JPH038233A - 真空スイツチ管用接点材およびその製法 - Google Patents

真空スイツチ管用接点材およびその製法

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JPH038233A
JPH038233A JP1142446A JP14244689A JPH038233A JP H038233 A JPH038233 A JP H038233A JP 1142446 A JP1142446 A JP 1142446A JP 14244689 A JP14244689 A JP 14244689A JP H038233 A JPH038233 A JP H038233A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は多数回の負荷開閉を行っても、すぐれた耐電圧
性能を維持し、かつしゃ断性能もすぐれた真空スイッチ
管用接点材およびその製法に関する。
〔従来の技術〕
真空スイッチ管に用いられる接点材に要求される特性と
しては、電流しゃ断性能がすぐれていること、耐電圧性
能にすぐれていること、裁断電流値が小さいこと、消耗
量が少ないこと、溶着用外し力が小さいこと、転移を起
こしにくいことなどがあげられ、これらすべての性能を
満足した接点材が求められている。しかし、一方で、非
常に動作回数が多いものとか、電流投入専用もしくは電
流しゃ断専用といった使われ方をするケースも多々見る
ことができる。
従来の接点材は全般的に均整のとれたものであるが、す
べての性能を満足しているわけではなく負荷投入専用で
開閉回数が多いとか、負荷しゃ断専用で開閉回数が多い
といった様な用途にはあまり適したものではない。たと
えばCu−W接点材は耐電圧性能にすぐれているため、
負荷開閉器用真空スイッチ管によく用いられたが、負荷
投入専用で多数回開閉を行なうと、耐電圧性能が少しづ
つ低下するといった欠点を有している。また、元来しゃ
断性能が低いといった欠点も有している。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の真空スイッチ管用接点材は以上のように、全般的
にまとまった性能を有していたが、特定の性能を重視し
た用い方をするばあいその性能を満足することができず
、新しい接点材の開発が求められていた。
本発明は前記のような問題点に鑑みなされたもので、多
数回の負荷開閉を行なってもすぐれた耐電圧性能を維持
し、しゃ断性能にもすぐれ、多数回の開閉を行っても表
面荒れが少ない(転移が少ない)真空スイッチ管用接点
材を提供することを目的とする。
またそのような真空スイッチ管用接点材の製法を提供す
ることをも目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明に係る真空スイッチ管用接点材は、C「が50〜
70体積%、TIが0.1〜1.15体積%、残部がC
uからなることを特徴としたものであり、またその製法
はCu粉末とCr粉末とTI粉末を混合したのち、えら
れた混合粉末を非酸化性雰囲気中、Cuの融点未満の温
度で加熱しながらプレスすることを特徴としたものであ
る。
〔実施例〕
以下、本発明の接点材の製法について説明する。
本発明の接点材は従来の製法では巣を多量に含存するな
どの点で満足なものをうろことはできなかったが、以下
に説明する製法により製造することができる。
まず第1の製法として、第1A〜IC図に示すようにC
u粉末とC「粉末とTi粉末とを混合したのち、えられ
た混合粉末をカーボンダイス(1)などに充填し、非酸
化性雰囲気中、Cuの融点未満の温度で加熱しながらプ
レスする方法があげられる(以下、これをホットプレス
法という)。
前記Cu粉末としては、純度99%以上、粒径100論
以下の粉末が好ましい。またCr粉末としては、純度9
9%以上、粒径100遍以下のC「粉末が好ましい。ま
たTi粉末としては純度99%以上、粒径100通以下
のTI粉末が好ましい。Cu粉末とCr粉末とTi粉末
との混合割合は、C「粉末が50〜70体積%、Ti粉
末が0.1〜1.15体積%で残部がCu粉末である。
純度、粒径、混合割合をこのようにするのは電気特性を
満足する接点材をえるためである。
Cu粉末とCr粉末とTI粉末の混合は、通常行われて
いるような方法が採用しつる。たとえばボールミル混合
などがあげられる。
前記非酸化性雰囲気は、Cu粉末、C「粉末およびTi
粉末の酸化を防止し、焼結を促進させるための雰囲気で
あり、水素などの還元性雰囲気;A「、N2などの不活
性ガス雰囲気; 10’ 〜1O−5Torr程度の真
空などがあげられる。これらのうちではCu粉末表面の
還元作用の点から水素雰囲気、真空が好ましい。
前記加熱温度は、CuとCrの反応を極力防止し電気伝
導度の低下を防ぐ意味からCuの融点(1083℃)未
満、好ましくは980℃以下である。しかし、温度が低
すぎるとプレスの際の加圧力を大きくしなければならな
くなったり、プレスするのに非常に長時間を要するなど
の問題が生じるので、実用上800℃以上が好ましい。
前記プレスの方法にとくに限定はないが、荷重は空隙率
を小さくし、焼結を促進させるという点から 200k
g/cd以上必要であるが、荷重を大きくすると製造に
要する時間は短縮できるが、圧力を発生する機構および
ダイスが大きくなり、設備面でのコストアップ等別の意
味の問題が発生するため、500)cg/cj以下が望
ましい。また、プレスに要する時間は密度を99%以上
まで高めるため、085〜3時間程度の範囲で前記荷重
とのかねあいで決定すればよい。
また前記ダイスの材料としてはアルミナ、カーボンなど
が考えられるが、還元作用といった点、加工のしやすさ
といった点からカーボンが好ましい。
また前記混合粉末を通常の成形法により圧粉体とし、こ
の圧粉体をダイスに充填してもよい。圧粉体を作成する
方法は混合粉末を直接ダイスに充填する方法に比べ、体
積が小さくなっている分、ダイスに充填できる量が増加
するという利点があり、生産効率が大きく向上する。
つぎに第2の製法として、第2A〜2E図に示すように
Cu粉末とC「粉末とTI粉末を混合し、先に述べたよ
うに圧粉体を製造したのち、非酸化性雰囲気の缶の中に
圧粉体を封入し、つづいてこの缶をCuの融点未満の温
度で缶の外部雰囲気の圧力をあげる方法があげられる(
以下、II I P法という)。
使用する粉末および成分は前記第1の製法と同一であり
、前記圧粉体は常法により手で取扱える程度に固まって
いればよい。
つぎにえられた圧粉体(4)を、たとえば第2C図に示
すようなステンレス製の容器(5)に入れ、管付きのフ
タを溶接で取りつける。つづいてこの管から容器内部を
真空に排気し、この管を圧接し、真空を維持する。この
容器を加熱しながら雰囲気加圧すればよく、加熱温度は
前記第1の製法と同じくCuの融点(1083℃)未満
、好ましくは980℃以下で800℃以上が好ましい。
また容器外周の雰囲気圧は 100〜2000気圧で3
0分〜1時間保持することが好ましい。この雰囲気圧は
たとえば^「により形成する。
前記容器内雰囲気は、粉末の酸化を防止する意味で非酸
化性雰囲気が好ましく、Ar、N2等でもよいが一度容
器内を真空にした後置換する必要があるため、真空で行
う方が製造に要する時間を短縮できると共に、容器外雰
囲気圧力をできるだけ低くするといった点からも容器内
部は真空が好ましい。
また前記圧粉体(4)は常温では粉末表面にガスや水分
を吸着しているため、たとえばそのままステンレス容器
(5)に封入しようとすると長時間真空排気を行う必要
がある。したがって前記圧粉体で非酸化雰囲気中で98
0℃以下の温度で焼結を行い、水分等を脱離させたもの
を用いてもよい。7iv記非酸化性雰囲気は水素などの
還元性雰囲気:Ar、N2などの不活性ガス雰囲気; 
10’ 〜1O−5Torr程度の真空が考えられるが
、水分の脱離、酸化防止の点から水素雰囲気、真空が望
ましい。
つぎに本発明の接点材およびその製法を、実施例に基づ
き、さらに具体的に説明する。
実施例1〜3〔製造例1〜9〕および 参考例1〜3〔参考製造例1〜9〕 Cu粉末(粒径10左以下、純度99.5%以上)とC
r粉末(粒径γ4sI以下、純度99.5%以上)とT
i粉末(粒径44虜以下、純度99,9%以上)とを第
1表の割合で秤量し、ボールミル混合したのち、カーボ
ンのダイス(1)に充填し、真空中で980℃の温度に
保持し、200kg/cjの荷重で1時間プレスし接点
材をえた。
なお、第1表には示さないが、Cr量が30.40およ
び80体積%のものも作成した。
比較例1 〔比較製造例1〜3〕 なお、比較例1として前記と同一原料粉末を用いて第2
表に示す割合のものも同一製法で処理し接点材をえた。
なお、第2表には示さないがCrff1が30.40お
よび80体積%のものも作成した。
第  2  表 第  3 表 比較例3〔比較製造例7〜9〕 さらに、従来例として製造方法は常法である溶浸法を用
い第4表に示すCu−ν接点材を作成した。
第  4 表 比較例2〔比較製造例4〜6〕 また、比較例2として原料粉末は前記のものを用い、製
造方法は常法である焼結法で第3表に示す割合の接点材
を作成した。
前記えられた接点材を円板形状に機械加工し、重量と寸
法を測定し、密度を算出した。また、電気導電率計によ
り接点材の電気伝導度を測定した。
これらの結果を第4図および第3図に示す。
これらの円板をさらに電極の形状に機械加工【7たのち
、真空スイッチ管に組込み、操作機構に取り付け、耐電
圧性能、電流しゃ断性能等の電気テストを行った。結果
を第5〜7図に示す。
電気テスト終了後の真空スイッチ管を分解し、接点表面
の荒れを測定した。結果を第8図に示す。
実施例4〔製造例10〜18〕 原料粉末は実施例1〜3と同一のものを用い第5表に示
す割合で秤回し、ボールミル混合を行ったものを金型に
充填し、プレスし、圧粉体(4)を作成した。この圧粉
体(4)をステンレス製の缶[5]にセットし、フタを
溶接にて取り付けた後、ステンレス化(Sにあらかじめ
取り付けられていた排気管より容器内部を真空排気した
。排気は油拡散ポンプを用い、水分を除去するためステ
ンレス容器(5)を200〜400℃程度に加熱しなが
ら排気した。排気完了後、排気管を圧接し、排気管先端
はバーナーで溶封した。この容器を旧P装置にセットし
、980℃、200気圧で1時間処理した。
前記えられた接点材を円板形状に機械加工し、重量と寸
法を測定し、密度を算出した。また、電気導電率計によ
り材料の電気伝導度を測定した。
これらの測定結果は実施例1〜3の第1表に示すものと
同一の結果となった。したがって第3〜4図中の実施例
1〜3を本製法のものにおきかえて見ればよい。
これらの円板は実施例1〜3と同じ手順で真空スイッチ
管に組み込み、同じ電気テストを行った。
結果は実施例1〜3とまったく同じであり、第5〜7図
中の実施例1〜3を本製法で作成した実施例4〜6とし
て見ればよい。
電気テスト終了後の接点表面荒れも実施例1〜3と同じ
手順で行った。結果は実施例1〜3と同一となった。
以上のことから、本発明の接点材は本発明の接点材の製
法を用いればどちらの製法でも同一性能を示すことがわ
かる。
また、他の実施例として実施例1〜3に示したホットプ
レス法で混合粉末をあらかじめ金型ブレスもしくはラバ
ープレスなどを用いて圧粉体を作成しておけばダイスに
充填できる量が数倍になり、より効率的である。さらに
他の実施例として、実施例4〜6に示した+11 P法
で圧粉体をあらかじめ600〜980℃の範囲で焼結し
ておけば、粉末表面に吸着されている水分、ガスなどが
離脱すると共に、若干焼結が進むため旧Pの際の体積変
化が少なく、ステンレス容器の破損などの事故も防ぐこ
とができる。
つぎにえられた第3〜10図について考察する。
第3図は本発明の接点材の電気伝導度を示すグラフであ
る。ただし比較例3のCr−W接点材について第3図の
横軸のCr含有量をWの含有体積%で置き換えて表示し
である。第3図より本発明の接点材は従来の製法である
焼結法で作成したCu−Cr接点材(比較例2)より電
気伝導度が高いことがわかる。なお、第3図中比較例2
においてCrの含有量が多くなると極端に電気伝導度が
低下するのは、従来の製法である焼結法ではCrの含有
量が多くなると焼結が進みにくくなり、その結果材料内
部に多量の巣を含有することによる。また、Mj定装置
の関係で1.A、C,S%で10%以下は、測定しにく
いため、含有量が70体積%のものは計測を行ったが値
が不明であった。また本発明の接点材は比較例1のホッ
トプレスで作成したCu−Cr接点材と比較すると、わ
ずかに低い電気伝導度を示し、TIの含有量が0体積%
(比較例1)から増えるにしたがって、実施例2 (T
I−0,1体積%)、実施例3(TI−1体積%)の順
で電気伝導度が低下している。これは接点材中のTiが
Cuに固溶し、Cuの電気伝導度を低下させることによ
る。一方、比較例3のCu−W接点材が高い電気伝導度
を示すのは、CuとWが反応を起こさないため、Cuの
電気伝導度を低下させないこと、および製法が溶浸法と
いう常法を用いているため、接点材中に空孔がほとんど
なくかつCuの分布が電流経路をうまく形成し、抵抗の
少ない形になっていることによっている。
第4図は本発明の接点材の密度を示すグラフである。横
軸は第3図と同じ<Cr含有率を体積%で示している(
比較例3についてはW含有率を体積%で示している)。
第4図より本発明の接点材(実施例1〜3)は比較例2
の従来のCu−Cr接点材に比べ、高密度を示し、はぼ
理論密度に近い値(99%以上)を示している。なお、
比較例2の従来の接点材がかなり低い密度を示すのは、
先にも述べたように焼結が進まないためである。また、
比較例1のCu−Cr接点材は本発明の接点材とほぼ同
一データとなった。これは同一製法のためと思われる。
一方、比較例3の従来例のCu−W接点材はほぼ理論値
(100%)を示しており、これは先にも述べたように
、その製造法が溶浸法という、W粉末の圧粉体中空隙に
溶融したCuを浸み込ませる方法をとっているため、比
較的簡単に空孔のない接点材かえられるからである。
ついでこれらの接点材を機械加工した後、真空スイッチ
管に組み込み、耐電圧試験を行った。結果を第5A〜5
D図に示す。横軸は第3図と同じ<Cr含含率率体積%
で示したものである。第5A〜5B図は電流投入、無負
荷しゃ断(投入責務)を行った際の耐電圧性能を示した
もので、投入電流は5kAで第5A図は初期値として1
ooo回開閉後、第5B図は1D万回開閉後のデータを
示す。第5A〜5B図中上側の線は平均値、下側の線は
最低値を示す。また第5C〜5D図は、無負荷投入、電
流しゃ断(しゃ断責務)を行った際の耐電圧性能を示し
たもので、しゃ断電流は1kAで第5C図は初期値とし
て1000回開閉後、第5D図は1D万回開閉後のデー
タを示す。第5C〜5D図中上側の線は平均値、下側の
線は最低値を示す。なお、耐電圧性能は、比較例3のC
u−ν接点材製の接点の初期耐電圧性能(第6A図およ
び第6C図)を基準として規格化して示しである。
第6A〜BD図は第5A〜5D図に示した本発明の接点
材と同じ耐電圧試験を比較例3の従来例のCu−W接点
材製の接点について行った結果に関し、横軸はW含有量
を体積%で示したものであり、第6A〜6D図中上側の
線は平均値、下側の線は最低値を示す。
第6A〜6B図より、投入責務に関しては、比較例3の
Cu−W接点材製の接点は耐電圧性能が平均値で1.0
から0686へと低下し、最低値で0.62から0.5
3〜0.55へと低下していることがわかる。
一方、第5A〜5B図より、本発明の接点材の投入責務
に関しては、初期耐電圧性能は平均値で比較例3のCu
−W接点材製のものと同じ<1.0であり、最低値で0
.72と比較例3のものの0.62より高い値を示す。
また、1D万回開閉後も、実施例1のTl含有量が0.
5体積%製のものは初期値1.oを維持し、実施例2の
Tiが含有io、を体積%製のものもo、97、実施例
3のTl含有量が1体積%製のものも0.98と若干初
期値より低下するものの、比較例3の従来例のCu−W
接点材製のものの0.86よりはかなり高い耐電圧性能
を示す。また、lO万四回開閉後最低値についても、実
施例1のTl含有量が0.5体積%製のものは0.78
〜0.8、実施例2のTl含有量が0.1体積%製のも
ツバ0.72〜0.76、実施例3ノTi含有量が1体
積%製のものは0.74〜0.77と、第5A図の初期
における最低値0.72よりも向上しており、比較例3
の従来例のCu−’d接点材製のものの初期値0.62
より高<、1D万回開閉後の0.53〜0.55よりは
さらに高く、すぐれた耐電圧性能を有していることがわ
かる。一方、比較例1のCu −Cr接点材製のものに
ついては、初期は本発明の接点材製のものと同一の平均
値で1.0、最低値で0.72という値を示すが、1D
万回開閉後は平均値で0.93、最低値で0.55〜0
.68と低下し、比較例3の従来例のCu−V接点材製
のものよりはすぐれているものの、最低値で、初期値を
下回わる特性となっている。
また、第5B図より、本発明の接点材のTi含有量が耐
電圧性能へ与える影響は、平均値および最低値で0.5
体積%が最も効果が高いことがゎがる。
さらに、最低値についてはTi含有量の増加と共に、最
低値の中の最高値が高C「含有側へ移動していることが
わかる。
第6C〜6D図は比較例3のCu−’d接点材製のもの
のしゃ断責務を示し、耐電圧性能は平均値で1.0から
0.98へと低下し、最低値で0.7がらo、61へと
低下していることがわかる。
一方、第5C〜5D図より、本発明の接点材製のものの
しゃ断責務に関しては、初期耐電圧性能は比較例3のC
u−V接点材製のものと同じく平均で1.0であり、最
低値でも0.7と比較例3のものと同じ値を示す。しか
し、10万回開閉後は平均値で1.0と初期値を維持し
1、比較例3のものの0.98よりすぐれた性能を示す
。また、最低値も0,79と初期flj′f0.7に比
較してすぐれた耐電圧性能を有することがわかる。また
比較例1も本発明の接点材製のものと同一の性能を示す
ことから、Ti添加の効果はとくに投入責務で著しいこ
とがわかる。
第7A〜70図はこのT+の効果を分りやすく図示した
ものであり、横軸はTiの添加量、縦軸は耐電圧性能を
示し、第7A図がC「含有量が50体積%、第7B図が
C「含有量が60体積%、第7C図がCr含有量が70
体積?6について示しである。Ti含有量が0.1〜1
.15体積%の範囲外の値は参考例1〜3の接点材製の
スイッチの1411j定結果を用いた。なお、耐電圧性
能は絶縁破壊を起こしたばあい、重大事故となるため最
低値が最も重要となる。したがって第7A〜7C図は投
入R務10万回後の最低値でプロットした。第7A図よ
り、C「含有量が50体積%のばあいTi含有量が0.
04体積%から1.15体積九の範囲で初期値0.72
を上回ることがわかる。また第5B図よりC「含有量が
60体積%のばあい、含を量が0.05体積%から1.
35体積%の範囲で初期値0.72を上回り、第7C図
よりC「含有量が70体積%のばあい、TI含有量が0
.1体積%から1,3体積%の範囲で初期値を上回り、
すぐれた性能を示すことがわかる。
なお、耐電圧性能が開閉回数の増加にしたがって低下し
ないということは、スイッチとしての品質保持および保
守点検の面からも重要である。
第8図はTI添加の効果とC「含有量が耐電圧性能にど
のように影響するかを示したもので、TIを含有しない
比較例1の従来のCu−Cr材製のものはCr含有量が
50体積%付近にピークを持つものの0.68程度であ
り、初期値072より低いことがわかる。
また、Tiの添加量が0.5体積%までは性能が向上し
て行く方向にあり、0.5体vK%をすぎると性能が下
降していることがわかる。Crの含を回としてはTI含
有量が0.5体積%で45体積%が初期値0.72を維
持する下限となり、同じ<TI含有量が0.5体積%で
73体積%が上限となっている。
0−に、耐電圧性能については、本発明の接点材製のス
イッチがlO万回開閉後の状態でも、投入責務およびし
ゃ断責務双方で従来のCu−V接点材よりすぐれた性能
を示すことが、平均値および最低値から理解される。ま
た、実用上問題になる耐電圧性能としては、平均値もさ
ることながら最低値であり、実際に絶縁破壊が起こるの
はこの最低値が重要となるため、比較例1のCu−Cr
接点材(第5B図参照)は初期値から比べて最低値が低
下しているため、非常に用いにくいことがわかる。
なお、従来例としての焼結法で作成したCu−Cr接点
材は、初期から非常に低い耐電圧性能であったため、表
示していない。
第9図は本発明の接点材を用いたスイッチの電流しゃ断
性能を示したもので横軸はC「の含有率を体積%で示し
たものである。また第9図には比較例1の接点材を用い
たスイッチおよび比較例3のCu−W接点材のスイッチ
のしゃ断性能をW含有率を体積%で併せて示す。Cu−
50体積%Wの電流しゃ断性能を基準とし、各スイッチ
の電流しゃ断性能を表わしている。試験方法は単相合成
しゃ断試験を行い、電流値を徐々に上昇させて行き、し
ゃ断に成功した最大の電流値をそのスイッチのしゃ断性
能とした。第9図より本発明の接点材を用いたスイッチ
は、比較例3の従来例のCu−W接点材のものよりはる
かにすぐれた電流しゃ断性能を存していることがわかり
、比較例1のCu−Cr接点材のものよりもすぐれてい
ることがわかる。また、Ti添加の効果としては0.1
体積%(実施例2)で比較例1のCu−Crのものより
性能がすぐれ、0.5体積%(実施例1)のもので最良
となり、1体積%(実施例3)のもので若干性能が低下
するものの比較例1のものよりはすぐれていることがわ
かる。
また全体としてC「含有量が増加すると、電流しゃ断性
能が低下して行く傾向がみられるが、これは材料中のC
uの含有量が減少して行くため、接点材の電気伝導度が
低下し、逆に抵抗が高くなって行くため電流しゃ断時に
発生するジュール熱が大きくなり、かつ熱伝導率が悪い
ためアークによる熱エネルギーをうまく放散させること
ができず電流しゃ断性能が低下したものと思われる。
第10図は、先に示した耐電圧性能テスト品(投入責務
)について10万回開閉を行った後の真空スイッチ管を
分解し、その接点表面を調査した際の接点荒れについて
示したものであり、横軸はC「含a率を体積%で示した
ものである。縦軸の表面荒れの計υjは、真空スイッチ
管に組込む前の接点を基準とし、この基準表面から何■
凹んだか、凸になったかでその最大値を示しである。第
8図より本発明の接点材を用いたスイッチは比較例1を
用いたものよりlO万回の投入責務後でも表面荒れが少
なく、すぐれた接点材であることがわかる。また、この
ことよりこの表面荒れが前述の耐電圧性能に大きく寄与
していることもわかる。
なお、比較例3の従来例のCu−W接点材を用いたスイ
ッチの表面荒れはかなりひど<5mm以上ありt二。
この表面荒れは、電流を投与する際に接点どうし、が投
入アークにより微小溶融した状態で結合し、これを引き
はずす際にどちらかの接点の表面が相手接点側に持って
行かれる現象(転移)が多数回くり返されることにより
、この転移が徐々に大きくなって行くことで形成される
。本発明の接点材の表面荒れが小さい理由としては、T
Iの効果が考えられ、先に述べた微小溶融部にTiを含
んだ比較的もろい組織が形成され、この部分で引き外さ
れるため、転移が成長しにくいものと考えられる。
なお、結果として表面荒れが少ないものが10万回開閉
後の耐電圧性能にすぐれるという形になっているが、実
際に接点表面上に突起があると、この部分に電界が集中
し、絶縁破壊を起こす電圧が低下する。したがって、表
面荒れは極力少ない方が、耐電圧的に安定であるといえ
る。
一方、しゃ断責務の耐電圧試験を行ったスイッチについ
ては表面荒れは少なかった。この理由は、無負荷で接点
どうしを接触させたのち、電流をしゃ断するため、接点
どうしの溶融接合がなく、かつ接点表面がアークになめ
られるため、比較的接点表面が平なまま維持されること
による。ただし、比較例3の従来例のCu−ν接点材を
用いたものはCuとWの融点に大きな差があるため、電
流アークによりCuが選択的に蒸発飛散するため、接点
表面層がWに富む形になり、かつ若干の凹凸は存在する
ため、電子を放出しやすい形になり、先に述べた耐電圧
性能の低下につながったと思われる。
以上の結果から、本発明の接点材はCrが50〜70体
積%、TIが0.1〜1.15体積%、残部がCuから
なり電気伝導度が1.A、c、s%で次式0式%( の範囲にあり、さらには密度が99%以上あれば、投入
責務、しゃ断責務で10万回開閉しても、すぐれた耐電
圧性能を示し、かつ接点の表面荒れも非常に少なく、電
流しゃ断性能にもすぐれていることがわかる。
さらに、本発明の接点材は本発明の製法に示すようにC
uとC「の反応を極力おさえ電気伝導度の低下をおさえ
、かつ高密度にする製法が必須条件となる。
また、本発明の接点材を前記のようにして真空スイッチ
管に組み込み、IKAの負荷を投入、しゃ断するテスト
をlO万回行ったが、耐電圧性能の低下はみられず、l
O万同時点でもしゃ断アークの伸びは見られなかった。
ここで、しゃ断アークが伸びるということは、しゃ断性
能が低下し、交流半波の電流零点ではしゃ断できず、さ
らに半波口の電流零点もしくはさらに半波口の電流零点
でしゃ断を完了するためアーク時間が延びるということ
である。また接点の溶着による引き外し不能といった現
象も見られず、接点表面も非常にきれいであった。
参考例4 実施例1〜3と同一手順で接点材の配合は第1表の製造
例2と同一品を作成した。ただし、荷重は100kg/
c−でプレスした。えられた接点材について前記と同じ
方法で密度、電気伝導度を14)I定した。その結果密
度は97%、電気伝導度は!、^、C,S%で27%で
あった。この接点材を前記と同様に真空スイッチ管に組
み込み電気テストを行った。この結宋、耐電圧性能に関
しては投入責務で初期平均値0.9g 、最低値0.8
2.1O万回開閉後、平均値で0.85 、最低値で0
.6、しゃ断責務で初期平均10、最低値0,7.1O
万回開閉後平均値で1.0、最低値で0.7となり、密
度および電気伝導度が低くなると性能が低下することが
わかった。また、投入責務でlO万四回開閉行った後の
接点の表面荒れも3 +uと大きく密度の影響が大きく
でていることがわかった。なお電流しゃ断性能について
はあまり変化はなかった。
参考例5 実施例4〜6と同じ手順で接点材の配合は第5表の製造
例11と同一品を作成した。ただし、温度は1100℃
で行った。えられた接点材は前記方法で密度、電気伝導
度Uj定を行った。その結果密度は99.906.電気
伝導度は1゜^、C,S%で25%であった。
密度が高いにもかかわらず電気伝導度が低下した理由は
接点材製造の際に1100℃まで加熱したため、Cuと
OrとTIが反応を起こし、Cu中に多量のCrおよび
TIが固溶したため、Cuの電気伝導度が低下したこと
による。この接点材を前記と同様に真空スイッチ管に組
み込み電気テストを行った。この結果、耐電圧性能に関
しては投入責務で初期平均値1.O1最低値で(1,7
1、1O万回開閉後で平均値0,93、最低値07とな
り、最低値で初期値を若干下回ねることが判った。なお
、しゃ断責務については本発明の接点材のものとほぼ同
じ値となった。また接点の表面荒れについても本発明の
接点材より若干悪く21程度の値となった。しゃ断性能
についてはほとんど変化がなかった。
C発明の効果〕 以上のように、本発明のCuとCrとTIとからなる接
点材は多数回の負荷投入もしくは負荷しゃ断もしくは負
荷投入負荷しゃ断を行っても耐電圧性能が低下せず、す
ぐれた値を示し、しゃ断性能、接点荒れ、溶着引き外し
力などの各種性能にすぐれた真空スイッチ管用接点材で
あり、また本発明の製法によればこのようなすぐれた特
性を有する接点材を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
第1A〜IC図は本発明の一実施例における接点材の製
法を示す工程図、第2A〜2E図は同じく他の実施例に
おける接点材の製法を示す工程図、第3図は実施例およ
び比較例の接点材の電気伝導度を示すグラフ、第4図は
同じく密度を示すグラフ、第5A〜5D図は同じく耐電
圧性能を示すグラフ、第6A〜GD図は従来例のCu−
讐接点材の耐電圧性能を示すグラフ、第7A〜70図は
TI含有量が耐電圧性能に与える影響を示すグラフ、第
8図はCr含有量が耐電圧性能に与える影響を示すグラ
フ、第9図は実施例および比較例のスイッチのしゃ断性
能を示すグラフ、第1O図は同じく表面荒れを示すグラ
フである。 (図面の主要符号) (1):カーボンダイス (2J=押し棒 (3):混合粉末 側11C図 第2A回 0 真空排気 第4 ヌ 0 050 Cr (体積%) W(体@%] 第3 圓 Cr(体積%) W (体積%) 第5A図 (+000回開閉後) C「(体積%) C「 (体積%) 第5C図 (1000回開閉後) Cr を体積%) C「 (体積%) オフA図 (体積%〕 オフB回 i (体積%) オ6A回 (+000回開閉後) オ6B図 (1C万回開閉後) 0 050 W(体積%) 0 050 W(体積%) W(体積%) W(体積%) オフC図 i (体積%) オ8図 (10万回開閉イ(の最低1+Ii )オ9 r (体積%)

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)50〜70体積%のCrと、0.1〜1.15体
    積%のTiと、残部のCuとからなる真空スイッチ管用
    接点材。
  2. (2)Cr粉末とTi粉末とCu粉末を混合したのち、
    えられた混合粉末を非酸化性雰囲気中、Cuの融点未満
    の温度で加熱しながらプレスすることを特徴とする真空
    スイッチ管用接点材の製法。
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