JPH0397733A - ポジ型ホトレジスト材料 - Google Patents
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Landscapes
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、新規な芳香族ポリイミドに関する。
[従来の技術]
従来、集積回路など,の製造においては、種々の感放射
線性材料が使用されている。しかし、近年製造工程の変
化などにより、高い耐熱性を有する感放射線性材料が必
要となってきているが、優れた耐熱性を有する感放射線
性材料は未だ得られていない。
線性材料が使用されている。しかし、近年製造工程の変
化などにより、高い耐熱性を有する感放射線性材料が必
要となってきているが、優れた耐熱性を有する感放射線
性材料は未だ得られていない。
[発明が解決しようとする問題点]
本発明は、優れた耐熱性を有する感放射線性材料として
好適な芳香族ポリイミドに関する。
好適な芳香族ポリイミドに関する。
[問題点を解決するための手段1
本発明は、下記一般式(I)
(式中、R1〜R4は水素原子または低級アルキル基、
R5は4価の芳香族基を示す。)で表わされる繰り返し
構造単位を有し、固有粘度(30℃、N,N−ジメチル
アセトアミド中0,5g/clj!)が、0.01〜1
0准/gである芳香族ポリイミド(以下、単に「芳香族
ポリイミド」という。)を提供するものである。
R5は4価の芳香族基を示す。)で表わされる繰り返し
構造単位を有し、固有粘度(30℃、N,N−ジメチル
アセトアミド中0,5g/clj!)が、0.01〜1
0准/gである芳香族ポリイミド(以下、単に「芳香族
ポリイミド」という。)を提供するものである。
本発明において、前記一般式(I)におけるR+〜R4
の低級アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロ
ビル基などが挙げられ、これらのうちではメチル基が好
ましい。また、一般式(I)におけるR5としては、後
記する芳香族テトラカルボン酸二無水物から酸無水物基
を除去した残基を挙げることができる。
の低級アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロ
ビル基などが挙げられ、これらのうちではメチル基が好
ましい。また、一般式(I)におけるR5としては、後
記する芳香族テトラカルボン酸二無水物から酸無水物基
を除去した残基を挙げることができる。
本発明の芳香族ポリイミドは、下記の一般式(II)で
表わされる芳香族ジアミン(以下、「ジアミン■」とい
う。)を含むジアミンとR1 几2 R3 几4 (式中、R1〜R4は前記と同様である。)一般式(m
) O ○ 1111 (ここで、R5は4価の芳香族基を示す。)で表わされ
る芳香族テドラカルボン酸二無水物(以下、「カルボン
酸無水物■」という。)を含むテトラカルボン酸無水物
との反応によって製造される。
表わされる芳香族ジアミン(以下、「ジアミン■」とい
う。)を含むジアミンとR1 几2 R3 几4 (式中、R1〜R4は前記と同様である。)一般式(m
) O ○ 1111 (ここで、R5は4価の芳香族基を示す。)で表わされ
る芳香族テドラカルボン酸二無水物(以下、「カルボン
酸無水物■」という。)を含むテトラカルボン酸無水物
との反応によって製造される。
次に、ジアミン■のうちR1〜R4がメチル基の場合の
製造方法について説明する。
製造方法について説明する。
本発明においてジアミン■は、例えば1,2−ジクロロ
テトラメチルジシランと〔ビス(トリメチルシリル)ア
ミノ〕フエニルリチウムとを反応させてN,N,N’
,N’−テトラ(トリメチルシリル)ジアミンを得た後
、得られたN,N,N’ ,N’−テトラ(トリメチル
シリル)ジアミンと水とを反応させることによって製造
することができる。
テトラメチルジシランと〔ビス(トリメチルシリル)ア
ミノ〕フエニルリチウムとを反応させてN,N,N’
,N’−テトラ(トリメチルシリル)ジアミンを得た後
、得られたN,N,N’ ,N’−テトラ(トリメチル
シリル)ジアミンと水とを反応させることによって製造
することができる。
ここで、〔ビス(トリメチルシリル)アミノ〕フェニル
リチウムは、例えばブロモアニリンを塩基の存在下、夕
ロロトリメチルシランと反応させて〔ビス(トリメチル
シリル)アミノ〕プロモベンゼンとし、さらに、この〔
ビス(トリメチルシリル)アミノ〕ブロモベンゼンにブ
チルリチウムを反応させることにより得ることができる
。
リチウムは、例えばブロモアニリンを塩基の存在下、夕
ロロトリメチルシランと反応させて〔ビス(トリメチル
シリル)アミノ〕プロモベンゼンとし、さらに、この〔
ビス(トリメチルシリル)アミノ〕ブロモベンゼンにブ
チルリチウムを反応させることにより得ることができる
。
ジアミン■の製法としては、具体的には〔ビス(トリメ
チルシリル)アミノ〕ブロモベンゼンとブチルリチウム
とを、モル比で、通常1:1〜1:10、好ましくは1
:3〜1:5(〔ビス(トリメチルシリル)アミノ〕ブ
ロモベンゼン:ブチルリチウム)の割合で反応させるこ
とにより、そのリチオ体とする。この反応の温度は、通
常−100〜200であるが、−80〜80℃の温度で
行なうことが好ましい。この反応に使用しろる溶媒とし
ては、実質的にブチルリチウムと反応しない溶媒が用い
られ、特にエチルエーテル、テトラヒドロフランなどの
エーテル系溶媒が好ましい。反応時間は、用いた試薬の
量、溶媒の種類、反応温度などに大きく左右されるが、
数十分から数日間反応させることが好ましい。
チルシリル)アミノ〕ブロモベンゼンとブチルリチウム
とを、モル比で、通常1:1〜1:10、好ましくは1
:3〜1:5(〔ビス(トリメチルシリル)アミノ〕ブ
ロモベンゼン:ブチルリチウム)の割合で反応させるこ
とにより、そのリチオ体とする。この反応の温度は、通
常−100〜200であるが、−80〜80℃の温度で
行なうことが好ましい。この反応に使用しろる溶媒とし
ては、実質的にブチルリチウムと反応しない溶媒が用い
られ、特にエチルエーテル、テトラヒドロフランなどの
エーテル系溶媒が好ましい。反応時間は、用いた試薬の
量、溶媒の種類、反応温度などに大きく左右されるが、
数十分から数日間反応させることが好ましい。
次に、リチオ体を単離することなく、リチオ体と1,2
−ジクロロテトラメチルジシランとを、モル比で、通常
2:1〜5:1(リチオ体=1,2−ジクロロテトラメ
チルジシラン)の割合で反応させてN,N,N’ ,N
’−テトラ(トリメチルシリル)ジアミンとする。この
反応の温度は、通常−100〜200℃であるが、−8
0〜80℃の温度で行なうのが好ましい。この反応に使
用しうる溶媒としては、実質的にリチオ体や1,2一ク
ロロテトラメチルジシランと反応しない溶媒が用いられ
、特にエチルエーテル、テトラヒド口フランなどのエー
テル系溶媒が好ましい。また、この反応ではクラウンエ
ーテルなどのアニオン活性化剤を共存させることもでき
る。反応時間は、用いた試薬の量、溶媒の種類、反応温
度などに大きく左右されるが、数十分から数日間反応さ
せることが好ましい。
−ジクロロテトラメチルジシランとを、モル比で、通常
2:1〜5:1(リチオ体=1,2−ジクロロテトラメ
チルジシラン)の割合で反応させてN,N,N’ ,N
’−テトラ(トリメチルシリル)ジアミンとする。この
反応の温度は、通常−100〜200℃であるが、−8
0〜80℃の温度で行なうのが好ましい。この反応に使
用しうる溶媒としては、実質的にリチオ体や1,2一ク
ロロテトラメチルジシランと反応しない溶媒が用いられ
、特にエチルエーテル、テトラヒド口フランなどのエー
テル系溶媒が好ましい。また、この反応ではクラウンエ
ーテルなどのアニオン活性化剤を共存させることもでき
る。反応時間は、用いた試薬の量、溶媒の種類、反応温
度などに大きく左右されるが、数十分から数日間反応さ
せることが好ましい。
次いで、N,N,N’ ,N’−テトラ(トリメチルシ
リル)ジアミンを水を用いて加水分解する。
リル)ジアミンを水を用いて加水分解する。
用いる水の量としては、N,N,N’ ,N’ −テ1
・ラ(トリメチルシリル)ジアミンに対し最低2倍モル
必要であるが、他の溶媒と併用してもよい。
・ラ(トリメチルシリル)ジアミンに対し最低2倍モル
必要であるが、他の溶媒と併用してもよい。
ここで用いる溶媒としては、メタノール、エタノール、
ブロパノールなどのアルコール系溶媒、エチルエーテル
、テトラヒド口フラン、ジオキサンなどのエーテル系溶
媒、ベンゼン、トルエンなどの芳香族系溶媒、N,N−
ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド
などのアミド系溶媒、アセトンなどが例記できる。また
水と混合しない溶媒を使用するときには、四級アンモニ
ウム塩、クラウンエーテルなどの相間移動触媒を共存さ
せることもできる。反応時間は、用いた試薬の量、溶媒
の種類、反応温度などに大きく左右されるが、数十分か
ら数日間反応させることが好ましい。
ブロパノールなどのアルコール系溶媒、エチルエーテル
、テトラヒド口フラン、ジオキサンなどのエーテル系溶
媒、ベンゼン、トルエンなどの芳香族系溶媒、N,N−
ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド
などのアミド系溶媒、アセトンなどが例記できる。また
水と混合しない溶媒を使用するときには、四級アンモニ
ウム塩、クラウンエーテルなどの相間移動触媒を共存さ
せることもできる。反応時間は、用いた試薬の量、溶媒
の種類、反応温度などに大きく左右されるが、数十分か
ら数日間反応させることが好ましい。
本発明の芳香族ポリイミドの製造には、ジアミン■とと
もに、ジアミン■以外のジアミンを用いることもできる
。この場合、ジアミン■は、全ジアミン化合物100モ
ルに対して1モル以上、好ましくは5モル以上、特に好
ましくは50モル以上用いる。1モル未満だと、例えば
本発明の芳香族ポリイミドを感光性材料として用いたと
きに、十分な感光性を得ることができない。
もに、ジアミン■以外のジアミンを用いることもできる
。この場合、ジアミン■は、全ジアミン化合物100モ
ルに対して1モル以上、好ましくは5モル以上、特に好
ましくは50モル以上用いる。1モル未満だと、例えば
本発明の芳香族ポリイミドを感光性材料として用いたと
きに、十分な感光性を得ることができない。
前記ジアミン■以外のジアミンとしては、例えばパラフ
エニレンジアミン、メタフエニレンジアミン、4.4’
−ジアミノジフエニルメタン、4,4′−ジアミノジフ
エニルエタン、ベンジジン、4.4′−ジアミノジフエ
ニルスルフィド、4,4′−ジアミノジフエニルスルホ
ン、4.4’ジアミノジフエニルエーテル、1,5−ジ
アミノナフタレン、3,3′−ジメチル−4,4′−ジ
アミノビフエニkレ、3,4′ −ジアミノベンズアニ
リド、3.4’ −ジアミノジフエニルエーテル、3,
3′−ジアミノベンゾフエノン、3,4′ジアミノベン
ゾフエノン、4.4’ −ジアミノベンゾフエノン、
2,2−ビス(4−(4−アミノフエノキシ)フェニル
〕プロパン、ビス〔4−(4−アミノフエノキシ)フエ
ニル〕スルホン、1,4−ビス(4−アミノフエノキシ
)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフエノキシ)ベ
ンゼン、1,3−ビス(3−アミノフエノキシ)ベンゼ
ン、9,9−ビス(4−アミノフエニル)−10−ヒド
ローアントラセン、9,9−ビス(4−アミノフェニル
)フルオレン、4.4’ −メチレンービス(2−クロ
ロアニリン)、2.2’ ,5.5’ーテトラクロ口−
4,4′−ジアミノビフェニル、2,2′−ジクロロー
4,4−ジアミノ−5,5′−ジメトキシビフエニル、
3.3′ −ジメトキシ−4,4′−ジアミノビフエニ
ル、2.2−ビス(4−アミノフェニル)へキサフルオ
ロプロパン、2,2′−ビス(4−(4−アミノフエノ
キシ)フエニル〕へキサフルオロプロパンなどの芳香族
ジアミン、1,1′ −メタキシリレンジアミン、1,
3−プロパンジアミン、テトラメチレンジアミン、ペン
タメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタ
メチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメチ
レンジアミン、4,4′−ジメチルへブタメチレンジア
ミン、1,4一ジアミノシク口ヘキサン、イソホロンジ
アミン、テトラヒドロジシクロベンタジェニレンジアミ
ン、ヘキサヒド口−4.7−メタノインダニレンジメチ
レンジアミン、トリシクロ(6,2,1,02,7)一
ウンデシレンジメチルジアミンなどの脂肪族または脂環
式ジアミン;下記式 (ココテ、R′は炭素数1〜3のアルキレン基、R′は
炭素数1〜12のアルキル基または芳香族基を、mは1
〜20の数を示す。) で表わされるジアミノオルガノシロキサンなどを挙げる
ことができる。
エニレンジアミン、メタフエニレンジアミン、4.4’
−ジアミノジフエニルメタン、4,4′−ジアミノジフ
エニルエタン、ベンジジン、4.4′−ジアミノジフエ
ニルスルフィド、4,4′−ジアミノジフエニルスルホ
ン、4.4’ジアミノジフエニルエーテル、1,5−ジ
アミノナフタレン、3,3′−ジメチル−4,4′−ジ
アミノビフエニkレ、3,4′ −ジアミノベンズアニ
リド、3.4’ −ジアミノジフエニルエーテル、3,
3′−ジアミノベンゾフエノン、3,4′ジアミノベン
ゾフエノン、4.4’ −ジアミノベンゾフエノン、
2,2−ビス(4−(4−アミノフエノキシ)フェニル
〕プロパン、ビス〔4−(4−アミノフエノキシ)フエ
ニル〕スルホン、1,4−ビス(4−アミノフエノキシ
)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフエノキシ)ベ
ンゼン、1,3−ビス(3−アミノフエノキシ)ベンゼ
ン、9,9−ビス(4−アミノフエニル)−10−ヒド
ローアントラセン、9,9−ビス(4−アミノフェニル
)フルオレン、4.4’ −メチレンービス(2−クロ
ロアニリン)、2.2’ ,5.5’ーテトラクロ口−
4,4′−ジアミノビフェニル、2,2′−ジクロロー
4,4−ジアミノ−5,5′−ジメトキシビフエニル、
3.3′ −ジメトキシ−4,4′−ジアミノビフエニ
ル、2.2−ビス(4−アミノフェニル)へキサフルオ
ロプロパン、2,2′−ビス(4−(4−アミノフエノ
キシ)フエニル〕へキサフルオロプロパンなどの芳香族
ジアミン、1,1′ −メタキシリレンジアミン、1,
3−プロパンジアミン、テトラメチレンジアミン、ペン
タメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタ
メチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメチ
レンジアミン、4,4′−ジメチルへブタメチレンジア
ミン、1,4一ジアミノシク口ヘキサン、イソホロンジ
アミン、テトラヒドロジシクロベンタジェニレンジアミ
ン、ヘキサヒド口−4.7−メタノインダニレンジメチ
レンジアミン、トリシクロ(6,2,1,02,7)一
ウンデシレンジメチルジアミンなどの脂肪族または脂環
式ジアミン;下記式 (ココテ、R′は炭素数1〜3のアルキレン基、R′は
炭素数1〜12のアルキル基または芳香族基を、mは1
〜20の数を示す。) で表わされるジアミノオルガノシロキサンなどを挙げる
ことができる。
本発明に用いるカルボン酸無水物■とじては、4.4′
−ビス(3.4−ジカルボキシフエノキシ)ジフエニル
スルフィドニ無水物、4,4’ビス(3,4−ジカルボ
キシフエノキシ)ジフエニルスルホン酸二無水物、4.
4′−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ジフエ
ニルブロバンニ無水物、3.3’ .4.4’ −パ
ーフルオロイソプ口ピリデンテトラカルボン酸二無水物
、3,3’ ,4.4’ −ビフエニルエーテルテトラ
カルボン酸二無水物、ビス(フタル酸)フェニルホスフ
ィンオキシドニ無水物、p−フエニレンービス(トリフ
エニルフタル酸)二無水物,m−フエニレンービス(ト
リフエニルフタル酸)二無水物、ビス(トリフエニルフ
タル酸)−4.4’ −ジフエニルエーテルニ無水物、
ビス(トリフエニルフタル酸)−4.4’ −ジフエニ
ルメタンニ無水物、ピロメリット酸二無水物、3.3’
,4.4’ビフエニルテトラカルボン酸二無水物、3
,3′4.4′−ベンゾフエノンテトラカルボン酸二無
水物、3.3’ ,4.4’ −ビフエニルスルホンテ
トラカルボン酸二無水物、1, 4, 5. 8−
ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2, 3,
6.7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、3,
3’ 4.4’ −ジメチルジフェニルシランテトラ
カルボン酸二無水物、3.3’ ,4.4’ −テトラ
フエニルシランテトラカルボン酸二無水物などの芳香族
テトラカルボン酸二無水物を挙ケることができる。
−ビス(3.4−ジカルボキシフエノキシ)ジフエニル
スルフィドニ無水物、4,4’ビス(3,4−ジカルボ
キシフエノキシ)ジフエニルスルホン酸二無水物、4.
4′−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ジフエ
ニルブロバンニ無水物、3.3’ .4.4’ −パ
ーフルオロイソプ口ピリデンテトラカルボン酸二無水物
、3,3’ ,4.4’ −ビフエニルエーテルテトラ
カルボン酸二無水物、ビス(フタル酸)フェニルホスフ
ィンオキシドニ無水物、p−フエニレンービス(トリフ
エニルフタル酸)二無水物,m−フエニレンービス(ト
リフエニルフタル酸)二無水物、ビス(トリフエニルフ
タル酸)−4.4’ −ジフエニルエーテルニ無水物、
ビス(トリフエニルフタル酸)−4.4’ −ジフエニ
ルメタンニ無水物、ピロメリット酸二無水物、3.3’
,4.4’ビフエニルテトラカルボン酸二無水物、3
,3′4.4′−ベンゾフエノンテトラカルボン酸二無
水物、3.3’ ,4.4’ −ビフエニルスルホンテ
トラカルボン酸二無水物、1, 4, 5. 8−
ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2, 3,
6.7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、3,
3’ 4.4’ −ジメチルジフェニルシランテトラ
カルボン酸二無水物、3.3’ ,4.4’ −テトラ
フエニルシランテトラカルボン酸二無水物などの芳香族
テトラカルボン酸二無水物を挙ケることができる。
本発明の芳香族ポリイミドの製造には、カルボン酸無水
物■とともに、カルボン酸無水物■以外のテトラカルボ
ン酸無水物を用いることもできる。
物■とともに、カルボン酸無水物■以外のテトラカルボ
ン酸無水物を用いることもできる。
この場合、カルボン酸無水物■は、全テトラヵルボン酸
無水物100モル中に、通常5モル以上、好ましくは1
0モル以」二、特に好ましくは50モル以上用いる。5
モル未満だと、耐熱性に優れた芳香族ポリイミドを得る
ことが難しい。
無水物100モル中に、通常5モル以上、好ましくは1
0モル以」二、特に好ましくは50モル以上用いる。5
モル未満だと、耐熱性に優れた芳香族ポリイミドを得る
ことが難しい。
カルボン酸無水物■以外のテトラカルボン酸無水物とし
ては、1, 2, 3. 4−シクロブタンテトラ
カルボン酸二無水物、1, 2, 3. 4−シク
ロベンクンテトラカルボン酸二無水物、2,3,5−ト
リカルボキシシクロベンチル酢酸二無水物、3,5.6
−}リカルボキシーノルボルナンー2一酢酸二無水物、
5− (2.5−ジオキソテトラヒドロフリル)−3−
メチルーシクロヘキセンジカルボン酸二無水物、ビシク
ロC2. 2. 2) −オクトー7−エンーテト
ラカルボン酸二無水物、1,2,3.4−フランテトラ
カルボン酸二無水物などの脂環式テトラカルボン酸二無
水物;ブタンテトラカルボン酸二無水物、3.3’ ,
4.4′ −パーフルオロイソブ口ピリデンテトラカル
ボン酸二無水物などの脂肪族テトラカルボン酸二無水物
などを挙げることができる。
ては、1, 2, 3. 4−シクロブタンテトラ
カルボン酸二無水物、1, 2, 3. 4−シク
ロベンクンテトラカルボン酸二無水物、2,3,5−ト
リカルボキシシクロベンチル酢酸二無水物、3,5.6
−}リカルボキシーノルボルナンー2一酢酸二無水物、
5− (2.5−ジオキソテトラヒドロフリル)−3−
メチルーシクロヘキセンジカルボン酸二無水物、ビシク
ロC2. 2. 2) −オクトー7−エンーテト
ラカルボン酸二無水物、1,2,3.4−フランテトラ
カルボン酸二無水物などの脂環式テトラカルボン酸二無
水物;ブタンテトラカルボン酸二無水物、3.3’ ,
4.4′ −パーフルオロイソブ口ピリデンテトラカル
ボン酸二無水物などの脂肪族テトラカルボン酸二無水物
などを挙げることができる。
芳香族ポリイミドの製造は、具体的には、例えばG機溶
媒中、ジアミン■を含むジアミンとカルボン酸無水物■
を含むテトラカルボン酸無水物を、モル比(ジアミン;
テトラカルボン酸無水物)で通常1:0.5〜1:2、
好ましくは1:0.8〜1:1.2の割合で、−20〜
200℃で数分間から数日間反応させることによって、
芳香族ポリイミドの前駆体である下記一般式(IV)で
表わされる繰り返し構造単位を有するポリアミッ酸を製
造し、該ポリアミック酸を脱水縮合反応に供することに
より行なわれる。
媒中、ジアミン■を含むジアミンとカルボン酸無水物■
を含むテトラカルボン酸無水物を、モル比(ジアミン;
テトラカルボン酸無水物)で通常1:0.5〜1:2、
好ましくは1:0.8〜1:1.2の割合で、−20〜
200℃で数分間から数日間反応させることによって、
芳香族ポリイミドの前駆体である下記一般式(IV)で
表わされる繰り返し構造単位を有するポリアミッ酸を製
造し、該ポリアミック酸を脱水縮合反応に供することに
より行なわれる。
(式中、R1〜R5は前記と同様である。)反応の際に
用いる有機溶媒は、生戊するボリマーを溶解するもので
あればよく、例えばN−メチル−2−ビロリドン、N,
N−ジメチルアセl・アミド、N,N−ジメチルホルム
アミド、ジメチルスルホキシド、γ−プチロラクトン、
テトラメチル尿素、ビス(メトキシエチル)エーテル、
テトラヒド口フラン、クロロホルム、1,4−ジオキサ
ン、ビリジンなどの有機溶媒を挙げる二とができる。な
お、この有機溶媒には、そのほかの一般的な有機溶媒で
あるアセトン、メチルエチルケ1・ン、メチルイソブチ
ルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル
、酢酸ブチル、シュウ酸ジエチル、マロン酸ジエチル、
ジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテ
ル、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジ
エチレングリコールジメチルエーテル、ジクロルメタン
、1,2−ジクロルエタン、1,4−ジクロルブタン、
トリクロルエタン、クロルベンゼン、0−ジクロルベン
ゼン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ベンゼン、t−
ブチルベンゼン、トルエン、キシレンなどもポリマーを
析出させない程度に混合して使用することができる。
用いる有機溶媒は、生戊するボリマーを溶解するもので
あればよく、例えばN−メチル−2−ビロリドン、N,
N−ジメチルアセl・アミド、N,N−ジメチルホルム
アミド、ジメチルスルホキシド、γ−プチロラクトン、
テトラメチル尿素、ビス(メトキシエチル)エーテル、
テトラヒド口フラン、クロロホルム、1,4−ジオキサ
ン、ビリジンなどの有機溶媒を挙げる二とができる。な
お、この有機溶媒には、そのほかの一般的な有機溶媒で
あるアセトン、メチルエチルケ1・ン、メチルイソブチ
ルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル
、酢酸ブチル、シュウ酸ジエチル、マロン酸ジエチル、
ジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテ
ル、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジ
エチレングリコールジメチルエーテル、ジクロルメタン
、1,2−ジクロルエタン、1,4−ジクロルブタン、
トリクロルエタン、クロルベンゼン、0−ジクロルベン
ゼン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ベンゼン、t−
ブチルベンゼン、トルエン、キシレンなどもポリマーを
析出させない程度に混合して使用することができる。
こうして得られたポリアミック酸は、脱水剤と塩基性触
媒とにより有機溶媒中で脱水閉環させることによって、
本発明の芳香族ポリイミドになる。
媒とにより有機溶媒中で脱水閉環させることによって、
本発明の芳香族ポリイミドになる。
ここで脱水剤としては、無水酢酸、無水プロピオン酸、
無水トリフルオロ酢酸などの酸無水物を用いることがで
きる。また、塩基性触媒としては特に限定されるもので
はないが、ピリジン、コリジン、ルチジン、トリエチル
アミンなどの3級アミンを用いることができる。
無水トリフルオロ酢酸などの酸無水物を用いることがで
きる。また、塩基性触媒としては特に限定されるもので
はないが、ピリジン、コリジン、ルチジン、トリエチル
アミンなどの3級アミンを用いることができる。
前記脱水剤の使用量は、ポリアミック酸の脱水閉環する
カルボキシル基1等量に対して0.8〜10等量であり
、前記塩基性触媒の使用量は溶解する有機溶媒中で、使
用する脱水剤の0. 5から20倍等量であり、反応
温度は、通常−20〜200℃である。反応に用いる有
機溶媒は、ポリアミック酸の製造に用いたのと同じ溶媒
を用いることができる。
カルボキシル基1等量に対して0.8〜10等量であり
、前記塩基性触媒の使用量は溶解する有機溶媒中で、使
用する脱水剤の0. 5から20倍等量であり、反応
温度は、通常−20〜200℃である。反応に用いる有
機溶媒は、ポリアミック酸の製造に用いたのと同じ溶媒
を用いることができる。
本発明の芳香族ポリイミドの固有粘度は、通常0.01
〜10df!/g,好ましくは0.05〜5de/g(
30℃、N,N−ジメチルアセトアミド中0.5g/一
)ある。この固有粘度が0,01clf/g未満である
と、得られた成形品の機械的特性や耐熱性が不十分とな
り、またlodl/gを超えると有機溶媒への溶解性が
低下する。
〜10df!/g,好ましくは0.05〜5de/g(
30℃、N,N−ジメチルアセトアミド中0.5g/一
)ある。この固有粘度が0,01clf/g未満である
と、得られた成形品の機械的特性や耐熱性が不十分とな
り、またlodl/gを超えると有機溶媒への溶解性が
低下する。
本発明の芳香族ポリイミドは、使用したテトラカルボン
酸二無水物の種類によりその溶解性が変化するが、N,
N’−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセト
アミド、ジメチルスルホキシド、ピリジンなどの溶媒の
すべてに、または一部に可溶となる。また、本発明の芳
香族ポリイミドは、紫外線、xHなどの放射線の照射に
より分子量の低下が認められる。さらに、本発明の芳香
族ポリイミドは200〜250℃付近の高いガラス転移
点を有し、350〜400℃付近まで加熱しても顕著な
重量変化は認められない。
酸二無水物の種類によりその溶解性が変化するが、N,
N’−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセト
アミド、ジメチルスルホキシド、ピリジンなどの溶媒の
すべてに、または一部に可溶となる。また、本発明の芳
香族ポリイミドは、紫外線、xHなどの放射線の照射に
より分子量の低下が認められる。さらに、本発明の芳香
族ポリイミドは200〜250℃付近の高いガラス転移
点を有し、350〜400℃付近まで加熱しても顕著な
重量変化は認められない。
[実 施 例]
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
合戊例1
1,2−ビス(アミノフエニル)テトラメチルジンラン
の合成 p一〔ビス(トリメチルシリル)アミノ〕ブロモベンゼ
ン21. 356g (67. 5mmol)を、
150mj!のエチルエーテルに溶解した溶液に窒素気
流下、−10℃で42. 2ml (67. 5mm
ol)のブチルリチウム溶液(1.6モル濃度のヘキサ
ン溶液)を滴下した。滴下終了後、0゜Cで2時間撹袢
したところ、4−〔ビス(トリメチルシリル)アミノ〕
フエニルリチウムの溶液が得られた。引き続き、この溶
液に1,2−ジクロロテトラメチルジシラン6.311
g (33.75mmol)を0゜Cで滴下し、0゜C
で2時間、25゜Cで12時間、加熱還流下で1時間撹
拌した。精製した白色沈殿を分離後、液相を蒸留精製し
、156゜C/0. ITorrの留分を捕集した。
の合成 p一〔ビス(トリメチルシリル)アミノ〕ブロモベンゼ
ン21. 356g (67. 5mmol)を、
150mj!のエチルエーテルに溶解した溶液に窒素気
流下、−10℃で42. 2ml (67. 5mm
ol)のブチルリチウム溶液(1.6モル濃度のヘキサ
ン溶液)を滴下した。滴下終了後、0゜Cで2時間撹袢
したところ、4−〔ビス(トリメチルシリル)アミノ〕
フエニルリチウムの溶液が得られた。引き続き、この溶
液に1,2−ジクロロテトラメチルジシラン6.311
g (33.75mmol)を0゜Cで滴下し、0゜C
で2時間、25゜Cで12時間、加熱還流下で1時間撹
拌した。精製した白色沈殿を分離後、液相を蒸留精製し
、156゜C/0. ITorrの留分を捕集した。
得られた化合物は、赤外吸収スペクトルデータから1,
2−ビス(4−N,N−ジ(トリメチルシリル)アミノ
フエニル〕テトラメチルジシランであると同定された。
2−ビス(4−N,N−ジ(トリメチルシリル)アミノ
フエニル〕テトラメチルジシランであると同定された。
次に、得られた1,2〜ビス[4−N,N−ジ(トリメ
チルシリル)アミノフェニル〕テトラメチルジシラン2
0gを10重量%の水を含むアセトン200ml中に溶
解し、溶媒を減圧留去することで加水分解し、下記式で
表わされる1,2−ビス(4−アミノフエニル)テトラ
メチルジシランを得た。このものを、さらにヘキサンよ
り再粘晶することにより精製した。
チルシリル)アミノフェニル〕テトラメチルジシラン2
0gを10重量%の水を含むアセトン200ml中に溶
解し、溶媒を減圧留去することで加水分解し、下記式で
表わされる1,2−ビス(4−アミノフエニル)テトラ
メチルジシランを得た。このものを、さらにヘキサンよ
り再粘晶することにより精製した。
以下に、得られた1,2−ビス(4−アミノフエニル)
テトラメチルジシランの性質を示す。
テトラメチルジシランの性質を示す。
融点:108〜110゜C
Hl−NMR(CDC]3) [ δ、 ppII
l コ :0.25 (12H)、3.50 (4H
)、6.75ppm (8H) UVスペクトル: 262nm(テトラヒド口フラン中) (ε =23254) max 分子量=300 元素分析値: C H N 計算値(%) 83.94 8.05実測値(
%) 64.24 8.669.32 8.87 CH3 CH3 実施例1 (111.2−ビス(4−アミノフエニル)テトラメチ
ルジシラン0.902gとビロメリット酸二無水物0.
654gを12mlのN, N−ジメチルアセトアミド
中に溶解させ、10℃で1時間、さらに20℃で3時間
、窒素下で撹拌しながら反応させた。反応後に、反応液
へ多量の蒸留水中に注ぎ、ポリアミック酸を析出させ、
グラスフィルターで戸別し、さらに多量の水で洗浄した
後、デシケータ内で48時間減圧乾燥した。収率は99
%であった。
l コ :0.25 (12H)、3.50 (4H
)、6.75ppm (8H) UVスペクトル: 262nm(テトラヒド口フラン中) (ε =23254) max 分子量=300 元素分析値: C H N 計算値(%) 83.94 8.05実測値(
%) 64.24 8.669.32 8.87 CH3 CH3 実施例1 (111.2−ビス(4−アミノフエニル)テトラメチ
ルジシラン0.902gとビロメリット酸二無水物0.
654gを12mlのN, N−ジメチルアセトアミド
中に溶解させ、10℃で1時間、さらに20℃で3時間
、窒素下で撹拌しながら反応させた。反応後に、反応液
へ多量の蒸留水中に注ぎ、ポリアミック酸を析出させ、
グラスフィルターで戸別し、さらに多量の水で洗浄した
後、デシケータ内で48時間減圧乾燥した。収率は99
%であった。
得られたポリアミック酸の溶液粘度は、N, Nージメ
チルアセトアミド中、0.5g/一の濃度、30℃で測
定したところ、0.85dff/gであった。またIR
スペクトルは、3300cm−’にOHの伸縮振動を、
1 6 5 6cm−1にNHCOの振動を、および1
7 1 7cm”にCOOHに基づ<CO基の伸縮振
動を示し、生成物がポリアミック酸であることを示した
。
チルアセトアミド中、0.5g/一の濃度、30℃で測
定したところ、0.85dff/gであった。またIR
スペクトルは、3300cm−’にOHの伸縮振動を、
1 6 5 6cm−1にNHCOの振動を、および1
7 1 7cm”にCOOHに基づ<CO基の伸縮振
動を示し、生成物がポリアミック酸であることを示した
。
(2) (11で得られたポリアミック酸1.556
gを無水酢酸/ビリジン/ベンゼン(重量比、1/1/
3)混合液37gに溶解させ、室温で一昼夜反応させた
。反応溶液を多量の蒸留水中に注ぎ、芳香族ポリイミド
を析出させ、グラスフィルターで戸別し、さらに多量の
水で洗浄した後、デシケータ内で48時間減圧乾燥し、
芳香族ポリイミドを得た。収率は100%であった。
gを無水酢酸/ビリジン/ベンゼン(重量比、1/1/
3)混合液37gに溶解させ、室温で一昼夜反応させた
。反応溶液を多量の蒸留水中に注ぎ、芳香族ポリイミド
を析出させ、グラスフィルターで戸別し、さらに多量の
水で洗浄した後、デシケータ内で48時間減圧乾燥し、
芳香族ポリイミドを得た。収率は100%であった。
以下に、得られた芳香族ポリイミドの性質を示す。
ガラス転移温度=304°C (TMA)重量減少開始
温度:421℃(N2下)、410℃(Air下) 分解開始温度=552°C(N2下)、5039C(A
ir下) 赤外吸収スペクトル: 1 7 2 5cm−’(ν
、伸縮振動) C=O 元素分析値:CHO 計算値(%) 84.70 4.59 5.8
0実測値(%’) 64.43 4.58 5
.82実施例2〜4 (1)実施例1(1)において、ピロメリット酸二無水
物の代わりに、表−1に示す芳香族テトラカルボン酸二
無水物を用いた以外は、実施例1(1)と同じ条件でポ
リアミック酸を合成した。
温度:421℃(N2下)、410℃(Air下) 分解開始温度=552°C(N2下)、5039C(A
ir下) 赤外吸収スペクトル: 1 7 2 5cm−’(ν
、伸縮振動) C=O 元素分析値:CHO 計算値(%) 84.70 4.59 5.8
0実測値(%’) 64.43 4.58 5
.82実施例2〜4 (1)実施例1(1)において、ピロメリット酸二無水
物の代わりに、表−1に示す芳香族テトラカルボン酸二
無水物を用いた以外は、実施例1(1)と同じ条件でポ
リアミック酸を合成した。
(2)実施例1(2)で用いたポリアミック酸の代わり
に、得られた各ポリアミック酸を表−2に示す量を用い
て、実施例1(2)と同様に芳香族ポリイミドを合成し
た。得られた芳香族ポリイミドの性質を表−2に示す。
に、得られた各ポリアミック酸を表−2に示す量を用い
て、実施例1(2)と同様に芳香族ポリイミドを合成し
た。得られた芳香族ポリイミドの性質を表−2に示す。
以下余白
試験例
実施F1 4 (11で得られたポリアミック酸O.↓
gおよび実施例4(2)で得られたポリイミド0.1g
を、それぞれ10m1のN,N−ジメチルアセトアミド
に溶解させ、石英ガラスに入れた。石英ガラスから8c
mの距離で400Wの高圧水銀灯を照射し、照射時間に
対するポリマーの粘度低下を調べ、感光性を評価した。
gおよび実施例4(2)で得られたポリイミド0.1g
を、それぞれ10m1のN,N−ジメチルアセトアミド
に溶解させ、石英ガラスに入れた。石英ガラスから8c
mの距離で400Wの高圧水銀灯を照射し、照射時間に
対するポリマーの粘度低下を調べ、感光性を評価した。
ポリマー溶液を入れた石英ガラスは水冷し、光照射によ
ってポリマーの粘度低下を生じ、感光性を示すことを確
認した。図1に照射時間に対する粘度変化の変化を示し
た。
ってポリマーの粘度低下を生じ、感光性を示すことを確
認した。図1に照射時間に対する粘度変化の変化を示し
た。
[発明の効果コ
本発明の芳香族ポリイミドは、優れた耐熱性を6し、さ
らに放射線感応性も有するため、例えばボジ型レジスト
として好適である。
らに放射線感応性も有するため、例えばボジ型レジスト
として好適である。
図1は、試験例における紫外線照射時間とポリイミド溶
液およびポリアミック酸溶液の固有粘度との関係を示す
図である。
液およびポリアミック酸溶液の固有粘度との関係を示す
図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下記一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R^1〜R^4は水素原子または低級アルキル
基、R^5は4価の芳香族基を示す。)で表わされる繰
り返し構造単位を有し、固有粘度(30℃、N,N−ジ
メチルアセトアミド中0.5g/dl)が、0.01〜
10dl/gである芳香族ポリイミド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1235425A JP2712621B2 (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | ポジ型ホトレジスト材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1235425A JP2712621B2 (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | ポジ型ホトレジスト材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0397733A true JPH0397733A (ja) | 1991-04-23 |
JP2712621B2 JP2712621B2 (ja) | 1998-02-16 |
Family
ID=16985919
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1235425A Expired - Lifetime JP2712621B2 (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | ポジ型ホトレジスト材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2712621B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02305821A (ja) * | 1989-05-18 | 1990-12-19 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 感光性共重合体組成物 |
JPH03170400A (ja) * | 1989-08-25 | 1991-07-23 | Toshiba Corp | ポリイミド薄膜の製造方法及びポリイミド液晶配向膜の製造方法 |
-
1989
- 1989-09-11 JP JP1235425A patent/JP2712621B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02305821A (ja) * | 1989-05-18 | 1990-12-19 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 感光性共重合体組成物 |
JPH03170400A (ja) * | 1989-08-25 | 1991-07-23 | Toshiba Corp | ポリイミド薄膜の製造方法及びポリイミド液晶配向膜の製造方法 |
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JP2712621B2 (ja) | 1998-02-16 |
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