JPH0388405A - 可変トランスコンダクタンス増幅回路 - Google Patents
可変トランスコンダクタンス増幅回路Info
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- JPH0388405A JPH0388405A JP1223980A JP22398089A JPH0388405A JP H0388405 A JPH0388405 A JP H0388405A JP 1223980 A JP1223980 A JP 1223980A JP 22398089 A JP22398089 A JP 22398089A JP H0388405 A JPH0388405 A JP H0388405A
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- 230000006866 deterioration Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の産業上の利用分野〕
本発明は、積分回路等で構成されたアクティブ・フィル
タの構成に好適であって、高周波特性の良好な可変トラ
ンスコンダクタンス増幅回路に関するものである。
タの構成に好適であって、高周波特性の良好な可変トラ
ンスコンダクタンス増幅回路に関するものである。
第６図は、従来の可変トランスコンダクタンス増幅回路
の一例を示すものである。可変トランスコンダクタンス
増幅回路は、増幅器Ａとシングルエンド出力回路Ｂとで
構成されている。増幅器Ａは、入力端子１．２がベース
に接続されているトランジスタＱ ｒ 、 Ｑ ２と、
トランジスタＱ Ｉ、 Ｑ ２のエミッタ間に接続され
た抵抗ＲＥと、トランジスタＱ１．Ｑ２のエミッタに夫
々接続された電流源用トランジスタＱ７．Ｑｌｌ と、
トランジスタＱ ＋ 、 Ｑ ｚのコレクタに接続され
たダイオード（ダイオード接続されたトランジスタ）Ｄ
、、Ｄ２とから形成されている。ダイオードＤＩ、Ｄ２
のアノードは、共通接続され抵抗Ｒを介して電源端子４
に接続されている。電流源用トランジスタＱ？、ＱＩ＋
は、トランジスタＱ、と共に電流ミラー回路を形成し、
トランジスタＱ、のコレクタに可変型の電流源回路８が
接続されている。可変型の電流源回路８を介しダイオー
ド接続されたトランジスタＱ、に可変電流Ｉ、ｌが供給
されることによって、電流源用トランジスタＱ ７ 、
Ｑ ｅのコレクタ電流として可変電流Ｉゎが流れる。
の一例を示すものである。可変トランスコンダクタンス
増幅回路は、増幅器Ａとシングルエンド出力回路Ｂとで
構成されている。増幅器Ａは、入力端子１．２がベース
に接続されているトランジスタＱ ｒ 、 Ｑ ２と、
トランジスタＱ Ｉ、 Ｑ ２のエミッタ間に接続され
た抵抗ＲＥと、トランジスタＱ１．Ｑ２のエミッタに夫
々接続された電流源用トランジスタＱ７．Ｑｌｌ と、
トランジスタＱ ＋ 、 Ｑ ｚのコレクタに接続され
たダイオード（ダイオード接続されたトランジスタ）Ｄ
、、Ｄ２とから形成されている。ダイオードＤＩ、Ｄ２
のアノードは、共通接続され抵抗Ｒを介して電源端子４
に接続されている。電流源用トランジスタＱ？、ＱＩ＋
は、トランジスタＱ、と共に電流ミラー回路を形成し、
トランジスタＱ、のコレクタに可変型の電流源回路８が
接続されている。可変型の電流源回路８を介しダイオー
ド接続されたトランジスタＱ、に可変電流Ｉ、ｌが供給
されることによって、電流源用トランジスタＱ ７ 、
Ｑ ｅのコレクタ電流として可変電流Ｉゎが流れる。
シングルエンド出力回路Ｂは、トランジスタ差動対を
なすトランジスタＱ’ｓ 、 Ｑ ａと、トランジスタ
Ｑ ｓ 、 Ｑ ｂからなる電流ミラー回路とで形成さ
れている。ダイオード（ダイオード接続されたトランジ
スタ）ＤＩ のカソードとトランジスタＱ、のコレクタ
との接続点がトランジスタＱ３のベースに接続され、ダ
イオードＤ２のカソードとトランジスタＱ２のコレクタ
との接続点が、トランジスタＱ４のベースに接続されて
いる。
なすトランジスタＱ’ｓ 、 Ｑ ａと、トランジスタ
Ｑ ｓ 、 Ｑ ｂからなる電流ミラー回路とで形成さ
れている。ダイオード（ダイオード接続されたトランジ
スタ）ＤＩ のカソードとトランジスタＱ、のコレクタ
との接続点がトランジスタＱ３のベースに接続され、ダ
イオードＤ２のカソードとトランジスタＱ２のコレクタ
との接続点が、トランジスタＱ４のベースに接続されて
いる。
トランジスタＱ ３ 、 Ｑ ４の工累ツタは、共通接
続されて定電流源回路６に接続されて電源端子４に接続
される。トランジスタＱ３のコレクタは、トランジスタ
Ｑ５のコレクタに接続されて出力端子３に接続され、ト
ランジスタＱ４のコレクタは、トランジスタＱ６のベー
ス・コレクタに接続され、Ｑ ｓ 、 Ｑ ｂによって
電流ミラー回路を形成している。
続されて定電流源回路６に接続されて電源端子４に接続
される。トランジスタＱ３のコレクタは、トランジスタ
Ｑ５のコレクタに接続されて出力端子３に接続され、ト
ランジスタＱ４のコレクタは、トランジスタＱ６のベー
ス・コレクタに接続され、Ｑ ｓ 、 Ｑ ｂによって
電流ミラー回路を形成している。
トランジスタＱ５、Ｑ６のエミッタが夫々接地されてい
る。トランジスタＱ４のコレクタは、トランジスタＱ６
のコレクタ・ベースに接続され、Ｑ６の工ごツタが接地
されている。トランジスタＱ３Ｑ４からなる１−ランジ
スタ差動対には、定電流源回路６を介して定電流２１ｘ
が動作電流として供給されている。
る。トランジスタＱ４のコレクタは、トランジスタＱ６
のコレクタ・ベースに接続され、Ｑ６の工ごツタが接地
されている。トランジスタＱ３Ｑ４からなる１−ランジ
スタ差動対には、定電流源回路６を介して定電流２１ｘ
が動作電流として供給されている。
図に於いて、入力端子１．２間に入力電圧Ｖ。
が印加されたとすると、抵抗Ｒ０に電流ｉ３が流れるの
で、 ＋＊ ＝ ＶＩ／Ｒ）： −−−−−−−−−−−
−−（１１の関係式が成立つ。トランジスタＱ、、Ｑ２
のコレクタ電流は、夫々（Ｉｎ ＋Ｉｎ ）＋ （Ｉｎ
Ｉａ ）の電流が流れる。トランジスタＱ、、Ｑ
２のコレクタ間の電位差をＶ。とすると、電位差■。は
、次式のように表される。
で、 ＋＊ ＝ ＶＩ／Ｒ）： −−−−−−−−−−−
−−（１１の関係式が成立つ。トランジスタＱ、、Ｑ２
のコレクタ電流は、夫々（Ｉｎ ＋Ｉｎ ）＋ （Ｉｎ
Ｉａ ）の電流が流れる。トランジスタＱ、、Ｑ
２のコレクタ間の電位差をＶ。とすると、電位差■。は
、次式のように表される。
Ｖｏ ＝ＶＴ Ｉｎ （（Ｉｎ ＋１ｍ ） ／ Ｉｓ
）ＶｔＡ＋（（１、、ｉ−）／Ｉ−） −Ｖｔ７ｎ（（Ｉｎ ＋ ｉａ）／ （Ｉｎ
ｉ ３ ） 〕（２） 〔但し、ＶＴは熱電圧である。〕 又、トランジスタＱ ３ 、Ｑ ４のベース間電位差を
ＶＩｌとすると、ベース間電位差Ｖｌｌは、次式のよう
に表される。
）ＶｔＡ＋（（１、、ｉ−）／Ｉ−） −Ｖｔ７ｎ（（Ｉｎ ＋ ｉａ）／ （Ｉｎ
ｉ ３ ） 〕（２） 〔但し、ＶＴは熱電圧である。〕 又、トランジスタＱ ３ 、Ｑ ４のベース間電位差を
ＶＩｌとすると、ベース間電位差Ｖｌｌは、次式のよう
に表される。
ＶＩｌ ＝Ｖｔ Ｉｎ （（ＩＸ ＋ ｉｂ ） ／
Ｉｇ ）Ｖｔ！ｎ（（１−ｉｂ ）／Ｉ−） −Ｖｔ Ｉｎ （（ＩＸ＋ｉｂ ）／ （１−ｉｂ ）
）−−−−−−−−−−−（３） トランジスタＱ、、Ｑ、のコレクタ間の電位差■。
Ｉｇ ）Ｖｔ！ｎ（（１−ｉｂ ）／Ｉ−） −Ｖｔ Ｉｎ （（ＩＸ＋ｉｂ ）／ （１−ｉｂ ）
）−−−−−−−−−−−（３） トランジスタＱ、、Ｑ、のコレクタ間の電位差■。
と、トランジスタＱ、、Ｑ、のベース間電位差ｖＩｌと
は等しいので、ベース電流ｉ、は、（２）、 （３）式
と、（１）式のＩ ｎ −Ｖ １ ／ ＲＥより、次式
のように表される。
は等しいので、ベース電流ｉ、は、（２）、 （３）式
と、（１）式のＩ ｎ −Ｖ １ ／ ＲＥより、次式
のように表される。
（Ｉｆｉ＋Ｌ ）／ （Ｉｆｉ−ｉ、）＝ （ｌｘ ＋
ｔｂ ）／ （ＩＸ ｌｂ ）ｌｂ ＝ ｌｘ
−１ｌＩ／ｌ。
ｔｂ ）／ （ＩＸ ｌｂ ）ｌｂ ＝ ｌｘ
−１ｌＩ／ｌ。
−１，−Ｖ、／Ｒ，・１． −−−−−−−（４）従っ
て、従来の可変トランスコンダクタンス増幅回路のコン
ダクタンスｇｍは、（４）式を偏微分すると、出力電流
が２＋ｂであるので、次式のように表される。
て、従来の可変トランスコンダクタンス増幅回路のコン
ダクタンスｇｍは、（４）式を偏微分すると、出力電流
が２＋ｂであるので、次式のように表される。
ｇｍ−θ１１．／θＶ８
＝２１．／Ｒ，・ １． −−−−−−−−（５）第
６図に示した従来例の可変トランスコンダクタンス増幅
回路のトランスコンダクタンスｇｍは、（５）式の関係
式で表される。
６図に示した従来例の可変トランスコンダクタンス増幅
回路のトランスコンダクタンスｇｍは、（５）式の関係
式で表される。
従来、トランスコンダクタンスｇｍの可変に当たっては
、可変型の電流源回路８から供給される可変電流Ｉ０の
値を調整することで、（５）式から明らかなように、ｇ
ｍを可変させることが可能である。しかし、ｇｍの可変
に対して周波数特性が第４図に示すように劣化する。
、可変型の電流源回路８から供給される可変電流Ｉ０の
値を調整することで、（５）式から明らかなように、ｇ
ｍを可変させることが可能である。しかし、ｇｍの可変
に対して周波数特性が第４図に示すように劣化する。
従来の可変トランスコンダクタンス増幅回路の周波数特
性は、第４図から明らかなようにトランスコンダクタン
スｇｍの値を小さくしようとして可変電流Ｉ７を絞ると
、その周波数特性は、第４図の曲線（イ）（ロ）（ハ）
（ニ）に示すように次第に劣化する欠点を有する。因に
、第４図の横軸が周波数であり、縦軸が減衰量を示して
いる。このように通常のトランジスタ或いは増幅回路は
、電流を絞ることによってカットオフ周波数ｆＴが減少
し、そのエミッタ抵抗ｒ、の抵抗値の増大等により、周
波数特性が劣化する特性を有しており、第４図に示すよ
うな周波数特性の劣化が生じる。
性は、第４図から明らかなようにトランスコンダクタン
スｇｍの値を小さくしようとして可変電流Ｉ７を絞ると
、その周波数特性は、第４図の曲線（イ）（ロ）（ハ）
（ニ）に示すように次第に劣化する欠点を有する。因に
、第４図の横軸が周波数であり、縦軸が減衰量を示して
いる。このように通常のトランジスタ或いは増幅回路は
、電流を絞ることによってカットオフ周波数ｆＴが減少
し、そのエミッタ抵抗ｒ、の抵抗値の増大等により、周
波数特性が劣化する特性を有しており、第４図に示すよ
うな周波数特性の劣化が生じる。
本発明は、上述のような欠点を改善するべくなされたも
ので、その主な目的は、トランスコンダクタンスｇｍを
可変したとしても周波数特性が良好な可変トランスコン
ダクタンス増幅回路を提供するにある。
ので、その主な目的は、トランスコンダクタンスｇｍを
可変したとしても周波数特性が良好な可変トランスコン
ダクタンス増幅回路を提供するにある。
更に他の目的は、トランスコンダクタンスｇｍの制御が
容易な可変トランスコンダクタンス増幅回路を提供する
にある。
容易な可変トランスコンダクタンス増幅回路を提供する
にある。
本発明は、上述の如き課題に基づきなされたもので、第
１と第２のトランジスタのコレクタが第１と第２のダイ
オード（ダイオード接続されたトランジスタ）のアノー
ドに夫々接続され、それらの工ξツタ間に抵抗が接続さ
れ、且つ夫々のエミッタに第１と第２の電流源用トラン
ジスタが夫々接続されており、第１と第２のトランジス
タのベースに入力端子が印加されるようになされた増幅
器と、そのシングルエンド出力回路から構成された可変
トランスコンダクタンス増幅回路に於いて、前記第１と
第２の電流源用トランジスタに流れるコレクタ電流を可
変して前記第１と第２のトランジスタのコンダクタンス
を予め調整する第１の手段と、該第１と該第２のトラン
ジスタに電流を供給する第２の手段とを具えた可変トラ
ンスコンダクタンス増幅回路に関する。
１と第２のトランジスタのコレクタが第１と第２のダイ
オード（ダイオード接続されたトランジスタ）のアノー
ドに夫々接続され、それらの工ξツタ間に抵抗が接続さ
れ、且つ夫々のエミッタに第１と第２の電流源用トラン
ジスタが夫々接続されており、第１と第２のトランジス
タのベースに入力端子が印加されるようになされた増幅
器と、そのシングルエンド出力回路から構成された可変
トランスコンダクタンス増幅回路に於いて、前記第１と
第２の電流源用トランジスタに流れるコレクタ電流を可
変して前記第１と第２のトランジスタのコンダクタンス
を予め調整する第１の手段と、該第１と該第２のトラン
ジスタに電流を供給する第２の手段とを具えた可変トラ
ンスコンダクタンス増幅回路に関する。
本発明は、可変トランスコンダクタンス地幅回路に可変
電流源回路を具えたもので、その増幅器に付加された可
変電流源回路から電流を可変トランスコンダクタンス増
幅回路に供給或いは引き込むことによって、そのトラン
スコンダクタンスｇｍの値を可変することが可能であり
、しかもカットオフ周波数の劣化を防止して高周波特性
の改善を図ったものである。
電流源回路を具えたもので、その増幅器に付加された可
変電流源回路から電流を可変トランスコンダクタンス増
幅回路に供給或いは引き込むことによって、そのトラン
スコンダクタンスｇｍの値を可変することが可能であり
、しかもカットオフ周波数の劣化を防止して高周波特性
の改善を図ったものである。
第１図は、本発明に係る可変トランスコンダクタンス増
幅回路の一実施例であり、可変トランス０ コンダクタンス増幅回路は、増幅器Ａとシングルエンド
出力回路Ｂ及び可変電流源回路Ｃから構成されている。
幅回路の一実施例であり、可変トランス０ コンダクタンス増幅回路は、増幅器Ａとシングルエンド
出力回路Ｂ及び可変電流源回路Ｃから構成されている。
第１図の実施例は、第６図の回路に可変電流源回路Ｃが
付加されたものであり、増幅器Ａとシングルエンド出力
回路Ｂは、第６図の従来例と同じ回路であるので、その
構成の説明は省略する。可変電流源回路Ｃは、トランジ
スタＱ。
付加されたものであり、増幅器Ａとシングルエンド出力
回路Ｂは、第６図の従来例と同じ回路であるので、その
構成の説明は省略する。可変電流源回路Ｃは、トランジ
スタＱ。
乃至Ｑ、２からなる電流砧う−回路と、トランジスタＱ
１ｏのコレクタ・ベースに可変型の電流源回路７が接続
されてその他端が接地端子５に接続されて構成されてい
る。尚、第１図の電流源回路８“は、第６図の可変電流
源回路８とは異なり、予め所定の値に設定された電流値
を供給する電流源回路である。
１ｏのコレクタ・ベースに可変型の電流源回路７が接続
されてその他端が接地端子５に接続されて構成されてい
る。尚、第１図の電流源回路８“は、第６図の可変電流
源回路８とは異なり、予め所定の値に設定された電流値
を供給する電流源回路である。
図に於いて、入力端子１，２に入力電圧Ｖ、が印加され
ており、電流源回路８゛をトランジスタＱ、のベース・
コレクタに接続することよより、トランジスタＱ ？
、 Ｑ ｅにコレクタ電流Ｉ、、が供給されている。但
し、コレクタ電流１１は、定電流とする。入力電圧Ｖ、
が入力されたとすると、抵■ ■ 抗ＲＥに電流ｉａが流れる。又、可変電流源回路Ｃのト
ランジスタＱｚ、 ＱＩ□を介して電流■７がトラン
ジスタＱｌ、Ｑ２に夫々供給されるようになされている
。トランジスタＱ、、Ｑ２のコレクタ電流としては、夫
々（ｒｎ ＋ｒｖ→−’ａ ）、（Ｉｎ 十Ｉｖ
ｉ、、）が流れる。従って、トランジスタＱＱ２のコレ
クタ間の電位差Ｖ。は、次のように表される。
ており、電流源回路８゛をトランジスタＱ、のベース・
コレクタに接続することよより、トランジスタＱ ？
、 Ｑ ｅにコレクタ電流Ｉ、、が供給されている。但
し、コレクタ電流１１は、定電流とする。入力電圧Ｖ、
が入力されたとすると、抵■ ■ 抗ＲＥに電流ｉａが流れる。又、可変電流源回路Ｃのト
ランジスタＱｚ、 ＱＩ□を介して電流■７がトラン
ジスタＱｌ、Ｑ２に夫々供給されるようになされている
。トランジスタＱ、、Ｑ２のコレクタ電流としては、夫
々（ｒｎ ＋ｒｖ→−’ａ ）、（Ｉｎ 十Ｉｖ
ｉ、、）が流れる。従って、トランジスタＱＱ２のコレ
クタ間の電位差Ｖ。は、次のように表される。
又、トランジスタＱ ３ 、 Ｑ ｓのベース間電位差
■８とすると、ベース間電位差Ｖｎは、次式のように表
される。
■８とすると、ベース間電位差Ｖｎは、次式のように表
される。
Ｖｅ ＝Ｖｔ Ｉｎ （（ｌ Ｘ −１
ｉｂ ） ／ Ｉｓ ）ＶＴ Ｉｎ 〔
（Ｉ Ｘ −ｉ 、 ） ／ Ｉ ｓ 〕トランジス
タＱｌ、Ｑ２のコレクタ間の電位差Ｖ。
ｉｂ ） ／ Ｉｓ ）ＶＴ Ｉｎ 〔
（Ｉ Ｘ −ｉ 、 ） ／ Ｉ ｓ 〕トランジス
タＱｌ、Ｑ２のコレクタ間の電位差Ｖ。
とトランジスタＱ ：ｌ 、 Ｑ ａのベース間電位差
ＶＢとは、等しいので、ベース電流ｉ、は、（６１，（
７１式から次式のように表される。
ＶＢとは、等しいので、ベース電流ｉ、は、（６１，（
７１式から次式のように表される。
（Ｉ□＋Ｉｙ ｔ−） （１−ｉｂ ）ｌｂ
＝ ｉ、 ｌｘ ／ （１−＋ Ｔｙ ） −＝
−・−（８）又、（１１式の１ Ｂ −Ｖ １ ／ Ｒ
Ｅの関係を（８）式に代入すると、次式のように表され
る。
＝ ｉ、 ｌｘ ／ （１−＋ Ｔｙ ） −＝
−・−（８）又、（１１式の１ Ｂ −Ｖ １ ／ Ｒ
Ｅの関係を（８）式に代入すると、次式のように表され
る。
１ｂ＝１． ・Ｖ、／Ｒ，・（１、、＋ Ｉ Ｙ ）
−（９）第１図の可変トランスコンダクタンス増幅回路
の出力電流は、２ｉｂである。従って、この回路のトラ
ンスコンダクタンスｇｍは、次式のように表される。
−（９）第１図の可変トランスコンダクタンス増幅回路
の出力電流は、２ｉｂである。従って、この回路のトラ
ンスコンダクタンスｇｍは、次式のように表される。
ｇ ｍ ＝ １ ＞ ／ Ｖ １
＝２１Ｘ／ＲＥ ・（１，ＩＩ Ｙ ）−ＧＯＩｏｏ）
式から明らかなように可変電流源回路Ｃから増幅器Ａに
可変電流Ｉ７を加えることによって、第１図の可変トラ
ンスコンダクタンス増幅回路のトランスコンダクタンス
ｇｍの値を可変できることは明らかである。即ち、トラ
ンジスタＱ、、Ｑ２及びＱ３．Ｑ４の動作電流ＩＸ、Ｔ
Ｖを一定とした状態で、可変電流源回路Ｃからの電流値
ＩＹを増加３ させることによってトランスコンダクタンスｇｍの値を
大きくすることが可能である。第５図は、この実施例の
周波数特性を示すものであり、１−ランスコンダクタン
スｇｍを変えたとしても、第５図の従来のものと比較し
て周波数特性が安定していることを示している。
式から明らかなように可変電流源回路Ｃから増幅器Ａに
可変電流Ｉ７を加えることによって、第１図の可変トラ
ンスコンダクタンス増幅回路のトランスコンダクタンス
ｇｍの値を可変できることは明らかである。即ち、トラ
ンジスタＱ、、Ｑ２及びＱ３．Ｑ４の動作電流ＩＸ、Ｔ
Ｖを一定とした状態で、可変電流源回路Ｃからの電流値
ＩＹを増加３ させることによってトランスコンダクタンスｇｍの値を
大きくすることが可能である。第５図は、この実施例の
周波数特性を示すものであり、１−ランスコンダクタン
スｇｍを変えたとしても、第５図の従来のものと比較し
て周波数特性が安定していることを示している。
第２図は、本発明の可変トランスコンダクタンス増幅ａ
路の他の実施例である。
路の他の実施例である。
第２図の実施例は、第１図の実施例と比較して可変電流
源回路ＣがトランジスタＱ１ｏ乃至ＱＩ２からなる電流
ミラー回路とトランジスタＱＩｏのコレクタ・ベースに
接続された可変型の電流源回路７で形成され、斗うンジ
スタＱ、２のコレクタがダイオードＤ、とトランジスタ
Ｑ、 との接続点に接続され、トランジスタＱ、のコレ
クタがダイオードＤ２とトランジスタＱ２との接続点に
接続されている。トランジスタＱ、、、Ｑ、２にコレク
タ電流として夫々Ｉｖが増幅回路Ａから引き込まれるよ
うに構成されている。トランジスタＱ ？ 、 Ｑ Ｉ
Ｉのコレクタ電流■７及び動作電流ＩＸは、一定とする
。
源回路ＣがトランジスタＱ１ｏ乃至ＱＩ２からなる電流
ミラー回路とトランジスタＱＩｏのコレクタ・ベースに
接続された可変型の電流源回路７で形成され、斗うンジ
スタＱ、２のコレクタがダイオードＤ、とトランジスタ
Ｑ、 との接続点に接続され、トランジスタＱ、のコレ
クタがダイオードＤ２とトランジスタＱ２との接続点に
接続されている。トランジスタＱ、、、Ｑ、２にコレク
タ電流として夫々Ｉｖが増幅回路Ａから引き込まれるよ
うに構成されている。トランジスタＱ ？ 、 Ｑ Ｉ
Ｉのコレクタ電流■７及び動作電流ＩＸは、一定とする
。
４
この実施例の場合は、可変電流Ｉ９を増加させることに
よってトランスコンダクタンスｇｍは、減少する。又、
この実施例においても第５図の周波数特性に示すように
、トランジスタＱ ＋ 、 Ｑ ２の動作電流は、一定
であるので周波数特性が劣化することはない。
よってトランスコンダクタンスｇｍは、減少する。又、
この実施例においても第５図の周波数特性に示すように
、トランジスタＱ ＋ 、 Ｑ ２の動作電流は、一定
であるので周波数特性が劣化することはない。
第３図は、本発明の可変トランスコンダクタンス増幅回
路の他の実施例である。
路の他の実施例である。
第３図の実施例は、第１図の実施例と比較すると、可変
電流源回路Ｃが差動増幅回路りで構成されている。Ｉ・
ランジスタＱ２．．Ｑ２．の工ξツタ間に抵抗Ｒ２とＲ
２が接続され、抵抗Ｒ０とＲ２との接続点に電流源回路
】１が接続されて接地端子５に接続されている。トラン
ジスタＱ２ｏのコレクタにダイオード接続されたトラン
ジスタＱ２□のベース・コレクタに接続され、そのベー
スとベースを共通とするトランジスタＱ２３とによって
、第１の電流ミラー回路を形成し、且つ、トランジスタ
Ｑ２１のコレクタにダイオード接続されたトランジスタ
Ｑ２４のベース・コレクタに接続され、そのべ■ −スとベースを共通とするトランジスタＱ２．とによっ
て第２の電流ミラー回路を形成している。トランジスタ
Ｑ２３． Ｑ２．のコレクタに夫々トランジスタＱ２
６．Ｑ２７が接続されてシングルエンド山刃回路を構成
して夫々のトランジスタＱ２３とＱ２６との接続点及び
Ｑ２．とＱｚ、との接続点が夫々ダイオドＤ２と１〜ラ
ンジスタＱ２との接続点及びダイオードＤ＋ とトラン
ジスタＱ＋ との接続点に接続されている。
電流源回路Ｃが差動増幅回路りで構成されている。Ｉ・
ランジスタＱ２．．Ｑ２．の工ξツタ間に抵抗Ｒ２とＲ
２が接続され、抵抗Ｒ０とＲ２との接続点に電流源回路
】１が接続されて接地端子５に接続されている。トラン
ジスタＱ２ｏのコレクタにダイオード接続されたトラン
ジスタＱ２□のベース・コレクタに接続され、そのベー
スとベースを共通とするトランジスタＱ２３とによって
、第１の電流ミラー回路を形成し、且つ、トランジスタ
Ｑ２１のコレクタにダイオード接続されたトランジスタ
Ｑ２４のベース・コレクタに接続され、そのべ■ −スとベースを共通とするトランジスタＱ２．とによっ
て第２の電流ミラー回路を形成している。トランジスタ
Ｑ２３． Ｑ２．のコレクタに夫々トランジスタＱ２
６．Ｑ２７が接続されてシングルエンド山刃回路を構成
して夫々のトランジスタＱ２３とＱ２６との接続点及び
Ｑ２．とＱｚ、との接続点が夫々ダイオドＤ２と１〜ラ
ンジスタＱ２との接続点及びダイオードＤ＋ とトラン
ジスタＱ＋ との接続点に接続されている。
この実施例の場合では、入力端子１，２に入力電圧ＶＩ
Ｎが印加され、電流源回路８′によってトランスコンダ
クタンスが予め調整されると共に、差動増幅回路りによ
って正負両極性の電流上■７が増幅器Ａのトランジスタ
Ｑ Ｉ、 Ｑ ２のコレクタに供給されることにより、
増幅器Ａのトランスコンダクタンスが可変される。しか
も周波数特性を劣化させることがない。
Ｎが印加され、電流源回路８′によってトランスコンダ
クタンスが予め調整されると共に、差動増幅回路りによ
って正負両極性の電流上■７が増幅器Ａのトランジスタ
Ｑ Ｉ、 Ｑ ２のコレクタに供給されることにより、
増幅器Ａのトランスコンダクタンスが可変される。しか
も周波数特性を劣化させることがない。
本発明の可変トランスコンダクタンス増幅回路は、可変
電流源回路を具えており、可変電流源回路によって増幅
器のトランスコンダクタンスｇｍを変化させる為に制御
電流を絞ったとしても、増幅器のカットオフ周波数の劣
化を防止し得、以て周波数特性の劣化を改善できる極め
て効果的なものである。
電流源回路を具えており、可変電流源回路によって増幅
器のトランスコンダクタンスｇｍを変化させる為に制御
電流を絞ったとしても、増幅器のカットオフ周波数の劣
化を防止し得、以て周波数特性の劣化を改善できる極め
て効果的なものである。
第１図は、本発明に係る可変トランスコンダクタンス増
幅回路の実施例を示す回路図、第２図は、本発明に係る
可変トランスコンダクタンス増幅回路の他の実施例を示
す回路図、第′３図は、本発明に係る可変トランスコン
ダクタンス増幅回路の他の実施例を示す回路図、第４図
は、従来の可変トランスコンダクタンス増幅回路の周波
数特性を示す図、第５図は、本発明の可変トランスコン
ダクタンス増幅回路の周波数特性を示す図、第６図は、
従来の可変トランスコンダクタンス増幅回路の一例を示
す図である。 Ａ：増幅器、 Ｂニシングルエンド出力回路、Ｃ：可変
電流源回路、 Ｄ：差動増幅回路、１．２：入力端子、
３：出力端子、 ４：電源端子、 ５：接地端子、
幅回路の実施例を示す回路図、第２図は、本発明に係る
可変トランスコンダクタンス増幅回路の他の実施例を示
す回路図、第′３図は、本発明に係る可変トランスコン
ダクタンス増幅回路の他の実施例を示す回路図、第４図
は、従来の可変トランスコンダクタンス増幅回路の周波
数特性を示す図、第５図は、本発明の可変トランスコン
ダクタンス増幅回路の周波数特性を示す図、第６図は、
従来の可変トランスコンダクタンス増幅回路の一例を示
す図である。 Ａ：増幅器、 Ｂニシングルエンド出力回路、Ｃ：可変
電流源回路、 Ｄ：差動増幅回路、１．２：入力端子、
３：出力端子、 ４：電源端子、 ５：接地端子、
Claims (4)
- （１）増幅器とシングルエンド出力回路からなる可変ト
ランスコンダクタンス増幅回路に於いて、該増幅器に電
流を供給或いは引き込む為の可変電流源回路を具えるこ
とによって高周波特性の劣化を防止することを特徴とす
る可変トランスコンダクタンス増幅回路。 - （２）第１と第２のトランジスタのコレクタが第１と第
２のダイオードのアノードに夫々接続され、該第１と第
２のトランジスタのエミッタ間に抵抗が接続されると共
に第１と第２の電流源用トランジスタが夫々接続された
増幅器と、該第１のダイオードと該第１のトランジスタ
との接続点に第３のトランジスタのベースが接続され、
且つ該第２のダイオードと該第２のトランジスタとの接
続点に第４のトランジスタのベースが接続された該第３
と該第４のトランジスタからなる差動対と電流ミラー回
路とによって形成されたシングルエンド出力回路とから
形成された可変トランスコンダクタンス増幅回路に於い
て、前記第１と第２の電流源用トランジスタを介して前
記第１の第２のトランジスタに予め設定されたコレクタ
電流を供給して前記第１と第２のトランジスタのトラン
スコンダクタンスを所定の値に設定して該シングルエン
ド出力回路から出力を得る手段と、該第１と該第２のト
ランジスタに電流を供給してトランスコンダクタンスを
可変する可変電流源回路を具えることを特徴とする可変
トランスコンダクタンス増幅回路。 - （３）前記可変電流源回路が前記第１のダイオードと第
１のトランジスタのコレクタとの接続点にコレクタが接
続された第７のトランジスタと、前記第２のダイオード
と第２のトランジスタのコレクタとの接続点にコレクタ
が接続された第８のトランジスタを出力段とする電流ミ
ラー回路を形成する第９のトランジスタと該第９のトラ
ンジスタに接続された可変電流源回路から形成されたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の可変トラン
スコンダクタンス増幅回路。 - （４）前記可変電流源回路が差動対トランジスタのベー
スに可変電圧が印加されている差動増幅器の負荷回路が
夫々第１と第２の電流ミラー回路で形成され、該第１と
第２の電流ミラー回路の夫々の出力段が第３の電流ミラ
ー回路に接続され、該第１と該第２の電流ミラー回路の
出力段の接続点が前記第１のダイオードと第１のトラン
ジスタとの接続点に接続され、該第２の電流ミラー回路
の出力段と該第３の電流ミラー回路の入力段との接続点
が前記第２のダイオードと第２のトランジスタとの接続
点に接続されてなることを特徴とする特許請求の範囲第
２項記載の可変トランスコンダクタンス増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1223980A JPH0666597B2 (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 可変トランスコンダクタンス増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1223980A JPH0666597B2 (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 可変トランスコンダクタンス増幅回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0388405A true JPH0388405A (ja) | 1991-04-12 |
| JPH0666597B2 JPH0666597B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=16806690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1223980A Expired - Fee Related JPH0666597B2 (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 可変トランスコンダクタンス増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666597B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007274631A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Sharp Corp | 差動増幅回路 |
| JP2007306523A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Pioneer Electronic Corp | Ａｇｃ回路及び受信装置等 |
| US7486139B2 (en) | 2005-07-07 | 2009-02-03 | Panasonic Corporation | Variable transconductance circuit |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0186720U (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-08 | ||
| JPH01108619U (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-24 | ||
| JPH01316014A (ja) * | 1988-06-15 | 1989-12-20 | Toshiba Corp | アクティブフィルター回路 |
-
1989
- 1989-08-30 JP JP1223980A patent/JPH0666597B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0186720U (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-08 | ||
| JPH01108619U (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-24 | ||
| JPH01316014A (ja) * | 1988-06-15 | 1989-12-20 | Toshiba Corp | アクティブフィルター回路 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7486139B2 (en) | 2005-07-07 | 2009-02-03 | Panasonic Corporation | Variable transconductance circuit |
| US7911274B2 (en) | 2005-07-07 | 2011-03-22 | Panasonic Corporation | Variable transconductance circuit |
| JP2007274631A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Sharp Corp | 差動増幅回路 |
| JP4545705B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2010-09-15 | シャープ株式会社 | 差動増幅回路 |
| JP2007306523A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Pioneer Electronic Corp | Ａｇｃ回路及び受信装置等 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0666597B2 (ja) | 1994-08-24 |
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Legal Events
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