアミドポリマー少なくとも約７５重量％である
。最適な結果は、ビニルヒドロキシエステルまたはビニ
ルヒドロキシアミドポリマー１００重量％で達成される
。ブレンドされるビニルヒドロキシエステルまたはビニ
ルヒドロキシアミドポリマーの最少量はいかなる他の繰
り返し単位が使用されるかによっである程度範囲である
。 ［００８８］ 本発明のビニルヒドロキシエステルまたはビニルヒドロ
キシアミドポリマー及びコポリマーは一般的に互いに混
和性である。さらに、ビニルヒドロキシエステルまたは
ビニルヒドロキシアミドコポリマーはヒドロキシエステ
ルまたはヒドロキシアミド繰り返し単位を少なくとも５
０モル％含み、さらにこのコポリマーは第１のコポリマ
ー中ヒドロキシエステルまたはヒドロキシアミド５０モ
ル％を含む他のビニルコポリマーとあるいは、第２のコ
ポリマーが第１のコポリマーの非水酸基繰り返し単位の
少なくとも５０モル％を含むならば、混和性である。あ
る場合には、第２のコポリマー中共通の繰り返し単位が
３３モル％より小さくても混和性が達成される。混和性
は、１種の溶媒中２種のコポリマーの共通溶液からの２
種のコポリマーキャストの等量のへイズイーコーティン
グ（ｈａｚｙ　ｃｏａｔｉｎｇ）　（乾燥後）として定
義される。これらは全てランダム（ブロックではない）
コポリマーである。２種のポリマー中のビニルヒドロキ
シエステル（またはアミド）の繰り返し単位含有量（重
量％として表現される）（普通のビニルヒドロキシエス
テル（またはアミド）は各ポリマー中縁り返し単位が少
なくとも３３モル％有する）は、約０．１０と９９．９
重量％の間が好ましい。 ［００８９］ 接地板用に選択される特別な組成物はブロッキング層の
厚さに影響を与える。 一般的には、非金属または被酸化性の電荷注入接地板材
料は、より厚いブロッキング層を必要とする。例えば、
ブロッキング層が覆われていないヨウ化銅を含む電荷注
入接地板を用いる感光体は、約３Ｖ／μｍ帯電するだけ
である。本発明の十分な厚さのブロッキング層をヨウ化
銅を含む接地板上に設けると、感光体は少なくとも約２
０Ｖ／μｍのレベルで帯電する。少なくとも約３０Ｖ／
μｍのレベルの帯電は、少なくとも約４０Ｖ／μｍのレ
ベルで達成される最適結果とともにい像は２成分乾式ゼ
オグラフィー現像剤では現像できなＸ／）。 ［００９０］ ブロッキング層混合物は支持基体の導電性表面に適用さ
れる。本発明のブロッキング層混合物は適当な慣用方法
で適用される。代表的な適用法は、吹き付は塗り、浸漬
被覆、ロールコーティング、線巻ロッドコーティング、
などを含む。コーティング組成物は通常溶媒を用いて適
用される。代表的な溶媒には、メタノール、１−メトキ
シ−２−ヒドロキシプロパン、第３ブチルアルコール、
水及びこれらの溶媒と他のアルコール溶媒及びテトラヒ
ドロフランなどとの混合物を含む。溶媒の選択はその上
にバリアー層が設けられる導電層の性質とブロッキング
層を構成するポ□リマーの特性による。適当な溶媒は、
一般に、各ポリマーの当分野で既知の特性に基づいて選
択される。溶媒混合物も必要であれば使用しうる。溶媒
の割合は用いられるコーティング技術（例えば、浸漬被
覆、吹き付は塗り、巻線ロッドコーティング、ロールコ
ーティング、など）により様々であるので、コーティン
グ混合物の粘度及び揮発性は用いられるコーティング技
術により調整される。一般的には溶媒の量の範囲はコー
ティング組成物の総重量に基づき、約９９．８重量％か
ら約９０重量％の間であ゛る。特定の溶媒とポリマーの
代表的な組み合わせは、例えば、ポリ（２−ヒドロキシ
エチルメタクリレート）及び１−メトキシ−２−ヒドロ
キシプロパン〔ダウアノール（Ｄｏｗａｎｏ　ｌ　）　
Ｐ　Ｍ、ダウケミカル社から入手可能）または第３ブチ
ルアルコールを含む。ジメチルアミノエタノールなどの
塩基性アルコール及び２，２．２−トリフルオロエタノ
ールなどの酸性アルコールも室温でポリ（２−ヒドロキ
シエチルメタクリレート）を相当溶解するが、中性の溶
媒は通常、感光体の電気的性能に影響を与える接地板ま
たは他の層との干渉を避けるために好ましい。高沸点両
極性非プロトン性溶媒（ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルアセタミド及びＮ−メチルピロリドン（それぞれＤＭ
Ｆ。 ＤＭＡＣ及びＮＭＰ）もポリ（２−ヒドロキシエチルメ
タクリレート）を良く溶解するが、これらの溶媒が高沸
点であるためにコーティングからの総溶媒除去が難しく
あまり好適ではない。このように高分子量ビニルヒドロ
キシエステル及びビニルヒドロキシアミドポリ々−のコ
ーティングに適当な溶媒の数は限られている。通常の溶
媒（トルエン及びテトラヒドロフラン）を使用して溶液
から形成される発生層及びメチレンクロリドなどの通常
の溶媒を使用する輸送層など後で設置されるデバイス層
は、ブロッキング層からブロッキング層の上に形成され
た層へこれらのヒドロキシエステルまたはヒドロキシア
ミドビニルポリマーの混和性を多くの溶媒が誘発しない
ので、通常の有機溶媒への高分子量ビニルヒドロキシエ
ステルまたはビニルヒドロキシアミドポリマーの制限さ
れた溶解性は、好適である。 ［００９１］ 本発明のヒドロキシエステル及びヒドロキシアミドビニ
ルポリマー及びコポリマーは、水素結合によすＨ２０保
持を助成する水酸基を含む化学構造を持つ。水酸基の存
在と少量の水の組み合わせが、負に帯電した感光体の帯
電と光放電の間、効果的に正孔ブロッキング層が機能で
きるように助けると信じられている。さらに、水酸基の
存在はブロッキング層に電荷発生層（トルエン及びテト
ラヒドロフランなどの典型的な有機溶媒を使って設けら
れる）及び電荷輸送層〔塩素化アルカン溶媒（例えば、
メチレンクロリド、１．２−ジクロロエタン及び１，１
．２−トリクロロエタン）等の典型的な有機溶媒を使っ
て設けられる〕などのブロッキング層の最上部に設けら
れたコーティング組成物に対する不溶性も付与する。 ブロッキング層ポリマーが、次に設けられるコーティン
グ層に使用される有機溶媒に溶解性であれば、有機溶媒
がブロッキング層材料を電荷発生層及び／または電荷輸
送層に洗い出し、厚さの均−性及びそれらの結着性は悪
影響を受けるだろう。より薄いブロッキング層またはブ
ロッキング層材料が欠落している領域は、非常に乏しい
かまたは無視し得る程のデバイス電荷受容及び高暗電荷
減衰率をもたらす。米国特許第４．４１０．６１４号に
開示されている有機（水酸基不合）ポリマーは上記の有
機溶媒に溶解し過ぎ、従って、上記の有機溶媒が後で設
けられる層に使用される場合にはブロッキング層として
適当ではない。このように、例えば、非常に限られた数
の有機溶媒（アルコール、グリコールエーテル及び両極
性非プロトン性溶媒など）が本発明の高分子ブロッキン
グ層材料に使用され得る。 ［００９２］ 内部粘度（ｉｎｈｅｒｅｎｔ　ｖｉｓｃｏｓｉｔｙ）　
、極限粘度数、または換算粘度（ｒｅｄｕｃｅｄ　ｖｉ
５ｃｏｓｉｔｙ）などの希釈溶液粘度測定法によって示
されるように、より大きい分子量のポリマー（他のこと
は全て等しい）は低分子量のポリマーより非常にゆっく
り増えるので、本発明のビニルヒドロキシエステルまた
はビニルヒドロキシアミドポリマーの分子量は、ブロッ
キング層応用において重要であると考えられる。ブロッ
キング層応用により大きい分子量のポリマーを使用する
ことは、ヒドロキシポリマーに水のような小さい分子を
封入するのにもよい。このように、とドロキシポリマー
の長い鎖は小さい水分子をよく包囲し、ポリマーが非常
に高分子量である場合ポリマー鎖当たりのＨ−結合部位
を提供することによってこれらの水分子への水素結合を
増やすことができる。高分子量ポリマー鎖はより大きな
空間を占めたり、取り囲んだりするので、低分子量ポリ
マー鎖よりも多くの数の接触部位で（スパゲツティのよ
うに）からまりあうこともできる。本発明のビニルヒド
ロキシエステルまたはビニルヒドロキシアミドの接触部
位は同一のポリマー領内でまたは隣接の鎖との他のビニ
ルヒドロキシエステル（またはアミド）部位での水素結
合部位を意味する。従って、長い（または高分子量）ポ
リマー鎖は、水のように小さなＨ−結合分子を封入する
ために、密集しそしてしっかりしたＨ−結合ネットワー
クを作る隣接の鎖ともっと接触したりからまりあったり
する。従って、低相対湿度（ＲＨ）条件でさえも、°高
分子量ヒドロキシポリマープロツキ２フ層からほとんど
水が移動することはなく、低ＲＨにおいてさえ効果的に
機能する。このように、本発明の高分子量ブロッキング
層を含むデバイスは低ＲＨでＶＲサイクル−アップにお
いて最少の増加だけを示す。さらに、高分子量ポリマー
が使用されれば、ブロッキング層の表面との溶媒接触は
、電荷発生層及び／または電荷輸送層を成型加工する時
、ブロッキング層の最上部の物理的破壊原因とはあまり
ならない。これは更に正孔ブロッキング層の厚さの均−
性及び有効な機能性を保持する。サイエンティフィック
　ポリマー　プロダクツから入手可能なポリ（２−ヒド
ロキシエチルメタクリレート）は、希釈溶液測定法によ
り分子量的１．０から１．４×１０６である（ここで、
換算粘度は１．８から２．０　ｇ／ｄｉである。 米国特許第４．４１０．６１４号に引用されているポリ
マーのもっと低い粘度、とこのような分子量、と比較す
ると、本発明の高分子量ポリ（２−ヒドロキシエチルメ
タクリレート）ブロッキング層は、米国特許第４．４１
０．６１４号に開示されている有機ポリメタクリレート
より（低膨潤率）固有のブロッキング層長所を持つと信
じられる。 ［００９３］ ブロッキング層コーティングをした後、施されたコーテ
ィングは加熱され、溶媒を追い出し、固体の連続フィル
ムを形成する。一般に、約１１０℃と約１３５℃の間の
乾燥温度が残留溶媒を最少にし、２軸延伸ポリエチレン
テレフタレートなどの有機フィルム基体のひずみを最少
にするのに好ましい。選ばれる温度は、使用される特別
な導電層にある程度依存し、そして基体の温度感受性に
より制限される。乾燥温度は、オーブン、強制空気オー
ブン、輻射加熱ランプなどの適当な方法で維持される。 乾燥時間は使用される温度による。従って、高い温度が
採用されれば短い時間で足りる。一般に乾燥時間が増加
すると除去される溶媒量が多くなる。十分な乾燥がされ
たかどうかは、クロマトグラフィーまたは重量分析によ
って判断される。典型的な処理は、１／２ミル　バード
コーティングバーでコーティングし、１３０℃で約１０
から３０分施されたコーティングを乾燥することを含む
。一般に、満足な結果は、導電層上の厚さ約０．０５μ
ｍから約８μｍを有する乾燥ブロッキング層コーティン
グで達成される。層の厚さが約８μｍを超えると、電子
写真像形成部材は、サイクルの間の消去の後で貧屑な放
電特性と残留電圧蓄積（ｂｕｉ　Ｉｔ−ｕｐ）を示す。 約０．０２μｍより薄い厚さは一般にピンホールとブロ
ッキング層の異なる部位での厚さの不均一性のために高
暗減衰及び低電荷受容をもたらす。厚さの範囲は、約０
．３μｍと約１．５μｍの間が好ましく、導電性表面上
約０．８μｍと約１μｍの間で最適なブロッキング結果
が得られる。本発明の乾燥ブロッキング層の表面抵抗率
は室温（２５℃）及び４０％相対湿度条件下１気圧で測
定すると約１０１０Ω／□より大きい。この最少電気抵
抗率はブロッキング層が導電性になりすぎるのを阻止す
る。 ［００９４］ 本発明のブロッキング層材料のいくつかは接着層として
も機能する層を形成することができる。しかし、所望に
より任意に薄い接着層を比較的厚いブロッキング層と電
荷発生層の間に用いることもできる。適当な接着層材料
をブロッキング層に適用できる。代表的な材料には、ポ
リエステル（例えば、４９０００．Ｅ。 ■、デュポン　ネモアー社から入手可能並びにＰＥ１０
０及びＰＥ２００．グツドイヤー　タイヤ　＆　ラバー
から入手可能）　ポリビニルブチラール、ポリビニルホ
ルマール、ポリビニルピロリドン、ポリアミド、ポリウ
レタン、ポリビニルアセテート、ポリビニルクロリド、
ポリイミド、ポリカーボネート、それらのコポリマー、
それらのブレンドなどを含む。一般には満足な結果は約
０．　ＯＯ５μｍと約０．２μｍの間の厚さの接着層で
達成される。好適な厚さは約０．０２μｍから約０．１
５μｍまである。最適な結果は、ポリビニルピリジンな
どの材料の厚さ約０．０３μｍ（３００オングストロー
ム）と約０．１２μｍで達成される。接着層の厚さが０
．２μｍを超えると、残留電圧は過剰にサイクル−アッ
プ始める。接着層はポリビニルカルバゾールなどの、ビ
ニルヒドロキシエステルまたはビニルヒドロキシアミド
ブロッキング層ポリマーに接着しにくい材料を含む電荷
発生層への接着を強化するのに特に有用である。代表的
な接着層材料は、ポリ（４−ビニルピリジン）　ポリ（
２−ビニルピリジン）などのビニルヒドロキシエステル
またはビニルヒドロキシアミドポリマーと強い水素結合
を生じるものである。ポリ（４−ビニルピリジン）を含
む接着層は、接着層を溶解バリアー層としても機能させ
る溶解特性を有する特異な接着組成物であると信じられ
ているビニルヒドロキシエステルまたはビニルヒドロキ
シアミドブロッキング層ポリマーと、水素結合高分子複
合体を形成する。 ［００９５］ 米国特許第４．０８２．５５１号では、本発明の１具体
例で実施されているように酸性ポリマーと塩基性ポリマ
ーが中性ポリマーと塩基性ポリマーの代わりに基体上に
連続的に被覆されている。これは高分子塩複合体が米国
特許第４．０８２．５５１号のデバイスで形成されてい
ることを意味するが、本発明の１具体例では水素結合高
分子複合体が形成されている。高分子塩複合体は水素結
合高分子複合体とは異なる組成物である。さらに詳しく
は米国特許第４．０８２．５５１号では、酸性高分子材
料（例えばポリアクリル酸またはメタクリル酸コポリマ
ーの０．４μｍ層）を含む低層（導電層に隣接）及び塩
基性高分子材料〔例えばポリ（２−ビニルピリジン）−
ポリメチルメタクリレート　コポリマーの０．２μｍの
層〕を含む上層（感光体層に隣接）から成る多層中間層
組成物が開示されている。この多層中間層組成物の高分
子界面では、酸−塩基反応生成物域言い換えれば塩中間
層ができる。この複合体多層中間層組成物の全体の厚さ
は０．２μｍと１．０μｍの間であることができその機
能は導電層と感光体層の間に良好な接着性を供給し、導
電層から感光体層への正電荷輸送注入（正孔注入）をブ
ロックする電気的バリアーとして挙動する。しかし、本
発明の複合ブロッキング／接着層組成物と米国特許第４
．０８２．５５１号に開示されているものとの間の大き
な違いは、本発明の具体例ではより厚い（例えば０．２
μｍから１．５μｍ）中性のビニルヒドロキシエステル
またはビニルヒドロキシアミドポリマー正孔ブロッキン
グ成分の最上部に非常に薄い（例えば０゜０６μｍ）塩
基性ポリ（４−ビニルピリジン）接着強化成分を用いる
。ポリ（４−ビニルピリジン）成分の存在は高帯電レベ
ル（導電層から感光体層への正孔注入を阻止するのと同
じである）を得るのに必要なのではないが、ビニルヒド
ロキシエステルまたはビニルヒドロキシアミドポリマー
正孔ブロッキング成分の最上部の水素結合高分子複合体
として必要である。ポリ（４−ビニルピリジン）−ビニ
ルヒドロキシエステルまたはビニルヒドロキシアミドポ
リマー界面も感光体層の下の界面材料の機能を果す。ビ
ニルヒドロキシエステルまたはビニルヒドロキシアミド
正孔ブロッキング成分ポリマーのみでもこれらの機能を
果すが、ポリ（４−ビニルピリジン）は発生層への接着
を強化する。ポリ（４−ビニルピリジン）−ビニルヒド
ロキシエステルまたはビニルヒドロキシアミドポリマー
接着界面も、上部の層を被覆するのに使用される溶媒に
対する溶媒バリアー層として機能し、そして光放電電子
が光発生層からポリ（４−ビニルピリジン）−ビニルヒ
ドロキシエステルまたはビニルヒドロキシアミドポリマ
ー界面に到達したとき容易に光放電電子を輸送し受容す
る。ポリ（４−ビニルピリジン）層の計画塵は、ガラス
板上に既知コーティング溶液濃度の乾燥コントロールコ
ーティングに基づくが、実際の厚さはポリ（４−ビニル
ピリジン）の下のビニルヒドロキシエステルまたはビニ
ルヒドロキシアミドポリマー層への浸透の深さによる。 代表的な例では、ドローパー被覆（０，５ミルバーギヤ
ツプ）されるポリ（４−ビニルピリジン）接着層成分は
、インブタノール１７．８９ｇ及びイソプロパツール１
．９９ｇ中ポリ（４−ビニルピリジン）（レイシン４２
００．レイリー　ター　アンド　ケミカル社から入手可
能）　０．１２　ｇの０．６重量％溶液からなる。ドロ
ーバーコーティング工程は、予め乾燥したビニルヒドロ
キシエステルまたはビニルヒドロキシアミドポリマーブ
ロッキング層に施行し、そして得られたポリ（４−ビニ
ルピリジン）層は周囲条件下で１時間、次に空気対流炉
内で１００℃で１時間乾燥する。 ポリ（４−ビニルピリジン）ポリマーのビニルヒドロキ
シエステルまたはビニルヒドロキシアミドポリマー層へ
の浸透の深さはもっばらビニルヒドロキシエステルまた
はビニルヒドロキシアミドポリマーのポリ（４−ビニル
ピリジン）を塗布するのに使用した溶媒（例えば、イソ
ブタノール−イソプロパノール混合物）への溶解性によ
る。上記の溶媒混合物に非常に良く溶解するポリ（２−
ヒドロキシプロピルメタクリレート）などのビニルヒド
ロキシエステルまたはビニルヒドロキシアミドポリマー
は、ポリ（４−ビニルピリジン）をアルコール性溶媒に
ほとんど溶解性のないポリ（２−ヒドロキシエチルメタ
クリレート）に深くまで浸透させ膨潤すると考えられる
。その結果として、異なる厚さのポリ（４−ビニルピリ
ジン）−ビニルヒドロキシエステルまたはビニルヒドロ
キシアミドポリマー界面が形成される。ポリ（４−ビニ
ルピリジン）−ビニルヒドロキシエステルまたはビニル
ヒドロキシアミドポリマー界面層内でのポリ（４−ビニ
ルピリジン）を徐々に分散させ、中間層の界面最上部付
近でポリ（４−ビニルピリジン）鎖の高濃度を生じさせ
そして純粋なビニルヒドロキシエステルまたはビニルヒ
ドロキシアミドポリマーがある中間層の底部ではポリ（
４−ビニルピリジン）鎖の低濃度を生じさせると考えら
れる。ポリ（４−ビニルピリジン）コーティングから溶
媒を蒸発後、ポリ　（４−ビニルピリジン）と混合した
隣接のビニルヒドロキシエステルまたはビニルヒドロキ
シアミドポリマーの間に水素結合が中間層成分にポリ（
４−ビニルピリジン）鎖をアンカーにして生じる。ポリ
（４−ビニルピリジン）があまりに厚くコーティングさ
れると、ポリ（４−ビニルピリジン）が後のコーティン
グ工程の間に発生層内に移動し、■２サイクルーアップ
を引き起こす。 このようにあまり厚いポリ（４−ビニルピリジン）のコ
ーティングは、過剰のポリ（４−ビニルピリジン）鎖が
水素結合アンカーが生じるビニルヒドロキシエステルま
たはビニルヒドロキシアミドポリマー鎖に隣接したり、
隣接しなかったりという結果になる。これらのアンカー
にならないポリ（４−ビニルピリジン）鎖は上記の後か
ら形成される層のコーティングに使用される溶媒に溶解
する場合は上部に移動しうる。ポリ（４−ビニルピリジ
ン）がビニルヒドロキシエステルまたはビニルヒドロキ
シアミドポリマーに水素結合すると、不溶解性溶媒バリ
アー層を構成する。このように、最適なコーティング濃
度０．６重量％は、上記のように、外挿ポリ（４−ビニ
ルピリジン）コーティング０．０６μｍ厚〔ポリ（４−
ビニルピリジン）−ビニルヒドロキシエステルまたはビ
ニルヒドロキシアミドポリマー界面の厚さではない〕を
提供し、これは完璧な水素結合ポリ（４−ビニルピリジ
ン）と優れた接着性溶媒バリアー界面層をもたらす。電
荷発生層及び電荷輸送層からなるデバイスにおいてこの
ようなポリ（４−ビニルピリジン）最適濃度のポリ（４
−ビニルピリジン）−ビニルヒドロキシエステルまたは
ポリ（４−ビニルピリジン）−ビニルヒドロキシアミド
ポリマー界面層は電荷消去サイクルでほとんどあるいは
全くｖＲの増加を示さない。 ［００９６］ 米国特許第４．０８２．５５１号では、第８欄、３２−
５３行に記載されている酸−塩基反応生成物形成工程は
、酸性及び塩基性ポリマーの等重量をとり、それらをそ
れぞれメタノールに溶解し、得られた２種の溶液を混合
し、不溶性の反応生成物を形成することを含む。不溶性
の反応生成物は多層中間層成分内に存在する酸性ポリマ
ー層と塩基性ポリマー層の界面に形成される酸−塩基生
成物域を示していると述べられている。さらに、第７欄
３２−４３行では、特許は、「本発明で重要なことは酸
性ポリマー層が十分に酸性であるポリマーから成り、塩
基性ポリマー層が十分に塩基性であるポリマーから成り
、これらの２層の間での酸−塩基反応生成物がそれらの
界面で形成されることである」と述べている。 ［００９７］ 上記の不溶性反応生成物形成試験を、同じメタノール中
ポリ（２−ヒドロキシエチルメタクリレート）（ポリサ
イエンスから入手可能）とポリ（４−ビニルピリジン）
（レイレン４２００、レイリー　ター　アンド　ケミカ
ル社から入手可能）を用いて繰り返した。しかし、試験
は、本発明の製造物では上記の米国特許第４．０８２．
５５１号に記載されているような酸−塩基反応生成物で
はなく、中性の水素供与体ポリマー、ポリ（２−ヒドロ
キシエチルメタクリレート）と塩基性窒素含有ポリマー
、ポリ（４−ビニルピリジン）水素結合高分子複合体、
即ち、水酸基水素だけが部分的にプロトンとしてピリジ
ン窒素に移動し、水素結合高分子複合体を形成すること
を示した。このように、本発明の製造物は上記の米国特
許第４、０８２．５５１号に記載されているような酸−
塩基反応生成物は不合である。 ［００９８］ 米国特許第３．９３２．１７９号では、導電層、感光体
層、及び高分子中間層から成り、導電層と感光体層の間
に１０１０Ω／□より大きい表面抵抗率を有する多層電
子写真部材が開示されている。中間層はすくなくとも２
種の全く違った高分子相：（ａ）フィルム形成水溶性ま
たはアルカリ性水溶液溶解性ポリマー及び（ｂ）電気的
に絶縁性のフィルム形成疎水性ポリマー、から成る。 ［００９９］ 例えば、導電層はポリメチルメタクリレート及びポリメ
タクリル酸のコポリマーバインダー中に膨潤されたクー
ポラスヨウ化物を含む。複雑な２相バージ（ｈａｚｙ）
層〔ポリ−（メチルアクリレート−ビニリデン　りロリ
ド−イタコン酸）の複雑なターポリマー（６５重量％）
及びポリ（無水マレイン酸　ビニルメチルエーテル）（
３５重量％）から成る〕を有機溶媒バリアー、接着補助
、及び正孔ブロッキング層として用いている。第４欄４
７行には、３型ポリマーが、ホモポリマー及びコポリマ
ーを含み、繰り返し炭化水素単位の主鎖と主鎖に化学的
に結合する側鎖基として炭素原子１０個までから成る酸
性基から成るポリマーとして開示されている。有用な酸
性基゛は、スルホン酸、カルボン酸、無水カルボン酸か
ら成る群から選ばれる。第４欄５４行には例えば水酸基
、アルコキシ基及び炭素原子１０個までのエステル基な
どの他の基から成る側鎖基も前述の３型ポリマーにある
ことが示されている。第４欄５７行には、３型ポリマー
は典型的には少なくとも主鎖に３個以上の繰り返し単位
を持つことが明らがである。これらのリストではポリマ
ー中に水酸基は示されていない。３型ポリマーでは、酸
性基がブロッキング層としてこれらの材料の機能に不可
欠であると考えられる。３型ポリマー中の水酸基の存在
は付随的なことであって、効果的な３型ブロッキング層
を得るのに成分に不可欠に必要とされるものではない。 加えて、３型ポリマーは、主鎖に３以上の繰り返し単位
を有し、少なくともこの繰り返し単位の１個には酸性基
を含まなければならない。酸性基が存在すれば〔好適な
３型ポリマーの全てでは存在しなければならない（米国
特許第３．９３２．１７９号の第４欄の末及び第５欄の
上またはアルカリ溶解性（ｐＨ７から１０）を付与する
。本発明のブロッキング層ポリマーは一般に水溶性では
なく、疎水性ポリマーと組み合わされなければならない
必要もない。本発明の好適なブロッキング層は一般に単
一の成分、即ち、１種のポリマーまたはコポリマーを含
み、そしてそれは水酸基を非常に高い濃度で（付随的に
ではなく）含み、水溶性は回避されなければならないの
で水溶性にするための酸性基は含まない。本発明の満足
なブロッキング層は一般に繰り返し単位から成る低濃度
の水酸基（約２５重量％より低い）　ここで繰り返し単
位定数は同一のポリマー（コポリマー）または他のポリ
マー（ブレンド）または両者中繰り返し単位から成る非
水酸基で希釈される。しかし、水酸基繰り返し単位の低
含有は、同一のブロッキング層成分（ここでは水酸基繰
り返し単位は対象から外されている）に対して感光体サ
イクル電気性能の改良のためには付随的ではない。 しかし、水酸基繰り返し単位の高含有は、好適なサイク
ル電気性能を与える。中性水酸基ブロッキング層ポリマ
ーを有する本発明のブロッキング層は、多数の水酸基で
非常に密度の高いＨ−結合を得るが、米国特許第３．９
３２．１７９号の２成分ブロッキング層では、米国特許
第３．９３２．１７９号のブロッキング層ポリマー中の
銀嶺たりのＨ−結合（ＣＯＯＨ−ＨＯＯＣ）の量はＰ　
（ＨＥＭＡ）などのブロッキング層ポリマーにおけるよ
り非常に少ないので達成することができない。米国特許
第３．９３２．１７９号のターポリマーは非常に少ない
Ｃ０ＯＨ基を有する（これはイタコン酸（またはこのタ
ーポリマー中の他の繰り返し単位に含まれる酸）が主鎖
内の３繰引返し単位に１個だけだからである）が、ヒド
ロキシルポリマー〔例えば、Ｐ　（ＨＥＭＡ））は各繰
り返し単位内にＯ−Ｈ基を有する。第２ポリマー成分で
希釈後はＣ０ＯＨ基含有量はさらに減少する。そして、
そのために当初低かった酸−酸Ｈ−結合密度は減少する
だろう。 ［０１００］ 一般に上記及び下記のように、本発明の光導電性像形成
部材は、導電性表面を有する支持基体、ビニルヒドロキ
シエステルまたはビニルヒドロキシアミドポリマーを含
むブロッキング層及び導電性像形成層を有する。光導電
層は当分野でょく知られているいかなる適当な光導電性
材料を有しうる。このように光導電層は、例えば均一な
光導電性材料またはバインダー中に分散された光導電性
粒子の単層、または電荷輸送層でオーバーコートされた
電荷発生層のような多層を有することができる。光導電
層は均一な、不均一な、有機または無機組成物を含有し
うる。不均一な組成物を含有する電子写真像形成層の１
例は米国特許第３．１２１．００６号に開示されている
。ここでは、光導電性無機化合物のよく分割された粒子
が電気的に絶縁性の有機樹脂バインダー中に分散されて
いる。この特許の全ての開示は引用により本明細書中に
導入される。他の良く知られた電子写真像形成層はアモ
ルファスセレン、ハロゲンドープアモルファスセレン、
アモルファスセレン合金（セレンヒ素、セレンテルル、
セレンヒ素アンチモンを含む）及びハロゲンドープセレ
ン合金、硫化カドミウムなどを含む。一般に、これらの
無機光導電性材料は相対的に均一な層しとて設けられる
。 ［０１０１３ 本発明は特に電気的に作動する２層、電荷発生層及び電
荷輸送層を有する電子写真像形成層に好適である。 ［０１０２］ 適当な電荷発生または光発生材料が本発明の多層光導電
体の具体例に２種の電気作動層の１として採用すること
ができる。代表的な電荷発生材料は、米国特許第３．３
５７．９８９号に開示されている金属不合フタロシアニ
ン、米国特許第３．４４２．７８１号に開示されている
金属フタロシアニン（フタロシアニン銅、バナジルフタ
ロシアニン）、三方晶セレンなとのセレン含有材料、ビ
スアゾ化合物、キナクリドン、置換２，４−ジアミノト
リアジン、及び多環式芳香族キノン（アライドケミカル
から商標名インドファースト　ダブル　スカーレット、
インドファーストバイオレット　レーキＢ、インドファ
ースト　ブリリアント　スカーレット及びインドファー
スト　オレンジのもとに入手可能）を含む。電荷発生層
の他の例は、米国特許第４．２６５．９９０号、米国特
許第４．２３３．３８４号、米国特許第４．４７１．０
４１号、米国特許第４．４８９．１４３号、米国特許第
４．５０７．４８０号、米国特許第４．３０６．００８
号、米国特許第４．２９９．８９７号、米国特許第４．
２３２．１０２号、米国特許第４．２３３．３８３号、
米国特許第４．４１５．６３９号及び米国特許第４．４
３９．５０７号に開示されている。これらの特許の開示
は全てが引用により本明細書に導入される。 ［０１０３］ 適当な不活性樹脂バインダー材料を電荷発生層に採用す
ることができる。代表的な有機樹脂バインダーは、ポリ
カーボネート、アクリルポリマー　ビニルポリマー、セ
ルロースポリマー　ポリエステル、ポリシロキサン、ポ
リアミド、ポリウレタン、エポキシドなどを含む。例え
ば、米国特許第３．１２１．００６号及び米国特許第４
．４３９．５０７号に多くの有機樹脂バインダーが開示
されている。これらの特許の開示は全てが引用により本
明細書に導入される。有機樹脂ポリマーは、ブロック、
ランダムまたは交互共重合体でありうる。光発生組成物
または顔料は様々な量で樹脂バインダー組成物中に存在
する。電気的不活性または絶縁性樹脂を使用する場合、
光導電性粒子の間で粒子−粒子接触があることが重要で
ある。光導電性材料がバインダー層中の光導電体の最高
量に制限されずバインダー層の少なくとも１５容量％の
量で存在することが必要である。マトリックスまたはバ
インダーが活性材料（例えば、ポリＮ−ビニルカルバゾ
ール）を含むならば、光導電性材料１よバインダー層中
の光導電体の最高量に制限されずバインダー層の約１容
量％未満存在することが必要である。一般には、ポリビ
ニルカルバゾールまたはフェノキシ樹脂〔ポリ（ヒドロ
キシエーテル）〕のような電気的に活性なマトリックス
またはバインダーを含有する電荷発生層には、約５容量
％がら約６０容量％の光発生顔料が約４０容量％から約
９５容量％のバインダーに分散される。そして好ましく
は光発生顔料の約７容量％から約３０容量％が、バイン
ダー約７０容量％から９３容量％に分散される。特定の
割合が発生層の厚さの程度により選ばれる。 ［０１０４］ 光発生バインダーの厚さは特に臨界的ではない。約０．
０５μｍから約４０．０μｍの層厚が満足であることが
わかった。光導電性組成物及び／または顔料及び樹脂バ
インダー材料を含有する光発生バインダー層は、約０．
１μｍから約５．０μｍの層厚が好ましく、最高の光吸
収と改良された暗減衰安定と機械的特性には約０゜３μ
ｍから約３μｍの層厚が最高である。 ［０１０５］ 他の代表的な光導電性層はセレンアモルファスまたはセ
レンーヒ素、セレンーテルルーヒ素、セレン−テルルな
どのセレン合金を含む。 ［０１０６］ 活性電荷輸送層は、電荷発生層から光発生した正孔と電
子の注入をサポートしそしてこれらの正孔または電子を
有機層から輸送し表面電荷を選択的に放電するのを許容
し得るような透明有機ポリマーまたは非高分子材料を含
む。活性な電荷輸送層は正孔または電子の輸送に適して
いるばかりでなく、摩耗または化学的攻撃から光導電層
を保護し、それにより感光体像形成部材の運転寿命を延
長する。電荷輸送層は、ゼログラブイーに有用な波長の
光（例えば、４０００オングストロームから８０００オ
ングストローム）に露光されたとき、たとえあったとし
てもごくわずかな放電を示す。従って、電荷輸送層は光
導電体が使用される部位で電磁線を実質的に透過する。 このように、活性電荷輸送層は、発生層から光発生した
正孔または電子の注入をサポートする実質的に非光導電
性材料である。活性輸送層は、照射光が活性層を通過す
るのに効果があり大部分の入射電磁線が十分な光発生の
下にある電荷キャリアー発生層に利用されるのを確実に
するために通常透明である。透明基体で使用される場合
、像露光は基体を通過する全ての光により基体を通して
行われ得る。この場合には、活性輸送材料は使用波長の
範囲で吸収される必要はない。本発明において発生層と
接続する電荷輸送層は、輸送層上に印加された静電電荷
は照明が存在しないときは導電性ではない、即ち、その
上の静電潜像の形成及び保持を妨げるのに十分な速度で
放電しない。 ［０１０７］ 活性電荷輸送層は、電気的に不活性な高分子材料中に分
散され、これらの材料を電気的に活性にする添加剤とし
て有用な活性化化合物から成る。これらの化合物は、発
生材料からの光発生正孔の注入をサポートできず、そし
て正孔がその中を移動できない高分子材料に添加される
。これは電気的に不活性な高分子材料を、発生材料から
の光発生正孔の注入をサポートでき、そして活性層の表
面電荷を放電するために活性層中を正孔が移動するのを
許容し得るように変化させる。 ［０１０８］ 本発明の多層光導電体の具体例において電気的に作動す
る２層のうちの１層に採用される特に好適な輸送層は、
少なくとも１種の電荷輸送芳香族アミン化合間約２５か
ら７５重量％、及び該芳香族アミンに溶解する高分子フ
ィルム形成樹脂７５から２５重量％を含む。 ［０１０９］ 電荷発生層の光発生正孔の注入をサポートでき、そして
電荷輸送層中を正孔が移動するのを許容し得る、上記の
構造式によって表される電荷輸送層芳香族アミンの例は
、不活性樹脂バインダー中に分散されたトリフェニルメ
タン、ビス（４−ジエチルアミン−２−メチルフェニル
）フェニルメタン、４／、４１１−ビス（ジエチルアミ
ノ）　−２’　、　　２”−ジメチルトリフェニル−メ
タン、Ｎ、　Ｎ’　−ビス（アルキルフェニル）−Ｃ１
，１’−ビフェニル”）−４，４’−ジアミン（ここで
、アルキルは、例えばメチル、エチル、プロピル、ｎ−
ブチルなとである）Ｎ、　Ｎ’　−ジフェニル−Ｎ、　
Ｎ’−ビス（クロロフェニル）−〔１，１’　−ビフェ
ニル）−４，４’−ジアミン、Ｎ、　Ｎ’　−ジフェニ
ル−Ｎ、　Ｎ’−ビス（３″−メチルフェニル）−（１
，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン、などを含
む。 ［０１１０１ メチレンクロリドまたは他の適当な溶媒に溶解する適当
な不活性樹脂を本発明の製造に用いることができる。メ
チレンクロリドに溶解する代表的な不活性樹脂バインダ
ーは、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルカルバゾール
、ポリエステルポリアリールレート、ポリスチレン、ポ
リアクリレート、ポリエーテル、ポリスルホンなどを含
む。分子量は約２０．０００から約１．５００．０００
まで変化し得る。 ［０１１１］ 好適な電気的不活性樹脂材料は、分子量的２０．０００
から１００．０００、より好ましくは約５０．０００か
ら約１００．０００のポリカーボネート樹脂である。電
気的不活性樹脂材料として最も好適な材料は、分子量的
３５．０００から約４０．０００のポリ（４，４’　−
シブロピリデンージフエニレンカーボネート）（レキサ
ン１４５としてゼネラルエレクトリックから入手可能）
；分子量的４０．０００から約４５．０００のポリ（４
，４’−イソプロピリデン−ジフェニレンカーボネート
）（レキサン１４１としてゼネラル　エレクトリックか
ら入手可能）；分子量的５０．０００から約１００．０
００のポリカ−ボネート樹脂（マクロ−ロンとしてファ
ーベンファブリツケンバイエル　Ａ。 Ｇ、から入手可能）；分子量的２０．０００から約５０
．０００のポリカーボネート樹脂（メルロンとしてモー
ベイケミカルから入手可能）及びポリ（４，４’　−ジ
フェニル−１，１−シクロヘキサンカーボネート）であ
る。メチレンクロリド溶媒は、全ての成分を適当に溶解
すること及びその低沸点という点から特に好適な電荷輸
送層コーティング混合物の成分である。しかし、選択さ
れる溶媒のタイプは、使用される樹脂バインダーによる
。 ［０１１２］ 上記の電荷輸送層の全てにおいて、電気的不活性高分子
材料を電気的に活性にする活性化化合物は、約１５から
７５重量％の量で存在するべきである。 ［０１１３］ 所望により、電荷輸送層は電気的不活性なバインダー中
に溶解または分散された電荷輸送モノマーの代わりに適
当な電気的活性電荷輸送層からなることもできる。電荷
輸送層として採用される電気的に活性な電荷輸送ポリマ
ーは、例えば、米国特許第４．８０６．４４３号、米国
特許第４．８０６．４４４号、及び米国特許第４．８１
８．６５０号に開示されており、その全ての開示は引用
により本明細書に導入される。 ［０１１４］ 好適な慣用技術が電荷輸送層コーティング混合物を混合
し、そしてその後電荷発生層に適用するのに使用される
。代表的な適用方法は、吹き付は塗り、浸漬被覆、ロー
ルコーティング、線巻ロッドコーティングなどを含む。 施したコーティングの乾燥は、オーブン乾燥、赤外線乾
燥、空気乾燥などの適当な慣用方法によってなされる。 一般的には、輸送層の厚さは約５μｍから約１００μｍ
の間であるが、この範囲外の厚さも使用できる。 ［０１１５］ 電荷輸送層は、電荷輸送層に印加された静電荷が光照肘
なしで十分な速さで静電潜像の形成及び保持を妨げない
ように絶縁体であるべきである。一般的には、電荷輸送
層対電荷発生層の厚さの比は、好ましくは約２：１から
２００　：　１に保たれるが、ある例では４００：１で
ある。 ［０１１６］ 任意に、オーバーコート層も摩耗に対する抵抗性を改良
するために使用される。ある例では、平面性及び／また
は摩耗抵抗性を改良するために背面コーティングを感光
体の反対側に設けることもできる。これらのオーバーコ
ーテイング層は電気的に絶縁性であるかわずかに半導＝
Ｉ’！である有機高分子または無機高分子から成る。 ［０１１７］ このように、本発明は静電画像部材の寿命を延長する。 本発明の分子量の大きいビニルヒドロキシエステルまた
はビニルヒドロキシアミドポリマーは、暗所での正孔注
入をブロッキングしたり光放電電子を輸送するための官
能基（エステル６アミド）を含む水酸基及びカルボニル
基を含む。本発明のブロッキング層は、ブロッキング層
（例えば、トルエン、テトラヒドロフラン及びメチレン
クロリドなどの溶媒中に実質的に不溶である）の上の層
を被覆するのに使用される多くの普通に用いられるコー
ティング溶媒に対して溶媒バリアー層を形成する。°′
実質的に不溶”′という表現は、本明細書中では、これ
らの溶媒がブロッキング層と接触し、その為に高電荷受
容（Ｖｏ）及び低（ｖＲ）が少なくとも２００連続像形
成サイクル中保たれる期間はブロッキング層が腐食され
てなくなるほどには溶解性ではないと定義される。高■
。は少なくとも６００Ｖと定義され、そして低Ｖ２は約
１００Ｖ未満と定義される。光放電の前のコロトロン帯
電中及び後電気的に正孔ブロッキングである。より暗安
定でもある。これは接地正孔注入を阻止しそして初めの
高Ｖｏ帯電と反復サイクリングを可能にする。本発明の
ブロッキング層は電気的に発生層からの光放電電子を受
容し、大部分のまたは全ての受容した電子を接地板に輸
送し、放電過程を遂行する。このように、本発明の静電
画像形成部材は、多くの周囲相対湿度下でサイクリング
の聞伝残留電圧での光放電を許容する。−これは、ゼロ
グラフィータイムスケール内での全放電を可能にし、そ
して初めの高■。帯電と反復サイクリングを可能にする
。本発明の分子量の大きいビニルヒドロキシエステルま
たはビニルヒドロキシアミドポリマーは、所望のブロッ
キング層乾燥厚を形成するのに何回ものスプレーコーテ
ィングパスが必要な他の材料〔粘性ポリ（ビニルアルコ
ール）水溶液など〕と比較して低粘度、濃縮溶液から１
または２回のスプレーパスで十分に厚いブロッキング層
も提供する。さらに、各繰り返し単位内のカルボニル官
能基が一緒に存在することは、ヒドロキシポリマーの溶
解性（ＰＶＯＨに対して）を高め、コーティングの品質
を高めるような任意のスプレー溶媒として低級アルコー
ル及びグリコールエーテルを一般的に含みうる。 ’［０１１８］ さらに、溶媒蒸留後、ヒドロキシポリマーは、導電層と
のその両極性相互作用（エステル、アミド）のために、
ポリ（ビニルアルコール）などの材料と比較してこの界
面での固体状態接着を強化する。特に本発明の分子量の
大きいブロッキング層の驚くべき点は、大量のＨ−結合
水に強く依存する事なく光放電電子注入及び輸送を助け
ることである。本発明の分子量の大きいブロッキング層
を含むデバイスは、ゼログラフィーエンジン内に加湿器
を供給する必要なく相対湿度とは関係なく機能できる。 ［０１１９］ 以下の多くの実施例を示し、発明の実施に用いることが
できる異なる組成物及び条件を例示する。全ての割合は
特に示されていない限り重量に対するものである。しか
し、本発明は多くのタイプの組成物で実施することがで
き、上記開示に従いそして以下に記載するようにして多
くの異なる用途が可能である。 ［０１２０１

【実施例］ 〔実施例１〕。 ブロッキング層として使用される高分子材料を含むさま
ざまなビニルヒドロキシエステルまたはビニルヒドロキ
シアミドの正孔プロッキングカを評価し、さまざまな非
金属導電層の正孔注入力を得た。この評価は正孔ブロッ
キング層を含まない感光体をコロトロン帯電後（〜０．
２秒）、直ちに暗所で第１サイクル表面電圧を測定し、
この比較例について行った。その後この値を以下の実施
例において高分子正孔ブロッキング層を含む以外他の全
ての点では同一の感光体で得られた第１サイクル表面電
圧と比較した。はぼ同一の厚さの層及び同一の導電層を
有する２個の感光体について一定に設定された試験条件
下で測定された電圧の差（ブロッキング層を有する感光
体のＶｏ（１）とブロッキング層を有さない感光体のＶ
ｏ（の力は太きい。本実施例では感光体は正孔ブロッキ
ング層なしで成型加工されているが、残りの全ての実施
例では正孔ブロッキング層つきで成型加工されている。 本評価に使用された導電層には通常（しかし常ではない
）絶縁性高分子バインダー中に何回もの電荷消去（放電
）サイクルにわたって光感体を放電する際に導電性接地
板として機能するのに十分な所定の添加レベル（〉１０
重量％）で導電性材料が分散されている。 ［０１２１］ カーボン　インフ゛レグネイテッド　デッドラー　ＣＩ
Ｔ　　’首電μ導電性ポリビニルフルオリド（ＰＶＦ）
カーボン含浸３ミル（０，０７６２ｍｍ）厚導電性複合
フィルム（ＣＩＴ）（Ｅ、１．デュポン　デ　ニュモウ
ラス社から商業的に入手可能）を感光体層で被覆した。 ＣＩＴを高分子基体を有する導電層の機能と組み合わせ
、１つの層にする。ＣＩＴという表現はカーボン　イン
プレグネイテッド　テラドラ−（登録商標）を指す。テ
ラドラ−（登録商標）は、その中にカーボンブラックが
分散されていないポリビニルフルオリドである（Ｅ、　
１．デュポン　デ　ネモラス社から入手可能）。カーボ
ン　インプレグネイテッド　テラドラ−（登録商標）中
の導電性カーボンブラック添加レベルは、１０−２５重
量％の間であり、フィルムは物理的及び電気的にカーボ
ンブラック〔ブラック　パール　２０００　（カーポッ
ト社から入手可能）〕１５重量％添加したポリビニルフ
ルオリドに類似している。４ポイント　プルーブで測定
すると、ＣＩＴは十分な導電性抵抗率（５１０５０７口
）を有し、多くの連続したゼログラフィー電荷放電サイ
クルに十分に使用できる。 ［０１２２］ カーボンブラック含浸または不合ポリビニルフルオリト
コ−ティングは、メチレンクロリド、テトラヒドロフラ
ン（ＴＨＦ）　、及びトルエンなどの通常のそしてこれ
らのデバイスの他の要用のコーティング溶媒に繁用され
る有機溶媒に化学的及び物理的に（１００℃未満）に抵
抗性である。さらに、同じＰＶＦコーティングは、低級
アルコール（メタノール、エタノール、イソプロパツー
ル、ｎ−ブタノール、第２ブタノール及びイソブタノー
ル）及びケトン（アセトン、メチルエチルケトン及びメ
チルイソブチルケトン）及び水などより極性の高い溶媒
に同様な溶媒抵抗性である。 ［０１２３］ 加。カーボセット　登録部、　　カーボンブラック首電
鰯導電性カーボンブラック配合物は、ドローバー及び噴
霧塗布成型加工用に開発された。ドローバ−コーティン
グ配合物は、イソプロパツール２．０４　ｇとメチルイ
ソブチルケトン（ＭＩＢＫ）７．５ｇで希釈したポリア
クリル樹脂（カーボセット（登録商標）５１４Ａ、Ｂ、
Ｆ、グリドリッチ社からイソプロパツール中７０％溶液
として入手可能）　６．８７　ｇから成る。この溶液に
導電性カーボンブラック（ブラック　パール（登録商標
）２０００、カーポット社から入手可能）　０．９４ｇ
を添加し、ペイントシェーカー（レッド　モデル社、モ
デル５１００Ｘ）で９０分間懸濁した。最後にＸＡＭＡ
−２０，５１ｇ（バージニア　ケミカルから入手可能な
カーボセット架橋化剤）加え、分散物を１５分間ペイン
トシェーカーで撹拌した。得られた架橋化剤を含むカー
ボンブラック分散物を８１／　”Ｘｌ　１”　　ド０−
パーコーター（パシフィック　サイエンチフィツクから
入手可能）モデルＰ２９０　　ガードナー　ラボラトリ
−を用いてドローパーコーティング（２ミル（０、０５
０８ｍｍ）ギャップ）した。このカーボンブラック導電
層分散物を絶縁性高分子基体（デュポンのテラドラ−ま
たはマイラーフィルムまたはメリネックスポリエステル
（ＩＣＩ）など）上にコーティングし、その後周囲環境
下で１時間と空気対流炉で１００−１２０℃で１時間乾
燥した。 ［０１２４］ 導電層の乾燥厚は約〜１０±５μｍであった。ここで、
有用な導電範囲は厚さの関数ではなかった。得られた乾
燥導電層は導電性カーボンブラック粒子が高分子の網の
中に捕獲されている架橋された網状であった。 ［０１２５］ カーボセットーカーボンブラック導電層は、絶縁性高分
子基体（例えばテラドラ−（登録商標）、マイラー、メ
リネックス（登録商標））にも吹き付は塗された。吹き
付は塗に使用される分配配合物は、カーボセット５１４
Ａ８０ｇ、ブラックパール（登録商標）２０００導電性
カーボンブラツク９．９ｇ、イソプロパノ−ル４００ｇ
及びメチルイソブチルケトン１０００ｇであった。用い
られた全ての溶媒は、試薬級であった。上記の分散物を
ガラスピーズで６４時間、練りロール機にかけた。分散
物をビーズからデカントした後、ＸＡＭＡ−２（架橋化
剤）８．４ｇを加え、０．２５時間分散物を磁気的に撹
拌した。市販のスプレーガン及びピンクス　マニファク
チャーリング製の機器を用いて分散物をスプレーした。 ビンラスモデル２１自動スプレーガンを４２７５３型レ
シプロケータ−付ピンクススプレーブースモデルＢＦ−
４に使用した。モデル２１ガンは、６３Ｂ液体ノズルと
６３ＰＥ空気噴霧用ノズルを装備していた。液体圧は４
ｐｓｉでありスプレー噴霧圧は５０ｐｓｉであった。針
の設定は１．５回転及びスプレーファン角度は０．７５
回転であった。これらの設定は閉鎖位置から数えた。ス
プレーガンは自動モードで操作し、スプレー中垂直に置
いたマンドレルの上から下へレシプロケータ−を動かし
た。ターンテーブルに接続された軸に取りつけた円筒状
アルミニウムマンドレルにスプレーするのに絶縁性高分
子基体をテープとめし、その周りに回転させた。導電性
分散物を１．５分間のパス間隔で回転させながら３回ス
プレーした。最後にコーティングをマンドレルからはず
し、空気対流炉内で０．５時間１２０℃で乾燥した。こ
のようにして架橋導電層（ドローパーまたは吹き付は塗
）は、後に使用されるコーティング組成物及びそれらの
溶液による摩耗を阻止する溶媒バリアーとして機能する
。層を完璧な状態で維持するので、適当なゼログラフィ
ー帯電及び放電が何千回ものサイクルにわたって得られ
る。 ［０１２６］ ＸＡＭＡ−２とカーポセット（登録商標）５１４Ａ間の
架橋の化学は永久コーティング用カーボセット樹脂と題
してＢ、　Ｆ、　　グツドリッチから刊行されている技
術プロラシャ−に明快に例でされている。 ［０１２７］ トルエンとキシレンの６０／４０（体積比）混合溶媒中
導電性カーボンブラック及び高分子樹脂（ブラック導電
性オレフィン系フラッシュプライマーＬＥ１６６１０、
レット　スポット　ペイント　アンド　バーニッシュか
ら入手可能）を入手したまま（希釈不要）吹き付は塗り
し、十分に導電性である１０−１６μｍ厚導電層を得、
非常に多くの連続ゼログラフィー放電サイクル用接地板
として機能させた。 ［０１２８］ ＬＥ１６６１０ブラック導電性オレフィン系フラッシュ
プライマー（６００ｇ）を、前記のペイントシェーカー
（スチールショットはないか、カラスビーズを使用）を
用いて再分散した（５０．５時間）。（乾燥後）１２μ
ｍ厚コーテイングをスプレーするには、以下のスプレー
パラメーターにより４回のパスを行った。 ［０１２９］ 噴霧圧　　：　　５５ｐｓｉ 液体圧　　：　　　６ｐｓｉ ファン角度：　閉鎖位置から０．７５回転液体開始　：
　閉鎖位置から１．２５回転前記のスプレーガン及びピ
ンクス　マニファクチャーリング製の補助器具を用いて
同一の絶縁性高分子基体にこの導電性組成物をスプレー
し、前記のように取りつけた。コーティングした基体を
次に周囲環境で１−１６時間乾燥し、空気対流炉内で９
０℃で少なくとも０．２５時間乾燥した。 ［０１３０１ ポリピロールＩＣＰ−１１７導電 ドローパーコーティング導電層用の代表的な配合物では
、エチルアセテート９１０重量％ポラロイドＩＣＰ−１
１７ポリピロ一ルーポリマー複合体２０ｇを同じ溶媒１
０ｇで希釈した。この分散物をデュポンのマイラーまた
はブラードラ−（登録商標）などの絶縁性基体に前述の
ガードナーコーティング装置でドローバーコー）（０，
５ミル（０，０１２７ｍｍ）ギャップ）した。絶縁性高
分子基体にコートした導電層を１００−１２０℃に維持
された空気対流炉に０．５−１．０時間移し、コーティ
ング溶媒を蒸発した。ポラロイドＩＣＰ−１１７ポリピ
ロールーポリマー複合体は負に帯電し、そしてポリピロ
ール部分は正に帯電する。しかし、負に帯電しうる多数
のコポリマー組成物が用いられ、それらは２つの刊行物
に開示されている： ［０１３１］ （１）　Ｓ、　Ｊ、ジェスン（Ｊａｓｎｅ）及びＣ，Ｋ
、チクリス（Ｃｈｉｋｌｉｓ）、５ｙｎｔｈｅｔｉｃ　
Ｍｅｔａｌｓ、１５　：１７５−１８２　（１９８６）
及び（２）ヨーロッパ特許出願第８５１０３４４７．０
　（１９８５年３月２３日出願）［０１３２］ 且文化鋤導電層 導電層を市販のヨウ化銅からドローバー及び噴霧成型加
工した。ドローバ−成型によって製造されるコーティン
グを初めに記載する。 ［０１３３］ 超精製クーポラスヨウ素２．３０ｇ（アルドリッチケミ
カル及びアルファーベントロンリサーチケミカルアンド
マテリアルなど多くの化学物質供給者から入手可能）を
精製ブチロニトリル溶媒（１００ミリリツトル）と混合
し、混合物を飽和溶液が形成されるまで室温で４−１６
時間磁気的に撹拌した。極微量の過剰の不溶クーポラス
ヨウ素を、多孔度０．２μを有するヌークレポアーフィ
リネート（Ｎｕｃｌｅｐｏｒｅ　Ｆｉｌｉｎｅｒｔ）ポ
リカーボネートメンプラン（４７ｍｍ直径）を通し、加
圧（４０ｐｓｉ）ろ過で除去した。澄明なろ液を６ミル
（０，１５２４ｍｍ）パーギャップを用いドローバ−コ
ートし、コーティングを周囲環境で１時間、次いで空気
対流炉で１００℃少なくとも１０分間乾燥しな。乾燥コ
ーティング厚は、オートＥＬ楕円偏光測定器（ルドルフ
　リサーチ）で波長６３２８オングストロームで測定す
ると２００−１０００オングストロームの範囲であった
。 ［０１３４］ スプレー成型加工した導電性ヨウ化銅コーテイングを次
に記載する。試薬級ブチロニトリル溶媒１リツトルに超
精製クーポラスヨウ化物２３ｇを加え、室温で２時間磁
気的に撹拌した。得られた溶液（２，３ｗ／ｖ％）を約
４０ｐｓｉで０．２μｍヌークレポアーフィルターで加
圧ろ過し、ろ液をマイラーまたはデッドラー基体に１ま
はた２パスで吹き付は塗した。透明なり−ポラスヨウ化
物コーティングは、５０から５００オングストロームの
厚さ範囲であった。 ［０１３５］ 上記溶液を２回パスでスプレーするのに使用されたスプ
レーパラメーターは以下の通りである。 ［０１３６］ 噴霧圧　　：　　５５ｐｓｉ 液体圧　　：　　　５ｐｓｉ ファン角度：　閉鎖位置から０．７５回転液体開始　：
　閉鎖位置から０．７５回転［０１３７］ この導電層組成物をスプレーするのに前記のスプレーガ
ンとピンクスマニファクチャーリング製の補助器具を使
用し、前記のように取り付けた。スプレーされた導電層
を少なくとも１時間周囲環境で、次いで少なくとも０．
５時間空気対流炉で乾燥した。 ［０１３８］ 任意に、ブチロニトリル５１５ミリリツトル、アセトニ
トリル３４５ミリリツトル〔６０：４０（容量）〕及び
クーポラスヨウ化物２３．２　ｇ　（２，７ｗ／　ｖ％
）を含有する混合ニトリル飽和溶液を上記のようにろ過
し、ろ液を１または２パス（パス間隔は１．５分）で吹
き付は塗し、単一溶媒スプレー溶液について上記した通
り導電層コーティングを得な。採用した乾燥条件は同様
であるが、スプレーパラメーターは若干具なる。 ［０１３９］ 噴霧圧　　：　　５５ｐｓｉ 液体圧　　：　　　４ｐｓｉ ファン角度：　閉鎖位置から０．５回転液体開始　二　
閉鎖位置から０．５回転これらのスプレー成型加工Ｃｕ
Ｉコーティングは、ドローパーコーティングＣｕＩ導電
層と同じく有用でるあことかわかった。 ［０１４０］ 上記導電層を（ドローパーまたはスプレー）成型加工す
るか、その上に他の感光体層が成型加工された接地層と
して入手したままのコーティングされた形（カーボン含
浸テラドラ−なと）で使用した。この例ではビニルヒド
ロキシエステル及びビニルヒドロキシアミドポリマーブ
ロッキング層は計画的に省かれても、代表的導電層コー
ティングの正孔注入厳密性を確立する。本実施例で成型
加工されたデバイスは、導電層がバインダレスのクーポ
ラスヨウ化物である場合を除き、導電層と光発生層の間
に接着層を含まない。本実施例では完成デバイスの日常
の取り扱いでクーポラスヨウ化物層と光発生層の間に剥
離が生じた。剥離を避け、それによって帯電−消去の電
気的評価を得るために、非常に薄い（＜０．１μｍ）ポ
リ（４−ビニルピリジン）　　（”Ｐ（４ＶＰｙ）　、
ｌ接着層を導電層と光発生層の間にドローバ−コートし
た。代表的なポリ（４−ビニルピリジン）接着層配合物
は、イソブタノール１７．８９ｇ及びインプロパツール
１．９９　ｇ中、テイレン（登録商標）４２００　（ラ
イリー　ター及ケミカル）　０．１２　ｇの０．６重量
％溶液から成った。 前述のガードナーコーティング装置を用いて０．５ミル
（０，１２７ｍｍ）ドローパーギャップのコーティング
としてこの溶液を適用後、コーティングを周囲環境下で
１時間次に空気対流炉、（標準状態）内１００℃で１時
間乾燥した。ポリ（４−ビニルピリジン）接着層を後の
実施例のデバイスではドローパー成型加工した時は、上
記の配合物、コーティング方法及び乾燥条件を特にこと
わりのない限り用いた。 ［０１４１］ 電荷発生層混合物は、約１−２重量％水酸化ナトリウム
でドープした三方晶セレン粒子的８．５７　ｇ、ポリビ
ニルカルバゾール１６．７２　ｇ、　Ｎ、　Ｎ’−ビス
−（３″−メチルフェニル）−ＣＩ、１’−ビフェニル
）−４，４’　−ジアミン４．９３ｇ１テトラヒドロフ
ラン１００．５５ｇ及びトルエン１００．５５ｇの分散
物を形成することによって調製した。この分散物を次に
等重量のトルエンで希釈した。 希釈分散物を、１ミル（０，０２５４ｍｍ）　　ドロー
パーギャップで導電層をコーティングする直前約５分間
リストシェーカーで撹拌した。電荷発生層コーティング
を室温で１時間、そして空気対流炉内１００℃で１時間
乾燥した。このようにして得られた光発生層の乾燥厚は
、本実施例及び後の実施例で約１．０　：ｉ：０．３μ
ｍであった［０１４２］ 電荷輸送層コーティング混合物を、Ｎ、　Ｎ’−ビス−
（３″−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル）
−４，４″ジアミン約２．８ｇ、ポリカルボネート樹脂
（マクロ−ロン（登録商標）５７０５、ファーベンファ
ブリッヶン　バイエルＡ、　Ｇ、から入手可能）　４．
２　ｇ及びメチレンクロリド４０ｇを混合して調製した
。この混合物を５ミル（０，１２７ｍｍ）ドローパーギ
ャップで光発生層上にコーティングした。輸送層コーテ
ィングを室温で１時間、５０°から１００℃に増加する
加熱サイクルで０．５０から０．７５時間そして最終的
に１１０℃で少なくとも１０分間乾燥した。本実施例及
び後の実施例におてる電荷輸送層の乾燥厚は、ＤＳＮｏ
。 １１０３３型パーモスコープで測定したところ約２５−
３０μｍであった。完成デバイスを、下記の周囲スキャ
ナーまたは環境スキャナーを用いて、電気的な帯電−消
去サイクルにかけた。 ［０１４３］ 帯電−消去サイクルの結果を得るのに使用した周囲スキ
ャナーは、シングルワイヤーコロトロン（５ｃｍ幅）セ
ットを装備しており、試、験デバイスの表面に９×１０
−８ク一ロン／ｃｍ２の電荷を印加した。デバイスを円
周７６．５ｃｍのアルミニウムドラムに接地し、ドラム
を１５．２４ｃｍ　（６ｉｎ）　／秒の表面スピードを
与える１２　ｒｐｍのスピードで回転した。デバイスを
、プレキシグラスライトパイプで放射したタングステン
白色光源で放電（消去）した。消去ランプの強さは、必
要とされる光量の２から１０倍まで変化し、デバイスを
斬近的残留電圧の２倍まで放電させた。全体のゼログラ
フィーシュミレーション（帯電及び放電）を光の狭い囲
い内で行った。乾燥した空気パージによる低ＲＨ及び湿
潤空気パージによる高ＲＨなとの環境変化を、非周囲環
境下サイクル結果を得るための試験中に行った。 ［０１４４］ 様々な環境条件下での帯電−消去サイクル結果を得るの
に使用された環境サイクルスキャナーは、シングルワイ
ヤーコロトロン（５ｃｍ幅）セットを装備しており、試
験デバイスの表面に９Ｘ１０−８ク一ロン／ｃｍ２（ま
たはある場合には１４×１０　クーロン／ｃｍ２）の電
荷を印加した。デバイスを円周６３．１ｃｍのアルミニ
ウムドラムに接地し、ドラムを２１．０８ｃｍ　（８，
３ｉｎ）　／秒の表面スピードを与える２０ｐｐｍのス
ピードで回転した。デバイスをファイバー光学ライトパ
イプを通して放射したショートアーク白色光源で放電（
消去）した。全体のゼログラフィーシュミレーション（
帯電及び消去）を、環境をコントロールしたライトタイ
トチャンバー内で行った。本実施例のブロッキング層の
ないデバイスを、周囲ＲＨで帯電−消去を２００回試験
した。本願で帯電−消去サイクルを行った全てのデバイ
スの周囲ＲＨは１２と６０％の間であった。用いられた
低ＲＨ帯電−消去試、験条件は≦５％であり、試、験は
まず一晩低ＲＨでデバイスを平衡にした後行った。 ［０１４５］ 【表１】 表Ａ ［０１４６］ 周囲サイクルスキャナーを表Ａのデータを作成するのに
用いた。表金中のデータは劣った帯電レベル〔ｖ　　　
〕を示す。暗所でこれらの感光体を帯電させた後、導電
層からの正孔注入を妨げず（正孔ブロッキング層なし）
、負の表面電荷は最初の電圧測定（帯電後〜０．２秒）
前に広範囲で中和された。以下の多くの実施例は初期電
圧（高い■　　　〕及び２００サイクル以上後のＶｏ維
持において大きな改良を示すであろう。それは、導電層
と感光体層の間にはさみ込んだ適当な正孔ブロッキング
層材料の使用による。 ［０１４７］ 〔実施例２〕 本実施例は、ポリ（２−ヒドロキシエチルメタクリレー
ト）　　［Ｐ（ＨＥＭＡ）　、ｌブロッキング層とポリ
ビニルカルバゾール（ＰＶＫ）中に分散された三方晶セ
レン粒子番含有する発生層の間に、接着層として好適な
厚さのポリ（４−ビニルピリジン）　　〔Ｐ（４ＶＰ／
）　）の選択を示す。Ｐ（４ＶＰい接着層があまりに厚
かったり、Ｐ（ＨＥＭＡ）にバルク混合されていたりす
ると、相分離した（不混和性）ブロッキング組成物を与
え、■　サイクル−アップはすぐにはつきりする（下記
の表Ｂ参照）。対照デバイスにおいてＩＩｃ及びＩＩｄ
（以下に詳細に記載）（それらはＰ（４ＶＰい接着層を
持たない）は、大きな■Ｒサイクルーアップはない。本
実施例の表Ｂ中Ｐ（４ＶＰｙ）を含むデバイス（ＩＩ　
ａ　＆ＩＩ　ｂ　）は全て、Ｐ　（４ＶＰい発生ＶＲサ
イクルーアップを示唆する相当な■　サイクル−アップ
を示す。層になったＰ（４ＶＰｙ）含有デバイス（ＩＩ
　ａ　＆ＩＩ　ｂ　）は、混合Ｐ（４ＶＰｙ）−Ｐ（Ｈ
ＥＭＡ）デバイス（ＩＩ　ｅ　−ＩＩ　ｇ　）より小さ
な■　サイクル−アップを示し、このことはｖＲサイク
ル−アップの第２機構が混合ブロッキング層デバイスで
働くことを暗示している。 ［０１４８］ 層になったデバイス及び混合デバイスの両方の■Ｒサイ
クルーアップは、ある程度のＰ（４ＶＰいから発生層及
び／または輸送層への移動がこれらの層のコーティング
の間に起こるためである。発生層及び／または輸送層中
の移動Ｐ（４ＶＰｙ）ポリマーは、このような■Ｒサイ
クルーアップの原因となるデバイス放電中に正孔を捕捉
する。かなりの量の（厚い層の）　ｐ（４ｖｐｙ）が接
着組成物中に存在するとき、Ｐ（４ＶＰｙ）移動により
一般的である。Ｐ（４ＶＰＶ）はメチレンクロリド溶解
性なので、輸送層のコーティング中にｐ（４ｖｐｙ）の
移動がかなり起こる。Ｐ（ＨＥＭＡ）と直接接触するＰ
（４ＶＰｙ）は、Ｐ（４ＶＰｙ）とＰ（ＨＥＭＡ）　（
７）間（７）Ｈ−結合相互作用カ先ニアンカースるので
、移動しない。しかし、Ｐ　（ＨＥＭＡ）中に過剰のＰ
　（４ＶＰｙ）はあると、Ｐ（ＨＥＭＡ）中の全てのＰ
　（４ＶＰＶ）がアンカーするには概して各ポリマー銀
嶺たりのＨ−結合数が不十分なので、溶媒に促進される
ｐ（４ｖｐｙ）移動がまだおこる。 ［０１４９］ 第２ｖＲサイクル−アップ機構〔混合Ｐ（４ＶＰｙ）−
Ｐ（ＨＥＭＡ）層を有するデバイスで最初に生じる〕は
、放電中ブロッキング層の電子捕獲のためにおこる。ビ
ニルヒドロキシエステルまたはビニルヒドロキシアミド
ポリマーブロッキング層は、そのＨ−結合状態内で構造
的に水に似ている水酸基−水酸基Ｈ−結合を広範に持っ
ている。光放電電子は、電子が水中を移動するように、
ヒドロキシエステルまたはヒドロキシアミドビニルポリ
マーブロッキング層媒体（＋その中に含まれる少量のＨ
−結合水）中を移動する。このように、Ｐ（４ＶＰｙ）
−Ｐ（ＨＥＭＡ）中の水酸基にＰ（４ＶＰｙ）がＨ−結
合すると、多くの水酸基−水酸基Ｈ−結合部位がはずれ
る。 この水酸基−水酸基Ｈ−結合密度の減少は、ブロッキン
グ層域内で、電子輸送力の不足をもたらし、そして電子
捕獲はｖＲサイクル−アップをもたらす結果となる。こ
のように、ｖＲサイクル−アップは、混合Ｐ（４ＶＰｙ
）−Ｐ（ＨＥＭＡ）ブロッキング層デバイス（ＩＩ　ｅ
　−ＩＩ　ｇ　）において、層になったデバイス（ＩＩ
　ａ　−ＩＩ　ｂ　）において、層になったデバイス（
ＩＩＩＩＩｂ）に対して約２倍である。帯電−消去サイ
クルデータを、１２０００サイクルについて周囲スキャ
ナーを用い周囲ＲＨで得た［０１５０１

【表２】 表 デバイス 接 着 層 ＶＯ（ＩＴ Ｖｏ（ｔｚｘ＋ ＶＲ（１１ ＶＲ（１２Ｋ） １４Ａ １４Ａ １ｄ ＩＴ Ｐ　（ＨＥＭＡ） ０．８−１．０ １４Ａ ［０１５１］ ａ）　繰り返し単位モル比：繰り返し単位モル比は、生
成物の定数（正数）×各ポリマーの繰り返し単位の分子
量に対応するポリマーブレンド中の各ポリマーの重量（
ｇ）である。各ポリマーの繰り返し単位の分子量は、非
高分子材料について分子量を計算するのと同一の方法で
計算される。高分子繰り返し単位分子量は、繰り返し単
位中の生成物の各原子の原子量×繰り返し単位中の全原
子の合計原子数である。Ｐ　（ＨＥＭＡ）及びＰ（４Ｖ
Ｐｙ）の繰り返し単位分子式はＣ６Ｈ１ｏ０３及びＣ７
Ｈ７Ｎであり、繰り返し単位分子量はそれぞれ１３０．
１５及び１０５．１４である。 ［０１５２］ テラドラ−（登録商標）基体上のカーボセッ）５１４Ａ
導電層は、デバイスＩＩａ及び■工Ｃについてはドロー
パーコーティング、そしてデバイスＩＩ　ｅ　−ＩＩ　
ｇについては吹き付は塗した。両方の成型加工の配合物
、コーティング条件及び乾燥条件は実施例１で記載した
通りである。容認カーボン含浸テラドラ−（登録商標）
（ＣＩ　Ｔ）バルク導電性基体をＰ　（ＨＥＭＡ）ブロ
ッキング層溶液でドローバ−コーティングした。 ［０１５３］ デバイスＩＩａ　−ＩＩｄ　（１種類のポリマーを含有
するブロッキング層を有する）においては、Ｐ（ＨＥＭ
Ａ）　　（０，６ｇ）をメタノール（９，４ｇ）中６重
量％溶液からコーティングした。同一の配合物をデバイ
スＩＩａ及びＩＩｂにおいて厚いＰ（４ＶＰい接着層を
コートするのに用い、０．５ミル（０，０１２７ｍｍ）
　　ドローパーギャップを両層のために用いた。標準乾
燥条件を両層について採用した。ここで標準乾燥条件は
周囲条件で１時間そして空気対流炉内１００℃で１時間
である。上記表Ｂ中で用いたＰ（ＨＥＭＡ）はポリサイ
エンス（実施例４参照）から、そしてＰ（４ＶＰｙ）は
ライリーター＆ケミカルからライシン（登録商標）４２
００として入手した。 ［０１５４］ 混合ポリマーブロッキング層組成物としてＰ（ＨＥＭＡ
）及びＰ（４ＶＰＶ）を含むデバイス（ＩＩ　ｅ　−Ｉ
Ｉ　ｇ　）には、ポリマーを組み合わせた約６重量％溶
液を２．２．２−トリフルオロエタノールと１．１，１
，３，３．３−へキザフルオロイソプロパノールの９０
：１０（重量％）中に調製した。２種のポリマーを酸性
アルコール混合液中に溶解したが、メタノール中にコー
ティングできない粘性の沈澱が形成されるので、コーテ
ィング溶媒として非フツ素化アルコールを用いることが
できない。標準ブロッキング層ドローバ−ギャップ（０
，５ミル（０，０１２７ｍｍ）　）及び乾燥条件（上記
で定義した通り）を用いた。コーティング溶液の組成物
は下記の表Ｃに記載した通りである。 ［０１５５］

【表３】 表 １１ｅ”　　　　　　　１　　　：　　　１　　　　　
　５．００　　０．６５　　　　５．００　　０．５３
１１ｆ”　　　　　　　２　　　：　　　１　　　　　
　６．９３　　０，７３　　　　３，４７　　０．４５
１［ｇ”　　　　　　ｌ　　　：　　　２　　　　　３
．２３　　０，３４　　　６，４６　　０．８４［０１
５６］ ａ）　　溶液はトリフルオロエタノール１６．６８ｇと
へキサフルオロイソプロパツール１．８６　ｇ中に調製
した。 ［０１５７］ 有用なブロッキング層厚ウィンドーを見極めるために、
核層をコーティングするのに０．５ミル（０，０１２７
ｍｍ）　　ドローバ−ギャップを用いた時の、ブロッキ
ング層ポリマーと接着層ポリマーの乾燥コーティング厚
関係に対するコーティング溶液濃度を得る必要があった
。ブロッキング層ポリマー〔ポリ（２−ヒドロキシプロ
ピルメタクリレート）　、Ｐ（ＨＰＭＡ）　）を、滑ら
かな２″×２″×２″ガラス基ブタノール：イソプロパ
ノールの９０：１０（重量比）溶媒混合液、１．２．３
．６．６．０及び８．４重量％でコーティングし、上記
のように乾燥（標準条件）した後、コーティングの乾燥
厚をデックタック（登録商標）表面断面測定システムで
測定した。デックタック（登録商標）はシローンテクノ
ロジー（モデルＮｏ、　９０００５０）から入手可能で
あり、測定するのに半球形ダイアモンド針半径０．００
２５４ｍｍ（０、０００１゛″）を用いた。この道具は
被覆表面上を針を引っばりそして次に高耐久性非被覆滑
沢ガラス（コーニングＮｏ、　７０５９）表面に被覆縁
からはなすことによって厚さを測定する。被覆表面から
滑沢ガラス表面への垂直ステップは同時に増幅され、ス
テップと厚さの迅速測定を可能にする検量グラフ用紙に
厚さを記録する。デックタック（登録商標）ステップを
一定濃度のＰ（ＨＰＭＡ）で製造されたそれぞれ３種の
コーティングについて４ケ所の異なる表面箇所で測定し
た。一定のコーティングには、２−６％厚の変化を検討
し、同一濃度のＰ（ＨＰＭＡ）で作られた３種のコーテ
ィング内の厚さのばらつきは常に１０％未満であった。 実施例１及び上記衣、並びに本具体例中の全ての後に示
す表に示したようにコーティング厚範囲の測定が可能で
あった。他のアモルファス有機ポリマー及びコポリマー
（全体的に０．５ミル（０，０１２７ｍｍ）　　ドロー
パーギャップを満たす十分に粘性な溶液でコートした）
について、Ｐ（ＨＰＭＡ）乾燥コーテング厚対濃度曲線
を用いることは、これらのポリマーは類似密度を持って
いるので、相関関係の有効な拡大である。このように厚
さは引用範囲内にあるであろう。 ［０１５８］ ■ＲサイクルーアップにＰ（４ＶＰＶ）厚の増加が与え
る影響をさらに例示すると、ｐ（４ｖｐｙ）接着層厚は
一定の厚さ（０，８−１，０μｍ　）のＰ（ＨＥＭＡ）
ブロッキング層の最上部において規則的に増加した。本
実施例のこの部分に使用されたＰ（ＨＥＭＡ）は、サイ
エンティフィックポリマープロダクツから入手可能な高
分子量のものであり、それを低分子量Ｐ（ＨＥＭＡ）に
ついて上記したようにコーティングし、乾燥した。メタ
ノール中にブロッキング層溶液を調製する代わりに、ダ
ウアノール（登録商標）ＰＭを前記のように６重量％で
再びコーティング溶媒として使用した。ダウケミカルか
ら入手可能なダウアノール（登録商標）ＰＭは、系統的
には１−メトキシ−２−ヒドロキシプロパンと命名され
るメチルグリコールである。 ［０１５９］ Ｐ（４ｖｐｙ）接着層は、イソブタノール：イソプロパ
ノール混合溶液〔９０：１０（重量）〕中に調製し、実
施例１に記載したようにしてコーティングし、乾燥した
。乾燥Ｐ（４ＶＰＶ）厚は、デックタック（登録商標）
で用意したＰ（ＨＰＭＡ）検量線から見積もった。１．
２重量％未満及び８．４重量％より大きい濃度について
は、厚さを両端で外挿されたデックタック（登録商標）
カーブから見積った。このようにして、Ｐ（４ＶＰｙ）
　濃度０．　Ｏｌｏ、３．０．６．１．２．２．５．５
．　Ｏ及Ｕ　１０．０　重量％　ハ、下表に示すように
接着層厚見積りに対応する。Ｐ（４ＶＰい接着層の正確
な厚さは、コーティング濃度とドローバ−ギャップが電
気的に有用な帯電−消去ウィンドーに相関する限り重要
ではない。バルク導電性基体〔カーボン含浸テラドラ−
（ＣＩＴ）］をこの接着層厚研究では全てのデバイスに
用いた。本実施例（２つの表）で電気的に試験した全て
のデバイスは、実施例１で記載したようにして調製、コ
ーティング及び乾燥した電荷発生層と輸送層を含む。下
表の帯電−消去サイクルデータは、２００サイクルにつ
いて環境スキャナを用いて周囲ＲＨで得た。 ［０１６０］

【表４】 表Ｄ １１ｈ　　　　　　　Ｏ，０１０９５１１１５５５５０
１ｉ　　　　　　　Ｏ，０３８８０８９０４０４０ｊ　
　　　　　　Ｏ，０６９２５９３５４０４０ｋＯ１１２
９４０９７５４５５０ １０，２５１０９０１１２０５５６５ ｍ　　　　　　　０．５０　　　　　８７５　　　９５
０　　　　５０　　　７Ｏｎ　　　　　　　１．００　
　　　　９４５　　１０４５　　　　７０　　　９５［
０１６１］ 上記表りのデータは、コーティング溶液濃度２．５重量
％に対応する約０．２５μｍ　Ｐ（４ＶＰｙ）で２００
サイクル開始内でのＶＲサイクル−アップを示す。ｖＲ
サイクル−アップ（Ｖ　　　　−Ｖ）は、Ｐ（４ＶＰｙ
）厚の増加に伴って新進的に（ＩＲ（２００）　　　Ｒ
（１） Ｏから２５Ｖまで）大きくなる。ｐ（４ｖｐｙ）濃度０
．３から１．２重量％に対応する０゜０３と１．２μｍ
の間の接着層厚は、有用な接着層厚ウィンドーを提供し
、剥離しない十分な接着を日常の取扱いに提供し、そし
て許容しうる帯電−消去サイクルデータが得られる。 ［０１６２］ ２００サイクルについて全てのデバイスでそして１２０
００サイクルについて大部分のデバイスで維持される初
めの電荷受容性は０．８−１，０μｍ　Ｐ（ＨＥＭＡ）
正孔ブロッキング層はカーボンを基材とした導電層から
の電荷注入を最小限にすることを示した。他の点では全
て同一のデバイスにおいてブロッキング層が省かれると
カーボンを基材とした導電層はより低いレベル（実施例
１）に帯電する。 ［０１６３］ 〔実施例３〕 本実施例は、ビニルヒドロキシエステルまたはビニルヒ
ドロキシアミドポリマーブロッキング層の必要性を除く
ための試みにおいて、結合正孔ブロッキング及び接着層
とシテ、Ｐ（４ＶＰｙ）とＰ（２ｖＰｙ）（ソレソレラ
イレン４２００及び２２００としてライリーター＆ケミ
カルから入手可能）の使用を示す。本実施例は全ての層
がドローバ−コーティングされたデバイスセットを第１
に、そして次に全ての層がスプレーコーティングされた
第２デバイスセツトを第２に記載する。両デバイスセッ
トともカーボンブラック導電層上に成形加工されたが、
第２セツトでは金属導電層（チタン化マイラー）も含み
、帯電−消去電気性能への導電層の影響を評価した。第
１デバイスセツトの接着／ブロッキング層は下表に示す
ように調製、ドローバ−コーティング及び乾燥した。 ［０１６４］

【表５】 表 ０、３　Ｐ（２ＶＰｙ） ３．７６イソブタノール ３．９４イソブタノール ０、３　Ｆ（２ＶＰ￥） ３．７６イソブタノール ［０１６５］ ａ）　導電層及びカーボセットは実施例１で記載したド
ローバ−法。 ｂ）　デックタック（登録商標）測定（実施例２）に基
づく厚さ及び全ての被膜は０．５ミル（０，０１２７ｍ
ｍ）ギャップで成型加工し、標準条件を用いて乾燥した
。 Ｃ）　結合ポリマー溶液でコーティングした１層の接着
／ブロッキング層被膜。 ｄ　）　　Ｐ（２ＶＰｙ）ブロッキング層上に２種のポ
リマー溶液でコートしたＰ（４ＶＰｙ）接着ブロッキン
グ層。 上記ノ接着／ブロッキング層をコーテイング後、電荷発
生層及び輸送層を引き続いてドローパーコーティングし
てデバイスを完成した；調製、コーティング及び乾燥条
件は実施例１に託載したとおりである。 ［０１６６］ 完成デバイスの帯電−消去電気サイクルは、１２．００
０サイクルスキヤナーを用い周囲ＲＨで効果を調べた。 ［０１６７］

【表６】 クルについて周囲サイ 表Ｆ ［０１６８］ 全４デバイスについて観察しなりＲサイクル−アップは
、デバイスｌｌＩｂ及びＩＩＩｄ（これらは層構造ポリ
（ビニルピリジン）異性体を有することを意図）は、実
際は非常に混合されていた。ｌｌＩｂ及びＩＩＩｄにお
ける当初の層構造は明らかに、雨具性の溶媒であるメチ
レンクロリドから電荷輸送層のコーティング中に広範に
混合する。加うるに、電荷発生層をコーティングするの
に使用したＴＨＦはＰ（４ＶＰＶ）最上部を通って流れ
、Ｐ（ＶＰＶ）　２層間及びＰ（ＶＰい層とＰＶＫ発生
層バインダーの間での中間層混合を促進する下のＰ　（
２ＶＰｙ）を溶解する。Ｐ（２ＶＰい異性体はメチレン
クロリドとＴＨＦの両方に溶解し、Ｐ（４ＶＰい異性体
はメチレンクロリドのみに溶解するので、より溶解する
Ｐ　（２ＶＰＶ）は電荷輸送層及び電荷輸送層にＰ（４
ＶＰい異性体より広く移動しやすい。このように、ｖＲ
サイクル−アップは、電荷活性層での正孔捕獲Ｐ（２Ｖ
Ｐいの存在を反映する。 ［０１６９］ ビニルヒドロキシエステルまたはビニルヒドロキシアミ
ドポリマーは、混合Ｐ（ｖｐｙ）　　異性体ブロッキン
グ層デバイス（Ｖｏ値は大きい）において導電性層正孔
注入を防止するには必要ではないが、その存在はＰ（Ｈ
ＥＭＡ）水酸基に水素を結合するのを介してｐ（ｖｐｙ
）異性体にアンカーするのを助ける。このアンカーリン
グは、［ＩＰ（ＶＰｙ）異性体の薄層が使用される場合
〕、コーティング中に電荷活性層への正孔捕獲Ｐ（ＶＰ
ｙ）移動を減少あるいは実質的に排除し、そしてｖＲサ
イクル−アップを減少する。Ｐ　（ＨＥＭＡ）によるＰ
　（４ＶＰｙ）アンカーリング機構は実施例２で記載し
たが、Ｐ（２ＶＰｙ）　ニもあテハまる。シカシ、Ｐ（
２ＶＰｙ）と（７）Ｈ−結合ハＰ（４ＶＰｙ）とよりも
立体的に障害が多いので、アンカーリングの程度は少な
いであろう。このように、Ｐ（２ＶＰいは溶解性とＨ−
結合を考慮するとＰ　（４ＶＰｙ）よりコーティングの
間移動が自由である。 ［０１７０］ 本実施例の全体にスプレーされた第２デバイスセツトを
次に記載する。カーボセット５１４Ａカーボンブラック
導電層を実施例１に記載したようにして調製、マイラー
に成形加工し、乾燥した。チタン化マイラーは、Ｅ、　
１．デュポン　デネモアーから供給された。これらの基
体−導電層を次に混合アルコール溶媒中−方のｐ（ｖｐ
ｙ）　　異性体希釈溶液（０，９重量％）で吹き付は塗
した。コハク製りオートびん中Ｐ（４ＶＰｙ）またはＰ
（２ＶＰｙ）　６．８６　ｇをイソブタノール６６３・
６ｇとイソプロパツール７９．６ｇと混合し、溶液にす
るために、２−５時間ロールミルにかけてスプレー溶液
を調製した。このブロッキング層溶液を市販のスプレー
ガンとピンクスマニファクチャーリング製の機器を用い
てスプレーした。ピンラスモデル２１自動スプレーガン
を４２７５３型レシプロケータ−付ピンクススプレーブ
ースモデルＢＦ−４に使用した。モデル２１ガンは６３
Ｂ液体用ノズルと６３ＰＥ噴霧用ノズルを装備していた
。液体圧は４ｐｓｉであり、スプレー噴霧圧は５５ｐｓ
ｉ　であった。針の設定は閉鎖位置から数えて０．７５
回転そしてスプレーファン角度は０．５０回転であった
。スプレーガンは自動モードで操作し、垂直に置ＸＪ）
だマンドレルの頂部から底へスプレー中レシプロケータ
−を動かした。スプレーするのに基体−導電層シートを
円筒状アルミニウムマンドレル（ターンテーブルに軸を
接続）にテープとめし回転した。ブロッキング層溶液を
パス間隔１．５分間で２または４回バスで回転させなが
らスプレーした。最後に、マンドレルからコーティング
をはずし、空気対流炉内１２０℃で５分間乾燥した。こ
のスプレーしたＰ（ＶＰｙ）ブロッキング層の乾燥厚は
測定はしてないが、２回パス層で０．５と１．５μｍの
間、４回パスブロッキング層で１．５と２．５μｍの間
であると見積もられる。 ［０１７１］ 発生層混合物を、実施例１に記載したマスターバッチ配
合物を用いてスプレー成形加工用に調製した。１クオー
トコハク製びん中発生層マスターバッチ２００ｇにトル
エン２５８ｇとＴＨＦ２５８ｇを加え、この混合物をス
プレーコーティングするために３−４時間磁気的に撹拌
した。この分散物（総置体３．６５重量％）を前述のビ
ンクス装置を用いてスプレーした。液体圧は４ｐｓｉで
あり、スプレー噴霧圧は５５ｐｓｉであった。釘の設定
は閉鎖位置から数えて０．７５回転であり、スプレーフ
ァン角度は０．５回転であった。スプレーガンは自動モ
ードで操作し、垂直に置いたマンドレルの頂部から底部
へスプレー中レシプロケータ−を動かした。基体、導電
層及びブロッキング層から成る部分的に成形されたデバ
イスを、ターンテーブルに軸を接続した円筒状アルミニ
ウムマンドレルにテープとめし、回転した。発生層分散
物をパス間隔１．５分間で３回パスし回転しながらスプ
レーした。最後にコーティングをマンドレルからはずし
、空気対流炉１２０℃で５分間乾燥した。発生層の乾燥
厚は０．４と２．０μｍの間であると見積られた。 −［０１７２］ 最後に電荷輸送層組成物を調製しスプレーした。１ガロ
ンアンバーガラスびんに、Ｎ、　Ｎ’−ビス（３″−メ
チルフェニル）−［１，１’　−ビフェニルシー４４′
−ジアミン８８ｇ、ポリカーボネート樹脂（メルロンＭ
−３９、モーベイケミカルから入手可能）１３２ｇ、メ
チレンクロリド２６４０ｇ及び１，１．２−トリクロロ
エタン１７６０ｇを入れた。びんを２日間ロールミルに
かけた後、得られた溶液を前述のピンクスマニファクチ
ャー製スプレー装置を用いてスプレー加工するためにサ
ンプリングした。液体圧は８ｐｓｉであり、スプレー霧
吹き圧は５５ｐｓｉであった。針の設定は閉鎖位置から
数えて０．７５回転であり、スプレーファン角度は０．
５回転であった。スプレーガンは自動モードで操作し、
スプレーしている間垂直に置いたマンドレルの頂部から
底部にレシプロケータ−を動がした。表面に最後のコー
ティングした発生層がある部分的デバイスを、ターンテ
ーブルに軸を接続した円筒状アルミニウムマンドレルに
テープとめし、回転した。上記の輸送層溶液をパス間隔
１．５分間で５回パスしてスプレーした。最後に、コー
ティングをマンドレルからはずし、空気対流炉内１２０
℃で１０分間乾燥した。輸送層の乾燥厚は前述のデック
タック（登録商標）（実施例２）法を用い、２０−３０
μｍの間であることがわかった。 ［０１７３］ 上記デバイス（基体と２種の市販されているチタン化マ
イラー基体−導電層組成物を除き、全体的にスプレーさ
れた）を、周囲スキャアーを用い、周囲ＲＨで２００サ
イクル帯電−消去サイクルを行った。電気サイクル結果
は下表の通りである。 ［０１７４］

【表７】 表 １１ｇ チタン Ｐ（４ＶＰＹ）　” あ 関 ［０１７５］ ａ）　ブロッキング層厚　１．０μｍ付近（１，０±０
．３）ｂ）　ブロッキング層厚　２．０μｍ付近（２，
０±０．３）Ｃ）ｖｏ（１）はコロトロンで最初にデバ
イスを帯電した後直接測定した初期表面電圧である。 ｄ）　　Ｖ　　　　はデバイスを１．２．３または４サ
イクルコロトロン帯電及び光放電し、それぞれ２回、３
回、４回または５回めのサイクルを帯電後に得られた測
定表面電圧である。 回のサイクルを帯電後に測定した表面電圧である。 ｆ）　　Ｖ　　は示した回数のサイクルについてデバイ
スをコロトロン帯電及び放電後の残留電圧である。 ［０１７６］ これらのカーボンブラック導電層デバイスにおけるＰ（
ＶＰｙ）ブロッキング層は、ビニルヒドロキシエステル
ポリマーのみ（ＩＩ　ｃ及びＩＩ　ｄ　）　　ビニルヒ
ドロキシエステルポリマーとＰ（４ＶＰｙ）接着層（Ｉ
Ｉ　ａ及びＩＩ　ｂ　）及びビニルヒドロキシエステル
ポリマーなしの混合Ｐ（ＶＰｙ）異性体（ＩＩＩａ−Ｉ
ＩＩｂ）を含有する他のブロッキング層に比べ劣ったブ
ロッキング力である。前記の３種のブロッキング層の改
良されたブロッキング力（実施例１におけるブロッキン
グ層なしの同一デバイスに対し高いＶ　）は、これらの
組成物が導電層組成物が発生層及び／または輸送層にこ
れらの層のコーティング中に上がって混合するのを防止
するのにより効果があることを示している。これらの組
成物の溶媒バリアー特性は、ブロッキング導電層混合及
びその効果、即ちサイクリングでのＶｏの減少、に非常
に寄与する。Ｐ（４ＶＰｙ）及びｐ（２ｖｐｙ）ブロッ
キング層のみ（デバイスＩＩＩｅ、ＩＩＩｆ、ｌｌＩｈ
、　ｌｌｌ１）では、同一の導電層を有する実施例１の
デバイス（ブロッキング層なし）で発見されたようにＶ
ｏ帯電降下を導く後から適用されるコーティング組成物
に対して不十分な溶媒バリアー特性である。上記デバイ
スにおける迅速な（２−５サイクル）Ｖ。サイクル−ダ
ウン（表Ｇ）は、中間層混合とＶ。帯電降下のひどさを
示す。チタン導電層デバイス（ＩＩＩｇ及びＩＩＩｊ　
）における導電層組成物混合の可能性がないことが、サ
イクリングでそれを維持するより高いｖｏ（１）として
電気的に表れる。 この金属導電層上の自然のチタン酸化物ブロッキング層
の存在はＶｏサイクル−ダウンの防止にも寄与する。チ
タンデバイスでＶｏサイクル−ダウンしないということ
は、カーボンブラック導電層が他の点では同一のデバイ
スにおけるＶｏサイクル−ダウンの起因となることを間
接的に証明する。 ［０１７７］ 上記衣ＧのデバイスセットにおけるｖＲサイクル−アッ
プは、導電層組成物に依存しない全てのＰ（２ＶＰＹ）
ブロッキング層デバイス（ＩＩＩｒ−ＩＩＩｊ　）で多
く生じる。ｖＲサイクル−アップの最もおこりやすい原
因は、Ｐ（２ＶＰ、）の発生層及び／または輸送層への
溶媒コーティングの間の容易な移動にある。その結果、
正孔捕獲は、やはりＰ（２ＶＰ）を含むドローパーコー
ティングされたデバイス（ＩＩＩ　ａ　−ＩＩＩ　ｄ　
）で観察されたのと類似のｖＲサイクル−アップを生じ
る。Ｐ（４ＶＰ）ブロッキング層デバイス（ＩＩＩｅ　
−ＩＩＩｇ）での大きいＶＲサイクルーアップがないこ
とは、上部層のコーティング中に少量のＰ（４ＶＰ）が
上部層（ＣＧＬ、ＣＴＬ）に移動することを反映してい
る。さらに、Ｐ　（４ＶＰは捕獲部位形成において移動
Ｐ（２ＶＰ）より効果が少さい。従ってＩＩＩｅ　−Ｉ
ＩＩ　ｇでの■Ｒサイクルーアンプは小さい。本実施例
のデバイスは定常的な成形加工及び電気的試験操作の間
に全く剥離しなかったので、全ての界面での界面接着は
感光体使用を可能にするのに十分である、全体として、
本実施例におけるデバイスの電気的サイクル特性は、感
光体ブロッキング層の２つの重要な所望の特性を例示す
る： （１）　　ブロッキング層は、できるだけ多′くの機能
（後で適用されるコーティング組成物に対して保護層と
して働き、そこで非金属導電層用の保護コーティングと
なる）を果たすべきである。 （２）　　ブロッキング層はそれ自体後で適用されるコ
ーティング組成物に非溶解性であるべきであり、そのた
めに〔（１）で記載したように〕バリアー特性を維持す
ることができ、そしてブロッキング層材料自体はＣＧＬ
やＣＴＬのコーティング中にＣＧＬ及びＣＴＬに移動し
ない。 本願のビニルヒドロキシエステルまたはビニルヒドロキ
シアミドポリマーブロッキング層の不溶性は密度の高い
分子間水素結合により生じる。 ［０１７８］ 〔実施例４〕 本実施例では、導電性基体〔カーボン含浸テラドラ−（
登録商標）（ＣＩＴ）〕上のブロッキング層として３種
の異なる分子量のポリ（２−ヒドロキシエチルメタクリ
レート）　　ＣＰ　（ＨＥＭＡ））の使用を例示する。 ポリマーは異なる供給先から入手し、極限粘度数によっ
て特徴づけられる。平均分子量は、標準光散乱法を用い
て最大粘度のポリマーについてのみ測定した。極限粘度
数〔η〕は、４種の異なる濃度１．０，０．６７．０．
５０及び０．４０％ｇ／デシリットルで得られた換算粘
度の無限希釈度からの外挿法によって２５℃でメタノー
ル溶液中で測定した。少量の不溶性ポリマーはポリサイ
エンスサンプルからは最初にろ過したが、他の２種のサ
ンプルは総合的にメタノールに溶解性であった。データ
を下表に要約する。 ［０１７９］

【表８】 表 ［０１８０１ 極限粘度数０．６５４のＰ　（ＨＥＭＡ）のガラス転移
温度はＤＳＣにより１１０℃であることがわかった。こ
の値は、様々なＰ　（ＨＥＭＡ）サンプルにおいて、残
留溶剤の働き及び特定されていない加熱経歴により、か
なり減少する。Ｐ　（ＨＥＭＡ）のガラス転移温度は、
５５℃−１０４℃の間であると報告されている〔ＬＲ，
プロストロム（Ｂｒｏｓｔｒｏｍ）　　Ｄ、　Ｌ、　：
７−レマン（Ｃｏｌｅｍａｎ）、Ｄ、　Ｅ、グレゴニス
（Ｇｒｅｇｏｎｉ　ｓ　）及びＪ、Ｄ、アンドレード（
Ａｎｄｒａｄｅ）、Ｍａｋｒｏｍｏｌ、　Ｃｈｅｍ。 迅速なカラム、１，３４１−３４３　　（１９８０）〕
。 ［０１８１］ １４７．２℃（２９７°Ｋ）−１５２，８℃（３０７°
Ｋ）の間で、濃縮（７−８析（Ｃ１３）は、ポリマーの
タクチシテイに関する情報を提供する。ＮＭＲスペクト
ロメータは、炭素振度数９０．５　ＭＨｚで５ｍｍＱＮ
Ｐプローブで装備したブルーカーＡＭ３６０であった。 Ｃ１３スペクトラムは、獲得間が３０祢リサイクル遅延
する適格子デカップリングを用いて得ることができ、全
ての炭素原子核の定量量分が得られる。α−メチルカー
ボン信号域をモニタリングすることは、以下のトリアド
（ｔｒｉａｄ）繰り返し単位体積％を示した二６７％シ
ンジオタクチック、３０％ヘテロタクチック及び３％ア
イソタクチック。Ｐ　（ＨＥＭＡ）タクチシテイを予め
Ｃ−ＮＭＲを用いて調べた。ここでラジカル溶液重合で
得られたＰ　（ＨＥＭＡ）は類似するトリアド分布を有
した、即ち、５８％シンジオタクチック、４２％へテロ
タクチック、く１％アイソタクチックであった（Ｄ、Ｅ
、ダレゴニーズ（Ｇｒｅｇｏｎｉｓ）　　Ｇ、Ａ、ラッ
セル（Ｒｕｓｓｅｌｌ）、Ｊ、Ｄ、アンドレード（Ａｎ
ｄｒａｄｅ）及びＡ、　Ｃ，デバイサー（ｄｅＶｉｓｓ
ｅｒ）　、閃り煕Ｌ１９．　１２７９−１２８４　（１
９７８））。このように極限粘度数０．６５４のＰ　（
ＨＥＭＡ）のトリアド体積はラジカル重合ポリマーの典
型である。

【０・１８２】 低分子量Ｐ　（ＨＥＭＡ）を、チェコスロバキア特許に
開示されている方法の変法〔Ｃｈｅｍ、　Ａｂｓｔｒ、
９９（２）　：　１４００３　ｊ　（１９８２）　：　
ＣｚｅｃｈＣ３２００４３３Ｂ、　ＮＯ３０，１９８２
）を用いて調製した。ここで溶媒をメチルセロソルブか
ら第３ブチルアルコールに変え、架橋剤を省いた。より
詳しくは、５００ミリリツトル３又丸底フラスコ（還流
冷却器、アルゴン導入口及び出口、熱源として加熱マン
トル及び磁気撹拌機として磁気撹拌フットボール付）に
、２ヒドロキシエチルメタクリレートまたはＨＥＭＡモ
ノマーであるモｏマー　（Ｍｈｏｒｏｍｅｒ）　ＢＭ　
−９２０（ロームチクから入手可能）４０ｇを入れた。 モノマーを最初にデヒビット（ＤｅＨｉｂｉｔ）　１０
０　（ポリサイエンス）イオン交換樹脂カラム（２４″
ＸＩ”直径カラム）を３回通し、２００ｐｐｍメチルヒ
ドロキノン重合阻害剤を除いた。フラスコに第３ブチル
アルコール（純度９９．５％、アルドリッチケミカルか
ら人手可能）２４０ｇ及びＡＩＢＮ（ポリサイエンス）
重合開始剤０．１５９ｇ（モノマー使用量に対し０．３
モル％）を加えた。溶液を磁気的に撹拌し、重合中溶液
にアルゴンガスを通した。溶液を緩やかに１６時間還流
加熱（７９℃）し、周囲温度に冷却し、粘性ポリマー溶
液を試薬級トルエン３．２リツトルに凝固させた。凝固
ポリマーを粗濾過ろう斗で真空ろ過し、ろ過したポリマ
ーを室温で試薬級テトラヒドロフラン３００ミリリツト
ルでスラリー化した。スラリー化ポリマーを前のとおり
にろ過し、６０℃、０．５ｍｍＨｇでマイラーシート上
で１晩真空乾燥した。乾燥した無色のポリマーを３１．
２５ｇ製造しく理論値の７８．１％）　これは極限粘度
数０゜２７２デシリットル／ｇであった。この材料は更
に精製することなくドローバーコーティングブロッキン
グ層に用いた。 ［０１８３］ 表■に示した最初の電気的データにおいて、低分子量Ｐ
　（ＨＥＭＡ）は中程度の分子量Ｐ　（ＨＥＭＡ）を比
較した、〔η）＝０．ｚ７２対０．５０６デシリツトル
／ｇ０全てのデバイスを、バルク導電性基体、カーボン
含浸テラドラ−（登録商標）（ＣＩＴ）上にドローパー
（０，５ミル（０，０１２７ｍｍ）ギャップ）コーティ
ングした。ブロッキング層組成物は下記のような配合で
ある。 ［０１８４］

【表９】 表　　Ｉ ＩＶａ　　　　　３．６　　　　０．３６　　　　　メ
タノール　　　　９．６４ＩＶｂ　　　　　６．０　　
　　０．６０　　　　　メタ／−ル９．４０ＩＶｃ　　
　　　　３．６　　　　０．３６　　　　　ｔ−ブタノ
ール　　９．６４ＩＶｄ　　　　　７．２　　　　０．
７２　　　　　ｔ−ブタ、’−）Ｌ／　　　９．２８［
０１８５］ 標準条件（実施例２）でコーティングしたブロッキング
層を乾燥後、デバイスＩＶＣ及びＩＶｄを実施例１及び
２に記載したようにＰ　（４ＶＰ　　）　０．６重量％
溶液で更にコーティングした電荷発生層と輸送層を実施
例１に記載したようにして調製コーティング、乾燥を行
った。デバイスを下表に示したようにして電気的に帯電
−消去評価を周囲ＲＨ（１２％）及び低ＲＨ（＜５％）
で行った。 ［０１８６］

【表１０】 表 Ｉ％ｌａ　ａ ＩＶｂ” ＩＶｃゝ ＩＶｄ’ １〜Ｉｄｂ Ｖｄｂ ０．２７２ ０．２７２ ０．５０６ ０．５０６ ０．５０６ ０．５０６ ０．５−０．７ ０．８−１．０ ０．５−０．７ ０．５−０．７ １．０−１．２ １．０−１．２ ｉ０ ［０１８７］ ａ）周囲サイクルスキャナーで得たデータ。 ｂ）環境サイクルスキャナーで得たデータ。 ｍの範囲でのＰ　（ＨＥＭＡ）サンプルのブロック正孔
注入を示すことによって表面電荷維持を示した。非常に
低い湿度（〈５％ＲＨ）はｖＲ及び２００サイクルの■
Ｒサイクルーアップでのわずかな上昇をおこした。４−
ＰＶＰ、接着層の存在は、サイクル電気特性にほとんど
影響を持たないようにみえる。 ［０１８８］ 下記の表りの第２セツトの帯電−消去電気データでは、
高分子量（〔η〕＝０、６５４デシリットル／ｇ）Ｐ　
（ＨＥＭＡ）を同じバルク導電性基体、カーボン含浸テ
ラドラ−（ＣＩ　Ｔ）上にドローバ−成形加工したブロ
ッキング層として評価した。１．８．３．６．６．０及
び１４．４重量％のＰ　（ＨＥＭＡ）メタノール溶液を
本実施例の最初のデータで記載したように調製、コーテ
ィング及び乾燥した。 て実施例１及び２に記載したようにして調製、コーティ
ング及び乾燥した。電荷発生層及び電荷輸送層は実施例
１に記載したようにして調製、コーティング及び乾燥し
た。デバイスを周囲サイクルスキャナーを用い周囲（２
７％）及び低（〈５％）相対湿度で評価した。下表にお
いて０．０６μｍＰ（４ＶＰ）接着層（実施例２に記載
したように厚さを反映）の有無は、ｙｅｓまたはｎｏで
示した。ブロッキング層厚は、実施例２のデックタック
配布の検量線から得た。 ［０１８９］ ［０１９０１ 上記衣に中、全てのデバイスは、高いＶ　　と■　　　
からのその維持によっ０（１）　　　０（４Ｋ） て証明されるように正孔注入を十分に阻止した。ブロッ
キング層厚の範囲が０．２〜１．０μｍでは、一般に許
容しうるＶ　及び■Ｒサイクルーアップが、低及び周囲
ＲＨの両方でこの４０００サイクル試験で観察された。 しがし、用いられた特定の導電層組成物によっては、約
２μｍより大きいブロッキング層の厚さは接着層の有無
で周囲及び低ＲＨで完全な光放電（ｖＲサイクル−アッ
プ）を可能にするにはあまりに厚すぎる。０．２〜１．
０μｍ範囲の接着層の存在は、４．０００サイクルで、
かなりなりＲサイクル−アップが低ＲＨ（３５がら７０
Ｖ）でおこる１゜０μｍを除いて電気的に無視しうる。 このようにＰ（４ＶＰ）接着層を用いる場合、０．２−
０．７μｍのブロッキング層厚が低ＲＨでのｖＲ上昇が
がなり小さいという点で好ましい。このように上記３種
の全てのＰ　（ＨＥＭＡ）サンプルは化学的に不活性な
ＣＩＴ導電層上に有用な正孔ブロッキング力を提供する
。 ［０１９１］ 〔実施例５〕 本実施例で示されているのは、導電性ポリピロールを基
剤としたポリマー（ポラロイドからのＩＣＰ−１１７）
上にブロッキング層として２種の異なる分子量のＰ　（
ＨＥＭＡ）の使用である。導電性ポリマー分散物は、絶
縁性ポリマー基体マイラーまたはテラドラ−（登録商標
）上に実施例１で記載したようにして調製し、ドローパ
ーコーティングし、乾燥した。Ｐ　（ＨＥＭＡ）ブロッ
キング層溶液は、他の点で同一でない限り０．５ミル（
０，０１２７ｍｍ）バニギャップを用いて３種のコーテ
ィング溶液で調製した。メタノール及びダウアノールＰ
Ｍ被覆Ｐ　（ＨＥＭＡ）ブロッキング層の厚さは、Ｐ　
（ＨＥＭＡ）について実施例２で記載した乾燥厚／濃度
曲線から予測した。ｔ−ブタノール被覆Ｐ　（ＨＥＭＡ
）ブロッキング層については、最も大きい分子量のＰ　
（ＨＥＭＡ）はより高い周囲濃度でこの特定溶媒に溶解
できなかったので、２重量％溶液でコーティングした。 ｔ−ブタノールでコーティングされるＰ　（ＨＥＭＡ）
層が０．２−０．４μｍと見積られるブロッキング層厚
を増すのにより大きいドローパーギャップを用いた。標
準乾燥条件（実施例２）を被覆溶媒に関係なく全てのＰ
　（ＨＥＭＡ）ブロッキング層について用いた。メタノ
ールまたはダウアノールＰＭ中Ｐ　（ＨＥＭＡ）ブロッ
キング層組成物を、それぞれ０．５から０．７及び０．
８から１．０μｍの予測乾燥厚を得るために３．６及び
６．０重量％に調製しな。Ｐ（４ＶＰ）接着層は使用し
なかったので次に電荷発売層及び輸送層を、実施例１に
記載したようにして調製、ドローバ−コーティング及び
乾燥した。全ての帯電−消去サイクルデータはサイクル
スキャナーを用い、周囲ＲＨ（１２−２９％）で得、下
記衣りに示した。 ［０１９２］

【表１２】 表し Ｖａ　　　　　　　　Ｏ，２７２メタノミル　　　　　
　　　０．５−０．７　　　　　１２　　　　４００　
　　　　　３８０　　　　　　　１８　　　　　　４８
Ｖｂ　　　　　　　　Ｏ，２７２メタ／−ル　　　　　
　　　０．８−１．０　　　　　１２　　　　　３８０
　　　　　　３４０　　　　　　　１５　　　　　　２
５Ｖｃ　　　　　　　　Ｏ，６５４メタノール　　　　
　　　　０．５−０．７　　　　　１６　　　　　６０
０　　　　　　５６０　　　　　　　２９　　　　　　
８２Ｖｃ　　　　　　　Ｏ，６５４ｆｉ９１−ｇ　　　
　　　　　０．５−０．７　　　　２９　　　　６３０
　　　　　６５０”　　　　　　　５５　　　　２０５
”Ｖｄ　　　　　　　　Ｏ，６５４メ＋／−Ｊｉ　　　
　　　　　　０．８−１．０　　　　　１６　　　　　
７７０　　　　　　７８０　　　　　　　２０　　　　
　　２０Ｖｄ　　　　　　　Ｏ，６５４Ｍ、７４　　　
　　　　０．８−１．０　　　　２９　　　　７８０　
　　　　７９０ａ　　　　　　２０　　　　　４５”Ｖ
ｅ　　　　　　　　Ｏ，５５４ｔ−ＡＭ　　　　　　０
．２−０．４’　　　　　１５．　　　　４００　　　
　　　４１０　　　　　　　２６　　　　　　５゜Ｖｆ
　　　　　　　　Ｏ，６５４ｔ−ｆＵ−ｎ　　　　　　
Ｏ，２−０，４ｃ　　　　１５　　　　　４４０　　　
　　　４６０　　　　　　　２６　　　　　　５５Ｖｇ
’　　　　　　０．６５４　　　　　　ダ’）ｙｌ−Ｌ
ＰＭ　　　　Ｏ，８−１，０２１８０５８６０３０５０
ｖｈ　　４　　　　０．６５４　　　　　　ダウ７／−
ｆ）ＰＦ′Ｉ　　　　Ｏ，５−０，７２１３８５４５０
４０１０５［０１９３］ ａ）３，５００連続サイクル ｂ）１ミル（０，０２５４ｍｍ）パーギャップを使用す
る２重量パーセント溶液ｃ）１．５ミル（０，０３８１
ｍｍ）パーギャップを使用する２重量パーセント溶液ｄ
）このデバイスには環境サイクルスキャナーを用い、そ
して表中の他のデバイスには環境サイクルデバイスを使
用。 上記の帯電−消失サイクルデータをよく調べると、ＩＣ
Ｐ−１１７導電層上に適用するとＰ　（ＨＥＭＡ）分子
量とブロッキング層厚に関連するいくつかの事実が明ら
かである。両方の厚さでの低分子量Ｐ　（ＨＥＭＡ）ブ
ロッキング層は、ゼログラフィー感光体で所望のＶ　値
を得るには不十分である。低分子量Ｐ　（ＨＥＭＡ）は
貧弱な溶媒バリアーなので、ＣＧＬ及びＣＴＬをコーテ
ィングするのに使用される溶媒は導電層組成物と容易に
混合し、それらのＣＧＬ及び／またはＣＴＬへの移動が
おこる。ひとたび初期の部位から移動した導電層組成物
は帯電を消失させ、低Ｖｏをひきおこす（デバイスＶａ
及びｖｂ）。高分子量Ｐ　（ＨＥＭＡ）ブロッキング層
０．８−１．０μｍを含むデバイス（Ｖｄ及びＶｇ）は
、高分子量Ｐ　（ＨＥＭＡ）故に強力な溶媒ばりあ一特
性を確保しゼログラフィーに有用な高いＶｏ値を与える
。しかし、デバイス（Ｖｃ及びｖｈ）中で高分子量Ｐ　
（ＨＥＭＡ）の厚さが０．５−０．７　μｍに減ると、
Ｖｏ値は、例え高分子量Ｐ　（ＨＥＭＡ）ブロッキング
層であっても、約０．８μｍ未満では、化学的に不活性
なＣＩＴ導電層上でバリアーとして有効性に比べＩＣＰ
−１７７導電層上の溶媒バリアーとしては協力ではない
ことを示して減少する。この導電層組成物は後で使用さ
れる有機コーティング溶媒に相当に親和性を有する。こ
れは、高分子量Ｐ　（ＨＥＭＡ）ブロッキング層への非
常に低いレベルの有機溶媒浸透でかなりの混合と電荷を
使いつくす導電層組成物の上部移動をおこすには十分で
あることを暗示する。反対に、高分子量Ｐ　（ＨＥＭＡ
）０．２μｍでも、溶媒不活性バルク導電性基体、カー
ボン含浸テラドラ−（登録商標）（ＣＩＴ）上にコーテ
ィングされれば４．０００サイクルの間高Ｖ。値を達成
し維持するのに十分である（実施例４中ＩＶｅ及び■Ｖ
ｆ）。このように、導電層が溶媒に不活性であればある
程、ブロッキング層の溶媒バリアー要求は小さくなり、
薄いブロッキング層の使用が可能である。十分な厚さ（
０，８−１，０μｍ）のブロッキング層がコーティング
されると、ブロッキング層コーティング溶媒の電気的特
性に対する影響がないことがわかる。これは、両方のコ
ーティング溶媒（ダウアノールＰＭ及びメタノール）が
対流炉内での乾燥に十分に除去され、２種の溶媒はＰ　
（ＨＥＭＡ）のバルク形態学の変化によって分子間Ｈ−
結合密度を変えないことを示唆する。ｔ−ブタノール／
Ｐ　（ＨＥＭＡ）溶液では薄いブロッキング層がコーテ
ィングできるだけなので、電気的特性に対する溶媒の効
果は、すでに議論した導電層混合問題で隠されるだろう
。 ［０１９４］ 消失機構と同時に作動することを暗示する。捕獲機構の
正確な原因は不明であるが。ある程度のＰ　（ＨＥＭＡ
）が、ＣＧＬ及び／またはＣＴＬにそれらのコーティン
グ中に移動することは可能である。導電層成分がＰ　（
ＨＥＭＡ）ブロッキング層を通しＣＧＬ及びＣＴＬに移
動すると、Ｐ　（ＨＥＭＡ）のいく分かは根絶されこれ
らの層にもって行かれ、電荷捕獲と観察されるｖＲサイ
クル−アップとなる。 ［０１９５］ 〔実施例６〕 本実施例の初めのデバイスセットはカーボンを基剤とし
た架橋導電層カーボセット５１４上にブロッキング層と
してポリ（２−ヒドロキシプロピルメタクリレ−））Ｃ
Ｐ　（ＨＰＭＡ））の使用を例示する。テラドラ−（登
録商標）基体を４種のデバイスに使用した。ここでデバ
イスＶＩａ、ＶＩｂ及びＶＩｄは吹き付は塗した導電層
を、デバイスＶＩｃはドローパーコーティング導電層を
含む。カーボセット５１４Ａを実施例１に詑載したよう
にして調製、コーティングそして乾燥した。 Ｐ　（ＨＰＭＡ）（ポリサイエンスから入手可能）ブロ
ッキング層をイソブタノール／イソプロパツール混合溶
媒９０７１０重量％を用いそれぞれ０．１−０．３．０
゜５−０．７．０．８−１．０及び１．３−１．５　μ
ｍ　（７）乾燥コーティング厚を与える１、２゜３．６
，６．０及び８．４重量％濃度でコーティング（ドロー
バ−ギャップ０．５ミル）した。厚さは実施例２でこの
ポリマーについて得た乾燥厚／濃度曲線から予測し０、
４−０．６重量％溶液からコーティング（ドローバ−ギ
ャップ０．５ミル）した。 接着層溶媒組成物及び乾燥条件はブロッキング層のコー
ティングに使用したのと同じである。電荷発生層と輸送
層を実施例１に記載したようにして連続して適用した。 帯電−消去電気サイクルデータは、１２．０００サイク
ルについて周囲ＲＨ（３８−４０％）で周囲サイクルス
キャナーを用いて得た。１例においては、１２．０００
サイクルについて試験したデバイスを暗所に少なくとも
１晩放置し、それから連続４５．０００サイクルについ
て再試験した。 ［０１９６］

【表１３】 表Ｍ Ｉａ ｌｂ Ｉｃ ０．１−０．３　　　１２，０００　　　　９００　　
７５０　　７６　　１４００．５−０．７　　　１２．
０００　　　　　Ｂ２Ｏ７５０５６６８０，８−１，０
１２，０００８４０８４０４０３５［０１９７］ 上記ブロッキング層厚範囲内で得られたＶｏ　　（１及
び１２．０００）は、光放電の前に周囲ＲＨで導電層か
らの正電荷（正孔）注入のかなりのブロッキングを示し
ている。実施例１において、ブロッキング層及び接着層
なしの同様なデバイスはほんの４６０■のＶｏ帯電であ
った。薄いブロッキング層を有するデバイスＶＩａは■
Ｒサイクルーアップを示した唯一のデバイスであった。 カーボセット５１４導電層はＣＩＴ導電層より化学的に
不活性であるので、カーボセット５１４導電層がら薄い
ブロッキング層への導電性成分の混合は水酸基−水酸基
Ｈ−結合を開裂し、光放電電子捕獲をひきおこし、継続
的なゼログラフィーサイクルがおこり、かくしてｖＲサ
イクル−アップが生じる。中間層混合を阻止するのに十
分な厚さのブロッキング層を有するデバイスＶＩｃは、
はじめの１２．０００サイクルでフラットであり、後の
４５．０００帯電−消去サイクル試験では３３％のＶｏ
サイクル−ダウンを示した。・この大きさの■ｏサイク
ルーダウンは、非換気スキャナーチャンバー内で蓄積し
たオゾンにより特に厳しいサイクルでは一般的である。 ２４時間の暗所放置で、■　は４５．０００サイクル試
験の前に測定されたのとほぼ同じ電圧（Ｖｏ）に回復し
な。 ［０１９８］ 本実施例の第２のデバイスセットでは、頭−頭組成物を
周囲及び低ＲＨ帯電−消去サイクル条件で同一厚さ（０
，８−１，０ｐｍ　）のＰ　（ＨＥＭＡ）とＰ　（ＨＥ
ＭＡ）ブロッキング層間で作成した。オレフィン系プラ
イマー（ＬＥ　１６６１０、レッドスポットペイント及
バーニッシュから入手可能）中に分散したカーボンブラ
ックにより導電層を調製した。テラドラ−（登録商標）
上のＬＥ　１６６１０導電層を、実施例１に記載するよ
うにして調製、スプレーそして乾燥した。Ｐ　（ＨＰＭ
Ａ）及びＰ　（ＨＥＭＡ）（（η、ｌ　＝０．５０りは
ポリサイエンスから入手し、ｔ−ブタノール中６重量％
溶液を用い、スプレーされた導電層上にドローパーコー
ティング（０，５ミルギヤツプ）した。中間粘度のＰ　
（ＨＥＭＡ）は、高粘度Ｐ　（ＨＥＭＡ）とは異なり、
６重量％でｔ−ブタノールに溶解した。ブロッキング層
に標準乾燥条件を施した後、Ｐ（４ＶＰ）接着層組成物
を本実施例で前に記載したように、調製し、コーティン
グし、乾燥した。ブロッキング層及び接着層の厚さはと
もに、前に記載した乾燥厚／濃度曲線（実施例２）から
見積った。電荷発生層及び輸送層は実施例１で記載した
ようにして調整し、コーティングし乾燥した。デバイス
を２００サイクルについて周囲サイクルスキャナーで試
、験した。 ［０１９９］

【表１４】 表Ｎ ＶＩｅ　　　　Ｐ（ｆ（ＰＦ′ＩＩＡ）　　　　５８　
１２２０　１４２０　　３５　　６０ＶＩｅ　　　　　
　　　　　Ｐ（ｆ（ＰＭＡ）　　　　　　　　　＜５　
　　　　１４４０　　　　　１５１０　　　　　　　６
０　　　　　　　ｌ９０ＶＩｆ　　　　Ｐ（ＨＥＭＡ）
　　　　３５　　９００　　９００　　４０　　５０Ｖ
Ｉｆ　　　　　　　　　　　Ｐ（ＨＥＭＡ）　　　　　
　　　　　＜５　　　　　　８８０　　　　　　　９４
０　　　　　　　　３５　　　　　　　５０［０２００
１ このデバイスセットでは、Ｐ　（ＨＰＭＡ）もＰ　（Ｈ
ＥＭＡ）も、周囲及び低ＲＨの両方で２００サイクル中
十分な正孔ブロッキング力を提供する。Ｖｏは、実施例
１のブロッキング層なしの同じデバイスよりかなり高く
とどまる。しかし、Ｐ（ＨＰＭＡ）ブロッキング層デバ
イスは、低ＲＨ試験条件で相当な■２サイクルーアップ
を発生させる。同じデバイスを試験した時周囲ＲＨで生
じなかったので、このＶ　サイクル−アップはおそらく
中間層混合には関係がない。ＶＲサイクルーアップはＰ
　（ＨＰＭＡ）対Ｐ　（ＨＥＭＡ）ブロッキング層中の
水レベルの減少におそらく関係している。Ｐ　（ＨＥＭ
Ａ）対Ｐ　（ＨＰＭＡ）中の捕獲水が多ければ多い程（
多量ではない）　ブリッジング疎水性（低Ｈ−結合密度
領域）ギャップによる水素結合密度の強化を助ける。Ｐ
　（ＨＥＭＡ）中の水酸基Ｈ−結合密度は、Ｐ　（ＨＰ
ＭＡ）中のＨ−結合部位のいくつかにメチル基立体障害
があるために、Ｐ　（ＨＰＭＡ）中の密度よりおそらく
大きい。多分、Ｐ　（ＨＥＭＡ）のより多い水とより高
い密度のＨ−結合の組合せは、大きい電子捕獲なしに比
較的厚いブロッキング層を通って光放電電子の輸送経路
の抵抗を小さくする。このように、■２はＰ　（ＨＥＭ
Ａ）ブロッキング層中の低ＲＨで低く維持される。 ［０２０１］ 〔実施例７〕 本発明は、２つの異なる分子量と３種の厚さでのＰ　（
ＨＥＭＡ）ブロッキング層の使用を例示する。ブロッキ
ング層を、実施例１に記載したようにして調製しそして
（テラドラ−（登録商標）基本に）スプレーし、乾燥し
たＬＥ　１６６１０力−ボンブラツク導電層にドローパ
ーコーティングした。加えて、３種の高分子量Ｐ（ＨＥ
ＭＡ）デバイスをゲルタールアルデヒド（ブロッキング
層をドローパーコーティングする直前に２５重量％水溶
液として添加）で架橋した。溶媒蒸発後、空気対流炉で
１２０℃、１時間コーティングを乾燥している間に架橋
が進行した。ブロッキング層コーティング溶液中Ｐ　（
ＨＥＭＡ）＜り返し単位に対するゲルタールアルデヒド
の負荷モル比は１：３に一定に保たれた。ゲルタールア
ルデヒド分子中の各アルデヒド基は、アセタール結合の
形成を介して２個のＰ　（ＨＥＭＡ）ヒドロキシル基を
架橋することができる。１２０℃での同時脱水は酸触媒
の存在無で架橋反応を引き起こした。架橋コーティング
（ガラススライドからかき集めた）がダウアノールＰＭ
中に全く不溶であった別々の実、験において、架橋は上
記化学量論と硬化条件でおこることが確認された。Ｐ　
（ＨＥＭＡ）ブロッキング層をメタノールとダウアノー
ルＰＭ中３．６及び６．０重量％、そして↓−ブタノー
ル中２重量％で調製した。架橋剤を加えなかった場合は
標準乾燥条件が使用された。これらのデバイスにはポリ
（４−ビニルピリジン）接着層がコーティングされなか
ったので、電荷発生層と輸送層は実施例１で記載したよ
うにして適用した。デバイスを示したサイクルスキャナ
ーを用い、周囲ＲＨ（１２−２１％）で２００サイクル
について帯電−消去サイクルを行った。 ［０２０２］

【表１５】 表０ Ｉ　Ｉａ ｒＩｂ Ｖｌｌｃ’ １ｌｄ Ｖｒｒｅ’ ＩＩｆ ＩＩｇｃ ＩＩｈ ｒｌｉ １ｌｊ ０．２７２　　　０．５−０．７ ０．２７２　　０．８−１．０ ０．６５４　　０．５−０．７ （Ｘ−架橋） ０．６５４　　０．５−０．７ ０．６５４　　０．８−１．０ （Ｘ−架橋） ０．６５４　　０．８−１．０ ０．６５４　　９．５−０．７ （Ｘ−架橋） ０．６５４　　０．５−０．７ ０．６５４　　０．８へ１．０ ０．６５４　　　０．２−０．４” メタノール　　　　　　　３１０ メタノール　　　　　　　３７０ メタノール　　　　　　　６９５ メタノール メタノール メタノール ダウ門 ダウＰＭ ダウＰＭ ｔ−フ′タノール ［０２０３］ ａ）１．０ミル（０，０２５４ｍｍ）パーギャップを用
いる２重量％溶液ｂ）１．５ミル（０，０３８１ｍｍ）
パーギャップを用いる２重量％溶液Ｃ）環境サイクルス
キャナーを使用；他の全てのデバイスは周囲サイクルス
キャナーで試験 低極限粘度数〔η〕Ｐ　（ＨＥＭＡ）は、両方の厚さで
高粘性材料より明らかに劣る。ＬＥ　１６６１０導電層
上に形成したこのデバイスにおける低分子量Ｐ　（ＨＥ
ＭＡ）ブロッキング層について得られた電気的な結果は
、他の全ての層が同じであってポリピロール導電層上に
得られた結果と類似している（デバイスＶａ及びｖｂと
ＶＩＩａ及びＶＩＩｂと比較されたい）。実施例５にお
いて議論した中間層混合効果による電荷消失（低Ｖ。）
機構はここにも適用される。本実施例において、中間層
混合の証拠はもつとゆるがしがたいものである。デバイ
スＶＩＩａ及びＶＩＩｂにおいてＶ　値は、ブロッキン
グ層がない同じデバイスのＶｏ　　（実施例１）より小
さい。この結果は発生層及び／または輸送層がもっと暗
導電性になることを要求し、ＬＥ　１６６１０導電層か
ら電気的にかなりな量の導電材料が移動し、上部２層の
コーティング中にそれらに混合したことの強力な証明を
提供する。 ［０２０４］ ゲルタールアルデヒド架橋の効果は、正孔ブロッキング
ポリマーとして高分子量Ｐ　（ＨＥＭＡ）を使用ずする
時、より薄い（０，５−０，７対０．８−１．０μｍ　
）ブロッキング層デバイスにおいて顕著である。架橋デ
バイスＶＩＩｃは、架橋されていないその姉妹デバイス
（ＶＩＩｄ）より１５５Ｖ高く帯電する。架橋Ｐ　（Ｈ
ＥＭＡ）ブロッキング層は、バリアー層としてよく機能
し得るし、ＬＥ　１６６１０導電層成分の発生層及び輸
送層へのそれらの層コーティング中の移動及び混合をよ
り効果的に阻止する。加えるに、Ｐ　（ＨＥＭＡ）ブロ
ッキング層を架橋することは、正孔捕獲Ｐ　（ＨＥＭＡ
）が架橋ブロッキング層内の決まった所に固定されて留
まるので、■、サイクル−アップを減少させる。このよ
うに、架橋Ｐ　（ＨＥＭＡ）層内体が原始的に捕獲と■
８サイクルーアップの原因であるある程度の導電性材料
移動をかなり減少させるので、Ｐ　（ＨＥＭＡ）は導電
性材料によって上に運ばれることはない。高分子量Ｐ　
（ＨＥＭＡ）ブロッキング層厚が０．８−１．０μｍに
増加すると、架橋のために電気的効果（ＶＩＩｅ対ＶＩ
ＩｆまたはＶＩＩｉ）はわからなくなる。 増加Ｐ　（ＨＥＭＡ）ブロッキング層厚のみで、十分に
溶媒抵抗性及び（混合に対する）バリアー特性を付与し
、厚いブロッキング層ではＰ　（ＨＥＭＡ）架橋を不必
要にする。 ［０２０５］ ０、５−０．７μｍ厚の未架橋高分子量Ｐ　（ＨＥＭＡ
）ブロッキング層を含むデバイス（ＶＩＩｄ及びＶＩＩ
ｈ）は、ｖＲサイクル−アップにおいてかなり異なる。 ＶＩＩｈ対ＶＩＩｄについての大きな■Ｒサイクルーア
ップは、ブロッキング層コーティング溶媒における（メ
タノールから）より有機性のダウアノールＰＭへの変化
が少なくとも、幾分、捕獲と■Ｒサイクルーアップに寄
与していることを示唆している。 プロピレングリコールメチルエーテル（ダウアノールＰ
Ｍ）溶媒は、ＬＥ　１６６１０導電層成分を浸透、しや
絶するにはメタノールより有効である。この溶媒に誘発
される導電層成分のブロッキング層への移動は中断され
、ブロッキング層における水酸基−水酸基水素結合密度
を減少させる。従って、低密度水酸基−水酸基Ｈ−結合
域により電子捕獲部位が生じ、そしてこ井はより大きい
ｖＲサイクル−アップの結果となる。幸いに、より厚い
未架橋高分子量Ｐ　（ＨＥＭＡ）ブロッキング層デバイ
ス（ＶＩＩｆ及びＶＩＩｉ）では、この混合現象の大き
さ（及び得られるｖＲサイクル−アップ）はどのブロッ
キング層コーティング溶媒が使われるのに関係なく減少
する。 ［０２０６］ 同一のデバイスＶＩＩｄとＶＩＩｈはＶｏにおいて著し
く異なる（３４０Ｖ）。２種のデバイスにおいて配合物
変動だけがブロッキング層における変化であるので、こ
の変化がＶｏ減少に幾分関与しているにちがいない。低
沸点メタノールキャストコーティングはその溶媒を明ら
かに早く失うので、不十分なポリマー流のために薄い部
分と厚い部分ができる。このような不均一な薄い部分は
導電層から正孔注入の主要部になる。しかし、０．２μ
ｍメタノールキャストＰ　（ＨＥＭＡ）ブロッキング層
がカーボン含浸テラドラ−（登録商標）バルク導電性基
体上で正孔注入をブロックするのに十分な厚さであるの
で（実施例４）　ブロッキング層の薄さは低Ｖｏについ
ての十分な説明ではない。導電層垂直突起上／または周
囲に載せられた薄いブロッキング層の組み合せ（両層と
も厚さは不均一である）は、Ｖ。 低下に関与する界面部位の最も完全な物理的像を提供す
る。このように、ブロッキング層−導電層の配合相互依
存は、厚い高分子量Ｐ　（ＨＥＭＡ）ブロッキング層が
用いられる場合（デバイスＶＩＩｆ及びＶＩＩｉ）を除
き、Ｖｏ＆ｖＲを強くコントロールする。次にメタノー
ルコーティングされたブロッキング層における不均一な
薄い部分でさえもＬＥ　１６６１０導電層からの正孔注
入をブロックするには十分な厚さなので、Ｖｏに対する
コーティング溶媒効果は消失する。このように、ブロッ
キング層としての厚いＰ　（ＨＥＭＡ）コーティングの
使用は、帯電−消去電気特性の不均一なコーティング厚
の悪影響をかなり排除する。 ［０２０７］ ｔ−ブタノールコーティングＰ　（ＨＥＭＡ）ブロッキ
ング層によって示される低帯電レベルは、実施例５で記
載したように↓−ブタノール中の高分子量Ｐ　（ＨＥＭ
Ａ）溶解性限界（２重量％）のため、存在しなければな
らない全体的に薄いブロッキング層の存在を示唆してい
る。このように、たとえ厚さが均一であったとしても、
かなり薄い↓−ブタノールコーティングＰ　（ＨＥＭＡ
）ブロッキング層は、ＬＥ　１６６１０導電層からの電
荷注入に対して多孔性である。 ［０２０８］ 〔実施例８〕 本実施例は、強い注入結合剤不含のクーポラスヨウ化物
導電層上に様々な厚さのビニルヒドロキシエステルポリ
マーブロッキング層としてＰ　（ＨＥＭＡ）とＰ（ＨＰ
ＭＡ）の使用を例示する。本実施例の全てのデバイスの
導電層は実施例１で記載したようにテラドラ−（登録商
標）基体上にドローパーコーティングした。Ｐ　（ＨＰ
ＭＡ）（ポリサイエンスから入手可能）を、インブタノ
ール／イソプロパノール９０／１０（重量比）中３．６
及び６．０重量％でコーティングしく０．５ミルドロー
バーギヤツプ）　下表の厚さを得た。中間粘度のＰ　（
ＨＥＭＡ）（（η）＝０．５０６）を０．５及び５．０
ミルドローバーギヤツプを用い６及び１０重量％メタノ
ール溶液によりコーティングし、それぞれ０．８−１．
０及び８．５μｍのブロッキング層を得た。非常に厚い
Ｐ　（ＨＥＭＡ）ブロッキング層は、直接デックタック
（登録商標）針で測定し、他の厚さは実施例２で記載し
たようにしてＰ（ＨＰＭＡ）用に用意した乾燥厚−濃度
曲線から見積った。非常に薄い（０，４−０゜６重量％
〜０．０６μｍ　）　Ｐ　（４ＶＰ　　）接着層をドロ
ーパーコーティングしく０゜５ミルバーギヤツプ）　先
の実施例で記載したようにして乾燥した。次に電荷発生
層及び輸送層を実施例１に記載したようにして設けた。 デバイスを、周囲ＲＨで１．４５０または１２．０００
サイクルについて周囲サイクルスキャナーを用いサイク
ルした。 ［０２０９］

【表１６】 衷 ＶＴＩＩａ　　　　Ｐ（ｆ（ＰＭＡ）　　　０．５−０
．７　　　Ｌ４５０　　　７３０　　　６８０　　３５
　　　　２５ＶＩＩＩｂ　　　　Ｐ（）ＩＰＭＡ）　　
　０．８−１．０　　１，４５０　　　６８０　　　　
６４０　　３０　　　　２４ＶＩＩＩｃ　　　　Ｐ（ｔ
ｌＥｌＩＡ）　　　０．８−１．０　　１２，０００　
　　Ｌ２００　　１，０００　　２０　　　　５８ＶＩ
ＩＩｄ　　　　Ｐ（ｌ（ＥＭＡ）　　　〜８．５　　　
１２，０００　　１，２００　　１，４００　　２４　
　　１７４［０２１０］ Ｐ　（ＨＰＭＡ）及びＰ　（ＨＥＭＡ）ブロッキング層
はともに電気的に重要な正孔ブロッキング力に寄与する
。実施例１におけるブロッキング層のない同一のクーポ
ラスヨウ化物導電層デバイスは９０Ｖだけの帯電であり
、本実施例のデバイスで使用されたブロッキング層はか
なり電荷注入を阻止することを示している。非常に薄い
Ｐ　（ＨＥＭＡ）ブロッキング層デバイスＶＩＩＩｄは
、サイクル開始時に非常に小さなりＲであり、１２．０
００サイクルでわずか１７４■までである。８．５μｍ
Ｐ　（ＨＥＭＡ）ブロッキング層について観察された比
較的小さいｖＲサイクルーアップレブルは、Ｐ　（ＨＥ
ＭＡ）中の自然発生量の電子捕獲部位は、本実施例で使
用された他のもっと薄いブロッキング層に対して少なく
、Ｐ　（ＨＥＭＡ）は正孔捕獲がおこりうるＣＧＬ及び
ＣＴＬに移動しにくいことを示唆している。他の正孔ブ
ロッキング層ポリマーに対してＰ　（ＨＥＭＡ）の低い
移動傾向は、メチレンクロトリ、テトラヒドロフラン及
びトルエンなどのよく使用される有機コーティング溶媒
へのＰ　（ＨＥＭＡ）不溶性による。これらのビニルヒ
ドロキシエステルまたはビニルヒドロキシアミドポリマ
ーブロッキング層中の電子捕獲部位量は、切断された水
素結合密度領域（疎水性領域）の量及び／またはゼログ
ラフィー放電中の絶縁破壊の異なる値に非常に関係する
。 ［０２１１］ 高分子量Ｐ　（ＨＥＭＡ）（〔η）＝０．６５４）を含
むブロッキング層は、本実施例で記載したようにして調
製した強力な注入ＣｕＩ導電層についても帯電−消去を
評価した。Ｐ　（ＨＥＭＡ）ブロッキング層を、下表に
示したようにダウアノールＰＭ及び↓−ブタノール中標
準３．６，６．０及び２．０重量％を用いてコーティン
グした。さらに、２種のデバイスはＰ　（ＨＥＭＡ）繰
り返し単位対グルグルアルデヒドのモル比が約３：１で
あるグルタルアルデヒド架橋Ｐ　（ＨＥＭＡ）を含むブ
ロッキング層を含む。これらのデバイスには接着層は設
けられていないので、次に電荷発生層及び輸送層を実施
例１に記載したようにして設けた。 ［０２１２］

【表１７】 表Ｑ Ｖｌ　ｒｅ’　　　０．５−０．７ ＶＩ　Ｉｆ’　　　０．２−０．４ νＩ　Ｉｇ’　　　０．２−０．４ ＶＩ　Ｉｈ”′”　　０．２−０．４ ＶＩ　Ｉｉ””　　０．８−１．０ ダウ囲　　　　　１０４０ ｔ−ブタノール　１０２０ Ｌ−ブタノール　１０１５ ｔ−ブタノール−８７０ ダウＰ門　　　　　９２０ ［０２１３］ ａ）Ｐ　（ＨＥＭＡ）０．２ｇ、ｔ−ブチルアルコール
９．８ｇ及び２５重量％ゲルタールアルデヒド水溶液０
．２１　ｇ、１２０℃で１時間乾燥。 ｂ）Ｐ゛（ＨＥＭＡ）０．６ｇ、ダウアノールＰＭ９．
４ｇ及び２５重量％ゲルタールアルデヒド水溶液０．６
２　ｇ、１２０℃で１時間乾燥。 Ｃ）通常の０．５ミルバーギヤツプに代わり１ミルバー
ギヤツプを使用。 ｄ）周囲サイクルスキャナーを使用。 ｅ）環境サイクルスキャナーを使用。 ブロッキング層のない同じクーポラスヨウ化物デバイス
（実施例１）について得られた帯電レベル９０Ｖと比較
すると、上記全てのデバイスは明らかによる帯電しそし
て２００サイクルの間その帯電レベルを維持する。たと
え薄くても（０，２−０，４μｍ）　高分子量Ｐ　（Ｈ
ＥＭＡ）ブロッキング層は電気的によくない電荷注入を
阻止し、ゼログラフィーに有用な電気特性を与える。架
橋Ｐ　（ＨＥＭＡ）ブロッキング層はサイクル特性を改
良しない。このような薄い高分子量Ｐ　（ＨＥＭＡ）ブ
ロッキング層が、強力な注入ＣｕＩ導電層上で正孔注入
をブロックするという事実は、薄いＣｕＩ導電層は、も
しあったとしても非常に小さい垂直突起を有することを
示唆する。ＣｕＩ導電層は非常に薄い（２００−１００
オングストローム）ので、該導電層は小さな厚さばらつ
きをもつのが理にかなっている。 上記デバイスにおける■　サイクル−アップがないこと
は、無機ＣｕＩと後で適用される有機コーティング組成
物間の不相溶性を証明する。このようにＣｕＩ導電層混
合及び移動は電気的に重要ではない。 ［０２１４］ 〔実施例９〕 本実施例では、ＨＥＭＡ及び４−ＶＰ　　由来の３種の
異なるコポリマー組成物の調製及びブロッキング層使用
を例示する。３種のコポリマーは以下の一般的方法によ
り調製した。 ［０２１５］ ２種のモノマーを、個別に実施例４で記載したように初
めにデー上ビット１００カラムを３回通過させ、ヒドロ
キノンを基材とする重合阻止剤を除去した。精製モノマ
ー　ｔ−ブチルアルコール溶媒及びＡＩＢＮ重合開始剤
（装填総モノマ−に対し０．３モル％）を実施例４に記
載した容器及びアクセサリ−に装填した。 重合溶液を磁気的に撹拌し、重合中アルゴンガスを溶液
に通じた。最後に、得られた溶液を実施例４に記載のよ
うな凝固し、ろ過し、洗浄し、乾燥した。以下の表は調
製した３種のコポリマーについての重合装填、条件及び
組成結果を示す。 ［０２１６］

【表１８】 表Ｒ ｆＸａ　　　２１８４　１．６７８ＸｌＯ”　　３．３
８　３．２２ｘｌＯ−２１５６６１７９３９１９ｉＸｂ
　　　１７６５　１．３５６ＸＩＯ−’　　６．７７　
６．４４Ｘ１０−’　　１５　　　Ｂ’７　　１２２０
　　６４　　３６ＩＸｃ　　　１３０１　１．００Ｘ１
０°’　　１０．５１　　！、００ｘｌＯ−’　　１６
　　６２　　１０５０　　４０　　６０［０２１７］ プルカーＷＰ−８０機器により周囲温度で得た１Ｈ−Ｎ
ＭＲスペクトルから決定した。 積算正常ピリジン環水素シグナルを積算Ｐ　（ＨＥＭＡ
）水酸基水素シグナルと比較し、上の表中に組成値を記
載した。３種の全てのコポリマーは、１重量％の濃度で
、トルエン、テトラヒドロフラン、及びメチレンクロリ
ドに溶解せず、Ｐ（ＨＥＭＡ）自体のように、これらの
ポリマーは、デバイスの成形を完成するのに必要な後で
使用される溶媒に対してバルク溶媒バリアーを形成する
。 ［０２１８］ 正孔ブロッキングＰ　（ＨＥＭＡ）繰り返し単位及びＰ
（４ＶＰ）接着性繰りｙ 返し単位由来のコポリマーを用いる動機は、１層内で２
つの特性（ブロッキング及び接着）を組み合わせ、非金
属導電層上のこれらのデバイスにおいて別な接着層をコ
ーティングする必要性を排除することであった。結果的
には、別なＰ　（４ツドラー（登録商標）　　　（−Ｃ
ＩＴ）、］を導電層として用いた。３種のコポリマーを
６重量％ｔ−ブタノール溶液としてコーティング（ドロ
ーパーギャップ０．５ミル）し、標準条件で乾燥後０．
８−１．０μｍ厚のブロッキング層を得た。更に、６４
：３６組成のコポリマーを２．０及び３．６重量％１−
ブタノール溶液としてコーティングし、０．２−０．４
及び０．５−０．７μｍブロッキング層を得た。ブロッ
キング層厚は、前に記載した（実施例２）Ｐ　（ＨＰＭ
Ａ）について用意した乾燥厚−濃度曲線から見積もった
。次に電荷発生層と輸送層を実施例１で記載したように
して設け、帯電−消去サイクルデータを周囲スキャナー
を用い、周囲ＲＨで得た［０２１９］

【表１９】 表Ｓ モルχＲ，Ｕ。 ０．８−１．０ ０．２−０．４ ０．５−０．７ ０．８−１．０ ０．８−Ｃ０ ［０２２０１ 上表の０．８μｍブロッキング層データの試験は、コポ
リマー中のＰ（４ＶＰ）ｙ 繰り返し単位含有量の増加に伴い、■　　　の安定した
増加（６５〜７５〜９０Ｒ（２００） ■）を示している。コポリマーのＰ（４ＶＰ）繰り返し
単位中の塩基性窒素がＰ　（ＨＥＭＡ）ホモポリマー中
に通常見られる高密度分子間水酸基−水酸基水素結合を
切断する可能性が高い。この高密度水酸基−水酸基Ｈ−
結合相互作用は、構造的にＨ−結合水に似ており、多分
少量のＨ−結合水とともに、比較的厚いブロッキング層
内を光放電電子が移動するのを助けるのであろう。しか
し、水酸基−水酸基Ｈ−結合密度がコポリマー中の大量
のＰ（４ＶＰ）繰り返し単位によって切断されると、他
の水素結合構造は、ブロッキング層の全厚さ中を光放電
電子を輸送するのに水酸基−水酸基Ｈ−結合構造として
有効でないという結果になる。その結果、より多くの光
放電電子捕獲部位が電子を捕獲する所に生じ、捕獲は■
Ｒサイクルーアップとして表われる。

【０２２月 コポリマー中の増加したＰ（４ＶＰ）含量によるｖＲサ
イクル−アップの増加の代わりのあるいは同様な機構は
、ＣＧＬ及び／またはＣＴＬのコーティング中にブロッ
キング層コポリマーの発生層への移動をひきおこす。ホ
モポリマーＰ（４ＶＰ　　）はＣＧＬコーティング溶媒
、メチレンクロリドに可溶なので、コポリフ−中のＰ（
４ＶＰ）含量が多くなると移動が多くなると考えられる
。従って、Ｐ（４ＶＰ）含量の最も大きいコポリマー（
４０：６０コポリマー）は、ＣＧＬ及び／またはＣＴＬ
のコーティング中のＣＧＬ及びＣＴＬへの移動を最もお
こし易い。３種のコポリマーはメチレンクロリド中に１
重量％のレベルで溶解できなかったが、低有限コポリマ
ー濃度は溶解し、そして移動する。非常に低いポリマー
溶解性と移動レベル（ｐｐｍ　）はｖＲサイクル−アッ
プとして発生層内に電気的に相当な正孔捕獲をおこすの
に十分である。さらに上表を検討すると、最も薄い０．
２−０．４μｍブロッキング層でさえ溶解抵抗性ＣＩＴ
導電層上に良好な正孔注入ブロッキングを提供する（ブ
ロッキング層なしの実施例１の同じデバイスと比較して
）。ＣＩＴ上に１００％Ｐ　（ＨＥＭＡ）ブロッキング
層を含むデバイス（実施例４）で周囲及び低ＲＨの両方
で同様の結果がみられた。 ［０２２２］ 本実施例の２番目の電気的なデータセットは、ＣＩＴ導
電層上に６４：３６コポリマーの３種類の厚さのブロッ
キング層を含むデバイスの帯電−消去サイクルについて
記載する。↓−ブタノール中３種の濃度の６４：３６コ
ポリマー（１，８３，６及び１４．４重量％）をドロー
バ−コーティング（０，５ミルギヤツプ）し、見積り厚
０．２−０．４．０．５−０．７及び２．０−２．４　
μｍのブロッキング層を得た。 に電荷発生層と輸送層を設けた。完成したデバイスを周
囲及び低ＲＨの両方で周囲スキャナーを用い帯電−消去
サイクルを行った。 ［０２２３］ 【表２０１ 表Ｔ ｌＸ１　　０．２−０．４　　２４　　４４１５　　８
９０　　９７０　　９２０　　３０　　３７　　４０Ｉ
Ｘｉ　　　０．２−０．４　　　＜５　　２２６０　　
８６０　　１０４０　　１０４０　　３５　　９０　　
８０ＩＸｊ　　　Ｏ，５−０，７２４４４１５７８０９
１０８１０２８５５６０ＩＸｊ　　　０．５−０．７　
　　＜５　　２２６０　　７８０　１０５０　１０４０
　　３８　１７０　　１４５ＩＸｋ　　　２．０−２．
４　　２４　　４４１５　　８４０　１０４０　　１１
ＣＸ）　　　３５　　８５　　１６５ＩＸｋ　　　２．
０−２．４　　　＜５　　２２６０　　８５０　　１２
００　　１２３０　　６５　　２５０　　２６０［０２
２４］ 本実施例の最初のデータセットにおけるように、大きな
サイクル−アップではないがブロッキング層の厚さに伴
い増加したｖＲサイクル−アップは、低ＲＨ（く５％）
で悪化する。２．２６０帯電−消去サイクルでは、薄い
０．２−０．４μｍブロッキング層デバイスのみが、中
程度の■Ｒサイクルーアップを示す。もつと厚いブロッ
キング層デバイスでは、より多い捕獲部位が電子捕獲の
ために利用できるので、初めの■Ｒと■Ｒサイクルーア
ップはより大きい。該コポリマーブロッキング層では電
子捕獲部位がおそらく、少量の閉じ込められた水（これ
が電子輸送を助ける）が疎水性水素結合低密度領域を離
れながら逃れ、光放電電子はそこを通過できないか捕獲
されるとき、低ＲＨで生じると考えられる。残りの水酸
基−水酸基Ｈ−結合（これらのコポリマー中ピリジンー
水酸基水素結合によって切断されない）は、低ＲＨで減
少した水分含量を補うには不十分な密度である。正味の
結果が電子捕獲とＶＲサイクル−アップである。本実施
例において↓−３ｅ／ＰＵＫ発生層に対するＰ　（ＨＥ
ＭＡ−４ＶＰ　　）コポリマーブロッキング層の接着力
は、高分子量Ｐ　（ＨＥＭＡ）ブロッキング層の最上部
に設けられた別個のＰ　（４ｖＰ　）接着層で得られる
のと同等であった。従って、同様の接着力が、別個のＰ
（４ＶＰ）接着層を成形加工することなく達成すること
ができる。Ｐ（ＨＥＭＡ−４ＶＰ　　）中Ｐ（４ＶＰ）
繰り返し単位は、ブロッキング層があまり厚ｙ　　　　
　　　　　　　ｙ くない限り、別個にコーティングされたＰ（４ＶＰ）接
着層と同様な機構を介して↓−８ｅ／ＰＵＫ発生層に界
面接着する。そして、有用な電気的特性も提供する。 ［０２２５］ 【実施例１０１ 本実施例は、ポリ（２−ヒドロキシプロピルメタクリレ
ート）（Ｐ　（ＨＰＭＡ）〕及びポリ（Ｎ−ビニルピロ
リドン）（”Ｐ　（ＶＰ））の繰り返し単位を含む４種
の追加のＰ　（ＨＥＭＡ）コポリマーの製造とカーボン
含浸チッドラー（登録商標）（ＣＩＴ）上の２種のコポ
リマー組成物の帯電−消去ブロッキング層の評価を例示
する。ブロッキング層コポリマーをダウアノールＰＭ中
３．６及び６．０重量％の濃度で調製し、実施例２にお
けるＰ　（ＨＰＭＡ）乾燥厚−濃度曲線に基づき約０．
５−０．７及び０．８−１．０μｍ厚を得た。ブロッキ
ング層はドローパーコーティング（０，５ミルギヤツプ
）し、次いで標準条件で乾燥した。実施例９におけるよ
うに、ブロッキング層としてこれらのＰ　（ＨＥＭＡ）
コポリマーを用いる動機は、ＰＶＫを基剤とする発生層
に対する接着性を改良し、別個のＰ　（４ＶＰＹ）接着
層を設けるのを排除するためであった。電荷発生層及び
輸送層を実施例１で記載したようにして調製し、コーテ
ィングし、乾燥した。 ［０２２６］ 下記の操作に従い４種のコポリマーを調製した。ＨＥＭ
Ａ　（モロマーＢＭ−９２０）及びＨＰＭＡ　（モロマ
ーＢＭ−９５５）モノマーを、まず実施例４で記載した
ようにデー上ビット１００カラムを３回通し、ヒドロキ
ノンを基剤とする重合阻止剤を除去した。Ｎ−ビニルピ
ロリドン（９８％、アルドリッチケミカルから入手）モ
ノマー（〜１６ｇ）をトルエン２５０ミリリツトルに溶
解し、脱イオン水１５ミリリツトルを加えた。２種の液
層を分液ろう壬申で振盪し、０．１％ＫＯＨ重合阻害剤
をモノマー−トルエン相から水相に移した。この抽出を
２回繰り返し、トルエン層を分離し、減圧下５０℃で回
転蒸留し、共重合に適当な千ツマ−を産生じた。 ［０２２７］ ＨＥＭＡ−ＨＰＭＡ、ＨＥＭＡ−ＶＰ及びＨＰＭＡ−Ｖ
Ｐのモノマー組合せから成るコポリマーを、架橋用二官
能基ビニルモノマーをしばしば低添加量で含む（重合開
始剤は含む場合と含まない場合がある）塊状重合を６０
−７０℃で１２時間行い調製した。この操作はコンタク
トレンズや半透膜応用に適している得られるポリマーヒ
ドロゲルと共に米国特許第３．７２１．６５７号に開示
されている。 この操作を重合溶媒として１−ブチルアルコール、重合
開始剤としてＡＩＢＮ（装填総モノマー重量に対し０．
３モル％）を用い、架橋剤は添加せずに行った。アルコ
ール溶解性ビニルヒドロキシエステルを基材とする高分
子材料は、ブロッキング層を溶媒コーティングするため
に求められた。架橋剤は、ブロッキング層組成物をコー
ティングするのに使用されるコーティング溶液中の既に
形成されたポリマーに添加されてもよい。架橋は次に、
ブロッキング層コーティングから溶媒を除去する間空気
対流炉内１００−１２０℃でおこる。コポリマーブロッ
キング層応用中Ｐ　（ＨＥＭＡ）またはＰ　（ＨＰＭＡ
）繰り返し単位の架橋は、（ゲルタールアルデヒドのよ
うな）ジアルデヒドが使用される場合、アセタール基の
形成を介して達成される。 ［０２２８］ １リットル三口丸底フラスコ（実施例４で記載したよう
に装備されている）に精製ＨＥＭＡモノマー及びコモノ
マー（Ｍ２はＨＰＭＡまたはＶＰである）及びＡＩＢＮ
重合開始剤を装填した。重合溶液を重合中溶液にアルゴ
ンを通しながら磁気的に撹拌した。反応容器内容物を冷
却後、ポリマー溶液または分散物をトルエン（９，０−
９，５ｘポリマー溶液容量）中に凝固し、真空下相ガラ
スろう斗でろ過した。次に溶媒湿潤コポリマーを真空炉
内０．５ｍｍＨｇ未満、５０−７０℃で一晩乾燥した。 以下の表Ｕは調製した４種のコポリマーの重合装填、条
件及び組成結果を示す。 ［０２２９］ 【表２１】 表し ａ ｄ ×ｃ ｄ Ｐ　ＭＡ ４０．００３゜０７３Ｘ１０−’　　４４．３０３．０
７３Ｘ１０−’　１９．５７８　６６．０７）（ＰＭＡ ６０．００４．６１０ｘｌＯ−’　　２２．１６１．５
３７ｘｌＯ−’１９．５７６　６６．５０Ｐ ４０．００３．０７３ｘ１０−１！６．０７：、４４６
ｘｌＯ−’　ｔ７．５８３　５１．４０Ｐ ５０．００３．８４０Ｘ１０−’　　１０．６８９．６
００ｘｌＯ−２１７，５７９５４，１５［０２３０１ ２プル力−ＷＨ４００機器で得た１３Ｃ−ＮＭＲがら決
定した。Ｐ　（ＨＥＭＡ）及びＰ　（ＨＰＭＡ）繰り返
し単位中カルボキシル基に結合したメチレン基の積算ピ
ーク面積（３９，５ｐｐｍのＤＭＳＯ中心線に対し、そ
れぞれ６６及び６９．５ｐｐｍ　）を３１ｐｐｍでのビ
ニルピロリド中のカルボニルに結合したメチレン基の積
算ピーり面積と比較し、上表中のコポリマー組成を得た
。４種のコポリマーは実際には室温でメチレンクロリド
に不溶（初濃度０．１重量％で＜０．０２重量％溶解性
）及びトルエン（＜０．１重量％溶解性）にも同様であ
る。テトラヒドロフランには４種のコポリマーのうち３
種が不溶であるが、５９　：　４１　Ｐ　（ＨＥＭＡ−
ＨＰＭＡ）コポリマーは、テトラヒドロフランへのポリ
（２−ヒドロキシプロピルメタクリレート）の中程度の
溶解性と一致して、０．１重量％溶解した。従って、こ
れらのコポリマーブロッキング層は、メチレンクロリド
、トルエン及びほとんどの場合テトラヒドロフランに対
して溶媒バリアーとしても機能する。 ［０２３１］ ２種のＰ　（ＨＥＭＡ）コポリマーの周囲ＲＨ（１８％
）での帯電−消去サイクル電気特性を下表に示す。これ
は周囲サイクルスキャナーと導電層としてＣＩＴを用い
た。 ［０２３２］

【表２２】 表　Ｖ モル９ｉ　Ｒ、Ｕ。 Ｘ　ｅ　　　Ｐ（ＨＥＭＡ−ＨＰＭＡ）　０．５０．７
　８４０　７７０　　２７　４０Ｘｆ　　　Ｐ（ＨＩＪ
ＩＡ−ＶＰ）　　０．８−１．０　８４０　８５０　　
２４　　３５［０２３３］ 両ポリマー組成の電気的評価は、正孔注入は適当にブロ
ックされており（実施例１におけるブロッキング層なし
の同一デバイスに比べ高Ｖｏ　）　　そして０．５−１
、０μｍμｍロブロッキングに捕獲される光放電電子は
最小であることを示している。同様に、発生層内の光放
電電子捕獲（ブロッキング層ポリマーの一部が発主層に
移動する際に通常見られる）は、小さいＶＲサイクル−
アップを基にすると最小である。これらのコポリマーは
、周囲ＲＨで適当な帯電−消去電気特性とデノ゛ζイス
を日常取扱いの間完璧に維持するのに十分な界面接着力
とを提供する。 ［０２３４］

【実施例１１】 本実施例は、様々な繰り返し単位モル比で組み合わせた
Ｐ　（ＨＥＭＡ）（［η）＝０．６５４）及びポリ（エ
チルオキサゾリン）より調製した均一高分子複合体を含
む正孔ブロッキング層の調製と使用を例示する。使用し
たポリ（エチルオキサゾリン）は、ダウケミカルから入
手した分子量５００，０００を有するＰ　（ＥＯＸ）５
００であった。２種の導電層を用いな：ＩＣＰ１１７ポ
リピロール及びカーボン含浸テラドラ−（ＣＩ　Ｔ）で
ある。ＩＣＰ１１７導電層は、ポラロイドがら供給され
た分散液を５重量％に希釈し、テラドラ−（登録商標）
（１，５ミルギヤツプ）及びマイラー（０，５ミルギヤ
ツプ）にドローパーコーティングした。実施例１に記載
したようにしてＩＣＰ−１１７導電層を乾燥後、ブロッ
キング層配合物を約６．０及び３．６重量％メタノール
溶液としてドローパーコーティング（ｏ。 ５ミルバーギヤツプ）し、０．８−１．０及び０．５−
０．７μｍの乾燥厚を得な。厚さは、実施例２において
Ｐ　（ＨＰＭＡ）に関するデックドック（登録商標）調
製の曲線から見積った。２種のブロッキング層ポリマー
を適当な量で組み合わせた後メタノールを加え、混合物
を緩やかに加熱（４０−５０℃）　Ｌ、所望の固体レベ
ル溶液を得た。標準ブロッキング層乾燥条件（実施例２
）で乾燥し、次に電荷発生層及び輸送層を実施例１で記
載したようにして設けた。ブロッキング層としてＰ　（
ＥＯＸ）−Ｐ　（ＨＥＭＡ）水素結合複合体を使用の動
機は、ＰＶＫ発生層に対する接着性の改良のためであり
、Ｐ（４ＶＰ）接着層は省がれな。 ［０２３５］ ブロッキング層組成物として使用した均一な水素結合ポ
リマー複合体は下表に示す通りである。 ［０２３６］

【表２３】 表 Ｘｆａ　　　　　　５４−４６　　　４７〜５３　　　
　６．０ｘｌｂ　　　　　４３−５７　　　３６−６４
　　　５．８Ｘ？Ｃ３０−７０２５−７５５，７ ＸＩｃｉ　　　　　１６−８４　　　１３−８７　　　
　６．ＤＸＴｅ　　　　　８．５−９１．５　　　７−
９３　　　６．０Ｘｌｆ　　　　　　７−９３　　　５
．５−９４．５　　　３．６［０２３７］ ＰＥＯｘはベークライトフェノキシ樹脂〔ケスクラ（Ｋ
ｅｓｋｋｕｌａ、　Ｈ，、及びポール（Ｐａｕｌ）、　
Ｄ、　Ｒ，Ｐｒｏｃ、　Ｄｉｖ、　ＰＭＳＥ　ＡＣ３Ｍ
ｅｅｔｉｎｇ、セントルイス市、ミズーリ州、５０．１
１　　（１９８４））及びポリビニルフェノールＣＰ、
リン（Ｌｉｎ）、Ｔ、　Ｋ。 クワイ（Ｋｗｅｉ）　、Ｅ、　Ｍ、パース（Ｐｅａｒｃ
ｅ）、Ｋ、クラシュ（Ｃ１ａｓｈ）論文１０６、Ｐｏｌ
ｙｍｅｒ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　Ｄｉｖ、　１９２回　
Ｎａｔｉｏｎａｌ　ＡＣ３Ｍｅｅｔｉｎｇ、アナハイム
市、カリフォルニア州、４月　１９８６．ｌなとの非相
溶性ヒドロキシポリマーを通常相溶化することが知られ
ている。５４−４６から７−９３までの繰り返し単位モ
ル比で組これらのブレンドの０．８−１．０μｍコーテ
ィングの電子スキャン顕微鏡写真（６４０〜１０，００
０　　＞　　は、相分離がないことを示した。周囲サイ
クルスキャナーを用い、示した回数のサイクルについて
周囲及び低ＲＨの両方で帯電−消去サイクルデータを得
た。 ［０２３８］

【表２４】 Ｘｌａ”°Ｃ χＩｂ為・Ｃ ＸＩ　ｃ　”　’ ＸＩｄ暑・Ｃ Ｘ１ｄ’・Ｃ Ｘ１ｅｂ・Ｃ ＸＩ　ｅ　”　’ Ｘｌｆ’・ｄ Ｘｌｆ’・ｄ ＸＩ　ａａｎ　Ｃ Ｘ１ｂ為・Ｃ Ｘ１ｃ”°（ Ｘ）　ｄ　”−Ｃ Ｘ１ｄ為・Ｃ Ｘ１ｅ’・（ ＸＩｅｂ・Ｃ ＸＩ　ｆ　ｂ・ｄ ＸＩｆｂ・ｄ ８、５− ８、５ 響 ［０２３９］ ａ）導電性基体：　カーボン含浸テラドラ−（登録商標
）ｂ）　導電相：　　Ｉ　ＣＰ−１１７ポリピロ一ルー
ポリマー複合体Ｃ）見積りブロッキング層厚：　　０．
８−１．０ｐｍｄ）見積りブロッキング層厚：　　０．
５−０．７０／ｉｍ［０２４０１ 上記衣Ｘの電気データを検討すると、Ｈ−結合高分子複
合組成物、ＲＨ−試験条件及びブロッキング層厚の因子
にいくつかの傾向が示唆されている。ブロッキング層厚
０．８−１．０　μｍ及び周囲ＲＨ（２０−２４％）で
、デバイスＸＩ　ａ　−ＸＩ　ｅキング層成分として多
量に存在すると、正孔捕獲Ｐ（ＥＯＸ）がブロッキング
層内で（Ｈ−結合の方法によって）十分にアンカーリン
グされず、発生層及び輸送層中のコーティングの間に発
生層及び／または輸送層に移動することを示す。帯電−
消去サイクルを伴うプロセスが進むと、これらの層内で
移動Ｐ（ＥＯｘ）がテトラヒドロフラン及びメチレンク
ロリド（後で使用されるコーティング溶媒の２種）に溶
解するので、発生層及び輸送層のコーティング中にＰ（
ＥＯ）移動スＸＩ　ｅ　） 中に存在する高分子繰り返し単位が１０モル％未満に更
に減少すると、よって証明されるにすぎない。反対に、
１６モル％Ｐ（ＥＯＸ）を有するデバイスＸＩｄは低Ｒ
Ｈで高い残留電圧を有するが、周囲ＲＨではない。この
結果は、Ｐ子輸送を助けると信じられている〔１００％
Ｐ　（ＨＥＭＡ）ブロッキング層に存在する〕高密度水
酸基−水酸基水素結合を切断する。更に、デバイスは、
５％ＲＨ未満での帯電−消去に先立って１６−２４時間
５％ＲＨ未満にまず湿度を調節［０２４１］ ［０２４２］ 本実施例は、Ｐ　（ＨＥＭＡ）コポリマー及びＰ（ＨＥ
ＭＡ）−Ｐ（ＥＯＸ）水素結合高分子複合体の厚い（０
，８−１，０μｍ）ブロッキング層の使用を例示する。 ブロッキング層を強力に注入する吹き付は塗りクーポラ
スヨウ化物接地板にこでクーポラスヨウ化物コーティン
グは実施例１で記載したようにしてスプレー成形加工し
な）にドローパーコーティング（０，５ミルギヤツプ）
シた。マイラーポリエステル（Ｅ、　　Ｉデュポン）基
体を全てのデバイスに使用した。６重量％ブロッキング
層コーティング溶液は、メタノールまたはダウアノール
ＰＭ溶媒９．４ｇ中ポリマー０．６ｇＰ　（ＨＥＭＡ）
コポリマーブロッキング層溶液用の溶媒として使用した
。ブロッキング層厚は乾燥厚−濃度検量曲線から見積も
り、実施例１及び２におけるように標準乾燥条件を全て
のコーティング層について使用した。デバイスの完全さ
が日常取扱いと電気評価の間維持されたので、ブロッキ
ング層−発生層界面に接着層は必要なかった。電荷発生
層と輸送層を実施例１に記載したようにして設け、周囲
サイクルスキャナーを周囲ＲＨで帯電−消去サイクルデ
ータを得るのに用いた。下記の表Ｙの帯電−消去データ
が得られた。 ［０２４３］

【表２５】 表 コ ポリマー ＸＩＩｂ Ｐ　（ＨＥ−Ａ−ｔ（ＰＭＡ） コポリマー５９−４１ ［０２４４］ 上記ブロッキング層組成物の調製及び分析は、実施例１
　０　（ＸＩＩａ，　ＸＩＩｂ及びＸＩＩｃ）　　実施
例９　（ＸＩＩｄ）及び実施例１　１　　（ＸＩＩｅ）
で記載したようにして行った。 上記表Ｙを検討すると、Ｖｏを実施例１のブロッキング
層なしの同じデバイス（■ｏ＝９０ｖ）と比較すると、
全てのデバイスで十分な正孔ブロッキングを示している
。デバイスＸＩＩｄのＶ　　　　７０Ｖは、周囲ＲＨ帯
電ー消去試，験条件でも力Ｒ（２００） ーボン含浸テラドラ−（登録商標）（ＣＩＴ）上の同一
（厚）ブロッキング層コポリマー（実施例９中のデバイ
スＩＸｇ）でみられた■　　　値（７５Ｖ）に非常Ｒ（
２００） に近いことは興味深い。これは、ＣＩＴ及びＣｕＩのよ
うな溶媒抵抗性導電層が用いられると、ｖＲサイクル−
アップは導電層組成に関係ないことを示唆する。 ［０２４５］

【実施例１３】 本実施例は、オレフィン系フラッシュプライマーＬＥ１
６６１０の導電性カーボンブラック層（レッドスポット
ペイント及バーニッシュ）上に６４：３６　（繰ｉ１，
単位モ）’ｖ比）ＨＥＭＡ−４ＶＰ　　コポ’）マー　
　及びＰ　（ＨＥＭＡ）　及びＰ　（ＥＯｘ）の様々な
ブレンド組成物（Ｈ−結合高分子複合体）から成るブロ
ッキング層の使用を例示する。導電層を実施例１に記載
したようにしてマイラー基体上に調製し、スプレーし、
乾燥した。全てのブロッキング層組成物は３．６及び６
．０重量％のメタノール溶液によりコーティングし、そ
れぞれ０．５、−０．７及び０．８−１、０μｍ厚を得
た。ブロッキング層厚は、前記のようにして（実施例２
）乾燥厚−コーティング濃度曲線に基づいて見積もり、
標準乾燥条件を用いた。日常取扱い及び電気試験の間デ
バイスは完避に保たれたので、ブロッキング層−発生層
界面に接着層は必要なかった。電荷発生層と輸送層は実
施例１に記載したようにして設けた。周囲及び低ＲＨ帯
電−消去試験条件が周囲サイクルスキャナーを用いるデ
バイスの評価に用いられた。６４　：　３６Ｐ　（ＨＥ
ＭＡ−４ＶＰ、）コポリマーブロッキング層から成るデ
バイスについての電気的な結果は下表に示す通りである
。 ［０２４６］

【表２６】 表Ｚ ＸＩＩＩａ　　　　０．５　−０．７　　　１２　　　
　　２００　　　４６０　　　３８０　　　４３　　　
７６Ｘ１１１ｂ　　　０．８−１．０　　　１２　　　
　２００　　　７３０　　　７８０　　　４６　　　７
６ＸＩＩＴｂ　　　Ｏ，８−１，０＜５　　　　１４２
０　　　７００　　　６８０　　　５３　　　１ｉ０［
０２４７］ 薄いＰ　（ＨＥＭＡ−４ＶＰ　　）ニアポリマーブロッ
キング層（デバイスＸＩＩＩ　ａ　）の帯電−消去結果
は、正孔注入（低Ｖｏ値）はブロッキング層なしの同一
デノくイス（実施例１）よりも事実上かなりひどいこと
を示している。これは、導電層から発生層及び／または
輸送層へのこれらの層のコーティング中の正孔導電性組
成物の混合を示唆する。しかし、０．８−１．０μｍへ
のブロッキング層の厚さの増加は、上部に２層を有する
導電層組成物の混合量を減らすのに十分な厚さの導電層
を提供する。その結果、■０（１＆２００）は、ブロッ
キング層なしの同一デバイスで測定されたのより大きい
レベルに増加する。後で使用されるコーティング組成物
に対する６４　：３６Ｐ　（ＨＥＭＡ−４ＶＰ　　）コ
ポリマーブロッキング層の溶媒バリアー特性は、ブロッ
キング層が少なくとも０．８−１．０μｍであるときの
み十分である。 ［０２４８］ 周囲ＲＨでの２００サイクルのｖＲサイクル挙動（デバ
イスＸＩＩＩ　ｂ　）はデバイスＸＩＩｄ　（実施例１
２）及びデバイスＩＸｇ（実施例９）と非常に似ており
、６４：３６ＨＥＭＡ−Ｐ　（４ＶＰ　　）コポリマー
ブロッキング層がＬＥ１６６１０導電層上に十分な厚さ
であっても、導電層組成物はｖＲサイクル−アップに重
要な電気的影響はないことを示している。 ［０２４９］ 同一組成物のブロッキング層について実施例９で記載し
たように周囲ＶＲサイクルーアップは、ブロッキング組
成物の発生層及び／または輸送層へのこれらの層のコー
ティング中の移動を示唆する。次に、正孔確保がこれら
の層内においておこり、付Ｄｌ的にｖＲサイクル−アッ
プに電気的影響が観察される。低ＲＨでのよりひどい■
２サイクルーアップは、第２の捕獲機構（これは実施例
９で記載したように同一ブロッキング層電子捕獲機構で
ある）が同時に存在することを示唆する。 ［０２５０１ Ｐ　（ＨＥＭＡ）　−Ｐ　（ＥＯＸ）ポリマーブレンド
ブロッキング層を実施例１１で記載したようにして調製
し、ドローパーコーティングし、乾燥した。全てのブロ
ッキング層は６重量％メタノール溶液でコーティングし
、その厚さは前記の検量曲線（実施例２）に基づいて０
．８−１．０μｍと見積られた。帯電−消去電気的結果
を、周囲及び低ＲＨで周囲サイクルスキャナーを用いて
得、それを下表に示した。 ［０２５１］

【表２７】 表 Ａ ＸＩＩＩｃ　　　　　５４−４６　　　　　　１９　　
’　　９８０　　１３５０　　　９０　　　５００ＸＩ
ＩＩｄ　　　　　４３−５７　　　　　　１９　　１０
（）０　　１０５０　　　４０　　　１１０Ｘ［ＩＩｅ
　　　　　、３０−７０　　　　　　１９　　１０００
　　１１３０　　　３５　　　　３５）ｔＩＩＩｅ　　
　　　　３Ｏ−ＴＯ＜５　　　８８０　　　１１００　
　　４５　　　　１２５ＸＩＩＩｆ　　　　　１６−８
４　　　　　　１９　　　９００　　　９２０　　　２
５　　　　２５ＸＩＩＩｆ　　　　　　１６−８４　　
　　　　　　＜５　　　７８０　　　８６０　　　３５
５０ＸＩＩ［ｆ　　　　　　１６−８４　　　　　　　
　＜５　　８６０　　　９２０ｂ４５　　　　１１２’
ＸＩＩＩｆ　　　　　１６−８４　　　　　　２４　　
　　Ｂ２０　　　９００ｃ３５　　　　８０ｃ［０２５
２］ ａ）ポリマーブレンド中の繰り返し単位モル比ｂ）３５
１５帯電−消去サイクル後 ｃ）３０１５帯電−消去サイクル後 ［０２５３］ 上記デバイスの全ての層は、ＬＥ１６６１０カーボン［
０２５４］ 上記デバイスは全て、ＬＥ１６６１０カーボンブラック
導電層上に十分な厚さ（０，８−１，０μｍ）のブロッ
キング（バリアー）層を持つので、■　　　　は十０（
１＆２００） 分な正孔ブロッキング及び後でコーティングされる層と
導電層との混合はほとんとまたは全くないことを表わし
ている。しかし、ブロッキング層中のＰ（ＥＯＸ）含量
増加に伴う■　サイクル−アップの傾向は、同様の理由
のために、ＣＩＴ導電層で実施例１１において観察され
たのと相等しい。デバイスＸＩＩＩ　ｆは上表の作表シ
ーケンスで帯電−消去サイクルを行った。ここで各サイ
クルシーケンスにおいて■Ｒサイクルーアップは、次の
サイクルシーケンスの初めで大部分回復可能であった。 各サイクルシーケンスの間隔は便宜上の問題として２−
３日であったが、実際の■２回復時間は比較的短いだろ
う。 ［０２５５］

【実施例１４】 本実施例は、チタンコーティングマイラー（導電層と基
体の組合せ）上に正孔注入ブロッキング層としての高分
子量Ｐ　（ＨＥＭＡ）（η＝０．６５４）の使用を例示
する。Ｐ　（ＨＥＭＡ）ブロッキング層、ポリ（ビニル
ブチラール）（ＰＶＢ〕　（ＧＬ中に分散したＳｅ粒子
、及びポリカーボネート（マルコフ５０、モーベイケミ
カルから入手可能）ＣＴＬ中Ｎ、　Ｎ’−ビス−（３″
−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル’］−４
，４’　−ジアミンは全て導電性チタンがコーティング
されている基体の最上部にスプレーした。ブロッキング
層−ＣＧＬ界面には接着層は設けなかった。各層のスプ
レー成形は初めにＰ　（ＨＥＭＡ）ブロッキング層で開
始することを記載する。 ［０２５６］ ２重量％Ｐ　（ＨＥＭＡ）ブロッキング層溶液を、室温
でプロピレングリコールメチルエーテル（ダウアノール
ＰＭ、ダウケミカルから入手可能）溶媒５８８ｇ中Ｐ　
（ＨＥＭＡ）１２ｇを溶解することによって調製した。 この溶液を市販のスプレィガンとピンクスマニファクチ
ャーリング製の機器を用いてスプレーした。 モデル７７静電スプレーガンを水平レシプロケータ−を
付けて非静電モードで使用した。モデル７７ガンは、Ｎ
６３Ａ液体ノズルとＮ６３ＰＣ空気噴霧ノズルを装備し
ていた。液体は２．２ｐｓｉであり、スプレー噴霧圧は
３０ｐｓｉであった。噴霧圧３０ｐｓｉ及びファン角度
Ｏ℃で、ファン角度空気供給は噴霧ライン内の通気針で
１７０　ｃｕ、　ｆｔ、　／ｈｏｕｒが読みとられるま
で開放した。スプレーガンは自動で操作し、水平に置い
たマンドレルに右から左ヘスプレーしている間レシプロ
ケータ−で動かした（３．８　ｆｔ、　／分）。スプレ
ーする導電性基体（チタンコーティングマイラー　Ｅ、
■、デュポンから入手）シートを１２Ｏｒｐｍのスピー
ドで回転される円筒状アルミニウムマンドレルにテープ
どめした。Ｐ　（ＨＥＭＡ）ブロッキング層を１パスで
スプレーし、スプレー工程が終わった後大部分の溶媒を
フラッシュするために、溶媒湿潤コーティングを３また
は４分間回転した。部分的に乾燥しなコーティングをマ
ンドレルからはずし、空気対流炉内１１０℃で２０分間
乾燥した。このＰ　（ＨＥＭＡ）ブロッキング層の乾燥
厚は既知面積にアプライされた重量から約０．８−１．
０μｍと決定された。 ［０２５７］ 発生層（ＣＧＬ）分散物は、三方晶セレン（１３，６ｇ
）　　ポリ　（ビニルブチラール）［’Ｂ−７６、モン
サンドから入手可能、ｌ（３，５ｇ）並びにトルエン７
２．２ｇ及びテトラヒドロフラン２４．２ｇから成る混
合溶媒を数日間（２−５日間）ロールミルにかけた。こ
の濃縮分散物（１５重量％固体）は、約４５容量％三方
晶セレン及び５５容量％ポリ（ビニルブチラール）から
成っていた。スプレーに先立ち、濃縮分散物をトルエン
及びＴＨＦ　（それぞれ１４１．８ｇ）の１：１（重量
）混合物で希釈し、これを１−２分間手で撹拌し、スプ
レー可能な総置体４．３重量％の分散物を得た。 ［０２５８］ 上記分散物を市販のスプレーガンとピンクスマニファク
チャー製機器を用いてスプレーした。モデル２１非静電
スプレーガンを水平レシプロケータ−付きで使用した。 モデル２１ガンは６３Ａ液体ノズル及び６３ＰＥ空気噴
霧ノズルを装備していた。液体圧は、閉鎖位置から０．
７５回転で液体ノズルセット中ニードルバルブで５ｐｓ
ｉであった。スプレー噴霧圧は以下のように設定した。 ファン角度を０°に閉じ、空気供給は２７０　ｃｕ、　
ｆｔ、　／ｈｏｕｒで、ファン角度空気供給は噴霧ライ
ン内の通気針で３１０ｃｕ、ｆｔ、／ｈｏｕｒが読みと
られるまで開放した。スプレーガンを自動で操作し、水
平に置いたマンドレル上を右から左ヘスプレーする間レ
シプロケータ−で動かした（３．７　ｆｔ、　／分）。 マイラー基体、チタン導電層及びＰ　（ＨＥＭＡ）ブロ
ッキング層から成る部分的デバイスシートを、スプレー
している間１５０ｒｐｍのスピードで回転する円筒状ア
ルミニウムマンドレルにテープとめした。セレン−ＰＶ
Ｂ発生層を１パスでスプレーし、溶媒湿潤発生層から成
る部分的デバイスをマンドレルからはずし、空気対流炉
内１３５℃で２０分間乾燥した。このセレン−ＰＶＢ発
生層の乾燥厚は既知面積にアプライされた重量から約０
゜２６μｍと決定された。 ［０２５９］ 輸送層（ＣＴＬ）溶液は以下のように５重量％で配合し
た。ポリカーボネート（マルコフＭ−５０）　　（３６
ｇ）をメチレンクロリド６８４ｇ及び１，１．２−トリ
クロロエタン４５６ｇから成る溶媒混合物１１４０と一
緒に溶液が形成されるまで２−３日間ロールミルにかけ
た。この溶液にＮ、　Ｎ’−ビス−（３″−メチルフェ
ニル）−１：１．１’　−ビフェニル”：ｌ−４，４’
　−ジアミンを加え、混合物をさらに１晩ロールミルに
かけ、４０重量％Ｎ、　Ｎ’−ビス−（３″−メチルフ
ェニル）−［１，１’−ビフェニル、Ｉ−４，４’　−
ジアミン及び６０ｉｆ％メルロンＭ−５０固体含量から
成るスプレー可能な５重量％溶液を得た。 ［０２６０］ 上記ＣＴＬ溶液を、ビンクスから入手可能なスプレーガ
ンと補助器具を用いて再び乾燥ＣＧＬにスプレー成形し
た。モデル７７スプレーガンを同じ水平レシプロケータ
を用い非静電モード、同じピンクススプレーブースで用
いた。モデル７７スプレーガンは、０．０３５液体ノズ
ルとＮ６５ＰＢ空気噴霧ノズルを装備していた。液体圧
は８．４ｐｓｉであり、スプレー噴霧圧は６０ｐｓｉで
あった。噴霧圧６０ｐｓｉ及びファン角度Ｏ°で、ファ
ン角度空気供給を空気噴霧ライン内の通気針で１９０ｃ
ｕ、ｆｔ、／時間が読み取られるまで開放した。スプレ
ーガンを連続モードで自動で操作し、水平に置いたマン
ドレルに４パス（右から左へそして次に左から右へ２×
）スプレーする間レシプロケータ−で動がした（３．９
　ｆｔ、　／分）。スプレーする部分的に完成したデバ
イスシートを１１００ｒｐのスピードで回転させた円筒
状に置いたマンドレルにテープどめした。４パスＣＴＬ
スプレー塗布の終了後、マンドレルをスピニングをとめ
たとき、厚いＣＴＬコーティングが自重でたるまないよ
うに大部分の溶媒をフラッシュするために溶媒湿潤ＣＴ
Ｌコーティングをさらに３−４分間遠心脱水した。部分
的に乾燥したコーティングをマンドレルからはずし、空
気対流炉内４０°から１３５℃に炉内の温度を３５分か
けてゆっくり上昇させ、次に１０分間１３５℃で恒温加
熱した。ＣＴＬの乾燥厚は既知面積に適用した重量から
２３．２μｍと決定した。 ［０２６１３ スプレー成形が完了したデバイスを、周囲ＲＨ（３５％
）、低ＲＨ（５％）及び高ＲＨ（７０％）で環境サイク
ルスキャナーを用い帯電−消去サイクルを行った。様々
なＲＨテスト条件でこれら２種のデバイスについての帯
電−消去サイクルデータを下記に示した。 ［０２６２］

【表２８】 表ＢＢ デバイスＮｏ、　　　％ＲＨＸサイクル　　ｙ８□　ｙ
お。ｙゆユ　ＭゎゆＸＩＶａ　　　　、　　　３５　　
　　　１２００　　　　８Ｂ１　　　８９５　　　　７
　　　　３７０　　　　　３２００　　　　　Ｂ７６　
　９５０　　　　５　　　３０＜５　　　　３０００　
　　　９２０　　８７０　　　１５　　　１５χＩＶｂ
　　　　　　３５　　　　　３４００　　　　９０９　
　９４２　　　　５　　　　３［０２６３］ デバイスＸＩＶａは新しいＲＨ条件で帯電−消去試験す
る前に、次のＲＨ条件でかなりの平衡成立時間（〉１６
時間）放置し、指定の相対湿度シーケンス下で帯電−消
去試、験を行った。デバイスＸＩＶａは、本試験におい
て使用した全ての相対湿度で高い帯電レベルと低残留電
圧（ｖＲ）を維持した。これらの結果は、チタン導電層
からの正孔注入が実質的にＰ　（ＨＥＭＡ）ブロッキン
グ層でブロッキングされ、そして電荷捕獲が反復ゼログ
ラフィーサイクルで低く　（低ｖＲ）保たれることを示
している。 ［０２６４］ 本発明は特定の好適な具体例に言及して記載されている
カミこれらにもとより限定されるものではなく、むしろ
当業者には本発明の要旨及び特許請求の範囲内で変更及
び修飾がなされうろことが理解されるであろう。 ０発 ０発 ０発 ０発 ０発 ０発 ムラン デボラ　ジエイ　ニコ ル　ランドリ ジョセフ　マンミノ ロナルド　エフ　ジオ 口 ロバート　シー　ユー イユー カサリーン　カーマイ ケル ニール　ニス　パター ラン ド　クレストヴイユー　ドライヴ　２３アメリ力合衆国
　ニューヨーク化　１４６１２ウツド　ラン　１７６ アメリカ合衆国　ニューヨーク化　１４５２６ド　ベラ
　ドライヴ　５９ アメリカ合衆国　ニューヨーク化　１４５８０インペリ
アル　ドライヴ　１２０６ アメリ力合衆国　ニューヨーク化　１４５８０ヒデン　
ヴアリー　トレイル　１１６９アメリ力合衆国　ニュー
ヨーク化　１４５８９ン　ピース　ロード　５６８９ アメリカ合衆国　ニューヨーク化　１４５３４ド　カレ
ンダ　ラン　４８ ０チエスター ペンフィール ラブスター ウェブスター ウィリアムソ ビツツフオー

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】導電性表面を有する支持基体、ビニルヒド
   ロキシエステルまたはビニルヒドロキシアミドポリマー
   を含む電荷ブロッキング層、及び少なくとも１層の光導
   電層を有し、前記ブロッキング層は約１０＾１＾０Ω／
   □より大きい表面抵抗率を有する、電子写真像形成部材
   。
2. 【請求項２】前記ビニルヒドロキシエステルまたはビニ
   ルヒドロキシアミドポリマーは、以下の構造式： 【化１】 ▲数式、化学式、表等があります▼ ｛式中、Ｘは 【化２】 −Ｏ−Ｒ−（ＯＨ）＿ｚ−ＮＨ−Ｒ−（ＯＨ）＿ｚ−Ｎ
   Ｒ−Ｒ−（ＯＨ）＿ｚ及び▲数式、化学式、表等があり
   ます▼ から成る群から選ばれ、 （ここでＲは脂肪族基、芳香族基、複素環式脂肪族基、
   複素環式芳香族基、縮合芳香族環基及び炭素原子１０個
   までの複素環式芳香族環基から成る群から選ばれ、ｚは
   １〜１０の水酸基の数を示す）：そしてＲ′、Ｒ″及び
   Ｒ″′はそれぞれ独立に、水素、脂肪族基、芳香族基、
   複素環式脂肪族基、複素環式芳香族基、縮合芳香族環基
   及び炭素原子１０個までの複素環式芳香族環基から成る
   群から選ばれる｝ を有する少なくとも１種のモノマーの重合反応生成物で
   ある、請求項１記載の電子写真像形成部材。