JPH039330A - 非線形光学材料およびそれを用いた素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は非線形光学素子およびそれを用いた素子に関す
る。さらに詳細には、本発明は非線形光学材料としてニ
トロベンジリデンアニリン誘導体を用いた非線形光学素
子およびそれを用いた素子に関する。

〈従来技術及び発明が解決しようとする問題点〉非線形
光学効果とは、結晶内部にかかる電場よって誘起される
分極Ｐが次式に示されるように、Ｐ−Ｘ（１）Ｅ＋Ｘ”
Ｅ　−Ｅ＋Ｘ（３）Ｅ　−Ｅ　−Ｅ＋・・・Ｘ（ｎ）：
０次の非線形感受率 Ｅ：電場ベクトル ２次以上の項を有することによって生じる非線形性に伴
って発現する光学的効果であり、２次の非線形光学現象
としては第２高調波発生、光整流、先混合パラメトリッ
ク増幅及びポッケルス効果があり、３次のものとしては
￥Ｓ３高調波発生、光双安定性、カー効果等がある。特
に光の電場の２乗に比例して起る２次の非線形光学効果
は、光波長変換素子、光疫調素子等の非線形光学素子と
【７でメブトエレクト！：′ｊニクス分野の発展を約束
する素子への応用が可能であるため多くの注目を集めて
いる。

それらの素子を構成する材料は、現在のところＫ）１２
ＰＯｚなどの一部の無機材料が実ｌされでいるにすぎな
い。しかし、それら無機材料の非線形光学定数は小さく
、それゆλ素子の動作には極めて高い電圧、または極め
て強い光強度が必要であった。このため、非線形光学効
果の大きい材料への藍求は極めて強く、様々な材料探索
がなされてきた。無機材料においては、ニオブ酸リチウ
ム（ＬｉＮｂＯ３）が最も大きい非線形光学定数を有し
ているが、ニオブ酸リチウムは強いレーザ光を照射する
と部分的に屈折率の嚢化を生じ、また容品に光て損傷丈
る欠点を有しており未だ実用什されていない。近年にな
って、無機系材料に比べて有機系材料の方がはるかに高
い非線形光学特性を有することが見出だされ、例えば、
２−メヂル〜４−二ｌ−ロアニリンく以下、ＭＮＡ、Ｊ
ｌ＝略称する）に代表されるように、π電子系を有り、
かつ分子内に電子供与性ハと電子吸引性ハを有【７．２
次の分子非線形光学定数β（以下、単に「非線形光学定
数β」と略称する）が大きい有機結晶オイ料が知られて
いる。

Ｌ、か１，５、これらの有機結晶材料では非線形光学定
数βが比較的大きいものであっても、対称中心を有する
結晶構造であるがために２次の非線形光学現象を生じな
いものが多いという欠点があった。。

即ち、分極Ｐは結晶の巨視的分極を示（７ており、分子
分極μは次式に示さね、 μｍαＥ＋βＥやＥ＋γＥ−Ｅ・Ｅ十・・・・・・ａ１
β、γ：各々１次、２次、３次の分子非線形光学定数、 Ｅ：電場ベクトル 各分子分極率が大きい稈、微視的分極は大きくなり非線
形光学現象は大きくなるが、結晶構造か対称中心を持つ
場合には２次の非線形光字ツ、象は生しない。従って、
分子自身の持つ非線形光学現象に対する能力は大きいも
のの結晶構造の反転対称性のために２次の非線形現象が
生じない場合が存在する。このように、有機結晶材料の
光学特性（！：、それを構成する分子の特性のろならず
、結晶中における分子配列により大きな影響を受けるが
、有機分子性結晶における分子配列はある温度領域Ｃ個
々の分子種によって一意的に決る場合が多く結晶中での
分子配列制御は非常に困難である。そのため、分子自身
のもつ光学特性がその配列によって影響４受Ｉ−ｊ、そ
のもの本来の光学特性を十分に発揮できないという問題
があり、例えば、４−Ｎ。

Ｎ−ジブチルアミノ−４゛−二トロスチルベン（以下、
ＤＡＮＳと略称する）は非線形光学定数βが３８３　Ｘ
　１Ｏ−３０ｅｓｕであり、ＭＮＡの非線形光学定数β
（１９Ｘ１０″″３°ｅｓｕ　）の約２０倍であるが、
２次の非線形光学効果は観測されないと報告されている
［Ｊ、　Ｌ、　０ｕｄａｒ、　Ｊ、　Ｃｈｅｍ、、　Ｐ
ｈｙｓ、、　６７゜４４Ｇ　（１９７７）参照］。この
ように非線形光学定数βが大きい化合物の結晶の分子配
向を制御することは困難であり、勺までＭＮＡより高い
２次のＪ１線形光学効果を示す有機化合物の報告例はほ
とんどなく、従って、ＭＮＡを用いた非線形光学素子よ
り高効率の非線形光学素子は知られていない。

一方、上記のような問題点から、大きな非線形光学定数
βを有するにもかかわらず、その結晶構造に起因して２
次の非線形光学効果を示さないような有機化合物に２次
の非線形光学効果を発現させる方法が検討されいる。こ
れまでいく・つかの方法が提案されおり、その方法の一
つとして液晶性高分子材料を用いる方法が知られている
。即ち、液晶性高分子は液晶状態において、電場や磁場
により分子配向を制御することが−１１，７能であり、
この性質を利用１．、−Ｃ液晶性高分子中に大きな非線
形光学定数βを有する有機化合物を混合１７、電場や磁
場を印加することにより、対象中心を持たない分子配列
を形成させて２次の非線形光学効果を発現させる方法で
ある。例えば、液晶性高分子にＤＡＮＳを２重量％混合
し２、液晶状態において電場配向させた後、急冷して得
られる高分子固体について、２次の非線形光学効果であ
る第２高調波の発生が認められている［Ｇ、　Ｒ，Ｍｅ
ｒｅｄｉｔｈ　ｅｔ　ａｌ。

Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ、　１５．１３８５　（
１９８２）参照］。しかし、ＤＡＮＳは液晶性高分子と
の相溶性が比較的小さく、また液晶状態を利用するため
、分子凝集力の強いＤＡＮＳの混合量を非常に小さくし
なければならない。従って、ＤＡＮＳは大きな非線形光
学能を有するにもかかわらず混合量が少ないため、それ
らの混合物からなる材料には大きな非線形光学現象、は
期待できないという問題がある。

この発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、大
きな２次の非線形光学効果を有すると共に液晶性高分子
との相溶性にも優れる有機非線形光学材料を用いた非線
形光学素子を提供することを目的とする。

く問題を解決するための手段〉 上記の問題点を解決すべくなされた、本発明の非線形光
学材料は、少なくとも下記一般式（■）ニド３ ［式中、ＲＩ　　　Ｒ２およびＲ３は電子供与性基また
は水素原子（ただし、Ｒ Ｒ２およびＲ３がいずれも水素原子である場合を除く）
を示す］ で表される化合物からなることを特徴とする。

また、本発明の非線形光学素子は、上記非線形光学材料
が先導枝部に用いられていることを特徴とする。

本発明は上記構成よりなり、一般式［Ｉ］で表されるニ
トロベンジリデンアニリン、誘導体は、分子内に電子供
与性基（ＲＩ　　　Ｒ２またはＲ３）と電子吸引性基に
トロ基）とを有すると共に長いπ電子系を有しており、
光の電場により分極が生ずる際に分子内の電子移動がス
ムーズに進行するようになり、非線形光学定数βが大き
くなる。従って、一般式（１）で表される化合物からな
る非線形光学素子は顕著な２次の非線形光学効果を示す
。また、一般式（Ｊ）で表される化合物は、棒状で剛直
かつ液晶性に優れるベンジリデンアニリン誘導体であり
、液晶性高分子との相溶性に優れる。従って、前記の有
機非線形光学材料と液晶性高分子とからなる混合物を用
いる方法において、有機非線形光学材料として一般式（
Ｉ］で表される化合物を用いる際、一般式（１）で表さ
れる化合物の含有量を多くすることができるので高い非
線形光学効果が得られる。

なお、一般式（１）で表される化合物の非線形光学定数
βが大きいことは、Ｐ　Ｐ　Ｐ　（Ｐａｒｌｓｅｒ−Ｐ
ａｒｒ−Ｐｏｌｅ）−ＭＯ法により確認できる。Ｐ　Ｐ
　Ｐ−ＭＯ法は一種の分子軌道法であり、簡便で広範囲
に利用されている計算方法である［Ａ、　Ｍａｒｔｌｎ
、＾ｅｔａ　　Ｃｈｅｍｆｃａ　Ａｃａｄｅｍｉａｅ　
５ｃｉｅｎｔｌａｒｕａ　Ｈｕｎｇａｒｉｃａｅ。

８４、２５９　（１９７５）参照コ。Ｐ　Ｐ　Ｐ−ＭＯ
法により得られた各分子パラメーターを用いて、次式よ
り非線形光学定数βを算出することができる　［Ｊ、Ｌ
。

０ｕｄａｒ、　Ｊ、　Ｃｈｅｍ、、　Ｐｈｙｓ、、　６
７、４４６　（１９７７）参照］。

２＋ａ　　　　［ｖ２−（汗ω）　２］［ｖ　２−（歪
ω）２コ［ｅ：電子の電荷、　４：ｈ／２π（ｈはブラ
ンク定数）、ｌ：電子の質４１．　　ｖ：基底状態と励
起状態のエネギー差、毛ω：入射光エネルギー　　ｒ：
振動子強度、　Δμ　二基底状態と励起状態の双極子ｅ モーメントの差。］ 上記式を用いて一般式（１３で表される化合物の非線形
光学定数βを算出したところ、２０Ｘ　１０−”０ｅｓ
ｕ以上となった＠ なお、ＭＮＡおよびＤＡＮｓについて、ＰＰＰ−ＭＯ法
および上記式を用いて非線形光学定数βを算出したとこ
ろ、それぞれ１６４ＸＩＮ”Ｏｅｓυおよび４１８　Ｘ
　１０”　ｅｓｕとなり、前記の実測値と良好な一致が
見られることから、非線形光学定数βの計算にＰ　Ｐ　
Ｐ−ＭＯ法を用いることの妥当性が示される。

前記の一般式（１１で表される化合物において、電子供
与性基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、
イソプロピル、ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、
ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウン
デシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタ
デシルなどの炭素数が１−・コ−５のアルキル基；さら
に、ヒドロキシル基；メチロール、２−ヒドロキシエチ
ル、３−ヒドロキシプロピルなどのヒドロキシアルキル
基；メトキシ、工１−キシ、プロポキシ、イソプロポキ
シ、ブｔ・キシ、インブトキシ、ｔｅｒｌ−ブトキシ、
ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オ
クチルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、ウンデシ
ルオキシ、ドデシルオキシ、トリデシルオキシ、テトラ
デシルオキシ、ペンタデシルオキシなどのアルキル部分
の炭素数が１＝：１５のアルコキシル基；メルカプト基
；メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、ブチルチオ
、ペンチルチオ、ヘキシルチオなどのアルキル部分の炭
素数が１〜６のアルキルヂオ基；ベンジルチオ、フェニ
ルチオ等の置換基を有していてもよいアラルキルチオま
たはアリールヂオ基；アミノ、メチルアミノ、エチルア
ミノ、プロピルアミノ、イソプロピルアミノ、ブチル°
アミノ、ヘキシルアミノ、ジメチルアミノ、メチルエチ
ルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジブチ
ルアミノなどの炭素数が１〜６のＩアルキル基を有して
いてもよいアミノ基；ベンジルアミノ、ベンズヒドリル
、トリチルアミノなどのアラルキルアミノ基；フェニル
アミノ、ジフェニルアミノなどのアリールアミノ基；フ
ッ素、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子等が置換
したフェニル基、上記アルキル基、上記フェニル基の置
換基として例示されたヒドロキシル基、ヒドロキシアル
キル基、アルコキシル超、メルカプト基、アルキルチオ
基、置換基を有（−でいてもよいアラルキルチオ基また
はアリールチオ基、アルキル基を有していてもよいアミ
ノ基、アラルキルアミノ基、アリールアミノ基などがあ
げられる。

また、上記一般式（１）で表される化合物と１７では、
例えば、４−二トロベンジリデン−２，３−ジメチルア
ニリン、４−ニトロベンジリデン−２，４−ジメチルア
ニリン、４−二トロベンジリデンー２．５−ジメチルア
ニリン、４−二トロベンジリデン−３，４−ジメチルア
ニリン、４−ニトロベンジリデン−３，５−ジメチルア
ニリン、４−二トロベンジリデン−２，４−ジメトキシ
アニリン、４−ニトロベンジリデン−３，４，５−トリ
メトキシアニリン、３−ニトロベンジリデン−３，４゜
５−トリメトキシアニリン、２−二トロベンジリデン−
３，４，５−トリメトキシアニリン、３−ニトロベンジ
リデン−２゜３−ジメチル７′ニリン、３−二トロベン
ジリデン−２，５−ジメチルアニリン、３−二１〜ロペ
ンジリデンー３．５−ジメチルアニリン等があげられる
。

また、上記一般式（Ｉ）で表される化合物のうち、電子
供与性基がメチル基またはメトキシ基であるものは、そ
の結晶材料が大きな２次の非線形光学効果を示すので、
特に好ましい。

前記一般式（Ｉ）で表される化合物は、一部新規化合物
を包含し、例えば、下記の方法により製造することがで
きる。

上記反応は、通常有機溶媒中０行われ、溶ｔＶ、とじて
はこの反応に悪影響を及はさない溶媒てあればいずれの
溶媒も使用でき、例えば、メタノール、エタノール、プ
ロパツール等の°アルコール類、ベンゼン、トルエン、
キシレン等の芳香族炭化水素類、テトラヒドロフラン、
ジオキサン等のエーテル類などがあげられる。該反応は
通常加温ない１７還流下にて行われ、反応は数時間程度
て終了する。

反応終了後、反応混合物を濃縮ｌ−１再結晶、ｆｉラム
クロマトグラフィー等の慣用の手段て容品に分離精製す
ることかできる。

本発明の非線形光学材料は、上記の方法等で得られた一
般式（Ｉ）で表される化合物の単一成分からなる結晶で
もよく、また一般式（Ｉ）で表される化合物と液晶性高
分子との混合物からなる固体材料でもよい。このように
一般式（Ｉ）で表される化合物と液晶性高分子との混合
固体材料とすることにより、液晶性高分子の分子配向性
を利用して一般式（Ｉ）で表される化合物の分子配列を
制御することができるので、より大きな非線形光学効果
を得ることができる。また、液晶性高分子はフィルム形
成能が高いので薄膜化することができる。

上記の液晶性高分子としては、例えば、側鎖にメソーゲ
ン基を有する側鎖型液晶性高分子、より好ましくは下記
一般式（財）またはＭで示されるような側鎖型ポリアク
リレート系液晶性高分子、一般式めで示されるような側
鎖型ポリシロキサン系液晶性高分子等が挙げられる。

（以下、余白） ［式中、ｍ、ｎ、ｐおよびｑはそれぞれ正の髭数を示し
、Ｃｈｏはコレステリル基を示す］一般式（１）で表さ
れる化合物の単一成分からなる結晶は、一般式（１）で
表される化合物を加熱溶融させた後、冷却して結晶化さ
せる方法、なお、この際、一般式（１）で表され化合物
の融液を温度勾配を有する加熱炉中で結晶化させる融液
固化法であってもよい；適当な溶媒（例えば、メタノー
ル、エタノール、テトラヒドロフラン、ベンゼン等）に
適当な温度で溶解した後、溶媒を除去するかまたは温度
を降下させることにより、結晶化させる方法、なお、こ
の際、（Ｒ）−２−ブタノール等の不斉炭素を有する溶
媒を使用してもよい：例えば、真空蒸着、分子線エピタ
キシー等の気相成長法を用いる方法等が例示できる。

また、前記の一般式（１）で表される化合物と液晶性高
分子との混合物固体は、一般式（Ｉ）で表される化合物
と液晶性高分子との混合物を溶融させた後、徐々に冷却
して液晶状態とし、・次いで電場または磁場を印加し、
その状態で冷却し固化させることにより得られる。電場
または磁場の印加により液晶性高分子が配向した状態で
固化するので、一般式（１）で表される化合物が対象中
心を持たない分子配列状態の固体を得ることができる。

上記の一般式（Ｉ）で表される化合物と液晶性高分子と
の混合物において、各成分の混合比は一般式［Ｉ）で表
される化合物が分子配向した固体状態をとり得るもので
あれば特に限定されず、一般式（１）で表される化合物
および使用される液晶性高分子の性状（例えば、相転移
温度など）等により適宜選択することができ、特に一般
式【・■）で表される化合物は液晶性高分子との相溶性
に優れるので、広い範囲から選択できるが、通常一般式
（Ｉ）で表される化合物の含有量は２〜３０重量％程度
とされる。２重量％未満では十分な非線形光学効果が得
られず、また３０重量％を越えると液晶性高分子による
分子配列制御が困難となる場合がある。

本発明の非線形光学素子は種々の形態をとることができ
、例えば一般式（１）で表される化合物の結晶材料また
は一般式（Ｉ）で表される化合物と液晶性高分子とから
なる混合物固体（以下、これらを非線形奴質と略称する
）を先導波路とする導波路型非線形光学素子としてもよ
い。導波路型非線形光学ス３子とすることにより、導波
路内に光を閉し込めるので、光パワー密度が大きくなり
、また相互作用長を長くすることができるので高効率化
を図ることかてき、さらにモード分散を利用１〜だ位相
整合も可能である。

第１図は、本発明の非線形光学材料を用いた、第２７ｇ
、”調波発生素子としての光導岐路型波長変換素子を示
す概略図を示し、２次の非線形光学効果を有する前記一
般式（Ｉ）で表される化合物の結晶等の非線形媒質から
なるコア＜１）が、ガラス等の２次の非線形光学効果を
示さない媒質（以下、等力性媒質と略称する）からなる
クラッド０）で被覆された構造を有する。同図中、−点
鎖線は入射された光の基本波を、二点鎖線は第２高調波
を示す。

レーザ光等の光はレンズ等で１光され、上記波長変換素
子の一端面からコア（１）に入射される。：７ア（１）
を形成する非線形媒質は大きい２次の非線形光学効果を
示すので、コア（１）の他端面より出射される光は基本
波と第２高調波を含み、プリズム、フィルタ等の分光手
段により分離することにより第２高調波が取り出される
。

また、光変調素子とし２ても祈来がら用いられている形
態のデバイスきする。二とができる。第２図は、その−
例として、横型動作の先導波路型光変調素子の概略図を
示し、等方性媒質よりなる基板口）中に、−１・線形媒
質からなる導波路（４）が設けられ、さらに２つの電極
（５）が該導波路（４）を介しかつ長さ方向に沿フて対
向する位置に設ｉ：ｌられ、該電極（５）間に電圧を印
加することにより電界が形成される。

Ｊ：記素子において、導波路（４）の長さ方向の一端か
ら入射された光が導波路（４）を通過し他端面から出射
される際、導波路（４）を構成する非線形媒質の屈折率
が変化すると出射される光の位相も変化する。

非線形媒質の屈折率は印加電圧により変化するので、電
極６）間の印加電圧を変化させることにより、出射光の
位相変調を行なうことができる。

上記第１図および第２図に示される非線形光学素子にお
いて、コア（２）または先導波路（４）の形成ｊ、４、
例えば、一般式［Ｉ）で表される化合物等の非線形媒質
原料を、それぞれ等方性媒質からなるキャピラリー中ま
たは等方性媒質からなる導波路基板上で、前記の結晶成
長方法に準じて、上記キャピラリー中または基板上に非
線形媒質を析出させることにより行われる。さらに、場
合によっては、キャピラリー中または基板上で非線形媒
質との接触界面となるべき部分を配向処理材で処理した
後、非線形媒質を析出させて非線形光学素子を形成させ
てもよく、配向処理材としては、無機塩および有機塩（
例えば、臭化ヘキザデシルトリメチルアンモニウムなど
）、適当な高分子（例えば、ポリアミドなど）からなる
薄膜、金属薄膜（例えば、斜め蒸着したん１薄膜など）
等が例示される。

なお、本発明の非線形光学素子は上記実施例に限定され
るものではなく、種々の形態が可能であり、例えば、光
波長変換素子とし、では、非線形媒質単体を素子として
用いることができ、また等方性媒質よりなる基板上に非
線形媒質よりなる先導波路を形成し第２高調波を採り出
す構成等でもよ＜　　　［Ｊ、　　　Ｚｙｓｓ、　　　
Ｊ、　　　Ｍｏ１ｅｃｕｌａｒ　　Ｅｌｅｃｖｒｏｎｌ
ｅｓ　　　］、　　。

２５　（１，９８５）等参照］　まだ、光変調素子とし
ては、縦型動作の先導波路型先安り、フ素子でもよく、
また結晶自体に直接電圧を印加する形態とすることもで
きる。なお、光変調素子においては、非線形媒質の対称
性、結晶軸の方向等により、位相変調を効率よく行なう
ための電Ｗ印加方向が弄なるのＣ１それらに基づき電極
の構成を適宜弯更するのがよい。

実施例ｊ ４−ニトロベンジリデン−２，３−ジメチルアニリンの
生成 ４−二ｌ−ｒｌベンズアルデヒドおよび２．３−ジメチ
ルアニリン、各０．０５モル量をエタノール３００　ｘ
ｉに溶解し、２時間加熱還流１．た後、冷却すると、黄
色結晶が析出した。これを＃ＪｉｌＪｔ、、Ｌタノ・−
ルより再結晶した。ＮＭＲスペクトル分析より、このも
のが４−二ｌ・ロベンジリデン−２゜３−ジメチルアニ
リンであることを確認した。

融点：１３６℃ ＮＭＲ：　　δ　　２．３０　（６Ｈ，、ｓ　　、　Ｃ
ｌ１３）、６．６−７．３（３Ｈ１ｍ）、８．１８　（
４Ｈ１ｑ）、８．４２（１８，ｓ、Ｎ＝Ｃ１ｉ） 実施例２〜８ ４−ニトロベンズアルデヒド、２．３−ジメチルアニリ
ンに代えて、それぞれ、第２表のニトロベンズアルデヒ
ドおよびジメチルアニリンに示したものを用いて、第１
表に示した反応生成物を得た。

反応生成物のＮＭＲおよび融点を第１表に併せて示す。

試験 実施例１で得られた化合物の結晶を粉砕し、２枚のプレ
パラートガラスに挾み、Ｎｄ：ＹＡＧレーザー光（波長
１．０６４７／Ｉ）を照射したところ、第２高調波であ
る波長０．５３２μｍの緑色光が確認された。

また、実施例２〜８て得られた化合物の結晶についても
、同様の試験を行ったところ、前記と同様に、第２高調
波である波長り、５３２　／ｆｆｉの緑色光が確認され
た。

これらの結果より、実施例の各化合物が２次の非線形光
学効果を示すことが判明した。

（以下、余白） 〈発明の効果〉 以上のように本発明の非線形光学材料によれば、前記一
般式（Ｉ）で表される化合物が、分子内に電子供与性基
と電子吸引性基とを有すると共に長いπ電子系を有する
ので、光等の電場により分極が生ずる際の電子移動が速
やかに起こり、非線形光学定数βが大きく、顕茗な非線
形光学効果を示す。

また、本発明の非線形光学素子によれば、光導波部に上
記非線形光学材料を用いているため、２次の非線形光学
効果を示し、光強度の弱いレーザ光でも高強度の第２高
調波を分離でき、また少ない電圧変化でも電気光学効果
を効率よく発現することができるという特有の効果を奏
する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の非線形光学素子の一実施例としての
光波長変換素子の概略図、 第２図は、他の実施例としての光変調素子の概略図を示
す。 Ｇ）・・・・・・左板 （５）・・・・・・電極

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、少なくとも下記一般式（ I ）： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ［式中、Ｒ＿１、Ｒ＿２およびＲ＿３は電子供与性基ま
   たは水素原子（ただし、Ｒ＿１、Ｒ＿２およびＲ＿３が
   いずれも水素原子である場合を除く）を示す］ で表される化合物からなることを特徴と する非線形光学材料。 ２、前記一般式（ I ）で表される化合物において、電
   子供与性基がメチル基またはメトキシ基である請求項１
   記載の非線形光学材料。 ３、請求項１または２記載の非線形光学材料が光導波部
   に用いられていることを特徴とする非線形光学素子。