JPH0391902A - チップｒネットワークの抵抗膜形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、絶縁基板の対向する端縁にそれぞれ複数個の
端子電極が形成され、これらの端子電極に接続されて複
数個の抵抗膜が形成されてなるチップＲネットワークの
抵抗膜形成方法に関する。

（従来の技術） 一般にチップＲネットワークは、たとえば、第４図に示
すように構成されている。すなわち、アルミナ等からな
る絶縁基板２１の対向する端縁にそれぞれ複数個の端子
電極２　２．２　３が形戊され、これらの端子電極２２
．２３に接続されて複数個の抵抗膜２４か形成されてい
る。それぞれの端子電極２２．２３は、図示はしていな
いが絶縁基板２ｌ側面を介して裏面側にも延長して形成
されている。また、それぞれの抵抗膜２４には、トリミ
ング溝２５が形威され、絶縁基板２１の隣りあう端子電
極２２．２２問および２３．２３間には凹溝２Ｂ，２７
がそれぞれ形成されている。

このような構成のチップＲネットワークにおける端子電
極２２．２３は、導電ペーストを印刷し焼成することに
より形戊され、抵抗膜２４は、抵抗ペーストを印刷し焼
成することにより形成されている。

（発明が解決しようとする課題） 上記のような構成になるチップＲネットワークにおいて
、抵抗膜２４を高密度に配置しようとすると、必然的に
隣りあう抵抗膜２４．２４間のギャップを小さくしなけ
ればならない。ところが、隣りあう抵抗膜２４．２４間
のギャップを小さくすると、抵抗ペーストの印刷時のに
じみにより、隣りあう抵抗膜２４．２４間か短絡する恐
れが生じる。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、抵抗膜
を高密度に配置しても短絡の生じないチ・ソプＲネット
ワークの抵抗膜形成方法を提供することを目的とするも
のである。

（課題を解決するための手段） 上記のような目的を達成するために、本発明のチップＲ
ネットワークの抵抗膜形成方法においては、あらかじめ
絶縁基板上に複数個の端子電極に跨がるような大きな面
積の抵抗膜を形成しておき、その後にこの抵抗膜をレー
ザー光線により所定の位置で分断することにより、それ
ぞれ所定の端子電極に接続された独立した抵抗膜を得る
ようにしたことを特徴としている。

（作用） 大きな面積の抵抗膜をレーザー光線により分断すること
により、独立した抵抗膜を得るようにしたため、隣りあ
う抵抗膜間に従来のようなにじみによる短絡が生じるこ
とがなく、抵抗膜の高密度配置が可能となる。

（実施例） 以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。

まず、第１図に示すように、対向する端縁にそれぞれ複
数個の端子電極１，２の形成されたアルミナ等からなる
方形の絶縁基板３を用意する。この絶縁基板３は、通常
は図示していない大きな親基板に多数の絶縁基板３が縦
横に一体配置されたものであり、チップＲネットワーク
の最終製造工程においてそれぞれ独立した絶縁基板とな
るようにプレークされるものであるが、この実施例にお
いては便宜上、１個だけを図示している。

この絶縁基板３の端子電極１．２は、たとえばＡｇ，Ａ
ｇ−Ｐｄ等の導電ペーストが印刷され焼戚されて形成さ
れたものであり、隣りあう端子電極１，１問および２．
２間には凹溝４，５がそれぞれ形成されている。この凹
溝４，５は、上記の親基板をブレークしたのちに形成さ
れることもある。また、この凹溝４．５は、隣りあう端
子電極間ではなく、端子電極１．２の形成されている位
置に形成されてもよい。

次に第２図に示すように、絶縁基板３上にそれぞれの端
子電極１．２に跨がるような大きな面積の抵抗膜６を形
成する。この抵抗膜６は、たとえば、酸化ルテニウム等
のサーメット抵抗ペーストを印刷し焼戊して形威される
。また、この抵抗膜６上には、必要によりグレーズ等か
らなる保護膜が形成される。なお、端子電極１．２は、
抵抗膜６を形成した後に形戊するようにしてもよい。

次いで、第３図に示すように、大きな面積の抵抗膜６を
隣りあう端子電極間でレーザー光線により分断すること
により、それぞれ所定の端子電極１．２に接続された独
立した抵抗膜７ａ〜７ｄを得る。抵抗膜７ａ〜７ｄは、
トリミング溝８３〜８ｄが形成されて所定の抵抗値に調
節され、必要により抵抗膜７ａ〜７ｄ上にグレーズ等か
らなる保護膜が形成される。

なお、上記の実施例におけるチップＲネットワークは、
抵抗膜７ａ〜７ｄが互いに同じ方向に並んだ配置構成と
なっているが、このような配置構成のみに限らず、他の
配置構成とすることも可能である。要は、抵抗膜が所定
の配置構成となるように、大きな面積の抵抗膜をレーザ
ー光線により所定の位置で分断するようにすればよいの
である。

また、大きな面積の抵抗膜は、チップＲネットワークを
構成する絶縁基板３上に複数個に分けて形成してもよい
。

（発明の効果） 以上説明したことから明らかなように本発明によれば、
大きな面積の抵抗膜をレーザー光線により所定の位置で
分断することにより、それぞれ所定の端子電極に接続さ
れた独立した抵抗膜を得るようにしたので、抵抗膜を高
密度に配置しても隣りあう抵抗膜が短絡することがなく
、小型のチッブＲネットワークを形成することができる
ようになる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は本発明の実施例のチツブＲネ・ソトワ
ークの抵抗膜形成方法を説明するための絶縁基板の平面
図である。 第４図は従来のチップＲネットワークの構成を説明する
ための絶縁基板の平面図である。 １．２・・・端子電極、３・・・絶縁基板、４，５・・
・凹溝、６・・大きな面積の抵抗膜、７ａ〜７ｄ・・・
抵抗膜、８ａ〜８ｄ・・・トリミング溝。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁基板の対向する端縁にそれぞれ複数個の端子
   電極が形成され、これらの端子電極に接続されて複数個
   の抵抗膜が形成されてなるチップＲネットワークの抵抗
   膜形成方法であって、 絶縁基板上に複数個の端子電極に跨がるような大きな面
   積の抵抗膜を形成し、この抵抗膜をレーザー光線により
   所定の位置で分断することにより、それぞれ所定の端子
   電極に接続された独立した抵抗膜とすることを特徴とす
   るチップＲネットワークの抵抗膜形成方法。