JPH0397218A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0397218A JPH0397218A JP23522589A JP23522589A JPH0397218A JP H0397218 A JPH0397218 A JP H0397218A JP 23522589 A JP23522589 A JP 23522589A JP 23522589 A JP23522589 A JP 23522589A JP H0397218 A JPH0397218 A JP H0397218A
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- JP
- Japan
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- wall
- gas
- substrate
- semiconductor substrate
- liquid
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- Pending
Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
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- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、液体塗布に用いる半導体製造装置に関するも
のである。
のである。
従来の技術
以下、従来の液体塗布に用いる半導体txt造装置につ
いて説明する. 第3図は従来の液体塗布に用いる半導体製造装置の外観
を示す斜視図である.第3図において、円筒状の外壁1
の上面中央位置に貫通して吐出口2が設けられ、この吐
出口2から現像液などの液体が吐出される.この外壁1
内には、吐出口2下方位置に基板Kl!f台3が回転可
能に設けられ、この基板載置台3の上面には半導体基板
4が栽置されている. 液体は吐出口2より半導体基板4上の中央位置に吐出さ
れ、かつ半導体基板4は基板載置台3とともに回転する
ことにより、半導体基板4上に吐出された液体は遠心力
で均一に拡げられて半導体基板4上に塗布され、液体層
5が形成される.発明が解決しようとする課題 しかしながら上記従来の構成では、半導体基板4が回転
するときに、その上面中央位置に吐出された余分な液体
は遠心力により外方へ飛び散るとともに、外壁1に衝突
してはね返り、再び半導体基板4上に飛び散って付着し
、液体層が不均一となり、パターン不良を発生するとい
う問題を有していた. 本発明は上記従来の問題を解決するもので、半導体基板
上に塗布される液体層の均一性を保持することができて
パターン不良が防止でき、歩留の向上を図ることができ
る半導体製造装置を提供することを目白勺とするもので
ある. 課題を解決するための手段 上記課題を解決するために本発明の半導体製造装置は、
環状の外壁と内壁との間に形或され、端に気体流入口を
有し、他端に環状の気体流出口を有する通路と、半導体
基板を上面に固定して回転し、周辺部が前記気体流出口
近傍位置で前記通路に臨むとともに、前記回転により前
記気体流入口から気体流出口への気体の流れを発生させ
る基板載置台と、前記基板中央位置の上方に設けられ、
前記半導体基板上に液体を吐出する吐出口とを備えたも
のである。
いて説明する. 第3図は従来の液体塗布に用いる半導体製造装置の外観
を示す斜視図である.第3図において、円筒状の外壁1
の上面中央位置に貫通して吐出口2が設けられ、この吐
出口2から現像液などの液体が吐出される.この外壁1
内には、吐出口2下方位置に基板Kl!f台3が回転可
能に設けられ、この基板載置台3の上面には半導体基板
4が栽置されている. 液体は吐出口2より半導体基板4上の中央位置に吐出さ
れ、かつ半導体基板4は基板載置台3とともに回転する
ことにより、半導体基板4上に吐出された液体は遠心力
で均一に拡げられて半導体基板4上に塗布され、液体層
5が形成される.発明が解決しようとする課題 しかしながら上記従来の構成では、半導体基板4が回転
するときに、その上面中央位置に吐出された余分な液体
は遠心力により外方へ飛び散るとともに、外壁1に衝突
してはね返り、再び半導体基板4上に飛び散って付着し
、液体層が不均一となり、パターン不良を発生するとい
う問題を有していた. 本発明は上記従来の問題を解決するもので、半導体基板
上に塗布される液体層の均一性を保持することができて
パターン不良が防止でき、歩留の向上を図ることができ
る半導体製造装置を提供することを目白勺とするもので
ある. 課題を解決するための手段 上記課題を解決するために本発明の半導体製造装置は、
環状の外壁と内壁との間に形或され、端に気体流入口を
有し、他端に環状の気体流出口を有する通路と、半導体
基板を上面に固定して回転し、周辺部が前記気体流出口
近傍位置で前記通路に臨むとともに、前記回転により前
記気体流入口から気体流出口への気体の流れを発生させ
る基板載置台と、前記基板中央位置の上方に設けられ、
前記半導体基板上に液体を吐出する吐出口とを備えたも
のである。
作用
上記梢成により、半導体基板上に均一な液体層を形成す
るために基板載置台が回転したときに環状の外壁と内壁
との間に形成された通路に気体流が発生し、気体通路の
流入口から流入した気体は通路を通って流出口から排出
されるので、半導体基板上の余分な液体が飛び敗っても
、液体はこの気体流に乗って流出口の方向に送られ、再
びはね返って半導体基板上に飛び散り付着することを減
少させ、半導体基板上の液体の均一性は保持されて、パ
ターン不良は防止されることになる。
るために基板載置台が回転したときに環状の外壁と内壁
との間に形成された通路に気体流が発生し、気体通路の
流入口から流入した気体は通路を通って流出口から排出
されるので、半導体基板上の余分な液体が飛び敗っても
、液体はこの気体流に乗って流出口の方向に送られ、再
びはね返って半導体基板上に飛び散り付着することを減
少させ、半導体基板上の液体の均一性は保持されて、パ
ターン不良は防止されることになる。
実施例
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する. 第1図および第2図は本発明の一実施例の液体塗布に用
いる半導体製造装置の断面図および一部断面斜視図であ
る.第1図および第2図において、11は気体の流れを
妨げない曲面を内面に有する逆ロート状の外壁、12は
中央部を貫通して現象液などを吐出する吐出口13を有
し、気体の流れを妨げない曲面を外面に有して外壁11
の内開に配置される逆ロート状の内壁であり、この環状
の外壁11と内壁12との間に形成された気体通路14
には、上方端に環状の気体流入口15が設けられ、下方
端に環状の気体流出口16が設けられている.内壁12
の下方には上面に半導体基板17が載置された回転可能
な基板載置台18が設けられ、この基板載置台18の周
辺部には気体を下方に送るための羽根19が設けられる
とともに、この周辺部は環状の気体流出口16の近傍位
置で、気体流路14に臨むように配置され、基板載置台
18が回転したとき、羽根1つによって気体通1%14
に気体流を発生させ、気体流入口15から気体を吸引し
、気体流出口から排出するように構或されている。20
は吐出口13から吐出された液体によって、基板載置台
18上に載置された半導体基板17上に塗布された液体
層である.上記楕或により、以下、その作用を説明する
.まず、基板栽置台18上に半導体基板17を固定する
。次に、液体が吐出口13より半導体基板17上の中央
位置に吐出されるとともに、基板n置台18は半導体基
板17とともに回転する。このとき、基板載置台18の
羽根19により気体が下方に送られ、気体の流れを妨げ
ない曲面をした逆ロート状の外壁11と内壁12との間
に形成された通路14に気体流入口15から気体流出口
16に向う気体の流れが起こる.一方、半導体基板17
の中央位置に吐出された液体は半導体基板17上に遠心
力により外方に拡がって塗布され、均一な液体層20を
形或する。このとき、余分な液体は半導体基板17外方
へ飛び敗るが、通路14を気体流出口16に向って流れ
る気体流に乗って、飛び散った液体は下方へ送られ、再
び半導体基板17上に付着することを減少させ、パター
ン不良を発生させることはない。
明する. 第1図および第2図は本発明の一実施例の液体塗布に用
いる半導体製造装置の断面図および一部断面斜視図であ
る.第1図および第2図において、11は気体の流れを
妨げない曲面を内面に有する逆ロート状の外壁、12は
中央部を貫通して現象液などを吐出する吐出口13を有
し、気体の流れを妨げない曲面を外面に有して外壁11
の内開に配置される逆ロート状の内壁であり、この環状
の外壁11と内壁12との間に形成された気体通路14
には、上方端に環状の気体流入口15が設けられ、下方
端に環状の気体流出口16が設けられている.内壁12
の下方には上面に半導体基板17が載置された回転可能
な基板載置台18が設けられ、この基板載置台18の周
辺部には気体を下方に送るための羽根19が設けられる
とともに、この周辺部は環状の気体流出口16の近傍位
置で、気体流路14に臨むように配置され、基板載置台
18が回転したとき、羽根1つによって気体通1%14
に気体流を発生させ、気体流入口15から気体を吸引し
、気体流出口から排出するように構或されている。20
は吐出口13から吐出された液体によって、基板載置台
18上に載置された半導体基板17上に塗布された液体
層である.上記楕或により、以下、その作用を説明する
.まず、基板栽置台18上に半導体基板17を固定する
。次に、液体が吐出口13より半導体基板17上の中央
位置に吐出されるとともに、基板n置台18は半導体基
板17とともに回転する。このとき、基板載置台18の
羽根19により気体が下方に送られ、気体の流れを妨げ
ない曲面をした逆ロート状の外壁11と内壁12との間
に形成された通路14に気体流入口15から気体流出口
16に向う気体の流れが起こる.一方、半導体基板17
の中央位置に吐出された液体は半導体基板17上に遠心
力により外方に拡がって塗布され、均一な液体層20を
形或する。このとき、余分な液体は半導体基板17外方
へ飛び敗るが、通路14を気体流出口16に向って流れ
る気体流に乗って、飛び散った液体は下方へ送られ、再
び半導体基板17上に付着することを減少させ、パター
ン不良を発生させることはない。
発明の効果
以上のように本発明によれば、半導体基板を上面に載置
して回転する基板載置台の周辺部が、環状の外壁と内壁
との間に形成された気体通路に気体流入口から気体流出
口への気体の流れを発生させるため、半導体基板外方に
飛び敗った液体はこの流れによって気体流出口から排出
され、再び半導体基板上に付着することを減少させ、半
導体基板上の均一な液体層を得ることができてパターン
不良を防止することができる。
して回転する基板載置台の周辺部が、環状の外壁と内壁
との間に形成された気体通路に気体流入口から気体流出
口への気体の流れを発生させるため、半導体基板外方に
飛び敗った液体はこの流れによって気体流出口から排出
され、再び半導体基板上に付着することを減少させ、半
導体基板上の均一な液体層を得ることができてパターン
不良を防止することができる。
第1図は本発明の一実施例の液体塗布に用いる半導体製
造装置の断面図、第2図は同半導体製造装置の一部断面
斜視図、第3図は従来の液体塗布に用いる半導体製造装
置の外観を示す斜視図である。
造装置の断面図、第2図は同半導体製造装置の一部断面
斜視図、第3図は従来の液体塗布に用いる半導体製造装
置の外観を示す斜視図である。
Claims (1)
- 1、環状の外壁と内壁との間に形成され、一端に気体流
入口を有し、他端に環状の気体流出口を有する通路と、
半導体基板を上面に固定して回転し、周辺部が前記気体
流出口近傍位置で前記通路に臨むとともに、前記回転に
より前記気体流入口から気体流出口ヘの気体の流れを発
生させる基板載置台と、前記基板中央位置の上方に設け
られ、前記半導体基板上に液体を吐出する吐出口とを備
えた半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23522589A JPH0397218A (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23522589A JPH0397218A (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0397218A true JPH0397218A (ja) | 1991-04-23 |
Family
ID=16982936
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23522589A Pending JPH0397218A (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0397218A (ja) |
-
1989
- 1989-09-11 JP JP23522589A patent/JPH0397218A/ja active Pending
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